在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, FoM），就是幫助電源設(shè)計人員直觀衡量功率器件性能優(yōu)劣的重要概念，特別是損耗描述方面，在挑選功率器件時可以發(fā)揮“神助攻”。
2023-11-28 11:47:36
11076 
為了正確理解時鐘相關(guān)器件的抖動指標(biāo)規(guī)格，同時選擇抖動性能適合系統(tǒng)應(yīng)用的時鐘解決方案，本文詳細(xì)介紹了如何理解兩種類型時鐘驅(qū)動器的抖動參數(shù)，以及從鎖相環(huán)輸出噪聲特性理解時鐘器件作為合成器、抖動濾除功能時的噪聲特性。
2013-06-21 15:40:4119925 
汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計必須能負(fù)荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán)，同時得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時故障成本也會是一個很大的問題。隨著工業(yè)電子系
2016-01-08 11:31:095177 
本文描述功率循環(huán)測試和瞬態(tài)熱測試的組合實驗，在此實驗中我們使器件經(jīng)受功率循環(huán)，從而產(chǎn)生故障，然后在不同的穩(wěn)態(tài)之間執(zhí)行瞬態(tài)熱測試，以此確定 IGBT 小樣品的故障原因。這些類型的測試為正確地重新設(shè)計模塊的物理結(jié)構(gòu)提供支持，如果需要，它還可充當(dāng)熱機應(yīng)力仿真的輸入。
2016-01-18 10:22:576297 
? 針對汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗設(shè)計，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm）是影響鍵
2023-08-08 10:59:382320 
內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力，并同時保持高質(zhì)量a和可靠性。新技術(shù)隨著創(chuàng)新而紛紛涌現(xiàn)，例如改進(jìn)了導(dǎo)熱性
2024-04-26 08:35:162310 
本文主要闡述了在驅(qū)動芯片中表征驅(qū)動能力的關(guān)鍵參數(shù)：驅(qū)動電流和驅(qū)動時間的關(guān)系，并且通過實驗解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 10:45:005060 
IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得
2012-07-25 09:49:08
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。
2020-03-24 09:01:13
常見，所以部分設(shè)計者可能會存在沒有合適的 Mosfet 模塊使用，而考慮使用功率 IGBT模塊。本文簡單的探討兩種模塊驅(qū)動設(shè)計時必須注意的問題供設(shè)計者參考。**常見應(yīng)用條件劃分： **選用 IGBT 或
2022-09-16 10:21:27
的不斷成熟，對與之相配套的傳統(tǒng)散熱器的廠家而言，其生產(chǎn)、設(shè)計、加工工藝、品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、成本均提出了更高要求。國內(nèi)電力電子散熱器先行者三河亞泰隨著行業(yè)的需求，也進(jìn)行著不斷的研發(fā)?！ 〈?b class="flag-6" style="color: red">功率電子器件(IGBT
2012-06-20 14:58:40
IGBT的失效機理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
Vgs=15.0V，對應(yīng)的管子熱量損耗為1000W。如果工程師安裝這個特性曲線進(jìn)行散熱設(shè)計，選擇多大的散熱片，選擇多大的風(fēng)速都是可以計算出來的。這些當(dāng)然是理想的情況了，實際上，廠家給出的管子特性曲線都是
2015-03-11 13:15:10
正確理解AC耦合電容在高頻電路設(shè)計中，經(jīng)常會用到AC耦合電容，要么在芯片之間加兩顆直連，要么在芯片與連接器之間加兩顆。看似簡單，但一切都因為信號的高速而不同。信號的高速傳輸使這顆電容變得不“理想
2021-12-30 07:52:17
一、正確理解DC/DC轉(zhuǎn)換器： DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器
2021-11-16 06:32:19
阻抗、穩(wěn)態(tài)還是可變負(fù)載，電源設(shè)備都必須可靠地提供穩(wěn)定、精密和清潔的電壓和電流。工程師在應(yīng)用中如要選擇適合的電源，需要透徹理解電源指標(biāo)。下面簡要介紹線性電源指標(biāo)?！ 【€性電源非常耐用、準(zhǔn)確并能提供低噪聲功率
2012-08-07 21:58:49
的符號位直接反映的，而其符號也可以從PHSIGN寄存器中讀取的。而并不是功率寄存器存放絕對值，PHSIGN寄存器反映正負(fù)。我想確認(rèn)下我的理解是否正確，如果是的話，為什么要這樣設(shè)計呢？另外，我看很多
2018-11-06 09:37:40
For循環(huán)是任何HDL語言中最讓人容易誤解的代碼之一。For循環(huán)可以以可綜合與不可綜合兩種版本實現(xiàn)。不過C語言中的For循環(huán)與HDL眾的For循環(huán)不太一樣，要想熟練運用的話就得先理解它。將軟件編程
2019-08-07 05:00:00
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯了。不過相對于MOSFET的工作頻率還是
2018-09-28 14:14:34
正確理解了所有內(nèi)容，還是對這個問題有任何澄清？2.視頻卡Nvidia Tesla M60主要用于處理3D建模軟件Bentley Microstation v8。處理過的模型非常大（對于整條街道而言）并且
2018-09-13 17:08:32
更低（對于IGBT來說是集電極電流、集電極-發(fā)射極間電壓）。不言而喻，Vd-Id特性也是導(dǎo)通電阻特性。根據(jù)歐姆定律，相對Id，Vd越低導(dǎo)通電阻越小，特性曲線的斜率越陡，導(dǎo)通電阻越低。IGBT的低Vd（或
2018-12-03 14:29:26
IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 10:07 編輯
一、概述 IGBT熱循環(huán)負(fù)載實驗臺是對平板型IGBT進(jìn)行熱循環(huán)負(fù)載試驗的一套系統(tǒng)，是用耐久性實驗確認(rèn)IGBT內(nèi)部的鍵合或是內(nèi)部
2018-06-19 20:20:56
開關(guān)電源的相關(guān)概述，正確理解各類開關(guān)電源很重要。
2021-03-16 08:41:02
兼容性的同時,極大地提高了器件的熱效率和電氣效率。本文還對宇宙射線以及功率循環(huán)試驗進(jìn)行了研究?！娟P(guān)鍵詞】：具備更強機械性;;能高功率IGBT模塊;;.kV IGBT芯片技術(shù)【DOI】：CNKI:SUN
2010-05-04 08:07:47
按照大功率 igbt 驅(qū)動保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動保護(hù)電 路分為以下三種類型：單一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
`如何正確理解功率MOSFET的數(shù)據(jù)表（上篇）.`
2012-08-13 14:24:17
電容靠近發(fā)送端的眼圖圖3：AC耦合電容靠近接收端的眼圖顯然，這顆AC耦合電容靠近接收端的時候信號的完整性要好于放在發(fā)送端。我的理解是這樣的，非理想電容器阻抗不連續(xù)，信號經(jīng)過通道衰減后反射的能量會小于
2021-07-07 07:30:00
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
磁珠經(jīng)常在電路中使用，但是如何正確理解磁滯損耗呢？
2021-03-06 08:22:12
電動汽車、風(fēng)能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
和圖表予以解釋。本應(yīng)用筆記有助于要求使用IGBT模塊的功率電子元件的設(shè)計者正確地使用該數(shù)據(jù)表，并為其提供背景信息。 2 導(dǎo)言 數(shù)據(jù)表中提及的每一項參數(shù)都給出了盡可能詳細(xì)地表明該模塊的特性的值。 一方面，有
2018-12-05 09:50:30
波動，IGBT模塊需要在電流、電壓循環(huán)沖擊下可靠運行 圖2汽車各工況下，IGBT工作曲線3）高可靠性要求IGBT功率模塊失效將會導(dǎo)致車輛立刻失去動力，嚴(yán)重影響整車廠商信譽和用戶使用體驗汽車生產(chǎn)廠家需要
2018-12-06 09:48:38
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)電源中常常被忽略的一種應(yīng)力是輸入電容 RMS 電流。若不正確理解它，過電流會使電容過熱和過早失效。在降壓轉(zhuǎn)換器中，使用下列近似式，根據(jù)輸出電流
2019-07-11 08:19:55
的參數(shù)為焊接層溫度。此外，模型中引入電壓源補償環(huán)境溫度變化帶來的影響。2.6 溫度曲線借助熱模型，可以計算出在特定行駛循環(huán)的負(fù)載條件下，IGBT、二極管和焊接層的溫度。同時，需要考慮功率半導(dǎo)體模塊
2018-12-04 09:59:53
加入限流電阻；04.IGBT功率管的引腳與封裝是否一致，引腳焊盤大小和間距是否正確； 05.IGBT功率管需要大電流，布線采用雙層疊加布線，注意與小信號的隔離； 五。 單片機串口控制
2023-03-27 14:57:37
；然而，大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個θ值，用于計算結(jié)點至外殼熱阻抗。這是一種簡化的裸片溫度計算方法，會導(dǎo)致涉及到的兩個結(jié)點溫度分析不正確。對于多裸片組件而言，θ值通常
2018-10-08 14:45:41
本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
正確理解和測試信息技術(shù)設(shè)備的接地
正確理解電氣設(shè)備，尤其是敏感的信息技術(shù)設(shè)備的“接地”概念，是工程施工與檢測的基礎(chǔ)。所謂“接地”是否意味著必
2010-01-08 11:40:161013 
汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用
針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231832 
本文是對IGBT驅(qū)動的一些概念的理解
2012-10-24 14:46:025599 
正確理解Q值，交流電的功率及Q值的意義，RLC串聯(lián)諧振電路實驗補充知識
。
2016-01-18 17:36:27
2 情況？有沒有可能遺漏了什么？ 20多年來，硅功率MOSFET已在開關(guān)電源中占據(jù)主導(dǎo)地位。在這些應(yīng)用中，采用以前的雙極晶體管技術(shù)還無法實現(xiàn)高速和降低與頻率相對的功耗。隨著時間的推移，功率MOSFET已改進(jìn)，漸漸接近一個理想開關(guān)的
2017-11-22 16:09:01661 
區(qū)塊鏈里的交易，大概可以理解為是 “A 地址轉(zhuǎn)給 B 地址 xx 個幣”，“B 地址轉(zhuǎn)給 C 地址 xx 個幣”這樣的信息。如果 C地址收到了 xx 個幣，但沒有往外轉(zhuǎn)，那這就會在 UTXO 數(shù)據(jù)庫
2018-10-23 14:26:031148 
例如，采樣率為2500MHz，基礎(chǔ)頻率是1807MHz，將會在第一奈奎斯特區(qū)有一個693MHz的諧波分量。
2019-07-24 15:36:162960 
本文將闡述IGBT模塊手冊所規(guī)定的主要技術(shù)指標(biāo)，包括電流參數(shù)、電壓參數(shù)、開關(guān)參數(shù)極管參數(shù)及熱學(xué)參數(shù)，使大家正確的理解IGBT模塊規(guī)格書，為器件選型提供依據(jù)。本文所用參數(shù)數(shù)據(jù)以英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3為例。
2020-09-10 08:00:0036 國產(chǎn)化，軟件也開始上線自研系統(tǒng)。而這個自研系統(tǒng)就是我們所熟知的鴻蒙OS。盡管對于它華為一再強調(diào)并非為手機而生，但是手機什么時候可以用上鴻蒙系統(tǒng)仍然是最受關(guān)注的問題，但很多人并不了解它。 要了解首先要理解，而理解
2020-12-22 11:55:383469 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 對于IGBT的門極所需的驅(qū)動功率的大小計算，我們經(jīng)常在拿到IGBT規(guī)格書的時候會根據(jù)其中的Qg或者輸入電容 Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一個大致的計算,P=Qg
2022-12-01 11:45:087702 了更高的挑戰(zhàn)，尤其是與熱相關(guān)的器件壽命方面，IGBT模塊在大功率應(yīng)用場合中的可靠性更顯得尤為重要。 常見與熱相關(guān)的器件老化降級現(xiàn)象： 焊線老化降級 金屬層錯位 焊接失效 硅芯片和基板的分層 功率循環(huán)試驗是一種業(yè)界公認(rèn)有效評估功率器件壽
2020-10-12 14:16:427836 2020 年是 AI 逐漸深入生活，倒逼各行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的一年。與此同時，隨著新技術(shù)的產(chǎn)生，也開始帶來不少麻煩與問題。如何正確理解新技術(shù)，并像解題一樣，解決與之相伴的新問題，成為一項考驗。 2020
2020-12-18 14:41:485565 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供正確理解電路保護(hù)設(shè)計及器件選擇資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:53:0212 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供選型必讀：正確理解電阻在電路中的作用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-13 08:54:2359 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確理解嵌入式軟件可靠性設(shè)計？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-18 08:50:562 系統(tǒng)的零輸入響應(yīng)是當(dāng)系統(tǒng)沒有外加激勵信號作為輸入時的響應(yīng)。系統(tǒng)的輸入信號去除以后，輸出的響應(yīng)信號一般不會突然消失。這是因為在輸入信號去除之前，系統(tǒng)中的儲能元件中一般總蓄有電磁，而這些能量不可能突然消失，它將逐漸釋放出來，直至最后消耗殆盡。零輸入響應(yīng)正是由這種初始的能量分布狀態(tài)，即初始條件所決定的。 為求系統(tǒng)的零輸入響應(yīng)，就要解下面式子所示的齊次方程。 現(xiàn)在，先來討論求解一階和二階齊次微分方程的簡單情況
2021-05-19 16:08:0119896 
像素點越多，照片包含的原始信息就越接近真實，自然看起來也就越清晰。 我們從示波器上看到的波形其實也可以理解成一張照片，那么這張照片包含的點越多，自然也就越接近真實的樣子。 示波器的存儲深度就是表達(dá)了示波器最多能存儲多少個數(shù)
2021-07-27 16:19:149703 
大多數(shù)保護(hù)設(shè)備都有一個定義的脫扣曲線，也稱為時間/電流曲線，它描述了設(shè)備的行為。該曲線實際上是設(shè)備如何響應(yīng)電流變化的圖形表示。從功能角度來看，曲線參數(shù)指定將導(dǎo)致設(shè)備跳閘的高低電流閾值。
2021-09-21 16:30:005943 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT
2022-08-06 14:54:533108 在大家的認(rèn)知里，選大功率電感就是對電感進(jìn)行選型，只要求電感物性參數(shù)正確，選對型號即可。谷景作為一家從事電感研發(fā)、生產(chǎn)18年的車規(guī)級電感廠家，我們卻認(rèn)為大功率電感的選型不是這么簡單的，選對供應(yīng)商才是
2022-09-07 11:03:21827 選型的小技巧。作為一個擁有18年品牌電感代工歷史的國產(chǎn)車規(guī)級電感制造廠家，對于功率貼片電感選擇的理解，其實更重要的是選擇什么樣的廠家！ 選擇正確的功率貼片電感規(guī)格型號當(dāng)然是沒有錯的，但電感是由廠家設(shè)計、加工制造的
2022-11-01 20:24:07706 
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:351628 功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個驅(qū)動芯片驅(qū)動一個功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開通，M2關(guān)掉的時候，電源VCC通過M1和Rg給Cgs，Cgd充電，從而使MOSFET開通，其充電簡化電路見圖2。
2022-12-06 13:55:263363 隨著我國武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級提升，對IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗和介質(zhì)耐電壓試驗
2023-02-01 15:48:057119 正確理解IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系，對了解產(chǎn)品特性，指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計用足產(chǎn)品特性，符合規(guī)范很有幫助，熟悉標(biāo)準(zhǔn)的工程師會在系統(tǒng)設(shè)計中更游刃有余。
2023-02-07 16:52:554317 
使用功率 MOSFET Zth 曲線-AN11156
2023-02-17 18:49:231 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:557250 本測試設(shè)備可對大功率IGBT器件進(jìn)行功率循環(huán)耐久性試驗，以確認(rèn)IGBT器件承受結(jié)溫波動的能力，通過試驗前后各種電參數(shù)變化判斷IGBT器件內(nèi)部制造工藝可靠性及器件的使用壽命，用于研究電力電子
變流
2023-02-23 09:48:246 輸出功率與頻率曲線是指在變頻器輸出頻率不同的情況下，電機輸出功率隨頻率變化的曲線。通常來說，該曲線呈現(xiàn)出一定的非線性特征，即在頻率較低或較高時，電機的輸出功率較低，而在一定的頻率范圍內(nèi)，電機的輸出功率達(dá)到最大值。
2023-02-28 16:17:238181 大功率電感廠家科普直插大功率電感正確選型技巧 編輯：谷景電子 直插大功率電感是s所有電感產(chǎn)品中非常重要的一個品類，直插大功率電感的類型其實可以分成很多種類，這里就不再給大家作過多贅述了。有一些人問直
2023-03-13 15:27:471496 當(dāng)我們在選擇一款IGBT模塊做功率回路設(shè)計時，首先都會問到兩個最基本的參數(shù)，這個模塊是多少伏、多少安培的？
2023-05-16 16:54:2420510 
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估
2022-04-08 10:26:222735 
IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ堋Ｋ悄孀兤鞯男呐K。同時，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會變得無能
2023-03-30 10:29:456020 
只有正確理解壓力傳感器的接線方法，才能減少傳感器在運行過程中的誤差，否則容易造成U5365-000015-05KPG傳感器損壞，影響測量精度。
2023-06-06 18:12:051903 
到 IGBT 模塊內(nèi)部鍵合線的脫落趨勢，結(jié)合壽命模型和威布爾統(tǒng)計方法，對鍵合點壽命進(jìn)行統(tǒng)計分析，最終獲得功率循環(huán)壽命曲線。利用新的功率循環(huán)壽命統(tǒng)計方法可將試驗成本和試驗周期減少 80%。
2023-08-08 10:56:363723 
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗，總覺得這個不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動，然后經(jīng)過幾萬次循環(huán)，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確定循環(huán)次數(shù)。
2023-10-19 11:32:242164 
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài)，其材料和結(jié)構(gòu)會隨著時間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個壽命周期內(nèi)，會經(jīng)歷數(shù)萬至數(shù)百萬次的溫度循環(huán)沖擊，這期間熱應(yīng)力的反復(fù)作用會使材料發(fā)生疲勞，造成模塊封裝結(jié)構(gòu)的逐漸退化。
2023-11-19 10:03:532403 
如何正確理解運算放大器輸入失調(diào)電壓？
2023-12-07 11:05:111949 
車用 IGBT 模塊對產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中溫度沖擊, 功率循環(huán)
2023-12-01 15:48:311918 
許多人對失效時間均勻分布（MTBF）的計算方法存在誤解，為了幫助解釋這個常常被誤解的話題，ZVEI寫作了一份指南，目的是通過使用實際例子展示各種MTBF協(xié)議之間的差異和相似之處，幫助解釋MTBF數(shù)值是如何推導(dǎo)和應(yīng)用的。MTBF計算是一個非常有用的工具，用來設(shè)計高度可靠的電源，并為全新產(chǎn)品提供長期保修，同時也允許用戶提前評估其系統(tǒng)的預(yù)期壽命并制定必要的維護(hù)或更換計劃。如何應(yīng)用MTBF值，可以作為進(jìn)一步計算或評估的基礎(chǔ)，具體確定在領(lǐng)域中已知數(shù)量的產(chǎn)品中每年的故障數(shù)。如果給定的MTBF值適用于特定應(yīng)用和環(huán)境條件，這個計算才能有效應(yīng)用。
2024-01-05 09:19:391751 
如何理解ABB低壓斷路器的保護(hù)曲線? ABB低壓斷路器的保護(hù)曲線是指在不同的故障電流下斷路器所提供的保護(hù)動作時間。保護(hù)曲線的理解對于正確選擇和使用低壓斷路器非常重要，因為它可以幫助我們確定斷路器
2024-02-04 16:18:002743 如何理解IGBT的四種SOA？ IGBT的四種SOA表示了IGBT器件在不同工作狀態(tài)下的安全操作區(qū)域。這四種SOA是：Continuous SOA、Limited SOA、Pulse SOA
2024-02-18 11:04:172122 更好的理解這兩種功率形式，快來一起學(xué)習(xí)吧。一、定義闡述有功功率與無功功率01有功功率：是指用電設(shè)備用于做功所需的電功率，其產(chǎn)生的電能將通過用電設(shè)備轉(zhuǎn)換為其他形式能量
2024-03-20 08:21:4458288 
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個，一是功率器件導(dǎo)通時，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001922 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335022 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《理解在高輸出電流和溫度下工作的SOA曲線.pdf》資料免費下載
2024-08-26 14:23:210 厚聲貼片電阻的功率降額曲線是描述在不同環(huán)境溫度下，電阻額定功率變化規(guī)律的重要工具。以下是對該曲線的詳細(xì)解讀： 一、功率降額曲線的定義 功率降額曲線顯示了在不同環(huán)境溫度下，電阻器在工作溫度范圍內(nèi)的最大
2025-02-26 14:23:401111 
，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能?，F(xiàn)在市場上功率半導(dǎo)體器件IGBT，MOSFET，SiCMOSFET和GaN，大都是電壓柵控器件，驅(qū)動起來比電流型
2025-04-07 18:06:111110 
引言PowerTester功率循環(huán)測試設(shè)備可以用于幫助客戶加速完成封裝結(jié)構(gòu)研發(fā)、可靠性測試以及可靠性篩選等工作。作為大功率半導(dǎo)體器件瞬態(tài)測試和功率循環(huán)測試測量行業(yè)的標(biāo)桿和引領(lǐng)者，具有其他同類設(shè)備
2025-05-19 16:31:43629 
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192440 
和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級IGBT模塊進(jìn)行了相同熱力測試條件（結(jié)溫差100K，最高結(jié)溫150℃）下的功率循環(huán)試驗，結(jié)果表明，散熱更強的Pin-Fin模塊功
2025-09-09 07:20:232096 
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