隨著社會(huì)對(duì)環(huán)保和能源效率的關(guān)注加劇，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)正在成為領(lǐng)先科技的焦點(diǎn)。盡管它仍處于早期階段，但其革命性的潛力預(yù)示著電源系統(tǒng)領(lǐng)域的未來(lái)。

2023年7月19日，在深圳舉行的媒體交流會(huì)上，羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理周勁向與非網(wǎng)記者分享了最新產(chǎn)品：EcoGaN Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。同時(shí)他也深入剖析了GaN技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，以及羅姆如何利用這些優(yōu)勢(shì)打造更高效、更小型的電源解決方案，并展望GaN未來(lái)的發(fā)展前景。作為全球頂尖的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，羅姆公司致力于不斷提升其產(chǎn)品性能和可靠性。不僅在元器件的研發(fā)上投入力量，羅姆還積極與行業(yè)伙伴建立戰(zhàn)略關(guān)系，聯(lián)合推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，旨在解決社會(huì)面臨的問(wèn)題。

氮化鎵：下一代功率半導(dǎo)體的潛力巨大

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、高電場(chǎng)強(qiáng)度和優(yōu)秀的熱導(dǎo)率在LED和電力電子設(shè)備中得以應(yīng)用。 更值得一提的是，GaN在電源轉(zhuǎn)換中的潛力巨大，它能在更高的頻率和電壓下運(yùn)行，相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體產(chǎn)生更少的熱量。由于其更高的效率，GaN技術(shù)可以降低電源系統(tǒng)的功耗，從而減少對(duì)電力網(wǎng)的負(fù)載。這對(duì)于減少碳排放和應(yīng)對(duì)氣候變化都至關(guān)重要。

相較于碳化硅，氮化鎵在中等功率和電壓水平的應(yīng)用上更為突出，且頻率較高，應(yīng)用領(lǐng)域主要為快速充電和小型筆記本電腦，未來(lái)可能擴(kuò)展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源和分布式電源等應(yīng)用。

氮化鎵器件市場(chǎng)的發(fā)展，以2020年作為起始節(jié)點(diǎn)，從PC和手機(jī)的快充領(lǐng)域開(kāi)始擴(kuò)展。隨著5G和PD適配器的普及，市場(chǎng)需求增加，以硅為基礎(chǔ)的器件已不能滿足需求，因此大型半導(dǎo)體公司開(kāi)始研發(fā)氮化鎵產(chǎn)品。隨著電動(dòng)汽車和工業(yè)系統(tǒng)應(yīng)用的增加，預(yù)計(jì)2025年之后，氮化鎵市場(chǎng)將有較大增長(zhǎng)。

目前，快充領(lǐng)域廣泛使用氮化鎵器件。相比硅器件，氮化鎵器件產(chǎn)品體積小、單位功率價(jià)格低，集中在小體積、高性價(jià)比的產(chǎn)品應(yīng)用上。隨著氮化鎵器件的價(jià)格下降和技術(shù)成熟，其市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大。

盡管GaN半導(dǎo)體技術(shù)仍在早期階段，但已經(jīng)吸引了大量公司的目光。EcoGaN是通過(guò)更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的羅姆氮化鎵器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。

羅姆的氮化鎵解決方案：改變電源管理的游戲規(guī)則

羅姆公司從2006年開(kāi)始研發(fā)GaN相關(guān)產(chǎn)品，并在2021年推出了能夠承受150V的GaN器件技術(shù)。這是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)檫@意味著羅姆的GaN技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)新的高度。在2023年4月，羅姆公司開(kāi)始量產(chǎn)650V耐壓產(chǎn)品。在今后的發(fā)展中，羅姆公司將繼續(xù)改進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和控制技術(shù)，并計(jì)劃在2024年推出一系列新的產(chǎn)品。

羅姆最近推出的兩款650V EcoGaN產(chǎn)品——BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，都是深受業(yè)界關(guān)注的新產(chǎn)品。這兩款產(chǎn)品的尺寸均為8×8mm，厚度僅為1mm，使用了VQFN封裝。它們不僅能實(shí)現(xiàn)類似于DC-DC控制器的驅(qū)動(dòng)電壓，而且啟動(dòng)時(shí)間大大縮短，傳輸延遲僅為11納秒到15納秒。這得益于GaN本身的高速特性。這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻分別為70毫歐和150毫歐，使得它們?cè)陂_(kāi)關(guān)損耗和器件體積上都有明顯的優(yōu)勢(shì)。

使用EcoGaN Power Stage IC的優(yōu)勢(shì)

此外，羅姆公司的GaN技術(shù)能夠大幅降低功耗。在一些導(dǎo)通損耗對(duì)性能影響較小的應(yīng)用中，羅姆的GaN設(shè)備的功耗甚至可以比Si MOSFET單體減少55%。這對(duì)于需要大功率和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的設(shè)備來(lái)說(shuō)，是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。另外，羅姆的GaN技術(shù)還可以支持各種一次側(cè)電源電路，其驅(qū)動(dòng)的范圍寬、啟動(dòng)時(shí)間短，可以應(yīng)用在各種AC-DC電路中。這使得羅姆的GaN設(shè)備在功率轉(zhuǎn)換和管理領(lǐng)域有更廣泛的應(yīng)用可能。

在開(kāi)發(fā)這些高性能設(shè)備的同時(shí)，羅姆還致力于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造過(guò)程。其GaN產(chǎn)品只需要一個(gè)外置器件，大大簡(jiǎn)化了外圍電路的設(shè)計(jì)。這不僅降低了設(shè)計(jì)難度，也使得羅姆的GaN設(shè)備更適合于小型化的應(yīng)用。同時(shí)，羅姆公司還在芯片內(nèi)部添加了EMI控制，以優(yōu)化驅(qū)動(dòng)波形，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

氮化鎵Power Stage IC：顛覆傳統(tǒng)電源系統(tǒng)的新貴

羅姆的新一代GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)是顯而易見(jiàn)的，這些新產(chǎn)品不僅具有優(yōu)越的性能，而且在設(shè)計(jì)和制造方面也展示了顯著的改進(jìn)。下面將詳細(xì)介紹這些產(chǎn)品的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。

支持各種一次側(cè)電源電路

首先，羅姆的新產(chǎn)品支持各種一次側(cè)電源電路，這使得它們能夠廣泛應(yīng)用于各種AC-DC電路中。這是由于它們具有寬泛的驅(qū)動(dòng)范圍和短啟動(dòng)時(shí)間。對(duì)于AC-DC電路而言，羅姆的新產(chǎn)品能夠大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程，同時(shí)減少了傳輸延遲時(shí)間。不論是反激式、半橋、交錯(cuò)式還是圖騰電路，都能夠使用羅姆的新型Power Stage IC。這使得羅姆的新產(chǎn)品在電源管理和轉(zhuǎn)換方面有更廣泛的應(yīng)用可能。

功耗優(yōu)勢(shì)

其次，羅姆的新產(chǎn)品在功耗方面也有顯著的改進(jìn)。在許多情況下，功耗甚至可以比Si MOSFET單體減少55%。這一改進(jìn)不僅減輕了設(shè)備的熱負(fù)荷，同時(shí)也延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。與此同時(shí)，即使在導(dǎo)通損耗對(duì)性能影響較小的應(yīng)用中，羅姆的新產(chǎn)品也能夠做到比普通產(chǎn)品減少約20%的功耗。這一點(diǎn)對(duì)于那些需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行或者電能有限的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。

小型化特點(diǎn)

羅姆的新產(chǎn)品還具有顯著的小型化優(yōu)勢(shì)。在同等性能的設(shè)備中，羅姆的新產(chǎn)品可以顯著減少元器件的數(shù)量。例如，普通產(chǎn)品需要9個(gè)相關(guān)元器件，而羅姆的新產(chǎn)品則只需要1個(gè)外置器件。這一點(diǎn)不僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過(guò)程，而且也大大減少了設(shè)備的體積和重量，使得羅姆的新產(chǎn)品更適合于小型化的應(yīng)用。

此外，羅姆的新產(chǎn)品在內(nèi)部設(shè)計(jì)上也有很多優(yōu)點(diǎn)。例如，內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器，具有電壓范圍接口，可以使驅(qū)動(dòng)電壓要求達(dá)到5V到30V。這使得羅姆的新產(chǎn)品能夠在更寬的工作電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。另外，羅姆的新產(chǎn)品還采用了EMI控制技術(shù)，優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)的波形，不影響速度的情況下，能夠控制EMI，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

總的來(lái)說(shuō)，羅姆的新產(chǎn)品集多種優(yōu)點(diǎn)于一身，提供了一種高效、緊湊、可靠的電源解決方案。無(wú)論是在性能、設(shè)計(jì)還是制造方面，羅姆的新產(chǎn)品都展示了GaN技術(shù)的巨大潛力。我們有理由期待羅姆公司會(huì)繼續(xù)推出更多的創(chuàng)新產(chǎn)品，為電子設(shè)備提供更高效、更環(huán)保的電源解決方案。

氮化鎵的未來(lái)：更加高效、小型化的電力系統(tǒng)

在過(guò)去的十多年里，氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用已經(jīng)取得了顯著的突破。然而，盡管已經(jīng)取得了如此顯著的成果，但GaN技術(shù)的潛力遠(yuǎn)未被完全發(fā)掘。這主要是因?yàn)樗闹圃旃に嚾栽诓粩嗤晟?，新的?yīng)用領(lǐng)域也在不斷發(fā)現(xiàn)。下面我們將對(duì)氮化鎵的未來(lái)進(jìn)行一番展望。

首先，隨著GaN器件的發(fā)展，我們可以預(yù)見(jiàn)到在未來(lái)幾年中將有更多的產(chǎn)品采用這項(xiàng)技術(shù)。目前，羅姆已經(jīng)成功推出了兩款新產(chǎn)品，分別是BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，導(dǎo)通電阻分別是70毫歐和150毫歐。與此同時(shí)，羅姆還備有三款評(píng)估板，可以方便地移植到客戶現(xiàn)有的方案進(jìn)行測(cè)試。這些新產(chǎn)品和評(píng)估板無(wú)疑將大大加速GaN技術(shù)在電源管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的普及。

其次，GaN器件的技術(shù)進(jìn)步也將推動(dòng)其在新的應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。例如，目前羅姆已經(jīng)在2023年4月開(kāi)始量產(chǎn)650V耐壓產(chǎn)品，并在今后計(jì)劃進(jìn)一步改進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和控制技術(shù)。羅姆公司計(jì)劃在2024年第一季度量產(chǎn)準(zhǔn)偕振AC-DC+GaN的器件和功率因數(shù)改善+GaN的器件，而半橋+GaN的器件則預(yù)計(jì)在2024年第二季度量產(chǎn)。這些新的技術(shù)和產(chǎn)品將進(jìn)一步擴(kuò)大GaN器件在電源管理和轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。

羅姆氮化鎵產(chǎn)品路線圖

然而，盡管GaN技術(shù)的前景光明，但其發(fā)展過(guò)程中也可能會(huì)遇到一些挑戰(zhàn)。例如，高速電路的電磁干擾（EMI）控制是一個(gè)較大的挑戰(zhàn)，這需要開(kāi)發(fā)新的技術(shù)來(lái)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)波形，以控制EMI，同時(shí)不影響速度。此外，制造工藝的改進(jìn)也是一個(gè)重要的任務(wù)，需要不斷優(yōu)化以減少成本，提高產(chǎn)量。

總的來(lái)說(shuō)，羅姆的GaN解決方案是電力系統(tǒng)領(lǐng)域的一次重大突破。它們不僅能提高設(shè)備的效率和可靠性，還能幫助簡(jiǎn)化系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制造。我們有理由相信，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，氮化鎵的未來(lái)將是光明的。從長(zhǎng)期來(lái)看，我們可以期待GaN技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，如更高效的電源管理、更環(huán)保的能源利用、更小型化的電子設(shè)備等等。我們期待羅姆作為氮化鎵技術(shù)的領(lǐng)軍者，將繼續(xù)引領(lǐng)這個(gè)領(lǐng)域的發(fā)展，推出更多創(chuàng)新的產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)的需求。

編輯：黃飛

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