N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
25079 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:0435699 
硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:314062 
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2024-03-14 15:47:3810621 
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)如下圖所示，用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，在其表面上覆蓋一層二氧化硅（SiO2）的絕緣層，再在二氧化硅層上刻出兩個(gè)窗口，通過(guò)擴(kuò)散形成兩個(gè)高
2015-06-12 09:24:41
“反型層”，從而產(chǎn)生N型的導(dǎo)電溝道。此時(shí)，給柵極加上正電壓（UGS＞0），溝道變寬，ID增大；反之，給柵極加上負(fù)電壓（UGS＜0）時(shí)，溝道變窄，ID減小。當(dāng)柵極負(fù)電壓大到一定數(shù)值VP（夾斷電壓）時(shí)。會(huì)使反型層消失，ID=0。
2015-06-15 18:03:40
N溝道耗盡型mos管，電路工作過(guò)程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍?b class="flag-6" style="color: red">溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
N溝道 P溝道 MOS管什么電平導(dǎo)通啊跟增強(qiáng)型的 一樣嗎 初學(xué)者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
Multisim10.0元件庫(kù)沒(méi)P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒(méi)P的啊
2012-11-03 10:45:54
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
方向N溝道，由S極指向D極。P溝道，由D極指向S極。如果覺(jué)得上面兩條不是很好記，教大家一個(gè)識(shí)別方法：不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的，上面圖片已經(jīng)標(biāo)出來(lái)了可以看一下。MOS管導(dǎo)通條件N溝道：Ug>Us時(shí)導(dǎo)通。（簡(jiǎn)單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止。P溝道：Ug
2023-02-10 16:27:24
是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過(guò)在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子
2021-04-09 09:20:10
RT，最近看模電看迷糊了，在此請(qǐng)教各位大蝦，N溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底是P型硅片，那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢？ 是自有電子還是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
，在相同的外部條件下，我們需要更大的柵-源電壓VGS才能形成N型導(dǎo)電溝道，亦即導(dǎo)致閾值電壓VGS(th)的變化（漂移），如下圖所示：此時(shí)源極S與漏極D之間是導(dǎo)通的，如果在兩個(gè)電極之間施加VDS正向電壓
2023-02-10 15:58:00
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:3925 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810743 羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301523 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:051058 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523171 
靠在G極上加一個(gè)觸發(fā)電壓，使N極與D極導(dǎo)通。對(duì)N溝道G極電壓為+極性。對(duì)P溝道的G極電壓為-極性。場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制，對(duì)于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。
2019-06-26 16:04:3744853 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)操控，關(guān)于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管方面來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了。
2019-06-26 16:13:1441355 AO3400A型N溝道增強(qiáng)型MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
2019-10-23 08:00:0011 N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開(kāi)關(guān)電路，因?yàn)榕c P 溝道器件相比，它的導(dǎo)通電阻低。
2021-06-14 03:34:005472 
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31058數(shù)據(jù)手冊(cè)
2021-08-16 10:57:5018 P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET G12P04K規(guī)格書(shū)英文版
2021-12-02 10:44:130 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET G23N06K規(guī)格書(shū)英文版
2021-12-02 10:49:100 P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET LT2P06SJ資料說(shuō)明
2022-01-23 09:40:113 N溝道增強(qiáng)型MOSFET SI2302數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-07-10 09:39:406 HY4008P/M/B/PS/PM N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-11-09 14:42:518 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:214033 純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差，但是可以通過(guò)加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷（電子），此時(shí)為N型（N溝道）參雜，在N型MOSFET中電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)
2023-02-11 14:36:377485 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:302082 HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2023-06-14 17:04:041 場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:1714759 p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？ 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì)，從而使其成為p溝道或n溝道。 首先，讓我們來(lái)了
2023-11-23 09:13:426067 柵極則負(fù)責(zé)控制這個(gè)通道的導(dǎo)電性。 MOS晶體管既可以是N溝道（n-channel）型的，也可以是P溝道（p-channel）型的。N溝道型MOS晶體
2023-11-30 14:24:542647 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS管
2023-12-28 15:28:2825083 
電子設(shè)備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，因此其導(dǎo)通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對(duì)P溝道MOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS管
2023-12-28 15:39:317048 的區(qū)分進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解N溝道和P溝道的基本概念。在N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，導(dǎo)電溝道由N型半導(dǎo)體材料構(gòu)成；而在P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成。這兩種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管在結(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處，但它們的主要區(qū)別在于導(dǎo)
2023-12-28 15:47:1515366 
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱MOS管，并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道，其次是增強(qiáng)型的P溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不用。
2024-03-06 16:52:0713658 
P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反；簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。
2024-03-06 17:01:403116 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N型溝道MOSFET 60N10數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-30 14:24:354 Parksonx 60N10 N型溝道MOSFET
2024-05-31 10:50:311413 
P溝道與N溝道MOSFET作為半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵元件，在電子電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-08-13 17:02:204936 N溝道增強(qiáng)型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種重要
2024-08-23 14:02:112074 N溝道增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件，具有一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和一定的局限性。以下是對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOSFET優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析。
2024-09-23 17:06:322512 P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱P-MOSFET）是一種基于溝道型效應(yīng)晶體管的MOSFET，具有一系列獨(dú)特的特點(diǎn)。
2024-09-23 17:08:422529 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（P-channel Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱P-FET）的導(dǎo)通條件是其能夠正常工作的關(guān)鍵要素。以下是關(guān)于P溝道場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通條件的詳細(xì)介紹，旨在全面解析其工作原理和條件要求。
2024-09-23 17:12:315034 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FPB互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:35:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FP互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:33:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:28:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7446FL-N N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 11:23:032 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60N02D N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-09 18:04:100 新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351530 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 14:59:080 仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40306 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:17:38296 仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性，適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、快速無(wú)線充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。一
2025-11-14 16:12:52519 威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開(kāi)關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)等低壓
2025-11-26 15:21:16231 威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)與高能量效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步
2025-11-27 14:53:22201 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載
2025-11-27 16:52:11394 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-11-28 11:22:59207 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等
2025-11-28 12:03:51204 
威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源
2025-11-28 12:10:55175 
選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04238 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)
2025-12-01 11:02:50237 威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等
2025-12-03 09:53:50219 威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01255 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34250 ：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，實(shí)際適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o
2025-12-16 11:46:18213 ：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)
2025-12-16 11:50:07172 增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-20V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配20V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：
2025-12-18 17:37:55147 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:39:03237 
溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}
2025-12-24 13:01:21133 
威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-26 12:01:16110 
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