分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率，省電池，省電費(fèi)

碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率，在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6%

-同樣的電池容量，增加續(xù)航里程

-同樣的續(xù)航里程，減少電池包大小

-對(duì)于運(yùn)營類車輛，減少用電成本

Tesla在Model S車型采用分立IGBT并聯(lián)電控產(chǎn)品TESLA:車型MODEL S P100D控制器峰值功率: 375 kW

編輯：黃飛

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控制器(191056) 控制器(191056)
SiC(68650) SiC(68650)
碳化硅(51891) 碳化硅(51891)
電驅(qū)系統(tǒng)(2921) 電驅(qū)系統(tǒng)(2921)

評(píng)論

SiC MOSFET分立器件和功率模塊在車載充電器應(yīng)用中的性能分析

本文圍繞基于SiC分立器件和功率模塊的功率因數(shù)校正器（PFC）級(jí)，分析并比較了二者在車載充電器（OBC）應(yīng)用中的性能。

2025-10-18 09:30:26

5624

主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對(duì)分立 IGBT Tvj 計(jì)算的影響

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中，關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計(jì)算的研究和論文相對(duì)較少。本文基于最新的可回流焊接分立式IGBT產(chǎn)品(TO247

2025-02-08 11:26:21

1756

對(duì)比三款主驅(qū)逆變器，SiC和Si IGBT差距巨大！

汽車市場的滲透率快速飆升。 ? 盡管我們經(jīng)常能夠看到SiC的優(yōu)勢，但實(shí)際新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用中，跟IGBT到底差別多大？為什么這么多車企在短短幾年的時(shí)間內(nèi)紛紛切換到SiC？下面我們通過Yole Group對(duì)三款車型的主驅(qū)逆變器拆解，直觀地了解到SiC的優(yōu)勢所在。 ? SiC 與

2025-04-21 09:08:10

2203

2006年中國分立器件市場結(jié)構(gòu)

2008-05-26 14:52:23

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

閾值電壓的不穩(wěn)定性; 后來，太多的研究出版物都證明了這一點(diǎn)。SiC研究界的許多人在20世紀(jì)80年代末和90年代期間進(jìn)一步研究了SiC-SiO 2系統(tǒng)中各種界面態(tài)的性質(zhì)。　　研究在90年代末和21世紀(jì)初

2023-02-27 13:48:12

SiC SBD的器件結(jié)構(gòu)和特征

二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車

2019-03-14 06:20:14

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！　?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗

2023-02-07 16:40:49

SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

推動(dòng)電網(wǎng)柔性半導(dǎo)體化進(jìn)程，SiC器件在新型電力系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。在可預(yù)見的未來，電力電子器件將向高頻、高效、高功率密度方向快速發(fā)展。　　在電力系統(tǒng)領(lǐng)域，隨著對(duì)高電壓、大電流SiC器件需求的不斷增長

2023-02-27 14:22:06

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？

與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？

2021-07-12 08:07:35

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型

2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件概述

）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

的最高工作溫度局限在175℃。SiC器件的高溫工作能力降低了對(duì)系統(tǒng)熱預(yù)算的要求。此外，SiC器件還具有較高的熱導(dǎo)率、高擊穿電場強(qiáng)度、高飽和漂移速率、高熱穩(wěn)定性和化學(xué)惰性，其擊穿電場強(qiáng)度比同類Si器件要高

2018-09-11 16:12:04

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)

2018-11-29 14:35:23

分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)

?概述負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級(jí)負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。電路分析如下圖所示R5模擬后級(jí)負(fù)載，Q1為開關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵(lì)源為高電平時(shí)，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管Q1的VGS

2021-10-28 08:28:45

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路

2018-12-04 10:26:52

BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察，卓越測量

精準(zhǔn)洞察，卓越測量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺(tái) 原創(chuàng) 一覺睡到童年陜西博微電通科技 2025年09月25日 19:08 陜西在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，每一顆微小的半導(dǎo)體

2025-10-10 10:35:17

GaN和SiC區(qū)別

半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC

2022-08-12 09:42:07

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與

2023-03-29 15:06:13

eDM電驅(qū)模塊概述

及電動(dòng)商用車。eDM電驅(qū)模塊是驅(qū)動(dòng)電機(jī)和 eGearDrive 系統(tǒng)的集成，將變速和驅(qū)動(dòng)模塊集成在一起，同樣具備輕量化、高效率、小尺寸、低噪音等特點(diǎn)，已經(jīng)在各大整車廠得到廣泛應(yīng)用。在

2021-08-26 16:32:16

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用

項(xiàng)目名稱：風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開發(fā)，是一個(gè)國產(chǎn)化項(xiàng)目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域

2020-04-24 18:03:59

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應(yīng)用

EMI 如前文所說，反向恢復(fù)電流會(huì)流經(jīng)開關(guān)器件，從而增加開關(guān)器件開啟過程的尖峰電流。在系統(tǒng)工作過程中，變化的電壓信號(hào)和電流信號(hào)之間相互轉(zhuǎn)換，在回路中形成干擾源，造成系統(tǒng)電磁兼容的問題。改善電磁兼容問題通常

2023-10-07 10:12:26

為何使用 SiC MOSFET

要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前

2021-09-15 07:42:00

關(guān)于分立器件和集成電路的問題

分立器件和集成電路在電子未來的發(fā)展上是相對(duì)的嗎？在下無知學(xué)生party，請(qǐng)教各位，勿噴。感謝

2020-01-07 08:20:09

功率器件測量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測量系統(tǒng)集尖端硬件與智能

2025-07-29 16:21:17

功率元器件

有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對(duì)節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進(jìn)行講解。何謂SiC？物理特性

2018-11-29 14:39:47

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

75A的混合碳化硅分立器件，并同時(shí)推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上，直接進(jìn)行Pin To Pin替換驗(yàn)證測試及使用，在同樣的設(shè)計(jì)系統(tǒng)中

2023-02-28 16:48:24

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？

2021-02-22 07:16:36

手機(jī)各分立元器件識(shí)別與檢測

手機(jī)電路中的分立元器件主要包括電阻、電容、電感、晶體管等。本資料讓你掌握手機(jī)各類分立元器件的識(shí)別和檢測技能，為手機(jī)維修打基礎(chǔ)[hide] [/hide]

2011-12-15 14:17:28

未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件

`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化

2017-07-22 14:12:43

淺析SiC功率器件SiC SBD

2019-05-07 06:21:51

混合電驅(qū)傳輸系統(tǒng)詳解

作者：麥總前段時(shí)間的漢諾威展上，ACOPOStrak 官方就旗下電驅(qū)軌道產(chǎn)品做了最新的功能發(fā)布，宣稱 ACOPOStrak 現(xiàn)在已經(jīng)能和普通的傳輸技術(shù)整合在一起，集成到設(shè)備的物料輸送系統(tǒng)中了。話說

2019-07-19 06:48:05

分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)

分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電

2024-07-30 11:12:58

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......陜西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)。測試Si,SiC,GaN & IGBT

2024-07-30 17:11:40

半導(dǎo)體分立器件的命名方法

半導(dǎo)體分立器件的命名方法表9 國產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

2008-12-19 01:17:30

1799

改進(jìn)SVPWM在直驅(qū)型風(fēng)電并網(wǎng)控制中的仿真研究

改進(jìn)SVPWM在直驅(qū)型風(fēng)電并網(wǎng)控制中的仿真研究

2016-04-15 18:06:15

永磁直驅(qū)風(fēng)電系統(tǒng)弱磁控制研究

永磁直驅(qū)風(fēng)電系統(tǒng)弱磁控制研究_霍現(xiàn)旭

2017-01-04 16:57:55

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

經(jīng)研究者的努力，以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射，具有較高的擊穿電壓和工作頻率，適于在惡劣條件下工作。與傳統(tǒng)Si功率器件相比，SiC功率器件可大

2018-01-21 09:43:19

10520

直驅(qū)風(fēng)電系統(tǒng)模糊控制策略

wind power system，DPMSWPS）的復(fù)雜非線性系統(tǒng)產(chǎn)生重要影響。鑒于PI控制存在參數(shù)難整定以及魯棒性不佳等問題，提出一種應(yīng)用于直驅(qū)式風(fēng)電系統(tǒng)控制中的基于狀態(tài)反饋的模糊控制策略。該控制

2018-01-27 10:00:45

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在

2018-07-15 11:05:41

11764

從下游應(yīng)用市場來看半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品，且看半導(dǎo)體分立器件的前景如何？

半導(dǎo)體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。分立器件可廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品，其下游應(yīng)用市場可略分如下：家用電器、電源及充電器、綠色照明、網(wǎng)絡(luò)與通信、汽車電子、智能電表及儀器等。以下將從下游應(yīng)用市場來分析半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的需求情況。

2018-08-20 09:21:00

4041

分立器件行業(yè)概況，分立器件行業(yè)現(xiàn)狀

與集成電路相比，分立器件的缺點(diǎn)是體積大，器件參數(shù)的隨機(jī)性高，電路規(guī)模大頻率高時(shí)，分布參數(shù)影響很大，設(shè)計(jì)和調(diào)試比較困難。但是由于集成電路本身的限制，分立器件依然發(fā)揮著重要的作用。在超大功率、高壓等高性能場合，分立器件表現(xiàn)出色，依然是不可或缺的存在。

2018-09-28 17:02:41

26843

一文解析SiC功率器件在充電樁電源模塊中的應(yīng)用

隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。

2019-03-02 09:35:18

15771

關(guān)于BMW第5代電驅(qū)系統(tǒng)性能分析

?在第五代電驅(qū)系統(tǒng)中，寶馬將電機(jī)、電控元器件以及變速箱裝置整合到了一起，殼體采用鋁合金輕量化材質(zhì)。在第五代電驅(qū)系統(tǒng)中，寶馬將電機(jī)、電控元器件以及變速箱裝置整合到了一起，殼體采用鋁合金輕量化材質(zhì)。

2019-08-17 10:18:33

3703

2021中國功率分立器件市場年度報(bào)告

有電的地方就有功率半導(dǎo)體芯片，這句話深刻地說明了功率半導(dǎo)體芯片在現(xiàn)代生活中的廣泛應(yīng)用和重要作用。功率分立器件是功率半導(dǎo)體和全球半導(dǎo)體芯片的重要組成部分。芯謀研究全面調(diào)研了國際和國內(nèi)的主要功率分立器件

2021-03-18 15:25:41

9032

SiC器件頻繁在高功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用

的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進(jìn)入市場的時(shí)間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)

2021-08-13 15:22:00

3063

在OBC-PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET有哪些優(yōu)勢

半導(dǎo)體市場中的汽車市場份額將達(dá)到50%以上。博世碳化硅產(chǎn)品于2019正式推向市場。產(chǎn)品包括SiC芯片裸片，主要應(yīng)用于電驅(qū)動(dòng)的功率模塊；還包括SiC MOSFET分立器件，面向車載充電器OBC與DC-DC

2021-10-29 10:15:30

5588

隔離器件在工業(yè)電機(jī)驅(qū)控的應(yīng)用研究

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))在環(huán)境嚴(yán)苛的工業(yè)場景中，電機(jī)驅(qū)控與隔離是密不可分的。在一個(gè)電機(jī)系統(tǒng)中，往往包含著各式各樣的隔離器件，隔離ADC、隔離柵極驅(qū)動(dòng)、隔離SPI等等。雖然引入隔離不可避免地會(huì)

2022-03-26 10:48:10

7841

SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。

2022-06-15 16:00:34

2401

翠展微電子獲得頭部客戶整車電驅(qū)系統(tǒng)SIC模塊項(xiàng)目定點(diǎn)

近日，國內(nèi)汽車級(jí)功率器件領(lǐng)先企業(yè)翠展微電子宣布獲得頭部客戶整車電驅(qū)系統(tǒng)SIC模塊項(xiàng)目定點(diǎn)。

2022-10-10 16:57:45

1723

各企業(yè)新能源電驅(qū)系統(tǒng)專利剖析

各企業(yè)新能源電驅(qū)系統(tǒng)專利剖析

2022-10-11 11:04:36

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淺談電動(dòng)車電驅(qū)系統(tǒng)噪音和附件噪音

雖然電動(dòng)車在穩(wěn)速行駛時(shí)車內(nèi)總聲壓級(jí)比傳統(tǒng)車安靜，但電動(dòng)車在急加速時(shí)，由電驅(qū)系統(tǒng)引起的高頻階次噪音聲品質(zhì)較差。

2022-10-27 11:38:20

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SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用

目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會(huì)得到解決。

2023-02-01 16:16:55

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新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)中的IGBT模塊技術(shù)解讀

要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)，先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作：在駕駛新能源汽車時(shí)，電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電（DC）變?yōu)榻涣麟姡ˋC）（這個(gè)過程即逆變）

2023-02-02 15:29:22

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SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 09:29:55

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分立器件是什么？

分立器件是指獨(dú)立的電子元件，通常由一個(gè)或多個(gè)電子器件組成。這些器件可以單獨(dú)使用，也可以與其他器件組合使用，以完成特定的電路功能。常見的分立器件包括二極管、晶體管、場效應(yīng)管、電容器、電阻器和電感器等。

2023-02-24 15:26:53

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分立功率器件知識(shí)分享

分立功率器件是指用于承載高功率信號(hào)的獨(dú)立電子器件。它們可以單獨(dú)使用，也可以與其他分立器件組合使用，以完成特定的功率放大和開關(guān)控制電路。

2023-02-24 15:31:57

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電驅(qū)傳動(dòng)效率關(guān)鍵技術(shù)及行業(yè)瓶頸分析

同一電驅(qū)系統(tǒng)前驅(qū)和后驅(qū)布置引起的旋轉(zhuǎn)方向不一致對(duì)電驅(qū)傳動(dòng)效率有影響。基于效率CFD仿真和樣機(jī)實(shí)測結(jié)果;電驅(qū)逆時(shí)旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)效率高于順時(shí)方向。

2023-03-14 11:34:02

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如何用數(shù)字源表表征半導(dǎo)體分立器件電性能參數(shù)？

半導(dǎo)體分立器件電性能測試是對(duì)待測器件施加電壓或電流,然后測試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng),通傳統(tǒng)的分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬用表、電壓源、電流源等。實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是“五合一”數(shù)字源表(SMU)，集多種功能于一體

2023-03-17 11:17:39

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SIC功率器件在汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的作用

復(fù)雜機(jī)構(gòu)，那么電機(jī)也不例外。隨著汽車對(duì)續(xù)航里程和快充的要求越來越高，電驅(qū)系統(tǒng)目前實(shí)質(zhì)上由多個(gè)模塊合并而成，目前主流技術(shù)常見的是驅(qū)動(dòng)電機(jī)、電機(jī)控制器、減速器三合一。因

2023-01-31 09:35:34

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如何提高電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊的技術(shù)

傳動(dòng)系統(tǒng)中間環(huán)節(jié)，同時(shí)將電機(jī)殼體與橋殼高度集成，在輕量化、傳動(dòng)效率和節(jié)約布置空間方面有一定優(yōu)勢。因此本文根據(jù)該電驅(qū)橋特點(diǎn)進(jìn)行其整車應(yīng)用匹配設(shè)計(jì)及驗(yàn)證。 1 整車應(yīng)用匹配設(shè)計(jì) 根據(jù)該車橋額定載荷等參數(shù)，選擇在8.5 m純電動(dòng)

2023-06-28 10:32:19

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商用車中央集成式電驅(qū)橋結(jié)構(gòu)及原理

式電驅(qū)橋開展了下線檢測設(shè)備開發(fā)及檢測方法研究工作。 1 中央集成式電驅(qū)橋結(jié)構(gòu)及原理依據(jù)驅(qū)動(dòng)電機(jī)在驅(qū)動(dòng)橋中布置位置的不同，可以劃分為中央集成式電驅(qū)橋和分布式電驅(qū)橋，中央集成式電驅(qū)橋的電機(jī)位于驅(qū)動(dòng)橋中央，而分布式電驅(qū)橋的電機(jī)

2023-06-28 10:37:17

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分立器件在IGBT驅(qū)動(dòng)電源板中的應(yīng)用

? ? ? ?分立器件包括二極管、三極管、MOS管、橋堆等產(chǎn)品，它們的作用包括開關(guān)、整流、放大、穩(wěn)壓和混頻等，是很多電子線路板上不可或缺的元件。本期合科泰主要給大家講述二極管、三極管等產(chǎn)品在

2023-08-04 17:35:03

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哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

電驅(qū)系統(tǒng)：哪吒汽車發(fā)布了180kW 400V電驅(qū)系統(tǒng)和250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)，采用了三合一結(jié)構(gòu)，集成了電機(jī)、減速器和控制器，最高轉(zhuǎn)速可達(dá)2萬轉(zhuǎn)、扭矩可達(dá)4850N?m、單電機(jī)零百加速小于6秒、車內(nèi)噪音小于38分貝。

2023-08-24 17:52:40

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碳化硅SiC功率器件，全球市場總體規(guī)模，前三十大廠商排名及市場份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。

2023-09-08 11:30:45

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保障下一代碳化硅SiC器件的供需平衡

，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。

2023-10-20 01:55:01

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如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？

控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時(shí)開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系

2023-11-02 19:10:01

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電子元器件里的半導(dǎo)體分立器件

半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。

2023-11-23 10:12:56

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適用于油冷電驅(qū)系統(tǒng)的油量設(shè)計(jì)方法

本文研究的油冷電驅(qū)系統(tǒng)區(qū)別于傳統(tǒng)的水冷電驅(qū)系統(tǒng)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)和變速箱共腔體，并共用一套冷卻潤滑系統(tǒng)。故油冷電驅(qū)系統(tǒng)的油量設(shè)計(jì)需要同時(shí)考慮電機(jī)和減速器的相關(guān)影響因素。

2023-12-17 16:58:40

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高速電驅(qū)系統(tǒng)電機(jī)NVH開發(fā)與優(yōu)化

來自懿朵信息科技（上海）有限公司電驅(qū)事業(yè)部的副總經(jīng)理隋春騰先生在本次大會(huì)上進(jìn)行了“高速電驅(qū)系統(tǒng)電機(jī)NVH開發(fā)與優(yōu)化”的主題演講。

2023-12-26 10:06:25

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半導(dǎo)體分立器件有哪些分立器件和集成電路的區(qū)別

、二極管、電阻、電容和壓敏電阻等構(gòu)成。在電子技術(shù)中，分立器件是最早應(yīng)用得最廣泛的一類電子元器件。下面，我將詳細(xì)介紹幾種常見的分立器件，并分析分立器件和集成電路之間的區(qū)別。晶體管：晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流。常見的晶體管包括雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體

2024-02-01 15:33:46

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SiC功率器件引領(lǐng)新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)革新！

第三代半導(dǎo)體在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的滲透率情況是怎樣的?特邀嘉賓為您解答! 作為新能源汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，SiC功率器件因其卓越的性能優(yōu)勢而成為行業(yè)發(fā)展的重要趨勢。與傳統(tǒng)硅器件相比，SiC器件

2024-04-03 16:22:39

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Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢？

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 14:15:26

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QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2024-07-31 13:24:40

SiC器件在電源中的應(yīng)用

SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件在電源中的應(yīng)用，包括其優(yōu)勢、具體應(yīng)用場景、技術(shù)挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。

2024-08-19 18:26:08

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系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開關(guān)的影響分析

的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中寄生電容對(duì)開通電流應(yīng)力、電流振蕩和開通損耗的負(fù)面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長，SiC器件越來越受到工程師

2024-08-30 12:24:39

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聯(lián)合電子多合一電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)品介紹

電驅(qū)系統(tǒng)是新能源汽車最關(guān)鍵的零部件之一，它直接影響了整車動(dòng)力性、續(xù)航里程、安全性、舒適性以及成本。隨著市場的發(fā)展，電驅(qū)系統(tǒng)集成化已成為趨勢。通過將動(dòng)力電驅(qū)、電源管理及其他多部件進(jìn)行深度集成設(shè)計(jì)，共用主控芯片等關(guān)鍵電子元器件，復(fù)用殼體、線束以及接插件，幫助產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了小型化，輕量化和系統(tǒng)低成本。

2024-09-13 09:36:56

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SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用問題

電動(dòng)汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機(jī)、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。

2024-09-29 14:28:01

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分立器件在智能穿戴手表中的應(yīng)用

智能穿戴手表作為一種非常常用的手表產(chǎn)品，它具有健康監(jiān)測、運(yùn)動(dòng)監(jiān)測、睡眠監(jiān)測、日常便利、事件管理和定位、智能互聯(lián)等功能，它極大地豐富了用戶的生活體驗(yàn)。智能手表要想實(shí)現(xiàn)這些功能，需要什么樣的分立器件產(chǎn)品呢？

2024-11-15 10:49:37

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碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體材料，因其卓越的電學(xué)

2024-11-25 16:30:08

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碳化硅SiC在光電器件中的使用

。高熱導(dǎo)率：SiC的熱導(dǎo)率是Si的三倍以上，有助于器件的散熱。高電子飽和速度：SiC的電子飽和速度高于Si，適合于高速電子器件。化學(xué)穩(wěn)定性：SiC在高溫下具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，適合于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。碳化硅在光電器件中的應(yīng)用 1. 光電探測器碳化硅的寬帶

2024-11-25 18:10:10

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SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊

2024-12-05 15:07:40

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分立器件在智能窗簾中的應(yīng)用

環(huán)境條件和用戶需求智能地控制窗簾的開合。它需要哪些分立器件產(chǎn)品配合，如何實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的功能，合科泰本期來講解一下。

2024-12-13 16:57:37

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中車電驅(qū)獲ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)、ASIL D雙重認(rèn)證

近日，中車時(shí)代電氣旗下湖南中車時(shí)代電驅(qū)科技有限公司（以下簡稱“中車電驅(qū)”）榮獲德國TüV北德集團(tuán)（以下簡稱“TüV北德”）頒發(fā)的功能安全ASIL D流程體系認(rèn)證證書。同時(shí)，中車電驅(qū)開發(fā)的雙電機(jī)控制器平臺(tái)tPower-DM3099在同期獲得 ISO26262功能安全ASIL D產(chǎn)品認(rèn)證證書。

2025-01-09 10:18:54

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SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹

2025-01-16 14:32:04

SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用的秘密

-回答星友xuu的提問，關(guān)于SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng)，素材來源：各廠商，網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布-1200+最新電動(dòng)汽車前瞻技術(shù)報(bào)告與解析已

2025-06-01 15:04:40

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森國科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

在如今的科技發(fā)展浪潮中，電力電子器件的性能對(duì)眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲(chǔ)系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用，1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺(tái)的蓬勃發(fā)展，高壓兆充的快速布局，森國科及時(shí)推出

2025-08-16 15:44:47

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BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹

2025-09-01 16:16:11

中車電驅(qū)亮相2025全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)

、行業(yè)精英齊聚一堂，分享90余項(xiàng)前沿主題報(bào)告，深度覆蓋了電驅(qū)系統(tǒng)、電機(jī)技術(shù)、車載電力電子等核心領(lǐng)域，勾勒電驅(qū)產(chǎn)業(yè)未來藍(lán)圖。中車時(shí)代電氣旗下中車電驅(qū)受邀出席大會(huì)。

2025-09-04 10:29:27

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博世柵極驅(qū)動(dòng)芯片EG120在汽車電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

你是否還在為汽車電驅(qū)系統(tǒng)“投入高昂、故障頻發(fā)、升級(jí)不易”的老舊劇本而扼腕嘆息？那你可就“想當(dāng)然”了！博世 EG120 —— 這顆劃時(shí)代的“智芯”（可編程電流型柵極驅(qū)動(dòng)芯片），正是顛覆行業(yè)“刻板印象

2025-10-14 17:33:04

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合科泰分立器件在智能設(shè)備中的作用

可以設(shè)想一個(gè)場景，早上出門前，你用手機(jī)快充充了15分鐘電;在通勤時(shí)，智能手表實(shí)時(shí)監(jiān)測你的心率;回家以后，智能音箱播放你喜歡的音樂。而這些習(xí)以為常的場景背后，都藏著一個(gè)看不見卻很重要的細(xì)胞：分立器件。

2025-10-16 09:46:12

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STD2000X：半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)電性測試的全場景解決方案

在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過程中，器件性能的精確測試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料

2025-11-21 11:16:03

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