總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:20
22653 場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:004991 MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:245605 
MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:052615 
在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:044112 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān)，實現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:417845 
MOS場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強型；P溝耗盡型和加強型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
MOS_場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應(yīng)晶體管是一種改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應(yīng)晶體管的K值得問題：在研究學(xué)習(xí)楊建國老師的負(fù)反饋和運算放大器基礎(chǔ)這本書的時候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個參數(shù)不知道什么意思，請大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個參數(shù)是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
（1）場效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
的，也有增強型的。 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。二、場效應(yīng)三極管的型號命名方法 現(xiàn)行有兩種
2011-12-19 16:30:31
`一、場效應(yīng)晶體管特點場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3、場效應(yīng)晶體管雙電壓應(yīng)用：在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點，但是，由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
`場效應(yīng)晶體管在運用時除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對于絕緣柵型場效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)電壓過高而形成的擊穿因素。場效應(yīng)晶體管在運用時應(yīng)留意以下幾點：1、場效應(yīng)晶體管在運用時要留意
2019-03-22 11:43:43
MOS場效應(yīng)晶體管。所選場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
2009-04-25 15:38:10
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
`在電子元件行業(yè)，晶體三極管與場效應(yīng)晶體管都是備受推崇的兩種電子元件，尤其在開關(guān)電源方面?zhèn)涫茈娮庸こ處煹那嗖A，可是對于剛?cè)腴T的采購，究竟該如何去選晶體三極管與場效應(yīng)晶體管，晶體三極管簡稱三極管
2019-04-09 11:37:36
。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)晶體管上的工作電壓必需小于BUDS。（6）耗散功率耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)晶體管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。運用時場效應(yīng)晶體管實踐功耗應(yīng)小于
2019-04-04 10:59:27
和功率晶體管的強大競爭者，只允許從信號源取較少電流的情況下應(yīng)優(yōu)先選用場效晶體應(yīng)管。三、三極管與場效應(yīng)晶體管區(qū)別特征：1、三極管之所以又被稱為雙極型管子，是因為管子在工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與
2019-04-08 13:46:25
我想了解互補場效應(yīng)晶體管點火和只用一個場效應(yīng)晶體管點火與 PWM 的區(qū)別？
2024-05-21 07:24:48
FinFET的問題更多的是制造而不是泄漏。它可能會對幾個節(jié)點有所幫助，這可能意味著十多年的額外使用。盡管如此，制造過程中連續(xù)性的損失可能是重大且昂貴的?！ ■捠?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管綜述 CMOS技術(shù)的創(chuàng)新
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應(yīng)晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計時，工程師會更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應(yīng)晶體管的什么性能呢？應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
1. 場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而場效應(yīng)晶體管是電壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分爲(wèi)結(jié)型場效應(yīng)晶體管和絕緣柵型場效應(yīng)晶體管;絕緣柵型場效應(yīng)晶體管又稱爲(wèi)金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或簡稱MOS場效應(yīng)晶體管.一、如何防止絕緣柵型場效應(yīng)晶管擊穿由于絕緣柵
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`晶體三極管簡稱三極管，和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之一，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展，我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形，你可能不知道，在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過程中，有一種電子元件，深受電子工程師的青睞，那就是場效應(yīng)晶體管，我們常接觸到晶體三級管，對它
2019-03-26 11:53:04
開關(guān)過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗（Eon）和關(guān)閉過程中的損耗（Eoff）。場效應(yīng)晶體管開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=（Eon+Eoff）×開關(guān)頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關(guān)性能的影響最大。`
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 場效應(yīng)晶體管增益自動控制測試儀
2008-02-25 21:08:531299 
MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項: MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:501219
短波場效應(yīng)晶體管放大器電路圖
2009-04-08 09:23:334790 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07927 
場效應(yīng)晶體管級聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:46:281419 
場效應(yīng)晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:031072 
功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:157511
VMOS功率場效應(yīng)晶體管光敏繼電器電子圖
2009-06-03 15:44:351433 
場效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22904 
場效應(yīng)晶體管TVS保護電路圖
2009-06-08 14:53:551201 
使用場效應(yīng)晶體管的貨車箱形電路圖
2009-07-02 13:11:18594 
MOS場效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應(yīng)
2009-09-05 15:17:181525 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表
這個非常簡單的
2009-09-24 14:45:471066 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:134030 絕緣柵場效應(yīng)晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531671 
光電池-VMOS功率場效應(yīng)晶體管光敏繼電器電路圖
2010-03-31 17:15:501512 
場效應(yīng)晶體管放大器
場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應(yīng)
2010-04-16 10:08:575587 
場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場效應(yīng)晶體管（簡稱場效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0612209 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個方面介紹了有機場效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4430188 
隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4534288 
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:3113045 
MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強型。
2019-10-11 10:33:2910001 
功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0930042 
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:1813925 
場效應(yīng)晶體管（FET）簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:0522 場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:4410165 MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:0011884 結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727 NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管
2023-03-17 19:50:160 場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:232247 場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043376 
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:379724 
NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管
2023-07-07 18:41:520 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:464280 AGM408M 40V12A mos場效應(yīng)晶體管
2021-11-24 15:47:260 選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:381178 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:442128 
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:082625 場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:542593 場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等優(yōu)點，在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一
2024-08-01 09:13:202424 對輸出信號的控制。JFET具有結(jié)構(gòu)簡單、工作頻率高、功耗低、易于集成等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于高頻電路、開關(guān)電源、功率放大器等電子系統(tǒng)中。以下是對結(jié)型場效應(yīng)晶體管的詳細(xì)解析。
2024-08-15 16:41:422884 結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-Effect Transistor，簡稱N溝道
2024-10-07 17:28:001707 在選擇場效應(yīng)晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南，包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應(yīng)用建議。
2024-09-23 18:18:241695 當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071123 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論