原理介紹、選型，我就不多說了，參考上一編我發(fā)的文章，本實例重點看一下防反接電路，我通過軟件進行模擬，加入電壓表，電流進行測試，直觀的顯示結果，也不用我回復了。

NMOS管實例測試

圖1 正向電壓工作狀態(tài)

上圖1所示： JP1,JP2接通，JP3,JP4斷開，正向24V，此時電路正常工作，流過假負載的電流是9.24A,24V,Q1的VGS電壓設定在10V,可以正常導通，但這個時候Q1的S-D的電壓為0.88V,P=UI= 9.24A * 0.88 =8.1312W,所在大電流工作時發(fā)熱會很大，U/I = R 0.88/9.24 = 95(毫歐)，但實際使用最好不要那么大進行使用，我這里只是測試一下，然后我們在看一下Q1器件的IRF520N的手冊。

圖2

上圖2為IRF520N,標示的，RDS導通電阻，200(毫歐)，我這個測試比他標示的還小95(毫歐)，電流9.24A，說明比較接近。

圖3 VGS 極限電壓10V,9.7A

上圖3極限電壓10V,9.7A，實際不可工作在極限值，這樣很快器件就壞了。

圖4 反向電壓工作狀態(tài)

上圖4所示： JP1,JP2斷開，JP3,JP4接通，反向24V，此時電路不工作，流過假負載的電流是0,Q1的VGS電壓0V,Q1不導通,反向電壓直接加在 VDS 24V,(注意，VDSS不能超過100V，看上圖2有說明)有效的保護了后級負載。

下一步我要做個VGS最小開啟電壓測試，我分別設定2V,4V,12.4V測試。

圖5 開啟電壓

圖6 飽和導通12.4V工作狀態(tài)

上圖6 VGS為12.4V接通JP5,此狀態(tài)飽和導通的，電流9A,假負載，R5為2.5R，沒有問題。

圖7飽和導通12.4V工作狀態(tài)

上圖7 VGS為12.4V接通JP5,此狀態(tài)飽和導通的，電流0.24A,假負載R5改為100R，沒有問題，但是注意到?jīng)]有VDS壓降變小了，說明什么?負載越輕，Q2導通電阻更小，發(fā)熱就更小，負載越重，Q2導通電阻更大，發(fā)熱就更大。

圖8 4V開啟電壓工作狀態(tài)

上圖8 VGS為4.01V，接通JP7,此狀也是正常導通的，電流0.24A,假負載R5為100R，說明驗證了手冊上的最大開啟電壓沒有問題。

圖9 2V開啟電壓工作狀態(tài)

上圖9 VGS為2.16V接通JP6,此時Q2就不導通了，電流0A,假負載R5為100R，說明驗證了手冊上的最低開啟電壓，我這里沒有試成功，另外也說明了一個問題，就是開啟電壓要4V,重點說明下,如果此時用3.3V的單片機是不能直接驅動的，要加三極管進行驅動。

PMOS管實例測試,反應最多的就是這個電路說畫反了，下面我的做個仿真測試。

圖10正向電壓工作狀態(tài)

上圖10 VGS為-21.8V(VSG為21.8V),接通JP8,JP9,此狀態(tài)Q3正向導通，電流0.24A,假負載R14為100R，正常工作，VDS壓降為0V完全導通狀態(tài)。

圖11工作狀態(tài)

上圖11 VGS為-21.7V(VSG為21.7V),接通JP8,JP9 上正下負電壓24V,此狀態(tài)Q3正向導通，電流9.56A,假負載改為2.5R，正常工作，VDS壓降為0.09V也是完全導通狀態(tài)。

圖12反接工作狀態(tài)

上圖12 VGS為0V, JP8,JP9斷開, 接通JP10,JP11, 上負下正電壓24V,此狀態(tài)Q3反向不導通，電流0A,有效的保護有后級電路。

下面我們再來看一下IRF4435的參數(shù)，如下圖所示：

圖13 IRF4435

上圖13所示，VGS為-10V，和-4.5V，我的上圖(10 、11)我畫的VGS為-21.7V，說明有點高了，下圖所示為極限電壓正負20V，所以設計電路時要注意，另外工作電壓VDS也不能超過-30V。

另外說明一下，上面的所有電路只是作為測試，沒加任何的防護電路，只做開關特性及電流電壓測試作為演示，電阻值也是非標準值(有些可能買不到的阻值參數(shù))正常設計還是要參考電阻E96的標準阻值來選擇。