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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認為是半導體行業(yè)最先進的技術之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術的最新進展。
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英飛凌面向移動系統(tǒng)推出具備低動態(tài)電阻和超低電容的TVS器件
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一系列可為移動電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)...
IC Insight指出在2007年至2012年期間,全球IC市場的年均增長率CAGR僅為2.1%,而2013年全球集成電路產業(yè)已度過最低增長的困難的5...
采用矽穿孔(TSV)的2.5D或3D IC技術,由于具備更佳的帶寬與功耗優(yōu)勢,并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰(zhàn),是近年來半導體產業(yè)的重要發(fā)展...
格力集團宣布,康洪在春節(jié)前的最后幾天,帶領團隊對集團正在建設中的12英寸TSV立體集成生產基地一期與格創(chuàng)·壹號等項目進行實地考察,并針對安全生產問題提出...
GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔(TSV)設備。如果一切順利,該公司希望在2013下半年開始採用 20n...
2012-05-01 標簽:TSV硅穿孔GlobalFoundries 1.5k 0
類比積體電路設計也將進入三維晶片(3D IC)時代。在數位晶片開發(fā)商成功量產3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產線,期透過矽穿孔(...
日月光半導體最新推出FOCoS-Bridge TSV技術,利用硅通孔提供更短供電路徑,實現更高 I/O 密度與更好散熱性能,滿足AI/HPC對高帶寬與高...
LDI設備有哪些劣勢? LDI設備的WPS偏低,激光止血導致的工藝分辨率只有8到10微米,而線性公章的工藝分辨率在4到6微米。
意法半導體率先將硅通孔技術(TSV)引入MEMS芯片量產。在意法半導體的多片MEMS產品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內,硅通孔技術以垂直短線方式取代傳...
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TVS瞬態(tài)抑制二極體于快速成長的汽車及5G通訊應用
TVS是采用半導體擴散工藝制成的單個PN結或多個PN結集成的元件。TVS具有較高的可靠性,以及較低的動態(tài)內阻及低鉗位電壓,相較其他過壓保護元件,TVS具...
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