如果不考慮紋波和EMI等要求的話(huà)，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
2022-12-30 14:26:09
9153 
在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:268622 
本文是關(guān)于兩個(gè)MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。
2023-07-19 15:46:1842777 
MOS管開(kāi)關(guān)電路在DC-DC電源、開(kāi)關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用，今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 09:44:253643 
上一篇文章我們介紹過(guò)，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢，即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好？
2023-08-14 09:34:187788 
前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問(wèn)了個(gè)問(wèn)題，把我問(wèn)住了，問(wèn)題是這個(gè)： 如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線(xiàn)寄生電感，并不是這里放了個(gè)電感器件） 我們具體溝通的情況
2023-09-26 16:51:261993 
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。
2024-02-25 16:32:134449 
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對(duì)于MOS管而言，開(kāi)通速度越快，開(kāi)通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩，震蕩波形（GS之間，這個(gè)震蕩與MOS管
2025-04-09 19:33:021694 
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
的順著MOS管驅(qū)動(dòng)器的回路到地。而且，這個(gè)電阻也會(huì)讓正常的MOS管關(guān)閉的更加迅速。 但是，不能說(shuō)關(guān)斷速度越快越好，我們的實(shí)際應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)器到MOS管柵極的走線(xiàn)以及MOS管的輸出所接的負(fù)載或多或少都會(huì)
2023-03-15 16:55:58
的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010
2012-08-15 21:08:49
1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos管的開(kāi)關(guān)參數(shù)Qg表示MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量，這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos管的開(kāi)關(guān)速度，越小的話(huà)MOS管的開(kāi)關(guān)速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管舉例)。給大家介紹幾個(gè)必須掌握的名詞VDSS:漏極于源極之間所施加的最大電壓值。VGSS:柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。IDC:漏極允許通過(guò)的最大直流電流值。Tch:MOS管的溝道的上限溫度熱阻：表示熱傳導(dǎo)的難易程度，熱阻值越小，散熱性能越好。IDSS:漏極
2021-07-05 06:47:47
，可以使MOS管的VT值降到2～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。 3.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω?！ ?.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過(guò)程是不是剛開(kāi)始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
MOS管用于開(kāi)關(guān)電路時(shí)候G極有必要串聯(lián)電阻嗎？我用N溝道的，另外還需要接下拉電阻嗎？下拉電阻接多少歐姆合適？還有G極串多少歐姆電阻合適？我項(xiàng)目是通過(guò)單片機(jī)IO口PWM輸出信號(hào)控制MOS管的G極，請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)IO口到MOS管G極串電阻和不串電阻有什么區(qū)別？越詳細(xì)越好。
2017-04-20 10:42:01
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
、最大漏極電流（ID）：這是MOS管在正常工作條件下能連續(xù)通過(guò)的最大電流。確保所選MOS管的ID大于電路中預(yù)期的最大電流。
3、導(dǎo)通電阻（RDSQ（on)）：當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時(shí)，漏極和源極之間的電阻
2025-11-20 08:26:30
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線(xiàn)數(shù)量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬(wàn)用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復(fù)到高阻或無(wú)窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導(dǎo)線(xiàn)
2021-10-23 15:15:38
是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低其導(dǎo)通和截止過(guò)程中的產(chǎn)生損耗，柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好，最好為0。
但我們卻經(jīng)常會(huì)看到關(guān)于MOSFET的電路中，柵極前串聯(lián)著一
2025-12-02 06:00:31
MOS管柵極電容充電和放電的過(guò)程，所以呢，柵極串聯(lián)的電阻越大，那么充放電速度越慢，開(kāi)通和關(guān)斷越慢。當(dāng)沒(méi)有二極管D和電阻Rs_off時(shí)，開(kāi)通時(shí)充電和關(guān)斷時(shí)放電的串聯(lián)電阻都是Rs_on，二者是一樣的。
那
2025-04-08 11:35:28
如圖所示，為什么要串聯(lián)一個(gè)電感呢？這么做不會(huì)減慢MOS管的打開(kāi)速度嗎，或許還有什么作用？
2019-01-12 13:44:13
和源極是絕緣的，所以柵極上無(wú)需串聯(lián)電阻進(jìn)行限流?！ ∠喾矗紤]到MOS管柵極存在的寄生電容，為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低MOS管在導(dǎo)通和截止過(guò)程中的損耗，它的柵極上的等效電阻應(yīng)該越小越好
2023-03-10 15:06:47
不能用。 保持上述狀態(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時(shí)表針指示歐姆數(shù)應(yīng)該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過(guò)100K電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，在MO...
2021-11-12 08:20:11
都怕靜電； Mos開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開(kāi)關(guān)頻率要求不高，對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在保護(hù)電路中三極管的放大倍數(shù)是越大越好還是越小越好呢？
2023-05-05 17:57:03
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
利用MOS 管實(shí)現(xiàn)串聯(lián)電阻以消除補(bǔ)償電容帶來(lái)的低頻零點(diǎn)，通過(guò)高 輸出阻抗鏡像電流鏡增大了電路的增益，并用共源共柵電流源為電路提供偏置電流以減小電 源電壓的變化對(duì)偏置電流影響。
2021-04-22 06:17:30
一個(gè)LC振蕩電路，如果直接把驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端接到MOS管柵極的話(huà)，在PWM波的上升下降沿會(huì)產(chǎn)生很大的震蕩，導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q
2019-04-29 08:00:00
使用了UC3842做了一個(gè)反激式開(kāi)關(guān)電源?，F(xiàn)在是能夠正常輸出，但是MOS管一直工作在線(xiàn)性狀態(tài)，柵極電壓最高才4.2V的電壓。
電路圖是這個(gè)樣的
圖中標(biāo)記了一個(gè)電容加上這個(gè)電容和不加這個(gè)電容MOS管
2024-04-15 19:40:52
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻，選用MOS管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
開(kāi)關(guān)MOS管與線(xiàn)性MOS管的區(qū)別，1.是不是開(kāi)關(guān)MOS管的只有“開(kāi)”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線(xiàn)性MOS管可以利用柵極的電壓大小來(lái)控制導(dǎo)通的比率?3.開(kāi)關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線(xiàn)性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線(xiàn)很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27
對(duì)MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個(gè)5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個(gè)小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來(lái)消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di／dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆?！ ?)防止柵源極間過(guò)電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
濕敏電阻的特征阻抗，越大越好還是越小越好？ 在制程上是如何達(dá)成的？
2022-08-29 13:52:01
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)？我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)，決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力，電阻越到，集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法，請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
這個(gè)是一個(gè)升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過(guò)R6后，波形失真很?chē)?yán)重，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)R6是如何影響到后級(jí)波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過(guò)R6后的柵極門(mén)波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
45 高端MOS管柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究_余海生
2017-01-07 21:39:4413 的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容：一是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電流、電壓的波形；二是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響
2017-06-09 16:20:1632380 
本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開(kāi)關(guān)過(guò)程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲(chǔ)等對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)波形的影響，及根據(jù)這些參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)例，取得了較好的實(shí)際效果。
2018-11-05 09:46:5224336 
功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻有什么用呢？
2019-06-28 08:29:0735659 
我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13 這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制
2020-03-13 11:24:259683 
本文主要闡述了萬(wàn)用表測(cè)接地電阻方法，另外還分析了接地電阻為什么越小越好。
2020-03-19 08:57:5519663 功率MOS管的串聯(lián)使用綜述
2021-09-09 10:24:4117 1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos管的開(kāi)關(guān)參數(shù)Qg表示MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量，這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos管的開(kāi)關(guān)速度，越小的話(huà)MOS管的開(kāi)關(guān)速度就越快。
2021-10-22 13:36:0937 我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，在MO...
2021-11-07 12:50:5930 老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019 不同型號(hào)的MOS管由于結(jié)構(gòu)，制程，工藝的不同，其開(kāi)啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開(kāi)啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那么我們?cè)隍?qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的MOS時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓越高越好?還是說(shuō)只要大于開(kāi)啟電壓就行呢?接下來(lái)我們就這些問(wèn)題講解一下。
2022-04-08 10:00:1019606 
芯片為什么越小越好，首先我們需要了解芯片的工作原理及制成，目前大多數(shù)芯片都是由微型硅晶體管制成的，這些晶體管的尺寸非常小，一個(gè)芯片上有數(shù)百個(gè)晶體管。
2022-07-05 16:48:5129417 在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問(wèn)題”（點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文），對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻”進(jìn)行討論。
2022-07-25 10:09:144431 MOS管也可以沒(méi)有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問(wèn)題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:325428 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:5010514 MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以?xún)?chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。 在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱(chēng)為柵極電阻。
2022-10-12 09:21:106092 分享四種常見(jiàn)的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路，都用過(guò)嗎？
2022-10-26 10:06:206997 如果沒(méi)有
柵極電阻，或者
電阻阻值太小
MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?/div>
2022-10-27 09:41:297599 1、如果沒(méi)有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?? ? 2、柵極電阻阻值過(guò)大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)
2022-11-04 13:37:248420 在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線(xiàn)不要與母線(xiàn)電壓平行分布。否則母線(xiàn)高壓容易耦合至下方導(dǎo)線(xiàn)，柵極電壓過(guò)高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:551950 因此在功率 mos 管中，電源在源極和漏極端子之間的柵極區(qū)域下方垂直流過(guò)多個(gè)并聯(lián)的n+源極，因此功率mos管在導(dǎo)通狀態(tài) RDS(ON) 提供的電阻遠(yuǎn)低于普通 mos 管的電阻，這使得它們能夠處理高電流。
2023-01-10 14:07:044258 MOS管，又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于電壓控制電流型元件，是開(kāi)關(guān)電路中的基本元件。其特點(diǎn)是柵極（G）的內(nèi)阻極高。場(chǎng)
效應(yīng)管分為P型和N型，P型場(chǎng)效應(yīng)管由于跨導(dǎo)小、閾值電壓高等原因，已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過(guò)其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。
2023-06-25 14:49:242811 
我們知道在電子元器件中，電容與電感屬于能量消耗器件。那么當(dāng)我們將電容、電感串聯(lián)在電路中時(shí)，為了維持能量守恒，儲(chǔ)存在電路中的能量會(huì)在電容電感中互相轉(zhuǎn)換，這個(gè)轉(zhuǎn)化的頻率通常我們稱(chēng)之為特征頻率。
2023-08-07 10:56:085232 
中，我將詳細(xì)探討為什么電阻和MOS管的單位cell需要設(shè)計(jì)成偶數(shù)個(gè)，其具體原因如下。 首先，我們需要了解MOS管和電阻的構(gòu)成方式。MOS管是由氧化物-半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端口器件，包括源極、漏極和柵極。而電阻則是由電阻材料構(gòu)成的兩端口器件。這些器
2023-09-20 16:23:381268 的正向電壓越小，其性能越好的原因如下。 首先，正向電壓越小，器件的正向?qū)芰υ綇?qiáng)。當(dāng)二極管正向?qū)〞r(shí)，其表現(xiàn)為低電阻，這時(shí)器件內(nèi)部形成一個(gè)穩(wěn)定的電壓，即正向壓降，使電流能夠穩(wěn)定地通過(guò)器件。如果正向電壓過(guò)大，
2023-10-18 16:54:012365 元器件越小越好嗎？
2023-12-14 18:32:281297 
電感作為電子電路中非常重要的一種電子元器件，它在電路中的作用是其他電子元器件無(wú)可替代的。電感對(duì)于整個(gè)電路的運(yùn)行有著非常直接的影響。很多人好奇，電感究竟是越大越好，還是越小越好。本篇我們就來(lái)簡(jiǎn)單探討
2023-12-25 08:52:283342 在MOSFET的柵極前增加一個(gè)電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過(guò)其開(kāi)啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。
2024-04-11 12:43:293887 
電感的選擇并不是簡(jiǎn)單的“越大越好”或“越小越好”。電感器的大?。措姼兄担?yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求、電路設(shè)計(jì)和性能要求來(lái)決定。
2024-05-06 15:31:0911764 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的G極（柵極）和S極（源極）之間串聯(lián)電阻的作用是多方面的，主要包括控制電流、抑制振蕩、保護(hù)MOS管以及提高電路穩(wěn)定性等。
2024-07-16 15:22:485907 MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響，這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響的詳細(xì)探討。
2024-07-23 11:47:437106 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它決定了MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)而
2024-09-18 09:42:124410 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的G極（柵極）和S極（源極）之間串聯(lián)電阻的作用是多方面
2024-09-18 10:01:521938 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極-源極）之間電阻的阻值選擇是一個(gè)綜合考慮多個(gè)
2024-09-18 10:04:075525 電子管柵極串聯(lián)電阻的作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 一、限制驅(qū)動(dòng)電流 防止電流過(guò)大 ：在電子管（如MOS管）的開(kāi)關(guān)電路或驅(qū)動(dòng)電路中，柵極的開(kāi)啟過(guò)程可以看作是對(duì)其內(nèi)部電容（如柵源電容Cgs和柵漏電
2024-09-24 15:14:412091 MOS管的工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得源極和漏極之間的電流迅速增加。在MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程中，柵極電壓的變化決定了通道電阻的變化，進(jìn)而決定了電流的通斷。
2024-10-09 16:12:177173 。 測(cè)量漏極（D）與源極（S）之間的電阻，正常情況下應(yīng)為無(wú)窮大（MOS管處于斷開(kāi)狀態(tài)）。 測(cè)量柵極（G）與漏極、柵極與源極之間的電阻，正常情況下也應(yīng)為無(wú)窮大。 閾值電壓測(cè)試 ： 閾值電壓是MOS管從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的最小柵極電壓。 將MO
2024-11-15 11:09:504015 當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936 
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外，文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性，提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn)，但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00937 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論