看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機(jī)會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
2670 
和糾錯率，有效改善采用常規(guī)調(diào)制技術(shù)的芯片
在距離、抗干擾能力和功耗之間的折衷問題。
ChirpIoT ?射頻系統(tǒng)具有高抗干擾性、高靈敏度、低功耗和超遠(yuǎn)傳輸距離等特性。最高具有 -140dBm 的靈敏度，
22dBm 的最大輸出功率，產(chǎn)生業(yè)界領(lǐng)先的鏈路預(yù)算，使其成為遠(yuǎn)距離傳輸和對可靠性要求極高的應(yīng)用的最
佳選擇。
2025-12-30 08:35:13
的主要產(chǎn)品是高速和低功耗 SRAM 以及低密度和中密度 DRAM、NOR/NAND 閃存和 eMMC 產(chǎn)品。我們以具有成本效益的高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)這些關(guān)鍵市場，并尋求
2025-12-21 11:21:28
- iSSI30R12H 評估板，它搭載了先進(jìn)的無芯變壓器固態(tài)隔離器 iSSI30R12H，為我們帶來了諸多獨特的功能和特性。 文件下載： Infineon Technologies EVAL-iSSI
2025-12-19 16:15:15217 系列產(chǎn)品，如iSSI20R02H、iSSI20R03H、iSSI20R11H、iSSI30R11H和iSSI30R12H，憑借其獨特的技術(shù)和出色的性能，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競爭力。今天，我們
2025-12-19 16:15:12206 EVAL-iSSI30R11H評估板：開啟無芯變壓器先進(jìn)固態(tài)隔離器的評估之旅 在電子設(shè)計的領(lǐng)域中，評估板就像是我們探索新器件性能的指南針。今天，我們就來深入了解一下Infineon的EVAL
2025-12-19 15:55:12210 DMA彈性映射功能
示例
目的：演示AT32F系列DMA彈性映射功能使用的方法。
支持型號：AT32F 系列、AT32F403Axx
主要使用外設(shè)： TMR、 GPIO、 DMA
1 快速使用方法
2025-12-12 16:04:59
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM
下載示例
演示AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的使用方法。
注：本例程對應(yīng)的代碼是基于雅特力提供的V2.x.x 板級支持包
2025-12-03 16:26:37
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46868 在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 概述 型號：FZH367FZH367是一種具有獨立自動呼吸功能的LED(12×16)點陣驅(qū)動芯片。芯片通過I2C協(xié)議控制每個LED實現(xiàn) 3 種自動呼吸模式及PMW模式的切換控制。此外，芯片具備
2025-11-18 09:18:39
是一種具有獨立自動呼吸功能的LED(12×12)點陣驅(qū)動芯片。芯片通過I2C協(xié)議控制每個 LED實現(xiàn) 3 種自動呼吸模式及PMW模式的切換控制。此外，芯片具備對每一個LED的開短路檢測功能，通過
2025-11-17 09:38:24
●阻塞和鄰道選擇方面具有顯著的優(yōu)勢，可以進(jìn)一步提高通信可靠度。
●較大的靈活性，用戶可自行調(diào)節(jié)擴(kuò)頻調(diào)制帶寬、擴(kuò)頻因子和糾錯率，有效改善采用常規(guī)調(diào)制技術(shù)的芯片在距離、抗干擾能力和功耗之間的折衷
2025-11-13 06:33:56
在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 型的調(diào)試工具來實時監(jiān)控內(nèi)存使用情況。
是否有其他方法（例如構(gòu)建報告、SDK 功能或EZ-USB? Suite 內(nèi)的工具）可以讓我檢查固件使用了多少 SRAM？
2025-11-11 06:33:59
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 全球超導(dǎo)量子計算領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)IQM Quantum Computers今日宣布，將在其量子計算機(jī)中集成NVIDIA的NVQLink技術(shù)，以實現(xiàn)量子糾錯的規(guī)?；?。量子糾錯是實現(xiàn)量子計算實際
2025-10-31 10:30:08279 PSRAM全稱為pseudo SRAM，一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議，給出地址，讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不同于DRAM需要用到memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新
2025-10-27 16:04:47450 。
語法糾錯
在vscode的拓展中，輸入Verilog查找如下插件：
安裝完該插件后就支持了語法高亮和自動補(bǔ)全等功能，但是要實現(xiàn)自動糾錯還需要安裝ctags。這在該擴(kuò)展的細(xì)節(jié)中有介紹，各位可以
2025-10-27 07:07:03
在存儲解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 本文描述在進(jìn)行指令集測試的一種糾錯方法
1.打開測試指令集對應(yīng)的dump文件
dump文件是指由匯編文件進(jìn)行反匯編之后，可以供人閱讀指令的反匯編文件。其包含了每一條指令的具體操作的信息。指令集測試
2025-10-24 14:04:08
本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
Microchip Technology AVR16/32DD28/32 avr? DD微控制器采用avr CPU，硬件乘數(shù)運行時鐘速度高達(dá)24MHz，具有高達(dá)32KB的閃存，以及高達(dá)4KB的SRAM和256字節(jié)的EEPROM。
2025-10-11 15:54:30552 
Microchip Technology PIC16F18054/55/74/75微控制器 (MCU) 是外形小巧、功能豐富的器件，具有強(qiáng)大的模擬和數(shù)字外設(shè)。這些微控制器功能包括128字節(jié)數(shù)據(jù)閃存
2025-10-11 15:31:38433 
具有4096K位低功耗和單電壓讀寫操作。23AA04M和23LCV04M支持串行雙接口 (SDI) 和串行四路接口 (SQI)，可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)速率和143MHz高速時鐘頻率。SRAM具有內(nèi)置糾錯
2025-10-09 11:16:59540 具有2048K位低功耗和單電壓讀/寫操作功能。該器件支持雙路串行接口 (SDI) 和四路串行接口 (SQI)，可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率和143MHz高速時鐘頻率。該SRAM提供內(nèi)置糾錯碼 (ECC
2025-10-09 11:12:55559 頻率高達(dá)300MHz，可補(bǔ)充高達(dá)2048Kb的閃存和高達(dá)512Kb的多端口SRAM，它們是可配置的指令和數(shù)據(jù)緊密耦合存儲器，利用內(nèi)核的先進(jìn)DSP功能。
2025-09-29 10:30:06640 
原型設(shè)計和應(yīng)用開發(fā)。 該套件包括內(nèi)置硬件安全特性，例如雙核鎖步CPU、閃存上的糾錯碼 (ECC)、SRAM/EEPROM以及帶錯誤控制器的自主故障檢測，因此符合ISO 26262 (ASIL C) 和IEC 61508 (SIL 2) 安全標(biāo)準(zhǔn)。
2025-09-29 10:04:49469 
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”，守護(hù)芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟(jì)
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00533 
麥克風(fēng)輸入是否具有耳機(jī)控制功能（例如播放/停止、音量增減）
2025-08-29 06:14:12
使用 NUC505 時如何將代碼放入 SRAM 中執(zhí)行？
2025-08-28 08:25:40
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時不初始化？
2025-08-25 06:09:44
如果引腳具有 Uart Rx 和 nRESET 功能，如何配置 UART Rx 功能？
2025-08-25 06:08:06
IS61WV102416EDBLL-10TLI以10ns零延遲、1.8μA超低功耗、50G抗振及內(nèi)置ECC，破解工業(yè)通信實時性與可靠性難題，成為5G工廠與智能電網(wǎng)的存儲基石。
2025-08-21 10:05:001301 
如果引腳具有 Uart Rx 和 nRESET 功能，如何配置 UART Rx 功能？
2025-08-21 07:19:51
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時不初始化？
2025-08-21 07:17:17
如何在Keil開發(fā)環(huán)境中查看代碼大小和SRAM使用情況？
2025-08-20 06:38:41
UCD90320U器件是一款 32 軌 PMBus? 可尋址電源定序器和系統(tǒng)管理器，采用緊湊的 0.8 mm 間距 BGA 封裝。采用ULA模塑料，減少α顆粒引起的軟誤差。該器件掃描用戶配置 SRAM 以檢測單事件擾亂 （SEU）。這兩種功能都為應(yīng)用提供了更高的可靠性。
2025-08-19 09:17:30671 
如何使用 NUC980 系列微處理器 （MPU） 構(gòu)建具有帶外 （OOB） 功能的簡單遠(yuǎn)程監(jiān)控應(yīng)用。
2025-08-19 06:21:13
Texas Instruments MSPM0G110x混合信號微控制器具有高達(dá)128KB閃存（帶內(nèi)置糾錯碼ECC）和高達(dá)32KB受ECC保護(hù)的SRAM（帶硬件奇偶校驗）。MSPM0G110x
2025-08-12 14:58:15805 
兩個總線能不能同時使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種抗輻射加固檢錯糾錯電路的設(shè)計.pdf》資料免費下載
2025-08-11 15:38:41
0 這些易于使用的 8 引腳集成電路包含開發(fā)符合 IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備 （PD） 所需的所有功能。TPS2375-1 和 TPS2377-1 是第二代 PDC（PD 控制器），具有
2025-08-06 14:50:23881 
在工業(yè)環(huán)境中，數(shù)據(jù)的精度與穩(wěn)定性往往意味著設(shè)備運轉(zhuǎn)的成敗，甚至關(guān)乎系統(tǒng)安全和業(yè)務(wù)連續(xù)性。很多用戶在選購“工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤”時，只盯著讀寫速度，卻忽略了一個至關(guān)重要的核心指標(biāo)——糾錯與壞塊管理能力
2025-08-02 10:32:31791 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有 PWM 控制功能的高效 1x/1.5x/2x 模式電荷泵，適用于白光 LED 應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有具有 PWM 控制功能的高效 1x/1.5x/2x 模式
2025-07-29 18:31:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有反向阻斷功能的 3A 轉(zhuǎn)換速率控制負(fù)載開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有具有反向阻斷功能的 3A 轉(zhuǎn)換速率控制負(fù)載開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，具有
2025-07-24 18:30:48
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運行SRAM中的Flash driver
我應(yīng)該如何實現(xiàn)這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
文章背景 最近在測試業(yè)務(wù)需求時通讀了研發(fā)指定需求的代碼，發(fā)現(xiàn)研發(fā)大佬們用到了如下的內(nèi)容，有些內(nèi)容我還不是十分的清楚，比如下述真實代碼；作為后端大佬肯定爐火純青，但是我剛剛看到這段代碼時確實有點懵； 快速理解的方式 直接借助joycoder解釋代碼的能力就可以快速理解 ? 于是乎有了下述的探索 ? 但是我為了理解的透徹點還是又去翻找了一些其它資料做一個記錄吧，后續(xù)萬一在遺忘了也方便快速查找 ? MyBatis-Plus的LambdaQueryWrapper簡介 Lam
2025-07-14 14:55:45460 
時會自動開啟當(dāng)前頻道。
頻段 2 和頻段 3 已被禁用，我們實際上使用波段 1 & 4。
我想知道使用AP功能時它是否具有自適應(yīng)功能。
2025-07-09 08:21:22
?很多應(yīng)用都有一個“點擊復(fù)制”的功能，這一功能在實際操作中非常便捷，這一功能的實現(xiàn)主要是通過Basic Services Kit（基礎(chǔ)服務(wù)）中的“剪貼板服務(wù)”實現(xiàn)的。
代碼如下：
async
2025-06-30 17:27:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，Marvell 美滿電子當(dāng)?shù)貢r間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM，可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上緩存。Marvell
2025-06-21 00:57:007264 MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強(qiáng)型 PFC 穩(wěn)壓器，具有峰值功率總線升壓功能
2025-06-18 18:09:331271 
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認(rèn)上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
# 鴻蒙NEXT上傳圖片功能PhotoViewPicker核心功能解析 #ArkTS#鴻蒙Next#HarmonyOS_SDK應(yīng)用服務(wù)#HarmonyOS 語言
`PhotoViewPicker
2025-06-06 15:00:43
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45861 
MCU基于帶浮點單元(FPU)的超低功耗Arm Cortex- M4，包括384KB（376KB用戶）閃存和160KB SRAM。在整個閃存、SRAM和緩存上實現(xiàn)糾錯編碼(ECC)，能夠?qū)崿F(xiàn)單錯校正和雙錯檢測(SEC-DED)，確保為要求苛刻的應(yīng)用提供超可靠的代碼執(zhí)行。
2025-06-03 10:04:08752 
NET 8.0現(xiàn)已支持測試腳本、應(yīng)用模型和仿真節(jié)點的開發(fā)，支持C# 12，可使用async/await進(jìn)行等待，本機(jī)編譯實現(xiàn)快速加載，改進(jìn)應(yīng)用層對象的API實現(xiàn)處理復(fù)雜數(shù)據(jù)類型，并支持運行在Linux版本CANoe SE中。
2025-05-29 14:05:002199 
我對 PMG1 閃光燈有疑問。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？ 是 SRAM 嗎？
2.微控制器加載軟件時，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位？
2025-05-23 06:22:31
CYPD3177 的\"VDC_OUT\" 引腳是否具有放電功能？
因為數(shù)據(jù)表中沒有說明。
2025-05-22 08:23:43
你好。我是CYUSB3的初學(xué)者。
我想創(chuàng)建一個使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 訪問 SRAM 的應(yīng)用程序。
目前我已經(jīng)在我的電腦上安裝了SDK，但是有什么參考資料嗎？
2025-05-14 06:51:40
我有 NXP S32G3 板。我有 .map 文件。有沒有辦法從 .map 文件確定 SRAM 使用情況。
非常感謝幫助。
2025-04-08 06:00:58
LED5000 器件是一款 850 kHz 固定開關(guān)頻率單片降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，設(shè)計為精密恒流源，具有高達(dá) 3 A DC 的可調(diào)電流能力。嵌入式 PWM 調(diào)光電路具有 LED 亮度控制功能
2025-04-02 17:40:49821 
如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數(shù)據(jù)放入 SRAM 中以進(jìn)行S32K146？
2025-04-01 08:27:32
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
S32k系列微型機(jī)，特別是S32K388具有并行處理功能嗎？
2025-03-26 08:27:41
英飛凌iSSI系列固態(tài)隔離器通過電氣隔離屏障提供強(qiáng)大的能量傳輸能力，采用無磁芯變壓器技術(shù)，體積小巧，無需隔離電源就能驅(qū)動非高頻調(diào)制工況的MOS型功率晶體管，IGBT或MOSFET，適用于固態(tài)開關(guān)
2025-03-17 16:06:23605 
通過SPI總線訪問Flash；
FPGA已經(jīng)被配置OK；
因為新增加了功能，需要通過STM32讀寫FPGA內(nèi)部SRAM的特定區(qū)域。測試時卻發(fā)現(xiàn)只有地址0x60000004、0x60001004
2025-03-12 07:59:54
《rm0399-stm32h745755-and-stm32h747757-advanced-armbased-32bit-mcus-stmicroelectronics》和《an5342-STM32H7系列內(nèi)部存儲器保護(hù)的糾錯碼（ECC）管理》均說明了無法關(guān)閉RAM區(qū)的ECC,這就導(dǎo)致雖然可以按照例程那樣讀取非初始化的區(qū)域來觸發(fā)ECC中斷，但是
2025-03-11 07:43:43
該TPS70345旨在為需要雙輸出電壓穩(wěn)壓器的德州儀器 （TI） DSP、處理器電源、ASIC、FPGA 和數(shù)字應(yīng)用提供完整的電源管理解決方案。該系列具有簡單的時序控制功能可編程性，非常適合任何具有
2025-03-10 17:49:49966 
計算技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)投入，其芯片在智能視頻監(jiān)控、AIoT、工業(yè)和消費、生物識別及教育電子領(lǐng)域獲得了穩(wěn)健和廣闊的市場。 2020年，君正完成對美國ISSI及其下屬子品牌Lumissil的收購。ISSI面向汽車
2025-03-07 17:36:05
兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當(dāng)成一塊使用
2025-03-07 08:59:10
無法卸載具有 FreeLibrary* 功能OpenVINO?工具套件 DLL
2025-03-06 07:11:01
獲取具有三個輸出的自定義模型的輸出張量： 從 openvino.runtime 導(dǎo)入內(nèi)核
內(nèi)核 = 內(nèi)核（）
model = core.read_model（model=“model.xml
2025-03-05 09:44:30
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機(jī)，專為Wi-Fi /藍(lán)牙通信控制而設(shè)計；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，可應(yīng)用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應(yīng)用。
2025-03-04 09:27:09759 帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43994 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58890 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41747 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS3232是低成本溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)，內(nèi)置精度極高的溫度補(bǔ)償實時時鐘(RTC)以及236字節(jié)電池備份SRAM。此外，DS3232還具有電池輸入，可在器件主電源掉電時保持精確計時。集成晶
2025-02-26 15:05:231006 
。 IS25WP128F串行閃存為簡化引腳數(shù)封裝提供了具有高靈活性和性能的通用存儲解決方案。ISSI的“工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行接口”閃存適用于需要有限空間、低引腳數(shù)和低功耗的系統(tǒng)。該設(shè)備通過4線SPI接口訪問，包括串行數(shù)據(jù)輸入（SI）、串行數(shù)據(jù)輸出（SO）、串行時鐘（SCK）和芯片使
2025-02-19 09:14:28815 
特點ISSI IS62/65WVS5128FALL/FBLL是4M位串行靜態(tài)RAM組織為512K字節(jié)乘8位。這是一個兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆疊。通過簡單的串行外設(shè)訪問該設(shè)備接口（SPI）兼容
2025-02-17 15:50:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74CBTLVD3861具有輸出使能功能的10位電平轉(zhuǎn)換總線開關(guān)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-17 14:48:570 在過去的二十年中，SRAM存儲器市場發(fā)生了巨大變化；技術(shù)進(jìn)步使得許多分立的SRAM被更高性價比的集成方案所取代。諸如賽普拉斯(Cypress)、GSI、瑞薩(Renesas)和三星(Samsung
2025-02-11 10:43:11754 產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN160-具有遠(yuǎn)程溫度檢測功能的單通道電源監(jiān)控器.pdf》資料免費下載
2025-01-12 10:01:210 定制光纖線纜可以具備熒光功能。熒光光纖是在纖芯和包層中摻入了熒光物質(zhì)和某些稀有元素構(gòu)成的，當(dāng)激發(fā)光從側(cè)面或端面入射進(jìn)纖芯時，纖芯中的發(fā)光材料被激發(fā)而發(fā)射熒光，并沿光纖傳播。這種光纖既可在特殊情況用作
2025-01-06 18:16:17619
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