只要問任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么，你很可能會(huì)聽到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。
2018-04-16 08:53:16
16045 
在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？ 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”，對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻”進(jìn)行討論。
2022-07-01 14:19:009165 和源極之間沒有感應(yīng)溝道。 對(duì)于要感應(yīng)的溝道和mos管在線性或飽和區(qū)工作，VGS VTH。柵極 - 漏極偏置電壓 VGD將決定mos管是處于線性區(qū)還是飽和區(qū)。在這兩個(gè)區(qū)域中，mos管處于導(dǎo)通狀態(tài)，但差異在線性區(qū)域，溝道是連續(xù)的，漏極電流與溝道電阻成正比。進(jìn)入飽和區(qū)，當(dāng) V
2022-12-19 23:35:5936444 為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？
2023-03-13 10:18:051681 在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:268622 
MOS管開關(guān)電路在DC-DC電源、開關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用，今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 09:44:253643 
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。
2024-02-25 16:32:134449 
工作原理如下：
導(dǎo)通狀態(tài)： 當(dāng)MOS管的柵極電壓高于閾值時(shí)，它將導(dǎo)通，形成低電阻通路，使得輸入電源的電能能夠傳輸?shù)捷敵鲐?fù)載上。
截止?fàn)顟B(tài)： 當(dāng)MOS管的柵極電壓低于閾值時(shí)，它將截止，形成高電阻
2024-10-11 09:47:42
施加正電壓會(huì)使P型硅表面反型形成N型溝道；而對(duì)于PMOS管，柵極施加負(fù)電壓則使N型硅表面反型形成P型溝道。這種溝道的形成與調(diào)控機(jī)制，構(gòu)成了MOS管工作的基礎(chǔ)。
主要特點(diǎn)
高輸入電阻：由于柵極與半導(dǎo)體間
2025-08-29 11:20:36
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
通是要考慮Vgs，就像三極管的Vbe一樣，導(dǎo)通之后Vbe（Vgs）依然是不變的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極和源極間是一個(gè)反向PN結(jié)（因此導(dǎo)通電壓較BJT高些），導(dǎo)通時(shí)該P(yáng)N結(jié)反向擊穿，通過你上面說的100電阻到地，壓降還是
2012-07-04 17:34:06
通是要考慮Vgs，就像三極管的Vbe一樣，導(dǎo)通之后Vbe（Vgs）依然是不變的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極和源極間是一個(gè)反向PN結(jié)（因此導(dǎo)通電壓較BJT高些），導(dǎo)通時(shí)該P(yáng)N結(jié)反向擊穿，通過你上面說的100電阻到地，壓降還是
2012-07-06 16:19:39
的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。
2017-06-01 15:59:30
閾值電壓，可以在柵極接一個(gè)到地的電阻。但是這個(gè)電阻又不能太小，否則會(huì)在開關(guān)低邊MOS管的時(shí)候，電流被分流很大一部分。尤其是在驅(qū)動(dòng)能力比較差的驅(qū)動(dòng)器中，會(huì)導(dǎo)致低邊MOS管的開啟時(shí)間拉長，開關(guān)損耗會(huì)變得
2023-03-15 16:55:58
，平均功率很低，所以待測MOS管均不明顯發(fā)熱，保護(hù)器件不受損。 選定了MOS管的供應(yīng)商后將挑選參數(shù)盡量一致的MOS管。圖為一塊具有16只IRF4905管的待測部件。 這些MOS管源極并聯(lián)，柵極通過電阻
2015-07-24 14:24:26
，可以使MOS管的VT值降到2～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω?！ ?.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)?？匆娫诿總€(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極。這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。
2024-06-21 13:40:37
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
、BulkFinFET和SOIFinFET。 1、鋁柵MOS管 MOS管誕生之初，柵極材料采用金屬導(dǎo)體材料鋁，因?yàn)殇X具有非常低的電阻，它不會(huì)與氧化物發(fā)生反應(yīng)，并且它的穩(wěn)定性非常好。柵介質(zhì)材料采用
2018-11-06 13:41:30
不能用。 保持上述狀態(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時(shí)表針指示歐姆數(shù)應(yīng)該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過100K電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
1.直接驅(qū)動(dòng) 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-11-16 11:43:43
管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好?！ ?、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大。 4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極
2018-11-29 12:03:42
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復(fù)到高阻或無窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導(dǎo)線
2021-10-23 15:15:38
MOS管的工作原理是基于在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間形成的PN結(jié)，通過改變柵極電壓來調(diào)整溝道內(nèi)載流子的數(shù)量，從而改變溝道電阻和源極與漏極之間的電流大
小。由于MOS管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低等
2025-12-30 11:19:00
IGBT柵極的下拉電阻要靠近柵極放置，作用是給IGBT寄生電容Cge放電，那么這個(gè)電阻一般選擇多大？
IGBT的柵極加一個(gè)穩(wěn)壓二極管，是為了防止寄生電容Cgc在IGBT關(guān)斷的時(shí)候（集電極電壓耦合
2024-06-16 22:09:24
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小
2019-07-26 07:00:00
（），低壓平臺(tái)管子設(shè)置平臺(tái)時(shí)間范圍（）A、平臺(tái)時(shí)間一般300ns-1us柵極電阻10R-100RB、平臺(tái)時(shí)間一般90ns-300ns柵極電阻10R-50R2、橋式電路MOS互補(bǔ)方波輸入，死區(qū)波形（），為什么要加入死區(qū)（）`
2021-06-05 07:07:11
原理相同于V2屏。只是在每一只大功率MOS開關(guān)管的柵極泄放電阻（R209、R206）上又并聯(lián)了過壓保護(hù)二極管；ZD202、ZD201及ZD204、ZD203圖3-33、 海信液晶開關(guān)電源PFC部分激勵(lì)電路分析
2012-08-09 14:45:18
是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗，柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好，最好為0。
但我們卻經(jīng)常會(huì)看到關(guān)于MOSFET的電路中，柵極前串聯(lián)著一
2025-12-02 06:00:31
大于MOS的柵極電壓，因此二極管不導(dǎo)通，所以，相當(dāng)于Vg_drvie通過電阻Rs_on給柵極進(jìn)行充電。我們也可以看出，加不加這個(gè)Rs_off和二極管D，對(duì)于MOS管的開通速度是沒有影響的。
當(dāng)要關(guān)斷
2025-04-08 11:35:28
?！ 】墒呛芏鄬?shí)際MOS管電路中，在MOS管柵極上所串聯(lián)的電阻幾乎無處不在，似乎大家都忘記了，這個(gè)電阻存在會(huì)延長MOS導(dǎo)通和截止的時(shí)間，增加無謂的損耗?！ ∧菫槭裁从行╇娐飞线€要在MOS管的柵極前放這個(gè)
2023-03-10 15:06:47
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
管偏置的極性。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等?！ 。?）MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝
2020-06-28 16:41:02
都怕靜電； Mos開關(guān)原理（簡要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開關(guān)頻率要求不高，對(duì)開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個(gè)時(shí)候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個(gè)電容呢？這個(gè)地方加一個(gè)MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-10-12 16:47:54
使用了UC3842做了一個(gè)反激式開關(guān)電源?，F(xiàn)在是能夠正常輸出，但是MOS管一直工作在線性狀態(tài)，柵極電壓最高才4.2V的電壓。
電路圖是這個(gè)樣的
圖中標(biāo)記了一個(gè)電容加上這個(gè)電容和不加這個(gè)電容MOS管
2024-04-15 19:40:52
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測試呢？
2021-09-28 07:36:15
?！ ?、n型 上圖表示的是p型MOS管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可。因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反?！ ?、增強(qiáng)型 相對(duì)于耗盡型，增強(qiáng)型是通過“加厚
2019-01-03 13:43:48
開關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開關(guān)MOS管的只有“開”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導(dǎo)通的比率?3.開關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27
?！ ∏髥?b class="flag-6" style="color: red">MOS管關(guān)斷延遲大怎么調(diào)？ 搞搞前級(jí)，搞搞后級(jí)。就可以了。。。斷掉前級(jí)，測試MOS輸入電平。是低就上拉，高就下拉?？傊麑?duì)著干。然后把前級(jí)加上去。試試看。調(diào)柵極的電阻啊或許
2019-01-08 13:51:07
對(duì)MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個(gè)5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個(gè)小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
為0，此時(shí)mos管柵極電壓變?yōu)?6.3V（正常情況下，AI+輸入0時(shí)，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無法開通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請(qǐng)大家?guī)兔?b class="flag-6" style="color: red">分析下什么原因？謝謝
2018-08-22 11:27:10
這個(gè)是一個(gè)升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過R6后，波形失真很嚴(yán)重，請(qǐng)問這個(gè)R6是如何影響到后級(jí)波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過R6后的柵極門波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
選用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驅(qū)動(dòng)電壓為5V，現(xiàn)在有兩種方式圖1是把柵極電阻R1放在泄放電阻R2前，優(yōu)點(diǎn)是不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓造成分壓，確保mos可靠開通，缺點(diǎn)暫時(shí)不知道。圖2是把
2019-07-31 09:34:23
選用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驅(qū)動(dòng)電壓為5V，現(xiàn)在有兩種方式，圖1是把柵極電阻R1放在泄放電阻R2前，優(yōu)點(diǎn)是不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓造成分壓，確保mos可靠開通，缺點(diǎn)暫時(shí)不知道。圖2
2018-10-23 11:07:38
傳送與運(yùn)輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。防護(hù)的話加齊納穩(wěn)壓管保護(hù)。 現(xiàn)在的MOS管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的VMOS，主要是不少都有二極管保護(hù)?！ MOS柵極電容大，感應(yīng)
2022-05-14 10:22:39
文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
45 高端MOS管柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究_余海生
2017-01-07 21:39:4413 的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容：一是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電流、電壓的波形；二是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響
2017-06-09 16:20:1632380 
實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號(hào)的規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MOS管的符號(hào)。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通
2018-08-16 10:36:3064856 
本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲(chǔ)等對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)波形的影響，及根據(jù)這些參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)例，取得了較好的實(shí)際效果。
2018-11-05 09:46:5224336 
故事開始 年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過實(shí)驗(yàn)證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個(gè) 100 Ω 的電阻放在 MOSFET 柵極前。擁有30 年經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師 Gureux 對(duì)他的實(shí)驗(yàn)
2021-09-29 10:22:433483 
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019 在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”（點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文），對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻”進(jìn)行討論。
2022-07-25 10:09:144431 MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:325428 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:5010514 MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長時(shí)間。 在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻。
2022-10-12 09:21:106092 分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路，都用過嗎？
2022-10-26 10:06:206997 如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 09:41:297599 1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)
2022-11-04 13:37:248420 在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導(dǎo)線，柵極電壓過高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:551950 因此在功率 mos 管中，電源在源極和漏極端子之間的柵極區(qū)域下方垂直流過多個(gè)并聯(lián)的n+源極，因此功率mos管在導(dǎo)通狀態(tài) RDS(ON) 提供的電阻遠(yuǎn)低于普通 mos 管的電阻，這使得它們能夠處理高電流。
2023-01-10 14:07:044258 MOS管，又叫絕緣柵型場效應(yīng)管，屬于電壓控制電流型元件，是開關(guān)電路中的基本元件。其特點(diǎn)是柵極（G）的內(nèi)阻極高。場
效應(yīng)管分為P型和N型，P型場效應(yīng)管由于跨導(dǎo)小、閾值電壓高等原因，已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。
2023-06-25 14:49:242811 
先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù)，包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。
在確保實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓大于導(dǎo)通電壓的前提下，如果負(fù)載電流為I，那么MOS管在導(dǎo)
2023-06-26 17:26:234667 
中，我將詳細(xì)探討為什么電阻和MOS管的單位cell需要設(shè)計(jì)成偶數(shù)個(gè)，其具體原因如下。 首先，我們需要了解MOS管和電阻的構(gòu)成方式。MOS管是由氧化物-半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端口器件，包括源極、漏極和柵極。而電阻則是由電阻材料構(gòu)成的兩端口器件。這些器
2023-09-20 16:23:381268 燒壞，所以要加一個(gè)上拉或者下拉電阻，就是給我們這個(gè)GS間的寄生電容提供一個(gè)放電的路徑。這樣MOS管斷電就會(huì)是一個(gè)穩(wěn)定的關(guān)閉狀態(tài)。
2023-10-21 10:38:165547 
功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引起功率管輸出電壓的波動(dòng)。
2024-04-16 12:09:131490 
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的G極（柵極）和S極（源極）之間串聯(lián)電阻的作用是多方面的，主要包括控制電流、抑制振蕩、保護(hù)MOS管以及提高電路穩(wěn)定性等。
2024-07-16 15:22:485907 MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響，這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響的詳細(xì)探討。
2024-07-23 11:47:437106 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它決定了MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)而
2024-09-18 09:42:124410 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的GS（柵極-源極）之間電阻的阻值選擇是一個(gè)綜合考慮多個(gè)
2024-09-18 10:04:075525 電子管柵極串聯(lián)電阻的作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 一、限制驅(qū)動(dòng)電流 防止電流過大 ：在電子管（如MOS管）的開關(guān)電路或驅(qū)動(dòng)電路中，柵極的開啟過程可以看作是對(duì)其內(nèi)部電容（如柵源電容Cgs和柵漏電
2024-09-24 15:14:412091 MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得源極和漏極之間的電流迅速增加。在MOS管的開關(guān)過程中，柵極電壓的變化決定了通道電阻的變化，進(jìn)而決定了電流的通斷。
2024-10-09 16:12:177173 。 測量漏極（D）與源極（S）之間的電阻，正常情況下應(yīng)為無窮大（MOS管處于斷開狀態(tài)）。 測量柵極（G）與漏極、柵極與源極之間的電阻，正常情況下也應(yīng)為無窮大。 閾值電壓測試 ： 閾值電壓是MOS管從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的最小柵極電壓。 將MO
2024-11-15 11:09:504015 MOS管的工作電壓和電流。這包括最大漏極-源極電壓（Vds）、最大柵極-源極電壓（Vgs）以及預(yù)期的漏極電流（Id）。這些參數(shù)將直接影響MOS管的可靠性和性能。 2. 選擇導(dǎo)通電阻（Rds(on)） 低功耗MOS管的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）是衡量其導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。在
2024-11-15 14:16:402214 當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936 
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外，文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性，提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn)，但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00937 
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