- 423以及聯(lián)邦標準1020和1030而設(shè)計的四線差分線路接收器，可用于平衡和非平衡數(shù)字數(shù)據(jù)傳輸。它融合了CMOS的低
2026-01-04 16:50:23
56 。DS90CF366和DS90CF386作為德州儀器（TI）推出的兩款LVDS接收器，在視頻顯示、數(shù)字視頻傳輸?shù)阮I(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。本文將深入解析這兩款接收器的特性、應(yīng)用及設(shè)計要點，為電子工程師們
2025-12-31 16:00:1763 分線路接收器，專為滿足 EIA 標準 RS - 422 和 RS - 423，以及聯(lián)邦標準 1020 和 1030 對平衡和非平衡數(shù)字數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊蠖O(shè)計。它
2025-12-31 14:45:0361 汽車電子利器：DS90UB901Q/DS90UB902Q芯片組深度解析 在汽車電子領(lǐng)域，攝像頭系統(tǒng)與主機控制器或電子控制單元（ECU）之間的數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要。德州儀器（TI）的DS
2025-12-28 15:50:03422 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283965 
就來深入探討一款性能卓越的重定時器——DS125DF410。 文件下載： ds125df410.pdf 一、DS125DF410概述 DS125DF410是一款四通道重定時器，集成了信號調(diào)理功能。它包含了自適應(yīng)連續(xù)時間線性均衡器（CTLE）、自校準5抽頭判決反饋均衡器（DFE）、時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)（
2025-12-23 11:35:03259 （TI）推出的多通道數(shù)字音頻解串器——DS90UA102-Q1，它與DS90UA101-Q1串行器搭配使用，為多通道音頻系統(tǒng)中的數(shù)字音頻分配提供了出色的解決方案。 文件下載
2025-12-23 10:55:15177 TPL8002-25的電阻式拭耳器抽頭端子（RSW）通常連接到外部差分路徑反相運算放大器配置的反相輸入（–），非反相輸入（+）通過接地。應(yīng)用對配置的差分輸入是設(shè)備的RG端子。外部運算放大器的差分輸出連接到器件的射頻端子，因此成為應(yīng)用配置的差分輸出。
2025-11-21 09:47:14387 
在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 TPL0202配備兩個線性錐形數(shù)字電位器（DPOT），具有256個滑動位置。 每個電位器既可作為三端子電位器，也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0202-10的端到端電阻為10 kΩ。
該DPOT可作為機械電位器的替代品使用，使用戶（或 軟件）用于數(shù)字控制和調(diào)節(jié)電阻。
2025-11-19 14:53:07460 
TPL0102配備兩個線性錐形數(shù)字電位器（DPOT），共有256個擦拭位置。 每個電位器既可作為三端子電位器，也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 k
2025-11-19 11:33:38623 
TPL0501裝置是一個單通道線性錐形數(shù)字電位器，擁有256個擦拭位置。該裝置可用作三端子電位器或兩端子電阻器。目前TPL0501端到端阻值為100 kΩ。TPL0501內(nèi)部寄存器可以通過兼容SPI的接口訪問。TPL0501的名義溫度系數(shù)為35 ppm/°C。
2025-11-18 14:53:35520 
TPL0401x-10 設(shè)備是一款單通道線性錐形數(shù)字電位器，擁有 128 個擦拭位置。TPL0401x-10 的低端位于內(nèi)部并連接到 GND?；瑒?b class="flag-6" style="color: red">器的位置可以通過 I 鍵進行調(diào)節(jié)^2^C接口
2025-11-18 14:09:36439 
Vishay/Spectrol 157型精密工業(yè)電位器是7/8" (22.2mm) 元件，由導(dǎo)電塑料制成，有套管和伺服安裝型號可供選擇。這些電位器具有1kΩ至100kΩ電阻范圍、 10%或
2025-11-17 09:49:33495 Vishay/Spectrol 534系列7/8" (22.2mm) 多匝繞線電位計采用套管和伺服安裝設(shè)計，標準線性度為±0.25%，特殊電阻容差為1%。這些器件具有2W額定功率（+70
2025-11-14 15:17:25363 
TPL0102-EP 是一款雙通道線性錐度數(shù)字電位器，帶有 256 游標 位置。每個電位器可用作三端電位器或雙端電位器 變阻器。TPL0102-EP-100 的端到端電阻為 100 k
2025-11-13 13:46:33515 
Vishay/Sfernice P16FNP金屬陶瓷旋鈕電位器采用塑料旋鈕，非常適合用于經(jīng)濟高效的設(shè)計。旋鈕集成和驅(qū)動金屬陶瓷電位器，這種結(jié)構(gòu)將所需的電氣間隙降至最低，因為僅安裝硬件和端子位于面板
2025-11-13 11:17:39406 
與超強環(huán)境適應(yīng)性，正成為高端制造領(lǐng)域不可或缺的“智慧之眼”，重新定義工業(yè)測量的可能性。 非接觸測量：突破物理極限的革命性設(shè)計 傳統(tǒng)電位器式傳感器依賴電刷與電阻膜的直接接觸，長期使用后易因磨損導(dǎo)致信號漂移，甚
2025-11-13 09:08:20223 
Vishay/Sfernice TS7密封式單圈1/4”方形金屬陶瓷微調(diào)電位器設(shè)計用于表面貼裝應(yīng)用，具有6.7mm x 7mm x 5mm的容積效率以及高性能和穩(wěn)定性。這些TS7微調(diào)電位器密封可耐受
2025-11-12 10:48:30428 
10mV,電流小于10mA。
不同于傳統(tǒng)的電位器調(diào)節(jié)穩(wěn)壓輸出，數(shù)字設(shè)置的穩(wěn)壓電源，其關(guān)鍵在于電路能正確體現(xiàn)要求。一個數(shù)字穩(wěn)壓電源，一般有以下部分：能電子調(diào)節(jié)的穩(wěn)壓部分，ADC部分，DAC部分及有關(guān)的運放
2025-11-10 20:06:14
Vishay/Sfernice P16FNM金屬陶瓷旋鈕電位器采用金屬旋鈕結(jié)構(gòu)，可在應(yīng)用中實現(xiàn)耐用性和穩(wěn)健性。這些IP67級密封器件在單個元件中集成了一個帶面板電位器的旋鈕，無需額外組裝的單獨旋鈕
2025-11-10 13:45:00314 
Vishay/Sfernice M61 3/8”方形單匝金屬陶瓷微調(diào)電位器有多種引腳配置可供選擇，用于手指設(shè)置。這些微調(diào)電位器通過物理操作輕松調(diào)整電阻值，組裝在PCB上后可提供穩(wěn)定性。M61系列采用
2025-11-10 11:44:43427 
Vishay/Sfernice TSM41 4mm方形SMT微型微調(diào)電位器設(shè)計用于表面貼裝應(yīng)用，采用符合EIA SMD標準微調(diào)電位器占位的4mm設(shè)計。這些微調(diào)電位器具有容積效率、高性能和穩(wěn)定性，以及
2025-11-10 11:25:45437 
TPL0401x-10-Q1 器件是一款單通道線性錐度數(shù)字電位器，具有 128 個雨刮器位置。TPL0401x-10-Q1 具有低端子內(nèi)部并連接到 GND。這 雨刮器的位置可以使用 I 進行調(diào)整^2
2025-11-10 11:18:03529 
TPL0401x-10-Q1 器件是一款單通道線性錐度數(shù)字電位器，具有 128 個雨刮器位置。TPL0401x-10-Q1 具有低端子內(nèi)部并連接到 GND。這 雨刮器的位置可以使用 I 進行調(diào)整^2
2025-11-10 11:09:11491 
TPL1401是帶有緩沖游標的數(shù)字電位器（數(shù)字電位器）。與標準數(shù)字電位器不同，由于集成了緩沖游標，該器件在分壓器應(yīng)用中提供了更高的負載調(diào)節(jié)。
2025-11-01 17:42:421031 
/4-20mA，0-10V, PWM, 電位器（VSP=10.5V）? 輸入PWM信號高電平：2.7V 輸入PWM信號頻率：50Hz-50KHz? 輸出PWM信號的頻率范圍: 50Hz-50KHz（由出廠
2025-10-28 10:17:21470 
MCP4017T是一款7位分辨率（128級）的數(shù)字電位器，通過I2C接口控制，具有非易失性存儲器功能。其內(nèi)部由127個相同阻值的電阻串聯(lián)組成，滑動端（Wiper）可連接任意抽頭，實現(xiàn)0-127級調(diào)節(jié)
2025-10-24 19:58:031649 
一、等電位系統(tǒng)的概述 等電位連接是防雷與安全接地系統(tǒng)中不可或缺的重要環(huán)節(jié)。其核心目的在于將建筑物內(nèi)部各種金屬構(gòu)件、電氣設(shè)備外殼、鋼筋、管道及防雷裝置等導(dǎo)體通過可靠的連接，使其在雷電或故障電流作用下
2025-10-24 14:56:211722 
讀數(shù)/秒、1M 易失性存儲器、模擬觸發(fā)電平調(diào)節(jié)和可編程的前觸發(fā)/后觸發(fā)等特性。 詳情介紹： 安捷倫Agilent 34411A數(shù)字萬用表 Agilent 34411A數(shù)字萬用表以工業(yè)標準
2025-08-13 16:31:16787 
高速編程（寫入）和讀取操作，尤其適合大塊數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸。 擦除與寫入管理：以“塊”（Block）為單位進行擦除，以“頁”（Page）為單位寫入，需專用控制器管理磨損均衡。 2. 關(guān)鍵特性 非易失性：無需持續(xù)供電即可保留數(shù)據(jù)。 高密度低成本：
2025-08-11 10:43:441645 一、等電位連接器是什么？ 等電位連接器是用于實現(xiàn)電氣系統(tǒng)中多個金屬體或電氣設(shè)備之間等電位連接的專業(yè)裝置，確保不同金屬體或?qū)w之間在雷電、電涌或故障電流作用下具有相同電位，避免電位差引發(fā)的電擊、電弧
2025-07-29 11:13:381035 
。 ? 半導(dǎo)體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
Flash
易失性？
易失(斷電丟)
易失(斷電丟)
非易失(保持)
非易失(保持)
核心原理
電容 (需刷新)
觸發(fā)
器 (6T)
浮柵晶體管 (塊操作)
浮柵晶體管 (字節(jié)操作)
速度 (讀)
非?？?/div>
2025-06-24 09:09:39
。
CW32L010 ESC 驅(qū)動板
無刷直流電機
電位器
電容
DAPLINK燒錄器
配套的連接線材等
第二步：焊接準備
為了方便調(diào)試和連接，我們需要對驅(qū)動板進行一些簡單的焊接。我主要焊接了兩個部分
2025-06-23 22:50:42
等電位連接通常涉及建筑物內(nèi)外多個關(guān)鍵位置，確保在發(fā)生漏電或雷擊時，能迅速將電位差降至最低，保護人員免受電擊傷害。以下是一些主要的等電位連接位置：
1.浴室、廚房等潮濕區(qū)域：在這些區(qū)域，等
2025-06-06 14:31:342335 其廣受歡迎的 PDB241-GTR 系列吉他電位器產(chǎn)品。全新吉他電位器大幅提升旋轉(zhuǎn)壽命至 100,000 次，能滿足專業(yè)演奏者對高頻使用的需求。同時，Bourns 也同步提供一款標準選項，具備
2025-05-27 16:31:451330 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點的硬件跳線和機械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機械開關(guān)，實現(xiàn)對數(shù)字
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飛揚通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會（5月27-29日，展位號3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04629 
的），發(fā)給客戶使用反倒不方便。（萬一其他人錯誤設(shè)置了參數(shù)，后面使用者只有使用出現(xiàn)錯誤后才知道，會浪費時間和物料）。所以尋求高手幫忙 把電位器調(diào)速旋鈕 改為按鍵或者面板控制的或者輸入數(shù)字控制（不需要其他功能），付費，煩請能做的朋友 聯(lián)系報價
2025-05-18 07:40:07
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認證功能。512位用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲，附加的保護存儲器用于存儲SHA-256算法的讀保護密鑰以及用戶存儲器控制設(shè)置。每個
2025-05-14 11:43:34793 
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認證功能。2Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲，附加的安全存儲器儲存用于SHA-256算法的讀保護密鑰以及用戶存儲器控制設(shè)置。每個器件都
2025-05-14 11:34:36747 
(OTP)存儲器仿真模式。DS28E35還帶有一次性設(shè)置的非易失、32位遞減計數(shù)器(按命令操作)，用來跟蹤DS28E35所屬配件的使用期限。每個器件都帶有唯一的64位ROM識別碼(ROM ID)，由工廠刻入器件。唯一的
2025-05-14 11:31:27739 
(SHA-256)的加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲，附加的保護存儲器用于存儲SHA-256操作的一組讀保護密鑰以及用戶存儲器
2025-05-14 11:28:35866 
安全認證功能與符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-256)的方案結(jié)合在一起。512位用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲，附加的保護存儲器保存SHA-256運算的一組讀保護密匙
2025-05-14 09:51:44712 
SP800-90B標準的真隨機數(shù)生成器(TRNG)用于片內(nèi)加密操作，并在需要時向主機控制器提供隨機數(shù)據(jù)和隨機數(shù)。通過3.6KB安全閃存支持密鑰、證書、公鑰/私鑰和特定于應(yīng)用程序的敏感數(shù)據(jù)的非易失性存儲。
2025-05-13 14:39:17644 
DS1856雙路、溫控、非易失(NV)可變電阻具有3路監(jiān)測器，內(nèi)置2個256級、線性可變電阻；3路模擬監(jiān)測器輸入(MON1、MON2、MON3)和直接數(shù)字化傳感器。這款器件可理想用于偏置電壓、電流
2025-05-12 11:44:02660 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
DS1856M雙路、溫控、非易失(NV)可變電阻具有3路監(jiān)測器，內(nèi)置2個256抽頭、線性可變電阻；3路模擬監(jiān)測器輸入(MON1、MON2、MON3)和直接轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的溫度傳感器。這款器件理想
2025-05-09 17:21:02780 
DS1110L 10抽頭延遲線是3V版的DS1110。它含有10個等間隔的抽頭，可以提供10ns至500ns的延遲。DS1110L系列延遲線在3.3V，+25°C時，提供±5%或±2ns (較大者
2025-04-16 09:25:27909 
DS1110延遲線是DS1010的升級替代產(chǎn)品。它含有10個等間隔的抽頭，可以提供5ns至500ns的延遲。這些器件采用標準16引腳SO或14引腳TSSOP封裝。DS1110系列延遲線在5V，+25
2025-04-15 17:13:01960 
DS1100系列延遲線含有5個等間隔抽頭，可以提供4ns至500ns的延遲。這些器件采用表貼封裝，有效節(jié)省PCB面積。采用100%的硅延遲線和工業(yè)標準的μMAX?或SO封裝，與混合技術(shù)相比，降低
2025-04-15 17:00:29766 
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
的相位累加器、正弦查找表以及數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的協(xié)同工作，實現(xiàn)了高效的頻率合成，并支持快速的頻率切換與精確的相位調(diào)制功能。DS855調(diào)相直接數(shù)字合成器的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，具體包括：雷達設(shè)計與測試
2025-03-21 09:28:30
NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
2025-03-12 10:21:145317 
工作原理： 等電位連接器通常利用氣體放電管或壓敏電阻等非線性元件工作。正常情況下，連接器處于開路狀態(tài)，隔離不同接地體之間的相互干擾。當(dāng)兩端的電位差大于所限峰值電壓時，比如在遭受雷擊或出現(xiàn)電氣故障等
2025-03-11 19:57:491050 防止電擊事故： 維持電氣系統(tǒng)中各部分處于等電位狀態(tài)，防止因微小電位差積累引發(fā)的電擊風(fēng)險。當(dāng)電氣設(shè)備發(fā)生漏電或短路故障時，等電位連接器可迅速將故障電流導(dǎo)向地面，使人體接觸到的不同金屬部件之間不存在
2025-03-11 19:57:28820 安裝注意事項 位置選擇 : 安裝在便于操作和維護的位置，周圍環(huán)境應(yīng)干燥、通風(fēng)，無腐蝕性氣體和液體，避免安裝在高溫、潮濕或有機械振動的場所。對于建筑物等電位連接，要確保連接器安裝在靠近電氣設(shè)備、金屬管
2025-03-11 19:56:52775 情況下，連接器兩端的電位差較小，低于非線性元件的動作閾值，此時連接器處于開路狀態(tài)，各接地體或金屬部件之間相互隔離，避免了相互干擾。當(dāng)出現(xiàn)雷擊、電氣故障等異常情況時，連接器兩端會產(chǎn)生較大的電位差，當(dāng)這個電位差大于非線
2025-03-11 19:56:06884 DS856高速直接數(shù)字合成器有哪些優(yōu)勢和缺點？
DS856是EUVIS公司推出的一款高性能高速直接數(shù)字合成器（DDS），集高頻率、高分辨率、低功耗等特性于一身，廣泛應(yīng)用于雷達設(shè)計、衛(wèi)星通信、電子戰(zhàn)
2025-03-10 10:54:21
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16915 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43994 
信息。對于少于31天的月份，該月的最后一天會自動調(diào)整，包括閏年更正。該計時器以兩種格式之一運行：24小時模式或帶AM/PM指示器的12小時模式。非易失性控制器提供了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器所需的所有支持電路。DS1315可以與RAM或ROM進行接口，而不會在存儲器中留下空隙。
2025-02-28 10:23:08769 
DS9034PCX PowerCap作為非易失性計時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12805 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45743 
DS1746是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32931 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58890 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41747 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1744內(nèi)部的所有寄存器進行
2025-02-27 09:31:07996 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:38:17904 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:23:11836 
MS4525DO-DS3AS015DS差壓傳感器憑借其高精度、寬量程和數(shù)字輸出特性，成為空速測量領(lǐng)域的理想選擇。本文從原理出發(fā)，結(jié)合傳感器特性，系統(tǒng)闡述其空速測量方案的設(shè)計與實現(xiàn)。
2025-02-21 14:17:281185 
下圖這個華為基站腔體濾波器的抽頭、頻率調(diào)諧桿、耦合調(diào)諧桿分別在哪里？能否請大佬用圓圈箭頭標注一下，萬分感謝。
2025-02-13 21:39:32
AD8403ARZ1-REEL 是由模擬器件公司（Analog Devices）推出的一款高精度、低功耗的數(shù)字電位計。該器件專為應(yīng)用于音頻控制、傳感器調(diào)節(jié)和工業(yè)設(shè)備的信號處理而設(shè)計，能夠提供高精度
2025-02-11 22:05:16
DS878 數(shù)字合成器適合哪些應(yīng)用場景？DS878 高速啁啾直接數(shù)字合成器是一款由EUVIS推出的高性能直接數(shù)字合成器，DS878高速啁啾直接數(shù)字合成器因其高性能和靈活性，在雷達系統(tǒng)、通信測試設(shè)備
2025-02-10 09:20:58
日前，全球領(lǐng)先的電子元器件制造商威世科技Vishay Intertechnology, Inc.正式推出了一款創(chuàng)新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調(diào)電位器——TSM3系列。這款電位器專為滿足惡劣環(huán)境下空間
2025-02-08 14:12:30950 日前，全球領(lǐng)先的電子元件制造商威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出一款創(chuàng)新產(chǎn)品——TSM3系列多匝表面貼裝金屬陶瓷微調(diào)電位器。 TSM3系列電位器專為在惡劣
2025-02-08 10:35:251087
在使用TPL0501做程控放大時，輸入信號20mVpp,用固定貼片電阻時，信號輸出良好，換成數(shù)字電位器TPL0501時，噪聲很大，不知有何解決方法……使用的電路圖如下，用TPL0501代替Rg,Rf=50K,
2025-02-07 08:27:18
— 202 5 年 2 月 5 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一系列新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調(diào)電位器--- TSM3
2025-02-06 17:32:00963 在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
? ? ? 當(dāng)變頻器外接電位器頻率調(diào)不上去時，可以采取以下步驟進行排查和解決： ? ? ? 一、檢查電位器阻值選擇 ? ? ? 變頻器外接電位器的阻值選擇必須符合說明書的要求。由于變頻器的模擬量給定
2025-01-16 07:42:162432 
有人用過數(shù)字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質(zhì)，但是datasheet中關(guān)于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
調(diào)節(jié)功率可調(diào)的電阻通常涉及使用一種稱為電位器（potentiometer）的設(shè)備。電位器是一種有三個引出端的電阻器，其中兩個固定端和一個滑動端。通過改變滑動端的位置，可以改變從固定端到滑動端的電阻值
2025-01-09 13:05:59
實現(xiàn)？
2、開關(guān)電源的頻率為1Mhz，這個參數(shù)對數(shù)字電位器有什么影響嗎？
3、對datasheet中BW這個參數(shù)不太理解，希望得到解答。
2025-01-06 07:31:36
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