電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.92 至 1.98 GHz 高線性度、
有源偏置、低噪聲可變?cè)鲆娣糯笃飨嚓P(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有1.92 至 1.98 GHz 高線性度、
有源偏置、低噪聲可變?cè)鲆娣糯笃?/div>
2025-09-19 18:36:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()880-915 MHz 高線性度、有源偏置、低噪聲、可變?cè)鲆娣糯笃飨嚓P(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有880-915 MHz 高線性度、有源偏置、低噪聲、可變?cè)鲆娣糯笃鞯囊_圖
2025-09-19 18:35:29
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()832-862 MHz 高線性度、有源偏置、低噪聲、可變?cè)鲆娣糯笃飨嚓P(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有832-862 MHz 高線性度、有源偏置、低噪聲、可變?cè)鲆娣糯笃鞯囊_圖
2025-09-19 18:34:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.2-3.0 GHz 高線性度、有源偏置、低噪聲放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有1.2-3.0 GHz 高線性度、有源偏置、低噪聲放大器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文
2025-09-18 18:30:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.7 - 1.2 GHz 極高線性度、有源偏置、低噪聲放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.7 - 1.2 GHz 極高線性度、有源偏置、低噪聲放大器的引腳圖、接線圖、封裝
2025-09-04 18:34:55
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2025-09-04 18:32:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2.0 – 3.0 GHz 高線性度、有源偏置、低噪聲放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有2.0 – 3.0 GHz 高線性度、有源偏置、低噪聲放大器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)
2025-09-04 18:31:36
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2025-09-04 18:31:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.5-3.0 GHz 低功耗、有源偏置低噪聲放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有1.5-3.0 GHz 低功耗、有源偏置低噪聲放大器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文
2025-08-19 18:34:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()在薄膜框架上提供的 PIN 二極管芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有在薄膜框架上提供的 PIN 二極管芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，在薄膜框架上提供
2025-07-15 18:35:43
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅肖特基二極管芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有硅肖特基二極管芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，硅肖特基二極管芯片真值表，硅肖特基二極管芯片管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-14 18:32:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Hyperabrupt Junction Tuning 變?nèi)荻O管芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有Hyperabrupt Junction Tuning 變?nèi)荻O管芯片的引腳
2025-07-11 18:31:49
Analog Devices Inc. HMC8342 x2有源倍頻器是一款GaAs（砷化鎵）MMIC（單片微波集成電路），設(shè)計(jì)用于5dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)提供15dBm典型輸出功率。輸出頻率范圍為
2025-07-01 14:42:18
633 
（標(biāo)稱值）功率處理效率：通過(guò)線路：27 dBm控制電壓：-5V/0V工作溫度范圍：-55°C 至 +85°C封裝形式：10-Pad裸芯片封裝與安裝需求HMC347A選用裸片(die)形式封裝，背部
2025-06-20 09:49:44
(Vds)傳感控制方案允許 使用多個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 例如有源鉗位反激式、 QR/DCM/CCM反激式和LLC等集成特性可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作， 使PC2812在各種頻率下都應(yīng)用中， 并表現(xiàn)卓越。 較寬的VDD和VD
2025-06-09 10:23:41
LMP7721是業(yè)界最低規(guī)格的輸入偏置電流精密放大器。超低輸入偏置電流為3 fA，在25°C時(shí)的規(guī)定極限為±20 fA，而在85°C時(shí)為±900 fA。這是通過(guò)輸入偏置電流消除放大器電路的最新專利申請(qǐng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。該技術(shù)還在放大器的整個(gè)輸入共模電壓范圍內(nèi)保持超低輸入偏置電流。
2025-05-22 14:14:221137 
DS1842集成了雪崩光電二極管(APD)偏置和監(jiān)測(cè)應(yīng)用所必需的分立高壓元件。開(kāi)關(guān)FET結(jié)合外部DC-DC控制器一起使用，構(gòu)成一個(gè)升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。電流鉗位功能限制通過(guò)APD的電流，且?guī)в型獠筷P(guān)斷功能。該器件還具有雙電流鏡功能，以監(jiān)測(cè)APD電流。
2025-05-12 11:12:00727 
DS3922高速電流鏡集成了在雪崩光電二極管(APD)偏置和OLT應(yīng)用中監(jiān)控突發(fā)模式接收功率信號(hào)所需的高壓器件。該器件具有兩個(gè)小增益電流鏡輸出和一個(gè)大增益電流鏡輸出，用于監(jiān)控APD電流?？烧{(diào)電流箝位
2025-05-09 17:07:05769 
ADL5317是一款高壓、寬動(dòng)態(tài)范圍偏置和電流監(jiān)控器件，最適合與雪崩光電二極管一起使用。當(dāng)提供最高80 V的穩(wěn)定高壓電源時(shí)，可以利用3 V兼容 **VSET** 引腳在6 V至75 V范圍內(nèi)
2025-05-09 13:58:46788 
電源開(kāi)關(guān)、功率電感器和二極管相結(jié)合，形成有源預(yù)充電解決方案。電感電流由 TPSI31P1-Q1 以遲滯工作模式連續(xù)監(jiān)測(cè)和控制，以線性充電下游系統(tǒng)的大電容。TPSI31P1-Q1 是一種隔離式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器，可從
2025-05-06 16:22:07695 
，可接受三線式串行輸入。 HMC759LP3E具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口，可級(jí)聯(lián)其他Hittite串行控制組件。 HMC759LP3E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的3x3 mm QFN無(wú)引腳封裝，占用面積僅為9 mm2。
2025-04-24 16:35:45697 
CMOS/TTL，可接受三線式串行輸入或6位并行字。 HMC1095LP4E還具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口，從而級(jí)聯(lián)Hittite串行控制組件。
2025-04-24 14:14:26638 
其他Hittite串行控制元件。 HMC627ALP5E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5x5 mm QFN無(wú)引腳封裝，無(wú)需外部匹配元件。
2025-04-22 13:51:34725 
為4 dB，任意狀態(tài)下的輸出IP3最高為+39 dBm。 雙模增益控制接口支持三線式串行輸入或6位并行字。 HMC742A還提供用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出，從而級(jí)聯(lián)其他Hittite串行控制元件。 HMC742A采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5x5 mm QFN無(wú)鉛封裝，同時(shí)只需極少量的外部元件。
2025-04-19 14:31:14791 
級(jí)聯(lián)其他Hittite串行控制元件。HMC625BLP5E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5x5 mm QFN無(wú)鉛封裝，無(wú)需外部匹配元件。
2025-04-19 11:37:08823 
HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs pHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17
2025-04-18 14:47:04662 
HMC814LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17
2025-04-18 14:25:57768 
HMC814是一款采用GaAs pHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 在19 GHz頻率下
2025-04-18 14:18:32793 
）。 HMC705LP4E具有較高的工作頻率并具有低相位噪底特性，非常適合高性能快速建立頻率合成器架構(gòu)。 HMC705LP4E可搭配Hittite鑒頻鑒相器、VCO和PLL IC使用，從而實(shí)現(xiàn)低噪聲、快速建立鎖相環(huán)。
2025-04-18 14:14:51916 
HMC598是一款x2有源寬帶倍頻器芯片，采用GaAs PHEMT技術(shù)。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，倍頻器提供+15 dBm典型輸出功率（22 GHz至46 GHz），30 GHz時(shí)的Fo和3Fo
2025-04-18 14:03:24876 
HMC579裸片是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器提供+13 dBm的典型輸出功率，在32至46 GHz的頻率下工作。 在38 GHz頻率下
2025-04-18 14:00:27737 
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+15 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下，F(xiàn)o和3Fo隔離分別大于20 dBc和30 dBc。
2025-04-18 13:56:37823 
HMC578是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下，F(xiàn)o
2025-04-18 13:52:22797 
HMC577LC4B是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器提供+20 dBm的典型輸出功率，在27至31 GHz的頻率下工作。 在29 GHz頻率下的Fo和3Fo隔離為>55 dBc。
2025-04-18 11:40:42770 
和3Fo隔離分別大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常適合在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無(wú)線電的LO倍頻鏈中使用，與傳統(tǒng)方法相比，可以減少器件數(shù)量。 100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。
2025-04-18 11:24:40791 
HMC573LC3B是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器提供+12 dBm的典型輸出功率，在8至22
2025-04-18 11:13:24749 
HMC561LP3(E)是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在8至21 GHz范圍內(nèi)提供+14 dBm
2025-04-18 11:08:30820 
HMC561是一款采用GaAs pHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在8至21 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率，在16 GHz頻率下，F(xiàn)o
2025-04-18 11:03:38833 
HMC445LP4(E)是一款有源微型x16倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用4x4 mm無(wú)引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+7 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的輸入功率
2025-04-18 09:22:16722 
HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用4x4 mm無(wú)引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的輸入功率、溫度
2025-04-17 16:42:19796 
HMC1105是一款無(wú)源微型倍頻器MMIC。 相對(duì)于輸入信號(hào)電平，無(wú)用基波和高階諧波抑制高達(dá)46 dB（典型值）。 該倍頻器采用與Hittite MMIC混頻器中相同的GaAs Schottky二極管/巴倫技術(shù)。 它尺寸小，無(wú)需直流偏置，且無(wú)需在倍增信號(hào)上增加可衡量的加性相位噪聲。
2025-04-17 09:16:29706 
設(shè)計(jì)，使其成為軍事電子戰(zhàn)/電子對(duì)抗系統(tǒng)及高精度測(cè)試設(shè)備的理想解決方案。HMC547ALC3采用-5V/0V互補(bǔ)負(fù)邏輯控制電壓方案，無(wú)需外部偏置電源即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作，有效簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度。特征高隔離度
2025-04-11 10:09:59
dB的極低插入損耗變化。 這種高精度移相器由0/-3V互補(bǔ)邏輯控制，無(wú)需固定偏置電壓。 HMC644ALC5采用緊湊型5x5 mm陶瓷無(wú)引腳SMT封裝，內(nèi)部匹配至50 Ω，無(wú)需任何外部元件。 簡(jiǎn)單的外部電平轉(zhuǎn)換電路可用于將CMOS正控制電壓轉(zhuǎn)換為互補(bǔ)負(fù)控制信號(hào)。
2025-04-09 09:40:41805 
HMC-C200是一款高性能介質(zhì)諧振振蕩器(DRO)，采用Hittite的超低相位噪聲技術(shù)，在10 kHz偏置時(shí)提供122 dBc/Hz SSB的相位噪聲。 輸出緩沖還提供14.5 dBm的輸出功率
2025-04-08 11:39:211165 
HMC-C046是一款無(wú)源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 該模塊采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
2025-04-03 17:23:19824 
HMC-C044是一款無(wú)源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該模塊采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
2025-04-03 17:16:59789 
HMC-C042是一款無(wú)源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該模塊采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
2025-04-03 17:10:38991 
HMC-C034是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在32至46 GHz范圍內(nèi)提供+13 dBm的典型輸出功率。 相對(duì)于
2025-04-03 16:03:24754 
HMC-C033是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 相對(duì)于
2025-04-03 16:00:42705 
HMC-C032是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在18至29 GHz范圍內(nèi)提供+16 dBm的典型輸出功率。 在24
2025-04-03 15:17:55747 
HMC-C031是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在6至10 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 相對(duì)于輸出
2025-04-03 15:15:42651 
UCC2891/2/3/4 系列 PWM 控制器旨在簡(jiǎn)化各種有源箝位/復(fù)位開(kāi)關(guān)電源拓?fù)涞膶?shí)現(xiàn)。
UCC289x 是一款峰值電流模式、固定頻率、高性能脈寬調(diào)制器。它包括輔助開(kāi)關(guān)的邏輯和驅(qū)動(dòng)功能，以及一種簡(jiǎn)單的方法，可以對(duì)關(guān)鍵延遲進(jìn)行編程，以實(shí)現(xiàn)正確的有源箝位作。
2025-04-03 14:32:47902 
LM5034 雙電流模式 PWM 控制器包含控制所需的所有 特性 兩個(gè)獨(dú)立的正向/有源箝位 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或單個(gè)高電流轉(zhuǎn)換器 由兩個(gè)交錯(cuò)式功率級(jí)組成。兩個(gè)控制器通道以 180° 異相方式工作
2025-04-03 11:12:52777 
LM5026 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和更大的功率密度 傳統(tǒng)的 catch 繞組或
2025-04-03 10:20:391083 
UCC2897A PWM 控制器簡(jiǎn)化了各種有源鉗位或復(fù)位以及同步整流器開(kāi)關(guān)電源拓?fù)涞膶?shí)現(xiàn)。
UCC2897A 是一款峰值電流模式固定頻率高性能脈寬調(diào)制器。該控制器包括 P 溝道輔助開(kāi)關(guān)的邏輯和驅(qū)動(dòng)功能，以及一種簡(jiǎn)單的方法，用于對(duì)關(guān)鍵延遲進(jìn)行編程，以實(shí)現(xiàn)正確的有源鉗位作。
2025-03-31 14:26:46817 
HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 它可用于為A級(jí)區(qū)（漏極電壓為4V至12V，漏極電流最大為200mA）的增強(qiáng)和耗盡型放大器提供合適的偏置，提供了完整的偏置解決方案。
2025-03-21 15:55:37775 
HMC980LP4E是一款有源偏置控制器，可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 HMC980LP4E集成控制器，實(shí)現(xiàn)了安全的電源開(kāi)/關(guān)、禁用/使能和自動(dòng)供電序列，從而保證外部
2025-03-21 15:50:49801 
HMC920LP5E是一款有源偏置控制器，可生成調(diào)節(jié)漏極電壓并主動(dòng)調(diào)節(jié)外部放大器的柵極電壓，實(shí)現(xiàn)恒定偏置電流。 該器件可用來(lái)偏置任何工作在A類的增強(qiáng)型和耗盡型放大器，漏極電壓(VDRAIN)范圍為3V至15V，漏極電流(IDRAIN)最高500mA，提供完整的偏置解決方案。
2025-03-21 15:26:49828 
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來(lái)降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm
2025-03-21 15:14:511104 
HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過(guò)可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置，以降低IDQ
2025-03-21 15:00:43836 
HMC789ST89E是一款高線性度GaAs InGaP HBT增益模塊MMIC，工作頻率范圍為0.7至2.8 GHz，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT89封裝。 該放大器僅使用極小數(shù)量的外部元件和+5V單電源
2025-03-21 14:37:28746 
，也可用作PA或LO驅(qū)動(dòng)器，輸出功率高達(dá)+18 dBm。 100 MHz時(shí)，HMC740具有15 dB的增益和+40 dBm的輸出IP3，并可直接采用+5V電源供電。 HMC740在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有出色的增益和輸出功率穩(wěn)定性，同時(shí)只需極少的外部偏置元件。
2025-03-21 11:40:36872 
618ALP3E與HMC617LP3E 0.55 - 1.2 GHz LNA具有相同的封裝和引腳排列。 HMC618ALP3E可在+3V與+5V之間進(jìn)行偏置，提供外部可調(diào)電源電流，設(shè)計(jì)人員可針對(duì)每個(gè)應(yīng)用調(diào)整LNA的線性度性能。 HMC618ALP3E的噪聲系數(shù)性能相比之前發(fā)布的HMC375LP3(E)和HMC382LP3(E)更優(yōu)。
2025-03-20 16:43:19774 
偏置為+5V，HMC313(E)提供17 dB的增益和+15 dBm的飽和功率，同時(shí)所需電流僅為50 mA。 “應(yīng)用筆記”部分提供的“HMC313偏置和阻抗匹配技術(shù)”應(yīng)用筆記描述了窄帶工作建議。
2025-03-19 16:03:04816 
HMC1040LP3CE是一款自偏置GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無(wú)鉛3x3 mm塑料表面貼裝封裝。 該放大器的工作頻率范圍為24至43.5 GHz，提供23 dB的小信號(hào)增益，2.2 dB
2025-03-19 14:18:45784 
電壓：采用 -5/0V 的互補(bǔ)負(fù)控制電壓邏輯，無(wú)需額外偏置電源。
工作電流：低至 DC，功耗極低。
應(yīng)用領(lǐng)域
基站基礎(chǔ)設(shè)施：用于信號(hào)切換和路由。
光纖和寬帶電信：支持高頻信號(hào)處理。
微波無(wú)線電
2025-03-14 09:45:46
偏置以實(shí)現(xiàn)67 mA的漏極電流IDD。 HMC8400還具有增益控制選項(xiàng)VGG2。 HMC8400放大器輸入/輸出內(nèi)部匹配50 ?，可方便地集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數(shù)據(jù)均由通過(guò)最短0.31 mm (12 mils)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。
2025-03-12 15:03:35823 
HMC427ALP3E是一款低損耗寬帶正控制轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，采用無(wú)引腳表貼封裝。 該開(kāi)關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。 該開(kāi)關(guān)采用0/+5V正控制電壓工作，所需固定偏置為+5V (< 20 μA)。
2025-03-07 14:43:22860 
HMC345ALP3E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP4T開(kāi)關(guān)，采用低成本無(wú)引腳表貼封裝。該開(kāi)關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。該開(kāi)關(guān)還集成了板載二進(jìn)制解碼電路，將所需邏輯控制線減至兩條。該開(kāi)關(guān)采用0/+5V正控制電壓工作，所需固定偏置為+5V。
2025-03-06 16:59:431010 
上集成了3:8解碼器，僅需三個(gè)控制線和一個(gè)正偏置即可選擇每個(gè)路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開(kāi)關(guān)的多種配置。
2025-03-06 16:21:14967 
的低插入損耗。 該開(kāi)關(guān)提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。 該開(kāi)關(guān)上集成了2:4解碼器，僅需兩個(gè)控制線和一個(gè)正偏置即可選擇每個(gè)路徑，從而可取代GaAs SP4T開(kāi)關(guān)通常所需的8個(gè)控制線。
2025-03-06 14:43:11993 
直通線集成到單個(gè)IC上。 這些設(shè)計(jì)提供小于0.5 dB的低插入損耗，同時(shí)在信號(hào)路徑內(nèi)外切換無(wú)源或有源外部電路元件。 端口間隔離通常為25至30 dB。 片內(nèi)電路在極低直流電流時(shí)采用正電壓控制工作，且
2025-03-06 14:15:41858 
HMC784A是一款由ADI生產(chǎn)的高功率單刀雙擲（SPDT）射頻開(kāi)關(guān)，適用于需要在高輸入信號(hào)功率下實(shí)現(xiàn)極低失真的發(fā)射-接收應(yīng)用。HMC784A寬頻帶控制、卓越的互調(diào)性能、低插入損耗以及靈活的電源選項(xiàng)
2025-02-27 09:52:51
廣數(shù)980tdb使用手冊(cè)
2025-02-26 17:53:51
16 HMC789ST89E是一款高線性度GaAs InGaP HBT增益模塊MMIC，工作頻率范圍為0.7至2.8 GHz，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT89封裝。 該放大器僅使用極小數(shù)量的外部元件和+5V單電源
2025-02-17 10:46:01
EVAL01-HMC1061LC5 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述EVAL01-HMC1061LC5 是由宏邁科技（Hittite Microwave Corporation）推出的一款評(píng)估板，專為
2025-02-15 16:16:17
HMC1040LP3CE是一款自偏置GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無(wú)鉛3x3 mm塑料表面貼裝封裝。 該放大器的工作頻率范圍為24至43.5 GHz，提供23 dB的小信號(hào)增益，2.2 dB
2025-02-12 15:43:07
接觸器作為電氣控制系統(tǒng)中不可或缺的元件，其核心功能在于通過(guò)小電流控制大電流負(fù)載的通斷，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)、電容器、電阻爐和照明器具等電力負(fù)載的遠(yuǎn)程操控。本文將從接觸器的工作原理、小電流控制大電流
2025-02-05 16:33:002180 電阻對(duì)電源電壓進(jìn)行分壓，為基極提供穩(wěn)定的偏置電壓。 深入分析偏置作用 偏置電路的核心任務(wù)是控制和調(diào)節(jié)基極電流，確保三極管工作在合適的放大區(qū)域，進(jìn)而影響三極管的放大性能。合適的偏置電流能讓三極管穩(wěn)定地對(duì)輸入信號(hào)
2025-02-05 16:15:001602 隔離交流信號(hào)，防止高頻信號(hào)泄露到電源系統(tǒng)。這種設(shè)計(jì)使得Bias Tee能夠在不影響射頻信號(hào)的情況下，為有源器件提供直流偏置電流或者電壓。在設(shè)計(jì)和應(yīng)用寬帶有源器件時(shí)，需要考慮其材料的頻率響應(yīng)特性以及相應(yīng)
2025-01-20 15:24:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN92-用于雪崩光電二極管的偏置電壓和電流檢測(cè)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:58:474 聚焦模擬和數(shù)?；旌暇劢垢咝阅苣M與數(shù)?；旌袭a(chǎn)品的供應(yīng)商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出飛安級(jí)輸入偏置電流運(yùn)算放大器TPA3530。產(chǎn)品工作電壓范圍4.5V至16V，輸入偏置電流僅為
2025-01-07 11:27:091089 
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