羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因?yàn)椴捎昧藴系佬蚐iC MOSFET?！叭绻捎迷瓉淼腟iC DMOS，只能承受200～300A左右的電流”。

　　該產(chǎn)品未使用SiC肖特基勢壘二極管(SBD)，僅溝道型MOSFET就配備了16枚芯片。該模塊通過改變端子連接方法，可用于半橋接方式、全橋接方式以及序列方式的電源。1000A的額定電流是將該模塊作為半橋接利用時(shí)的值。用于半橋接時(shí)，用等效電路來表示，就是作為配備了雙元件MOSFET的模塊工作。此時(shí)，會(huì)并聯(lián)利用每個(gè)元件8枚芯片的MOSFET。也就是說，MOSFET的每枚芯片會(huì)流經(jīng)超過100A的電流。用于全橋接方式電源電路時(shí)，額定電流為500A。

　　開關(guān)速度快也是該產(chǎn)品的一大特點(diǎn)。除了較原來減小了配備的溝道型MOSFET的柵極容量外，還降低了模塊的寄生電感成分等。由此，可實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度的高速化。打開時(shí)間約為35ns，關(guān)閉時(shí)間約為42ns。開關(guān)時(shí)間均只有“SiC DMOS的約一半”。