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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>淺談MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)

淺談MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)

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2018-01-05 09:14:1329036

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2025-05-06 15:54:461465

淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
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2019-05-11 09:32:1114434

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MOSFET柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-03-15 09:44:341075

7種MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路

首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET柵極走線長(zhǎng)度,增加走線寬度,盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置,從而達(dá)到減少寄生電感,消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:3811871

MOSFET柵極電路的常見作用

各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來(lái)供大家參考討論,也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2023-05-04 09:43:011688

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常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:081917

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MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問(wèn)題解析

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2024-04-22 15:07:425675

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2025-05-06 17:13:58

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IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24

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2021-07-09 07:00:00

電路設(shè)計(jì)中的細(xì)節(jié)分享

電路設(shè)計(jì)中的11個(gè)細(xì)節(jié)
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CPU-供電的MOSFET-自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

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和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07

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功率MOSFET柵極電荷特性

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基于TL494的BUCK電路,用MOSFET做開關(guān)管,如何驅(qū)動(dòng)MOSFET?

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好??!無(wú)刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

發(fā)一個(gè)大家都說(shuō)好的 基于功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片IR2130的無(wú)刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
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橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):主要部件的選定-MOSFET相關(guān)(一)

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#電路原理 #電路知識(shí) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)振蕩

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為什么我們需要#mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器?

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2009-12-29 10:41:0910322

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET柵極
2011-12-17 00:02:005529

MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)

MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45218

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路,以及其的相關(guān)應(yīng)用。
2016-04-26 16:01:469

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)參考

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)參考,感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-29 18:08:19144

使用MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的IGBT驅(qū)動(dòng)

柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522

高壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-19 16:02:3723

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生振蕩的原因及如何解決

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的振蕩現(xiàn)象
2019-04-18 06:16:0027865

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:294273

如何使用柵極電荷設(shè)計(jì)功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路

 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來(lái)確定元件值,從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?;?b class="flag-6" style="color: red">柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路與EMI的資料介紹

功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)源來(lái)驅(qū)動(dòng),為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手機(jī)充電器以及適配器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中,通常使用圖
2020-06-07 12:01:326038

基于IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005321

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830

高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)

關(guān)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)方法介紹。
2021-06-19 10:14:0483

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)論文

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)論文
2021-11-22 15:57:37112

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773

MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)總結(jié)

MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)總結(jié)
2021-12-17 15:43:2275

LN8362 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片概述、應(yīng)用及特點(diǎn)

LN8362 是一款可驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲小?/div>
2022-06-23 14:20:2616141

淺談柵極驅(qū)動(dòng)器和電源環(huán)路的布線

并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個(gè)級(jí)別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器時(shí),其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電阻分別施加到每個(gè)柵極
2022-10-19 10:03:242245

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
2022-10-28 11:59:552

門極柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法

門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法
2022-11-09 17:28:410

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算

本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過(guò)實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0352

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)電路案例分析

MOSFET柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:001764

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:231302

以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)

如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無(wú)需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 11:04:581468

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動(dòng)參考

柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0024

交流耦合柵極驅(qū)動(dòng)電路

柵極驅(qū)動(dòng)路徑中的交流耦合可為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供簡(jiǎn)單的電平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的開通和關(guān)斷柵極電壓,而高側(cè)柵極 驅(qū)動(dòng)則不同,它最需要關(guān)注的是縮小較大的電勢(shì)差。在如 圖31 所示
2023-02-23 15:31:242

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理學(xué)習(xí)

1.PWM直接驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)主開關(guān)晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動(dòng)輸出,如圖(1)如 圖 8中所示,PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:175

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用有哪些

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:021422

使用MD7120 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計(jì)

這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:502257

MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?

MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中,柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:123845

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?
2023-11-30 18:02:381181

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:381285

MOSFET柵極電路常見作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?

MOSFET柵極電路常見的作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種非常重要的電子器件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET柵極電路
2023-11-29 17:46:402429

適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此,電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器,這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:081905

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)

為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)柵極電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體管的基極到其發(fā)射極的低阻抗路徑。
2024-04-09 14:53:441101

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 09:40:4516

igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件

柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)是其正常工作的關(guān)鍵,因?yàn)镮GBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:102970

柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)ic選型看哪些參數(shù)

半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率開關(guān)器件的集成電路。它通過(guò)控制MOSFET柵極的電壓,實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET的開關(guān)控制,從而在電路中起到放大、開關(guān)和保護(hù)的作用。柵極驅(qū)動(dòng)IC具有高驅(qū)動(dòng)能力、快速開關(guān)速度、保護(hù)功能和高集成度等特點(diǎn),能夠確保MOSFET在各種應(yīng)用場(chǎng)合下正
2024-10-07 16:20:002470

TPS512xx MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS512xx MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-13 09:14:122

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(九)——柵極鉗位

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景
2025-04-07 18:06:111110

在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見類型

在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見類型
2025-04-14 16:48:121013

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(十)——柵極電荷和應(yīng)用

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景
2025-04-14 17:04:231014

基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,MOSFET作為功率開關(guān)器件,其柵極與源極之間存在等效電容(Ciss=Cgd+Cgs),柵極電阻(Rg)的主要作用包括:1.
2025-09-27 10:17:54796

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