相比傳統(tǒng)的硅器件，氮化鎵器件的開關速度要比硅快20倍，體積和重量更小，在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時相比于硅，氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍，搭配快充方案，同體積下充電速度可以提升3倍
2021-11-26 09:42:13
6891 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機等消費類電子上得到越來越多的采用。在經(jīng)過消費電子的歷煉后，氮化鎵器件的應用逐漸向工業(yè)
2022-08-19 17:53:185556 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:015665 
與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃結溫下使用壽命超過100萬小時。
2021-12-02 14:09:211807 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
充電器變得高效起來，發(fā)熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
在射頻領域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術的供應商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續(xù)波（CW）射頻功率晶體管產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產(chǎn)品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優(yōu)勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內(nèi)部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
進的氮化鎵值。 2015年，在測量功率開關的Ec時，我們還推測，同樣地在更小的器件中允許更高的電場，氧化鎵可能會在射頻電路中取得類似成功。不過那時我們?nèi)鄙僖粋€關鍵信息，即還沒有關于材料中的電子速度與電場
2023-02-27 15:46:36
的應用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
IR推出首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011
國際整流器公司(IR)推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的i
2010-03-09 10:24:501243 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術，可在
2011-11-16 10:06:461607 包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理閱讀下面的氮化鎵的十個重要事實，真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關鍵技術。 關于氮化鎵的十個重要事實： 一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度
2017-11-08 15:24:21
7 氮化鎵功率器件及其應用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
氮化鎵功率器件及其應用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設計中的應用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
氮化鎵功率器件及其應用(二)TI用氮化鎵器件實現(xiàn)的DCDC設計方案
2019-04-03 06:13:006339 
很多工程師提問關于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個額外優(yōu)點是可以在器件表面產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。
2019-03-14 17:05:396596 近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產(chǎn)后預計實現(xiàn)年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導體產(chǎn)業(yè)。
2020-07-06 08:46:052191 氮化鎵器件的應用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:380 本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應用。下面結合半導體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:336940 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
2023-02-02 17:23:014677 和GaN為代表物質(zhì)制作的器件具有更大的輸出功率和更好的頻率特性。 2、分類狀況 氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域；硅
2023-02-03 14:31:181408 氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導體更強。
2023-02-05 12:48:1527982 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場效電晶體（MOSFET）。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136684 氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域；硅基氮化鎵功率器件主要應用于電力電子器件領域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 在碳化硅(SiC)上開發(fā)了更薄的III族氮化物結構，以期實現(xiàn)高功率和高性能高頻薄高電子遷移率晶體管和其他器件。新結構使用
高質(zhì)量的60納米無晶界氮化鋁成核層來避免大面積的擴展缺陷，而不是1-2米厚的氮化鎵緩沖層(圖1)。成核層允許在0.2 m內(nèi)生
長高質(zhì)量的氮化鎵。
2023-02-15 15:34:524 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
2023-02-19 14:32:393120 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應用。
2023-02-19 17:20:4811077 
近日，世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅動芯片領先廠商——晶通半導體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導體”)簽署授權代理協(xié)議，代理其旗下工業(yè)級氮化鎵功率驅動芯片、智能氮化鎵功率開關等產(chǎn)品，廣泛應用于新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心電源、光伏儲能、快充電源等行業(yè)。
2023-03-08 09:56:002123 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 于高功率、高速光電元件。例如，氮化鎵可用于紫光激光二極管，并且可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped Solid-state Laser)的情況下產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
2023-09-13 16:41:453097 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:3410640 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規(guī)范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:442506 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用，并從不同領域深入探討其重要性和優(yōu)勢。 一
2024-01-09 18:06:363961 珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業(yè)，致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
全球氮化鎵功率半導體行業(yè)的領軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子
2024-05-23 11:20:001098 本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
成為市場上的新勢力。通常，氮化鎵充電器具有高效率、高功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強、體積小、重量輕、充滿電時間短等優(yōu)點，很多高端電子產(chǎn)品配置了氮化鎵快充。本期，合科泰從氮化鎵快充產(chǎn)品內(nèi)部結構和工作原理，給大家講解分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應用。
2024-09-12 11:21:261398 
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質(zhì)的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費電子等熱門領域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
”)正式建立了戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同致力于車載氮化鎵功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)。 此次合作，雙方將充分利用各自的技術優(yōu)勢。羅姆將貢獻其卓越的氮化鎵器件開發(fā)技術，而臺積公司則以其行業(yè)領先
2024-12-10 17:24:441182 的 650V 氮化鎵 HEMT工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。 ? 羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系 ? 羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優(yōu)勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)
2024-12-12 18:43:321573 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論