2025年12月28日，由壓電晶體行業(yè)華南聯(lián)誼會(huì)主辦，廣東惠倫晶體科技股份有限公司承辦的“華章南曲 晶彩體現(xiàn)”壓電晶體行業(yè)華南聯(lián)誼會(huì)圓滿(mǎn)舉行，來(lái)自全國(guó)各地的行業(yè)協(xié)會(huì)代表、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等300余位嘉賓齊聚一堂，共同擘畫(huà)華南晶體行業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。
2026-01-05 15:20:30
212 土壤水分自動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)WX-GTS10創(chuàng)新電極設(shè)計(jì)提升測(cè)量精度，護(hù)航關(guān)鍵生長(zhǎng)周期。測(cè)量精度是墑情監(jiān)測(cè)設(shè)備的核心競(jìng)爭(zhēng)力，該監(jiān)測(cè)站采用自主研發(fā)的螺旋式測(cè)量電極，通過(guò)特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大幅改善傳感器與土壤的接觸
2025-12-31 13:29:29
在時(shí)鐘與射頻電路設(shè)計(jì)中，石英晶體及晶體濾波器的PCB布局直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定性與性能表現(xiàn)。
2025-12-30 14:52:33278 
SMA6251A1-3GT50G-50型號(hào)介紹 今天我要向大家介紹的是 AMPHENOL 的一款同軸連接器
2025-12-26 11:22:48
探索Type 2GT LoRa模塊：設(shè)計(jì)與應(yīng)用的全面指南 在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）蓬勃發(fā)展的今天，低功耗廣域網(wǎng)（LPWAN）技術(shù)成為了連接設(shè)備的關(guān)鍵。LoRa作為L(zhǎng)PWAN技術(shù)的代表之一，以其遠(yuǎn)距離
2025-12-16 16:30:13188 Type 2GT LoRa模塊評(píng)估板（EVB）用戶(hù)手冊(cè)解讀 在物聯(lián)網(wǎng)和無(wú)線通信領(lǐng)域，LoRa技術(shù)憑借其低功耗、遠(yuǎn)距離等優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛應(yīng)用。Murata公司的Type 2GT LoRa模塊評(píng)估板
2025-12-16 16:25:02218 瑞芯微RK3576芯片平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多路RTMP視頻推流，基于觸覺(jué)智能RK3576開(kāi)發(fā)板PurplePiOH2演示。RTMP視頻推流RTMP視頻推流簡(jiǎn)介使用RTMP流媒體服務(wù)來(lái)實(shí)現(xiàn)視頻推流，核心優(yōu)勢(shì)是低
2025-12-11 17:17:45637 
通過(guò)一個(gè)晶體管的開(kāi)關(guān)來(lái)控制電平狀態(tài)，推挽輸出可以實(shí)現(xiàn)高電平和低電平兩種狀態(tài)
輸出高電平時(shí)，NPN型晶體管導(dǎo)通，PNP型晶體管截止，呈現(xiàn)向外推的形式，為推
輸出低電平時(shí)，PNP型晶體管導(dǎo)
2025-12-02 07:58:49
糧庫(kù)蟲(chóng)情監(jiān)測(cè)系統(tǒng)WX-CQ3海量數(shù)據(jù)本身并非答案，而是待解的謎題。智慧系統(tǒng)的“大腦”——人工智能與大數(shù)據(jù)分析平臺(tái)，正是破譯這些“蟲(chóng)語(yǔ)”的關(guān)鍵。系統(tǒng)自動(dòng)對(duì)采集的昆蟲(chóng)圖像進(jìn)行識(shí)別、計(jì)數(shù)與分類(lèi)，其準(zhǔn)確性
2025-11-13 11:25:38
近些年寵物經(jīng)濟(jì)勢(shì)頭頗盛寵物主為了打理愛(ài)寵一擲千金，毫不手軟各種寵物護(hù)理店可謂是犬聲鼎沸，貓影層層提到寵物護(hù)理動(dòng)物用電推剪絕對(duì)是“鎮(zhèn)店神器”修剪毛發(fā)，簡(jiǎn)單好用，動(dòng)物用電推剪可謂非常暢行。除了寵物
2025-11-11 18:16:28625 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GT2440嵌入式開(kāi)發(fā)系統(tǒng)用戶(hù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-10-28 17:05:33
1 一排排白色方艙矗立在田間，艙內(nèi)物聯(lián)設(shè)備無(wú)聲運(yùn)轉(zhuǎn)，精準(zhǔn)調(diào)控著蘑菇生長(zhǎng)的每一個(gè)參數(shù)，傳統(tǒng)大棚中農(nóng)民彎腰勞作的場(chǎng)景正被數(shù)字時(shí)代的智能種植所取代。與傳統(tǒng)種植方式不同，這里通過(guò)智能系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度、濕度、通風(fēng)等
2025-10-26 17:43:13827 10月21日，真我GT8系列正式發(fā)布。真我 GT8 Pro 搭載 2 億超光影潛望長(zhǎng)焦（三星 HP5 傳感器），主攝級(jí)感光面積更大進(jìn)光量，感光面積是iPhone的2.14倍。在全新驍龍芯片和真我算法
2025-10-24 10:37:249381 
在5G/6G通信、電動(dòng)汽車(chē)（EV）功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體（SiC、GaN、GaAs等）已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而，其制造流程中——晶體生長(zhǎng)與外延階段的隱性缺陷
2025-10-21 10:05:21673 
覆蓋。2）視頻編解碼效率：攝像頭采集到的視頻需要實(shí)時(shí)編碼傳輸，否則會(huì)產(chǎn)生帶寬與存儲(chǔ)壓力。高效的 H.264/H.265 硬件編解碼 能在保證畫(huà)質(zhì)的同時(shí)大幅降低帶寬消耗。3）低延遲推流：環(huán)視系統(tǒng)直接關(guān)系
2025-10-11 17:55:41
### LSG65R930GT-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介L(zhǎng)SG65R930GT-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專(zhuān)為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓
2025-10-11 11:13:51
Advanced Energy Industries, Inc.（納斯達(dá)克：AEIS）——高度工程化、精密電源轉(zhuǎn)換、測(cè)量和控制解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者——宣布推出兩款全新1/4磚模塊，進(jìn)一步擴(kuò)展其超高
2025-09-30 15:42:11789 實(shí)現(xiàn)了從晶體生長(zhǎng)、加工到檢測(cè)環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國(guó)產(chǎn)化，標(biāo)志著晶盛在全球SiC襯底技術(shù)從并跑向領(lǐng)跑邁進(jìn)，邁入高效智造新階段。 ? 浙江晶瑞SuperSiC此次貫通的中試線，覆蓋了晶體加工，切割，減薄，倒角，研磨，拋光，清洗，檢測(cè)的全流程工藝，所有環(huán)節(jié)
2025-09-29 08:59:004706 音叉晶體是應(yīng)用最廣泛的一類(lèi)石英晶體諧振器。最常見(jiàn)的工作頻率是32.768kHz。該頻率等于2的15次方Hz，可通過(guò)二進(jìn)制分頻直接獲得標(biāo)準(zhǔn)1Hz秒脈沖，因此適合作為鐘表和實(shí)時(shí)時(shí)鐘系統(tǒng)的計(jì)時(shí)基準(zhǔn)。
2025-09-28 11:12:43900 
），CS-23系列低相位噪聲恒溫晶體振蕩器憑借卓越的頻率穩(wěn)定性和極低的相位噪聲特性，廣泛應(yīng)用于儀器儀表、電信通信及全球定位系統(tǒng)等高精度需求領(lǐng)域，為各類(lèi)電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的時(shí)鐘信號(hào)支持。關(guān)鍵參數(shù)頻率范圍：8
2025-09-23 08:58:59
在智慧城市建設(shè)加速與社區(qū)安防需求升級(jí)的雙重驅(qū)動(dòng)下，“360° 無(wú)死角監(jiān)控 + 實(shí)時(shí)響應(yīng)” 已成為安防領(lǐng)域的核心訴求。傳統(tǒng)監(jiān)控方案常受限于攝像頭接入數(shù)量不足、編解碼效率低、推流延遲高三大痛點(diǎn)，難以覆蓋
2025-09-18 17:51:03
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
植物生長(zhǎng)燈補(bǔ)光的原理是什么？植物生長(zhǎng)燈補(bǔ)光的核心原理，是模擬植物光合作用所需的特定光譜與光照條件，彌補(bǔ)自然光照的不足（如光照時(shí)長(zhǎng)不夠、強(qiáng)度不足、光譜不完整），從而驅(qū)動(dòng)或加速植物的光合作用、調(diào)節(jié)生長(zhǎng)
2025-09-16 13:55:251204 
以下是關(guān)于這款 20W、1.2 米植物生長(zhǎng)燈的相關(guān)信息：產(chǎn)品介紹：該植物生長(zhǎng)燈專(zhuān)為生菜等葉類(lèi)蔬菜設(shè)計(jì)，可作為實(shí)驗(yàn)室、育苗基地的主體光源，也可用于葉菜栽培的補(bǔ)光和主體照明6。采用全光譜白光，模擬正午
2025-09-16 13:52:59
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿(mǎn)足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)： 微混合器合成CsPbBr?鈣鈦礦納米晶體研究實(shí)驗(yàn) 研究方向： 基于微流控聲學(xué)混合技術(shù)優(yōu)化鈣鈦礦納米晶體的快速成核與生長(zhǎng) 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 探雙驅(qū)動(dòng)聲學(xué)混合器實(shí)現(xiàn)通道流體擾動(dòng)，通過(guò)LARP法合成
2025-09-11 10:41:05358 
近日，花椒直播開(kāi)源其自主研發(fā)的直播推流器“HJpusher”，并上線OpenHarmony三方庫(kù)中心倉(cāng)。作為鴻蒙生態(tài)音視頻推流領(lǐng)域的重要開(kāi)源項(xiàng)目，HJPusher是由伙伴共建開(kāi)源的第一個(gè)鴻蒙應(yīng)用推流
2025-09-04 09:52:50559 
基于RV1109/RV1126 的直播推流方案 新龍鵬科技有限公司 ? ?關(guān)鍵特性 1）輸入輸出接口支持MIPI/BT1120/LVDS輸入，MIPI/LVDS輸出 ? 2）網(wǎng)絡(luò)接口支持千兆網(wǎng)口
2025-09-01 12:25:38624 
當(dāng)系統(tǒng)和用戶(hù)交換機(jī)沒(méi)有連接 HXT（高速晶體振蕩器）時(shí)，用戶(hù)應(yīng)該怎么做
2025-08-28 07:41:46
系統(tǒng)時(shí)鐘源可以從 MS51 系列的外部晶體 （HXT） 中選擇嗎？
2025-08-25 06:29:18
H.264/H.265）來(lái)實(shí)現(xiàn)RTSP推流。
開(kāi)發(fā)板作為RTSP客戶(hù)端，將編碼后的視頻流（H.264/H.265）通過(guò)RTP協(xié)議傳輸?shù)絉TSP服務(wù)器。服務(wù)器再將視頻流轉(zhuǎn)發(fā)給請(qǐng)求播放的客戶(hù)端。
在CanMV
2025-08-17 08:50:54
日本航空電子工業(yè)(JAE)現(xiàn)已開(kāi)始對(duì)外銷(xiāo)售推/推式“ST51系列”的卡座連接器，該系列連接器支持的“microSD EXPRESS卡”，實(shí)現(xiàn)高速大容量的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。
2025-08-15 11:19:362458 
向深扎根向上生長(zhǎng)八載耕耘，砥礪前行；八載奮進(jìn)，創(chuàng)新不止。回顧過(guò)往，展望未來(lái)，當(dāng)下我們以“向深扎根，向上生長(zhǎng)—打造更高下限的系統(tǒng)”為行動(dòng)指南，既是對(duì)過(guò)往奮斗歷程的總結(jié)，更是對(duì)未來(lái)發(fā)展路徑的宣言。01向
2025-08-14 09:21:57822 
重點(diǎn)。在嵌入式系統(tǒng)中，對(duì)攝像頭圖像的推流可以用兩種方式，第一種是直接使用液晶顯示屏顯示攝像頭圖像，第二種就是在WEB服務(wù)器網(wǎng)頁(yè)上推流，嵌入式系統(tǒng)自身作為WEB服務(wù)器，讓其它客戶(hù)端如手機(jī)可以直接
2025-08-11 23:15:14
在華為數(shù)據(jù)通信創(chuàng)新峰會(huì)2025拉美站期間，華為聯(lián)合IEEE、行業(yè)客戶(hù)面向拉美發(fā)布《Wi-Fi 7 Advanced技術(shù)白皮書(shū)》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《白皮書(shū)》）。Wi-Fi 7 Advanced在Wi-Fi 7
2025-08-11 10:40:511955 現(xiàn)在rtsp推流還是只能向局域網(wǎng)推流嗎
2025-08-08 06:07:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2.4 A 三通道閃光燈 LED 驅(qū)動(dòng)器，帶 I<sup>2</sup>C 控制接口相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有2.4 A 三通道閃光燈 LED
2025-07-30 18:30:15
如果需要，可以禁用活動(dòng)欄。要禁用活動(dòng)欄，請(qǐng)?jiān)?b class="flag-6" style="color: red">Advanced Settings 對(duì)話框（通過(guò) Preferences 對(duì)話框 > System - General page上
2025-07-30 09:39:31692 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有 I<sup>2</sup>C 控制接口的 1.5 A 單閃 LED 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有具有 I<sup>2<
2025-07-29 18:35:54
在新能源科技飛速發(fā)展的今天，能源供應(yīng)的穩(wěn)定性與高效性已然成為推動(dòng)各行業(yè)潛行的核心要素。近日，德賽電池?cái)y手業(yè)內(nèi)伙伴，成功舉辦聚焦能源創(chuàng)新的先知“芯”覺(jué)·全程守護(hù)主動(dòng)安全電芯·系統(tǒng)全球量產(chǎn)發(fā)布會(huì)，并在此次發(fā)布會(huì)上重磅推UPS鋰電系統(tǒng)LPC 2.0及系統(tǒng)解決方案，為能源變革注入全新動(dòng)能。
2025-07-29 11:36:201044 GT895X系列是低功耗、高速且具有內(nèi)部遲滯的比較器，其傳播延遲僅為18ns。該芯片適合于3V和5V系統(tǒng)，靜態(tài)電流為160μA。 GT895X系列支持軌到軌輸入和輸出。輸入共模電壓范圍為-0.1V至
2025-07-26 14:58:17919 
高品質(zhì)的 12 英寸 SiC 晶錠，這一成果標(biāo)志著晶越半導(dǎo)體正式邁入 12 英寸 SiC 襯底的先進(jìn)梯隊(duì)。 ? ? 在大尺寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，諸多難題如熱場(chǎng)分布不均、籽晶對(duì)位困難、厚度控制精度不足以及晶體缺陷風(fēng)險(xiǎn)增大等，一直是行業(yè)內(nèi)亟待攻克的難關(guān)。面對(duì)這些挑戰(zhàn)
2025-07-25 16:54:48700 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有 I<sup>2</sup>C 接口的 3 通道/2 通道升壓 LED 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有具有 I<sup>2<
2025-07-24 18:29:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有 AS<sup>2</sup>C 接口的 1.2 個(gè)單閃光燈 LED 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有具有 AS<sup>2<
2025-07-23 18:32:56
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，從 STM32 到 ESP32，從千兆交換機(jī)到車(chē)載網(wǎng)關(guān)，都離不開(kāi)一個(gè)小小卻關(guān)鍵的元件——晶體振蕩器（Crystal Oscillator）。它被稱(chēng)為“電子設(shè)備的心跳”，負(fù)責(zé)提供穩(wěn)定
2025-07-23 15:28:05
在傳統(tǒng)農(nóng)業(yè)生產(chǎn)模式下，農(nóng)民往往憑借經(jīng)驗(yàn)判斷作物生長(zhǎng)需求，灌溉、施肥缺乏精準(zhǔn)性，導(dǎo)致水資源浪費(fèi)、土壤板結(jié)、作物產(chǎn)量與品質(zhì)難以提升等問(wèn)題。加之氣候變化無(wú)常，極端天氣頻發(fā)，給農(nóng)業(yè)生產(chǎn)帶來(lái)諸多不確定性，傳統(tǒng)
2025-07-21 14:34:49286 
我有幾塊帶有 FX3 芯片（CYUSB3014）的電路板，其中晶體振蕩器在通電時(shí)啟動(dòng)約 80 毫秒，然后停止。我還有 25 塊具有相同 PCB 設(shè)計(jì)和相同組件（晶體和負(fù)載電容器）的電路板，其中
2025-07-21 06:25:40
在傳統(tǒng)農(nóng)業(yè)生產(chǎn)模式下，農(nóng)民往往憑借經(jīng)驗(yàn)判斷作物生長(zhǎng)需求，灌溉、施肥缺乏精準(zhǔn)性，導(dǎo)致水資源浪費(fèi)、土壤板結(jié)、作物產(chǎn)量與品質(zhì)難以提升等問(wèn)題。加之氣候變化無(wú)常，極端天氣頻發(fā)，給農(nóng)業(yè)生產(chǎn)帶來(lái)諸多不確定性，傳統(tǒng)
2025-07-16 16:53:31426 
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19960 
晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估半導(dǎo)體分立器件電氣性能的專(zhuān)業(yè)儀器設(shè)備，其核心功能是對(duì)晶體管的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行精密測(cè)量與特性分析。以下是系統(tǒng)的關(guān)鍵要素解析： 一、系統(tǒng)核心功能 ?靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-07-08 14:49:56559 
RTSP 推流線程）。
3 代碼實(shí)現(xiàn)
3.1 WiFi 連接
ssid = \'\' # WIFI名
password = \'\' # 密碼
nic = network.WLAN
2025-07-04 18:27:29
香蕉派 K230D 支持 MIPI-CSI 攝像頭、支持視頻編碼，支持無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，可以將攝像頭采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行 H264 編碼后再進(jìn)行 RTSP 推流，這樣就能在局域網(wǎng)下的任意地方打開(kāi)攝像頭查看
2025-07-04 09:34:44
LED植物生長(zhǎng)燈基于植物光合作用對(duì)特定光譜的需求，通過(guò)人工光源精準(zhǔn)調(diào)控光質(zhì)、光強(qiáng)和光周期，優(yōu)化植物生長(zhǎng)。其核心原理是利用LED芯片對(duì)光譜進(jìn)行精確匹配，光強(qiáng)與光周期可控，適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-06-30 17:23:241344 
隨著PCIe Gen6協(xié)議的商用推進(jìn)（64?GT/s，PAM4調(diào)制），對(duì)系統(tǒng)時(shí)鐘的抖動(dòng)性能、輸出形式、溫度穩(wěn)定性提出了極高要求。差分輸出晶體振蕩器作為高性能平臺(tái)的關(guān)鍵時(shí)鐘源，需要同時(shí)滿(mǎn)足低抖動(dòng)、差
2025-06-25 12:58:14
心存疑慮，根據(jù)imec在2025年VSLI研討會(huì)上的最新聲明，這家研究巨頭開(kāi)發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設(shè)計(jì)方法，解決了制造難題，這將推動(dòng)晶體管的未來(lái)持續(xù)發(fā)展。
叉片晶體管（Forksheet）是一種
2025-06-20 10:40:07
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)新的單晶薄膜，為提升器件性能發(fā)揮了關(guān)鍵作用。本文將對(duì)外延技術(shù)的定義、分類(lèi)、原理、常用技術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行探討。
2025-06-16 11:44:032471 
晶體振蕩器故障的原因有很多，但制造晶體振蕩器所用石英晶體材料的質(zhì)量以及制造工藝的精度和準(zhǔn)確度會(huì)對(duì)晶體振蕩器的有效性和壽命產(chǎn)生重大影響。這就是為什么在SCTF 的所有電子設(shè)備和產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)的晶體振蕩器都
2025-06-16 09:20:29
控制等場(chǎng)景帶來(lái)更穩(wěn)定、更耐用的流量測(cè)量解決方案，特別適用于半導(dǎo)體制備設(shè)備中，晶體生長(zhǎng)爐環(huán)節(jié)，對(duì)循環(huán)水系統(tǒng)流量的監(jiān)測(cè)避免因冷卻水不足導(dǎo)致設(shè)備過(guò)熱。不銹鋼外殼具有更好的耐腐蝕性和衛(wèi)生性能，更適合與不銹鋼管路匹配使用。
2025-06-12 17:34:461179 
集成EEPROM與監(jiān)控電路?的CPU Supervisor ON Semiconductor CAT1025WI-45-GT3
2025-05-28 17:01:421136 
通過(guò)退火優(yōu)化和應(yīng)力平衡技術(shù)控制。
3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對(duì)稱(chēng)性缺陷，對(duì)多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長(zhǎng)和鍍膜工藝中嚴(yán)格調(diào)控。
在先進(jìn)制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升
2025-05-28 16:12:46
氮化鎵投入量產(chǎn)的工程師而言，這些性能提升并非唾手可得——它們植根于材料層面而非器件層面，這意味著我們必須直面一系列持續(xù)存在的材料挑戰(zhàn)。晶體生長(zhǎng)的奧秘首要認(rèn)知是：氮化
2025-05-27 11:15:00802 
在理發(fā)及寵物修剪等領(lǐng)域，電推剪是不可或缺的高效工具。隨著技術(shù)發(fā)展，對(duì)電推剪性能要求不斷提高，下面從多個(gè)關(guān)鍵維度剖析其利天下技術(shù)有限公司的無(wú)刷電推剪驅(qū)動(dòng)方案，改方案采用了無(wú)感FOC（矢量控制）技術(shù)，可
2025-05-11 00:00:00861 
近日，2025中興通訊中國(guó)生態(tài)合作伙伴大會(huì)在福州召開(kāi)，中興通訊副總裁、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化方案部總經(jīng)理陸平在會(huì)上發(fā)布了全新升級(jí)的數(shù)字星云4.0。面對(duì)以人工智能為核心的下一個(gè)十年，數(shù)字星云4.0精準(zhǔn)爆破AI落地的挑戰(zhàn)，打通AI落地最后一公里，讓”智能”真正生長(zhǎng)于業(yè)務(wù)土壤之上。
2025-05-06 14:17:00904 ）及幾何形態(tài)（從平面基板到自由曲面再到共形光學(xué)元件）。因此，選擇合適的初始材料極具挑戰(zhàn)且需多樣化考量，現(xiàn)有的初始材料類(lèi)型主要包括以下類(lèi)別：
?熔融切割塊材
? 采購(gòu)整爐熔融玻璃
? 晶體生長(zhǎng)
? 棒材
2025-05-06 08:51:14
VirtualLab Fusion對(duì)雙折射進(jìn)行仿真，并分析入射偏振態(tài)和晶體厚度對(duì)雙折射效應(yīng)的影響。
2.系統(tǒng)建模
3.單軸晶體的雙折射現(xiàn)象
當(dāng)光束沿晶體光軸軸方向傳播 (其場(chǎng)向量因此在垂直于光軸
2025-04-29 08:51:11
中證明了單軸晶體中的偏振轉(zhuǎn)換。并且可以觀察到在過(guò)程中產(chǎn)生的渦旋光。
建模任務(wù)
系統(tǒng)建立模塊-光源
系統(tǒng)建立模塊-單軸方解石晶體
模擬結(jié)果
總結(jié)——組件
VirtualLab Fusion
2025-04-29 08:48:49
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)SiC單晶時(shí)，微管極易形成，并且籽晶或襯底里原有的微管還會(huì)在后續(xù)生長(zhǎng)中不斷延伸，使得晶體質(zhì)量難以提升。
2025-04-24 11:07:26830 
近日，極氪科技集團(tuán)旗下首款搭載禾賽激光雷達(dá)的車(chē)型極氪 007GT 正式上市，共發(fā)布后驅(qū)智駕版、長(zhǎng)續(xù)航后驅(qū)智駕版、四驅(qū)智駕版三個(gè)版型，官方零售價(jià)為 20.29-23.29 萬(wàn)元。極氪 007GT 定位
2025-04-18 11:31:101834 SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無(wú)熔點(diǎn)，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測(cè)，只有在壓強(qiáng)高達(dá)109Pa且溫度超過(guò)3200℃的極端條件下，才有
2025-04-18 11:28:061059 
本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39867 多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿(mǎn)足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體
2025-04-14 17:24:55
針對(duì)網(wǎng)絡(luò)通信優(yōu)化的差分晶體振蕩器，滿(mǎn)足高帶寬低延遲的時(shí)鐘需求。
二、產(chǎn)品介紹：FCO5L02700033HDY00在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的優(yōu)勢(shì)
* 輸出頻率：27.000 MHz，兼容主流SoC與PHY時(shí)鐘要求
2025-04-09 12:27:50
新思科技近日宣布，全面升級(jí)其高性能硬件輔助驗(yàn)證（HAV）產(chǎn)品組合，推出全新一代HAPS-200原型驗(yàn)證系統(tǒng)和ZeBu仿真系統(tǒng)。
2025-04-03 14:22:381983 
本文介紹了利用X射線衍射方法測(cè)量薄膜晶體沿襯底生長(zhǎng)的錯(cuò)配角，可以推廣測(cè)量單晶體的晶帶軸與單晶體表面之間的夾角，為單晶體沿某晶帶軸切割提供依據(jù)。
2025-03-20 09:29:10847 
在現(xiàn)代工業(yè)檢測(cè)和科學(xué)研究中， 內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī) 解決了傳統(tǒng)推掃式高光譜相機(jī)的一些缺陷，本文將以 VIX-S315 為例，科普內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī)的技術(shù)特點(diǎn)及其在高速應(yīng)用場(chǎng)景中的優(yōu)勢(shì)。 內(nèi)置推掃式
2025-03-12 14:25:13815 我觀察了CubeMX12.0.1和Cube IDE1.16.1，發(fā)現(xiàn)在ETH中都沒(méi)有Advanced Parameters選項(xiàng)卡，為什么？那我又該怎么設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容？
2025-03-11 06:15:45
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢(shì)有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過(guò)量生長(zhǎng)將增大接觸電阻和降低鍵合強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 物理光學(xué)仿真技術(shù)，演示了KGd晶體中的錐形折射。
建模任務(wù)
參數(shù)來(lái)自C. F. Phelan et al., Opt. Express 17, 12891-12899 (2009)
系統(tǒng)建立模塊-光源
2025-02-27 09:50:40
硬件公司為我提供了dlp3010硬件和dlpevm gui，我需要投射幾組720*720的條紋圖案。
我在gui中的“Advanced”->\"Connection
2025-02-19 07:09:13
新思科技近日宣布，推出基于全新AMD Versal Premium VP1902自適應(yīng)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的HAPS原型驗(yàn)證系統(tǒng)，全新升級(jí)其業(yè)界領(lǐng)先的硬件輔助驗(yàn)證（HAV）產(chǎn)品組合。
2025-02-18 17:30:481088 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次生長(zhǎng)
2025-02-17 09:13:241340 隨著高科技內(nèi)核的智慧農(nóng)業(yè)迅速發(fā)展，植物生長(zhǎng)燈的應(yīng)用已成為其中的典型例子。植物生長(zhǎng)燈通過(guò)定制光照和延長(zhǎng)光照時(shí)間，顯著提升了植物的生長(zhǎng)質(zhì)量和效率，從而帶來(lái)了可觀的經(jīng)濟(jì)效益。
2025-02-15 13:49:29510 APT100GT120JU3型號(hào)簡(jiǎn)介 APT100GT120JU3是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊就像一位優(yōu)雅的舞者，輕盈
2025-02-12 10:55:52
背景介紹搭載高科技內(nèi)核的智慧農(nóng)業(yè)正在快速騰飛，其中植物生長(zhǎng)燈的應(yīng)用便是非常典型化的應(yīng)用。植物生長(zhǎng)燈通過(guò)提供定制化的光照和延長(zhǎng)光照時(shí)間，實(shí)現(xiàn)了植物生長(zhǎng)的提質(zhì)增效，經(jīng)濟(jì)效益非常顯著。無(wú)法滿(mǎn)足惡劣工況環(huán)境
2025-02-11 18:12:34624 引言
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，襯底應(yīng)力問(wèn)題一直是
2025-02-08 09:45:00268 
SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，晶型夾雜和缺陷問(wèn)題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí)，有效避免這些問(wèn)題的產(chǎn)生，可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 原子級(jí)薄的范德瓦爾斯van der Waals (vdW) 薄膜，為量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)提供了新材料體系。然而，不同于三維塊晶體的遠(yuǎn)程外延生長(zhǎng)，由于較弱的范德華vdW相互作用，跨原子層的二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)受到了限制。
2025-02-05 15:13:06966 
且精細(xì)，涉及多個(gè)環(huán)節(jié)和技術(shù)。本文將詳細(xì)介紹SiC襯底的生產(chǎn)過(guò)程，包括原料合成、晶體生長(zhǎng)、切割、研磨、拋光和清洗等關(guān)鍵步驟。
2025-02-03 14:21:001979 。 碳化硅的主要缺陷類(lèi)型 微管缺陷 ：微管是碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中最常見(jiàn)的缺陷之一，它們會(huì)形成垂直于晶體生長(zhǎng)方向的空管，影響電子器件的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。 位錯(cuò)缺陷 ：位錯(cuò)是晶體結(jié)構(gòu)中的線缺陷，它們會(huì)破壞晶體的周期性
2025-01-24 09:17:142515 問(wèn)題仍然是其商業(yè)化的主要障礙，尤其是在實(shí)際能量收集模式下，其降解速度更快。鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)機(jī)制鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)調(diào)控機(jī)制鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)機(jī)制示意圖：鈣鈦礦晶體通過(guò)有機(jī)鹵化
2025-01-24 09:05:022210 
在 AMD Vivado Design Suite 2024.2 版本中，Advanced Flow 自動(dòng)為所有 AMD Versal 自適應(yīng) SoC 器件啟用。請(qǐng)注意，Advanced Flow
2025-01-23 09:33:321440 
簡(jiǎn)介 ：
本文的目的是介紹FRED的材料性質(zhì)方面一些高級(jí)的設(shè)定，這些設(shè)定共分成以下幾個(gè)部份。
?雙折射晶體和偏振光干涉
?光源偏振設(shè)置
?雙折射材料方向和其他設(shè)定
?干涉結(jié)果和光線性質(zhì)查看
?漸變
2025-01-22 08:50:07
在最新發(fā)布的 AMD Vivado Design Suite 2024.2 中，引入的新特性之一是啟用了僅適用于 AMD Versal 自適應(yīng) SoC 器件的 Advanced Flow 布局布線
2025-01-17 10:09:271251 
蔚來(lái)智能系統(tǒng)「NT.Banyan 榕」迎來(lái)自誕生以來(lái)的第35個(gè)版本發(fā)布，「Banyan 榕 3.1.0」版本在2025年春節(jié)前為用戶(hù)帶來(lái)「安心旅途、暖心陪伴」的全新體驗(yàn)。
2025-01-13 13:51:422075 工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點(diǎn)籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長(zhǎng)出對(duì)角線長(zhǎng)度略低于 2
2025-01-09 18:18:221356 一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長(zhǎng)過(guò)程中，石墨托盤(pán)作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364 器件制造的關(guān)鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長(zhǎng)裝置作為一種先進(jìn)的生長(zhǎng)設(shè)備，以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和高效的生長(zhǎng)性能，成為制備高質(zhì)量SiC外延片的重要工具。本文將詳細(xì)介紹鐘罩式
2025-01-07 15:19:59423 在電子制造領(lǐng)域，錫須是一種常見(jiàn)的物理現(xiàn)象，表現(xiàn)為在錫質(zhì)表面自發(fā)生長(zhǎng)的細(xì)長(zhǎng)晶體。這些晶體類(lèi)似于晶須，能在多種金屬表面形成，但以錫、鎘、鋅等金屬最為常見(jiàn)。錫須的形成對(duì)那些選擇錫作為電路連接材料的制造商
2025-01-07 11:20:53931 
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