基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:12
1699 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法；并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2015-09-18 14:33:176809 
從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個系統(tǒng)的可靠性。
2021-03-07 10:47:003353 
功率電路中常用垂直導電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 11:25:473402 
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:022986 （Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:102367 
極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴散型
2023-06-28 08:39:355550 
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2023-08-17 09:16:305316 
超級電容模式是針對以上兩種結(jié)構(gòu)的局限而產(chǎn)生的，因為前兩種結(jié)構(gòu)的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。
2011-12-03 10:58:241503 
本應用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:288967 
為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應用領(lǐng)域。 ? 在超級結(jié)MOSFET細分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯謀
2023-06-07 00:10:004320 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機驅(qū)動、新能源等領(lǐng)域應用廣泛，在低壓領(lǐng)域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢，正在獲得快速增長，逐步取代傳統(tǒng)
2025-07-12 00:15:003191 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復雜結(jié)構(gòu)的表征效果極差，在任何計算中都會導致較大誤差。為了適應各種新組件架構(gòu)的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
電子表格記錄數(shù)據(jù)的經(jīng)驗豐富的設計人員，亦未能從熟悉的模型中獲得滿意的結(jié)果。除了器件結(jié)構(gòu)和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個周圍相關(guān)因素的影響。這些因素包括封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生
2019-05-13 14:11:31
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個典型的N溝道增強型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi)，半導體的另一個平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET
2024-06-13 10:07:47
優(yōu)化電動汽車的結(jié)構(gòu)性能以提高效率和安全性迅速增長的全球電動汽車（EV）市場預計到2027年將達到8028億美元。在電池和高壓電子設備的驅(qū)動下，電動汽車的運行和維護成本往往低于傳統(tǒng)汽車，幾乎不會產(chǎn)生
2021-09-17 08:10:07
能量與比功率的空白。超級電容器被稱為是能量儲存領(lǐng)域的一次革命，并將會在某些領(lǐng)域取代傳統(tǒng)蓄電池。超級電容器性能超級電容器的能量密度是傳統(tǒng)電容器的幾百倍，功率密度高出電池兩個數(shù)量級，很好地彌補了電池比功率
2016-08-08 10:47:05
反復充放電數(shù)十萬次。它具有充電時間短、使用壽命長、溫度特性好、節(jié)約能源和綠色環(huán)保等特點。超級電容器用途廣泛，可以全部或部分替代傳統(tǒng)的蓄電池。 超級電容器結(jié)構(gòu) 超級電容器的結(jié)構(gòu)是由高比表面積的多孔
2020-12-17 16:42:12
超負荷電路運行的需要，國內(nèi)開始推廣使用超級電容器，這種器件在性能上比傳統(tǒng)電容器更加優(yōu)越。超級電容器實際上屬于電化學元件，引起電荷或電能儲存流程可相互逆轉(zhuǎn)，其循環(huán)充電的次數(shù)達到50萬次。憑借多個方面的性能
2021-07-21 15:56:08
超負荷電路運行的需要，國內(nèi)開始推廣使用超級電容器，這種器件在性能上比傳統(tǒng)電容器更加優(yōu)越。超級電容器實際上屬于電化學元件，引起電荷或電能儲存流程可相互逆轉(zhuǎn)，其循環(huán)充電的次數(shù)達到50萬次。憑借多個方面的性能
2022-04-29 15:04:21
MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
(on) = Rch + Repi + Rsub圖1：傳統(tǒng)平面式MOSFET結(jié)構(gòu)圖2顯示平面式MOSFET情況下構(gòu)成RDS(on) 的各個分量。對于低壓MOSFET，三個分量是相似的。但隨著額定電壓
2018-10-17 16:43:26
本帖最后由 貪玩 于 2022-2-16 21:42 編輯
AN0004—AT32 性能優(yōu)化這篇應用筆記描述了如何通過軟件方法提高AT32的運行效能。AT32 性能優(yōu)化概述性能提升是多方面調(diào)優(yōu)
2020-08-15 14:38:22
HBase是Hadoop生態(tài)系統(tǒng)中的一個組件，是一個分布式、面向列的開源數(shù)據(jù)庫，可以支持數(shù)百萬列、超過10億行的數(shù)據(jù)存儲，因此，對HBase性能提出了一定的要求，那么如何進行HBase性能優(yōu)化呢
2018-04-20 17:16:47
的基礎(chǔ)。MOSFET設計的改進可使電路設計者充分發(fā)揮改進器件的性能，比如開關(guān)性能的提高和其他幾個關(guān)鍵參數(shù)的改善，可確保轉(zhuǎn)換器能夠更高效地運行。某些情況下，還可對設計的電路進行修改。若不采用這些改進
2018-12-07 10:21:41
SRAM的性能及結(jié)構(gòu)
2020-12-29 07:52:53
吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過仿真和實驗驗證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓撲及其等效電路
雙脈沖電路主電路拓撲結(jié)構(gòu)（圖 1）包含
2025-04-23 11:25:54
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驅(qū)動電壓VGS=10~15V不能發(fā)揮出SiC本來的低導通電阻的性能，所以為了得到充分的低導通電阻，推薦使用VGS=18V左右進行驅(qū)動。原作者：羅姆半導體集團
2023-02-07 16:40:49
web常用性能優(yōu)化
2020-06-13 10:57:53
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術(shù)。這個時候，有心急的網(wǎng)友就該問了，超級結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢在哪里？各位客官莫急，看完這篇文章你就懂了！平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了
2017-08-09 17:45:55
無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
1 橫向雙擴散型場效應晶體管的結(jié)構(gòu)功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個系統(tǒng)的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
電容器與電池之間、具有特殊性能的電源，主要依靠雙電層和氧化還原贗電容電荷儲存電能。但在其儲能的過程并不發(fā)生化學反應，這種儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數(shù)十萬次?！ ?、超級電容
2018-12-03 11:01:19
如何使用MLD優(yōu)化MIMO接收器的性能？
2021-05-24 06:16:55
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設計數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
如何對單片機程序結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化？如何對單片機代碼進行優(yōu)化？
2021-09-22 09:07:26
導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
封裝在開關(guān)速度、效率和驅(qū)動能力等方面的有效性。最后，第四節(jié)分析了實驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關(guān)
2018-10-08 15:19:33
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
，減少噪聲干擾。通常，超級結(jié)MOSFET的內(nèi)置二極管的恢復特性為硬恢復。但是，ROHM的R60xxJNx系列，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的軟恢復指數(shù)改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復
2020-03-12 10:08:31
，減少噪聲干擾。通常，超級結(jié)MOSFET的內(nèi)置二極管的恢復特性為硬恢復。但是，ROHM的R60xxJNx系列，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的軟恢復指數(shù)改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復
2020-03-12 10:08:47
高速公路服務區(qū)的重要基礎(chǔ)設施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設計，采用先進的工藝制造技術(shù)，進一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
物理綜合與優(yōu)化的優(yōu)點是什么？物理綜合與優(yōu)化有哪些流程？物理綜合與優(yōu)化有哪些示例？為什么要通過物理綜合與優(yōu)化去提升設計性能？如何通過物理綜合與優(yōu)化去提升設計性能？
2021-04-14 06:52:32
絞合導線的特點是什么？超細絞線連接面臨哪些問題？如何去解決？
2021-06-08 07:20:03
能會對MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
高低壓銅帶軟連接加絕緣護套-銅帶軟連接產(chǎn)品可進行搭接面鍍錫、鍍銀或整體鍍錫、鍍銀處理，鋁帶軟連接可進行搭接面鍍錫、鍍銀或單片及整體陽極氧化處理，編織線、絞線類伸縮節(jié)的搭接面可進行鍍錫、鍍銀處理；各類
2022-02-26 13:13:16
，SPICE級的功率MOSFET模型是以簡單分立式子電路或性能模型為基礎(chǔ)的。簡單的子電路模型常常過于簡單，不足以捕獲所有器件性能，如IV(電流與電壓)、 CV(電容與電壓)、瞬態(tài)和熱性能，且不包含任何器件結(jié)構(gòu)
2019-07-19 07:40:05
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
近些年來，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開關(guān)的性能迅速提高。本文對該方面的新發(fā)展進行了論述。本文上篇著重于降低通態(tài)電阻Rds（on）方面的技術(shù)發(fā)展，下篇著
2008-11-14 15:43:14
25 溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展-減小漏源通態(tài)電阻Rds(on):近些年來，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開關(guān)的性能迅速提高。本文對該方面的新發(fā)展進行了論述。本文上篇著
2009-12-13 20:02:0411 圖所示為IR功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:423698 
采用mosfet的低壓差恒壓充電器
采用mosfet的低壓差恒壓充電器實際電路如圖所示。在該充電器中，采用導通電阻很小的MOSFET作調(diào)整管，
2009-10-09 10:40:551452 
超級大電容模式結(jié)構(gòu)框圖
超級電容模式是針對以上兩種結(jié)構(gòu)的局限而產(chǎn)生的，因為前兩種結(jié)構(gòu)的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。如果假定
2010-01-04 18:28:021775 
理解低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化設計
2016-01-07 16:16:490 永磁驅(qū)動電機接線盒結(jié)構(gòu)優(yōu)化熱性能分析_丁樹業(yè)
2017-01-08 13:49:170 MOSFET技術(shù)的過程中，以往常見以QG和QGD(即RDS(on)QG和RDS(on)QGD)為基礎(chǔ)的因子(FOM)已無法滿足需求，若堅持采用固定因子，將可能導致技術(shù)選擇無法達成優(yōu)化。通過此次分析的啟示，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技
2017-11-24 06:21:01944 
本文開始介紹了低壓電器的概念和低壓電器的分類，其次闡述了低壓電器的基本結(jié)構(gòu)與低壓電器的作用，最后分析了常用低壓電器有哪些。
2018-03-22 10:19:3544135 如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
2018-08-02 01:20:006096 為驅(qū)動快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關(guān)性能的影響，以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
本文首先介紹了超級電容器的結(jié)構(gòu)，其次介紹了超級電容的特性，最后介紹了超級電容器的工作原理。
2019-06-13 13:51:3163826 AEC車規(guī)認證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，支持設計人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動汽車直流充電樁的超級結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:009515 
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認可?；诖罅康脑O計優(yōu)化和可靠性驗證工作，瑞能
2022-02-18 16:44:105625 
超級結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場效應晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設計
2022-12-29 10:02:531669 
MOSFET結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)及設計詳解
2023-01-26 16:47:002924 近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
當充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應運而生了。
2023-02-13 12:15:582203 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
，通過選取合適溝道晶面以及優(yōu)化設計的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)最佳的溝道遷移率，明顯降低導通電阻，因此，新一代SiC MOSFET主要研究和采用這種結(jié)構(gòu)。
2023-02-16 09:43:013341 
－ 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內(nèi)置超級結(jié)MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
功率器件業(yè)務為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應用領(lǐng)域。 在超級結(jié)MOSFET細分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯
2023-06-08 07:45:023111 
隨著數(shù)據(jù)倉庫規(guī)模的擴大，數(shù)據(jù)倉庫的性能問題就顯得越來越突出，如何提高數(shù)據(jù)倉庫的性能，除了在設計階段對其邏輯結(jié)構(gòu)和物理結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化設計外；還可以在數(shù)據(jù)倉庫運行階段，采取一些優(yōu)化措施來使系統(tǒng)性能最佳
2023-07-18 16:10:370 通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:451311 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:422346 
器件，能夠像IGBT一樣進行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:021859 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
2023-12-13 14:20:432205 
、延遲、吞吐量等。這些指標應根據(jù)系統(tǒng)的性能需求和資源限制來確定。 分析約束 ：了解并考慮所有相關(guān)的設計約束，如功耗、成本、可制造性等，以確保優(yōu)化方案的實際可行性。 二、邏輯設計優(yōu)化 減少邏輯單元 ：通過優(yōu)化邏輯結(jié)構(gòu)，減少不必要的邏
2024-10-25 09:23:381456 的核心數(shù)量、頻率和架構(gòu)。例如，對于高性能計算應用，可能需要高頻率、多核心的設計；而對于低功耗應用，則可能需要優(yōu)化功耗效率的核心。 總線與接口優(yōu)化 ：優(yōu)化芯片內(nèi)部的總線結(jié)構(gòu)和接口設計，以減少數(shù)據(jù)傳輸延遲和提高帶寬。 二、并行計算優(yōu)化 多核心并
2024-10-31 15:50:192736 超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16885 超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設計，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結(jié)”單元，通過電荷補償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件，其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)低導通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192440 
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設計方面的進展，重點關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對高頻應用效率的優(yōu)化效果。同時分析了
2025-07-08 10:28:25553 
多孔碳材料通過微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升超級電容器性能，結(jié)合創(chuàng)新制備工藝和器件設計，推動能源存儲技術(shù)發(fā)展，但仍面臨產(chǎn)業(yè)化挑戰(zhàn)。
2025-08-04 09:18:00666 
轉(zhuǎn)換效率也越高。從早期的平面結(jié)構(gòu)到如今的超結(jié)和屏蔽柵結(jié)構(gòu)，功率MOSFET的幾次結(jié)構(gòu)迭代，本質(zhì)上都是一場圍繞“提升開關(guān)頻率”的優(yōu)化革命。
2025-12-19 09:26:481458 
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