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電子發(fā)燒友網>新品快訊>DS1961S 帶有SHA-1引擎的1k位EEPROM iB

DS1961S 帶有SHA-1引擎的1k位EEPROM iB

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2025-03-21 18:36:23

WD150-110S24N1 WD150-110S24N1

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2025-03-21 18:35:18

WD75-110S24M1 WD75-110S24M1

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2025-03-21 18:34:28

S32K344 Flexio模擬SPI程序不能正常執(zhí)行怎么解決?

S32DS版本3.5 RTD版本:S32K3_RTD_3_0_0_D2303 MCU:S32K344HVS BGA257封裝 我需要使用Flexio模擬SPI驅動SD卡,參考了T-Box設計,與示例
2025-03-21 06:43:58

WD50-110S24K1 WD50-110S24K1

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2025-03-20 18:59:30

S32K14X_MCAL4_0_RTM_1_0_0將示例項目加載到EB Tresos Studio V21.0.0時出現報錯,為什么?

我下載并安裝了 S32K1xx 的 RTM:S32K14X_MCAL4_0_RTM_1_0_0。當我嘗試將示例項目加載到我的 EB Tresos Studio V21.0.0 中時,我收到以下錯誤
2025-03-20 07:33:06

FW1-12S09B FW1-12S09B

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2025-03-19 18:55:42

NW1-24S12ANT NW1-24S12ANT

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2025-03-19 18:53:40

NN1-24S24MN NN1-24S24MN

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2025-03-19 18:44:31

FN1-24S09H6 FN1-24S09H6

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2025-03-19 18:43:50

FN1-24S24A FN1-24S24A

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2025-03-19 18:41:22

NN1-12S09ANT NN1-12S09ANT

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2025-03-19 18:37:39

NA200-220S48M1 NA200-220S48M1

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2025-03-19 18:34:52

NA150-220S36L1 NA150-220S36L1

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2025-03-19 18:30:36

A03-C1S12M(-1) A03-C1S12M(-1

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2025-03-18 18:32:35

如何通過S32 Design Studio IDE安裝S32SDK_S32K1xx_RTM_4.0.2 SDK擴展?

我正在嘗試通過 S32 Design Studio IDE 安裝 S32SDK_S32K1xx_RTM_4.0.2 SDK 擴展,但收到錯誤。請幫我安裝它。 請參閱隨附的屏幕截圖。盡快提供解決方案。
2025-03-17 07:48:31

s32DS版本3.5.0和s32k358 bess_bundle,構建項目時會報錯是怎么回事?

我已經下載了 s32DS 版本 3.5.0 和 s32k358 bess_bundle。當我嘗試構建項目時,它會引發(fā)一些有關版本錯誤的錯誤。我已附上有關我安裝的擴展包和錯誤的映像。
2025-03-17 06:10:42

s32k37x_s32k39x_can_receive_s32ct在S32K396-BGA-DC1評估板上無法正常工作怎么解決?

我嘗試在 S32K396-BGA-DC1 評估板上接收 CAN 消息。 我成功運行了s32k37x_s32k39x_can_transmit_ebt示例,因此我可以從電路板接收 CAN 消息。因此
2025-03-02 11:47:48

DS2502 1K只添加存儲器技術手冊

DS2502為1K只添加存儲器,用于識別并存儲產品的相關信息。產品批號或特殊的產品信息可以通過最少的接口訪問—例如,微控制器的一個端口引腳。DS2502具有一個工廠光刻注冊碼,其中包括:48唯一
2025-02-28 10:15:151111

DS2406雙通道、可編址開關與1K存儲器技術手冊

帶存儲器的雙路可尋址開關DS2406提供了一種簡便的方法,通過1-Wire?總線遠程控制一對漏極開路晶體管和回讀每個晶體管的邏輯電平,從而實現閉環(huán)控制。每個DS2406都具有工廠刻度在片內的64
2025-02-28 09:36:53936

DS2505 16K只添加存儲器技術手冊

唯一序列碼、8CRC校驗碼和8家族碼(0Bh),以及16K的用戶可編程EPROM。DS2505進行編程和讀取操作的電源全部來自于1-Wire?通信線。
2025-02-27 16:31:151064

DS2432 1Kb、保護型1-Wire EEPROM,帶有SHA-1引擎技術手冊

DS2432在單個芯片內集成了1024EEPROM、64密鑰、8字節(jié)寄存器/控制頁(其中包含5個用戶讀/寫字節(jié))、512SHA-1引擎和一個全功能的1-Wire接口。每個DS2432具有自身
2025-02-27 16:24:101235

DS1251 4096k NV SRAM,帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8、512k字排列),內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動切換至供電狀態(tài),寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:44:58890

DS1248 1024k NV SRAM,帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8、128k字排列),內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動切換至供電狀態(tài),寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:38:41747

DS2430A 2561-Wire EEPROM技術手冊

DS2430A是一款2561-Wire? EEPROM,用于識別和存儲與產品相關的信息。這個標簽或特殊產品信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制器的一個端口引腳。DS2430A帶有一個由工廠刻度
2025-02-27 15:21:541110

DS1244系列256k NV SRAM,帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8、32k字排列),內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931

DS2433系列4K1-Wire EEPROM技術手冊

DS2433是一款4K1-Wire? EEPROM,用于識別和存儲與產品相關的信息。這個標簽或特殊產品信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制器的一個端口引腳。DS2433帶有一個由工廠刻度的注冊碼
2025-02-27 10:03:111219

DS2431 10241-Wire EEPROM技術手冊

DS2431是一款10241-Wire? EEPROM芯片,由四頁存儲區(qū)組成,每頁256。數據先被寫入一個8字節(jié)暫存器中,經校驗后復制到EEPROM存儲器。該器件的特點是,四頁存儲區(qū)相互獨立
2025-02-26 15:38:071838

DS28E04-100 4096、可尋址、1-Wire EEPROM帶有PIO技術手冊

DS28E04-100是具有7個地址輸入的4096,1-Wire? EEPROM芯片。地址輸入直接映射到1-Wire 64器件ID號上,使主機系統(tǒng)能夠在多器件1-Wire網絡環(huán)境中直接識別
2025-02-26 15:29:08979

DS28EC20 20Kb 1-Wire EEPROM技術手冊

DS28EC20是一款204801-Wire? EEPROM,分為80個256的存儲器頁。器件提供一個額外的頁用于控制功能。數據被寫入一個32字節(jié)暫存器,經過校驗后,復制到EEPROM存儲器
2025-02-26 14:33:341258

DS28E05 1-Wire EEPROM技術手冊

DS28E05是一款112字節(jié)的用戶可編程EEPROM,分為7頁,每頁16字節(jié)。通過保護字節(jié)設置,可將存儲器頁面單獨設置為寫保護或epro模擬模式。每個器件都有自己保證唯一的64ROM識別碼
2025-02-26 11:50:591559

DS28E07 10241-Wire EEPROM技術手冊

DS28E07是一款1024、單線EEPROM芯片,分為四個存儲器頁面,每個頁面256。數據寫入一個8字節(jié)的暫存區(qū),經過驗證,然后復制到EEPROM存儲器。作為一項特殊功能,四個用戶內存頁面可以
2025-02-26 11:30:581426

DS9490 USB至1-Wire/iButton適配器技術手冊

DS9490B是一個USB橋接器和支架,用于單個F5尺寸的iButton。iButton被安全地固定在帶鎖的門后。DS9490R是一個帶有1-Wire RJ11接口的USB橋,可容納1-Wire插座
2025-02-26 10:45:351150

DS1972 1024EEPROM技術手冊

DS1972是一款10241-Wire EEPROM芯片,采用堅固的iButton封裝,每個內存頁面有256。數據寫入8字節(jié)的暫存區(qū),經過驗證后,再復制到EEPROM內存。四個內存頁面可以單獨
2025-02-26 10:08:251085

STM8S103F3P3TR STM32F091VCH6微控制器 IC MCU 8K/256K Flash

存儲容量:8KB(8K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:640 x 8 RAM 大?。?b class="flag-6" style="color: red">1K x 8 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.95V ~ 5.5V 數據轉換器:A/D
2025-02-20 17:53:42

用TLV2541進行AD采樣,怎么樣才能使采樣為準確的1K?

我現在想用TLV2541進行AD采樣,我們要求采樣頻率為1K,我現在不知道怎么樣才能使采樣為準確的1K。用單片機的SPI接口怎樣才能實現?謝謝
2025-02-10 07:58:08

使用ADS8331 SPI通訊的SCLK為1K左右能正常讀取數據,為10K 以上讀到的數據都是錯去的?如何解決?

您好!我使用ADS8331 SPI通訊的SCLK為1K左右能正常讀取數據,為10K 以上讀到的數據都是錯去的?請問如何解決?
2025-02-07 08:12:35

SHA104和SHA105 mikroBUS?評估板用戶指南

電子發(fā)燒友網站提供《SHA104和SHA105 mikroBUS?評估板用戶指南.pdf》資料免費下載
2025-01-21 14:40:450

速率降低到1K時甚至更低,ADS1248采樣到的碼值就很雜,為什么?

通道斷連時,當采樣速率設定為最高值2K時,能夠檢測到最大值及斷連值;當速率降低到1K時甚至更低,ADS1248采樣到的碼值就很雜,有最大值還有其他怪異的值。請教下各位大神,這是什么原因導致的,有沒有什么好的辦法能夠解決低采樣速率時的斷連問題?
2025-01-07 07:20:52

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