極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇,也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代,SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段,有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步,未來(lái)還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
至半導(dǎo)體內(nèi)部導(dǎo)致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后,雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導(dǎo)致失效?! TRB試驗(yàn)可以使這些失效加速呈現(xiàn),排查出異常器件?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體碳化硅二級(jí)管的HTRB實(shí)驗(yàn)溫度為175℃,高于一般
2023-02-28 16:59:26
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
上,對(duì)介電常數(shù)要求嚴(yán)格,雖然有低溫共燒陶瓷,仍然無(wú)法滿足他們的要求,需要一種性能更好的升級(jí)產(chǎn)品,建議可以使用富力天晟的碳化硅基板;因應(yīng)汽車需求而特別開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品(如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
??寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫?。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體需求越來(lái)越多,我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45
。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比,故在相似的功率等級(jí)下,SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開(kāi)這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開(kāi)碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件? 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開(kāi)關(guān)管?! ‘?dāng)T2開(kāi)通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?! 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用??蓮V泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者:大年君愛(ài)好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān),通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:42
4497 碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。
2019-10-24 10:36:38
4460 
SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32
148 ,基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升,將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:08
9429 
12月30日,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:43
3454 
與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:04
4200 為提升新能源汽車整體性能,全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊,碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率,在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力,堪比功率半導(dǎo)體里的“學(xué)霸”。
2022-08-01 14:58:55
1638 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:06
7086 隨著對(duì)電動(dòng)汽車(EV)需求的持續(xù)增長(zhǎng),制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更薄的設(shè)計(jì)。SiC當(dāng)前應(yīng)用的示例包括車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、非車載直流快速充電器、車載電池充電器、電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和LED汽車照明。
2022-11-15 10:22:55
1206 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00
1067 碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:44
30593 對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達(dá)3.0eV,相比第一代半導(dǎo)體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:09
3880 碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:16
5686 
碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32
1748 功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:44
10 與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能
2023-02-20 15:51:55
3 圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經(jīng)過(guò)劃片封裝測(cè)試(后段工藝)就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:11
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汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動(dòng)系統(tǒng)的電子器件,由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件,采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成,可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開(kāi)關(guān),適用于電動(dòng)車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:22
4048 意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51
2274 硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:14
4446 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15
2612 羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01
1445 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45
3687 第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54
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在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。
2023-08-17 14:27:15
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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:22
4787 igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:04
21116 汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用等方面進(jìn)行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同,
2023-09-05 09:04:42
3465 碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來(lái)給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:05
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目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資,要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
2023-11-17 17:12:18
1593 如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21
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目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37
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碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23
3792 龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。 隨著汽車行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入,高壓純電動(dòng)車因其能效更高、續(xù)航里
2023-12-22 08:20:01
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氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18
4062 碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
4326 碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52
3996 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于
2024-01-16 10:48:49
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電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國(guó)的碳化硅外延片生產(chǎn)商,在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后,乘著新能源的東風(fēng),在全球市場(chǎng)中迅速崛起。
2024-04-16 13:42:51
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近日,汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅(SiC)器件的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,標(biāo)志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上,對(duì)碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:47
1234 碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無(wú)機(jī)物
2024-11-29 09:30:05
1573 碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:35
2667 隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:03
1082 BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31
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近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:10
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SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30
911 碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無(wú)論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來(lái)源:Pixabay、Pexels單晶方面,碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57
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)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對(duì)電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來(lái)更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來(lái)自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
2025-10-02 17:25:00
1521 博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06
565 SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè):電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-24 06:54:12
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評(píng)論