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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌?聽產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說

碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌?聽產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說

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2021碳化硅十大熱門事件盤點(diǎn):擴(kuò)產(chǎn)、收購(gòu)、合資、上市

高壓的特性被越來越多的車企認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。 ? 天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊(duì),首發(fā)過會(huì)并成功上市 ? 天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域
2022-01-24 09:31:576074

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

制造、下游模塊封裝等領(lǐng)域,頻繁傳來這些領(lǐng)域產(chǎn)能擴(kuò)充的消息。 ? 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,成本占比最高的部分是襯底,碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此,襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風(fēng)向標(biāo)。此前電子發(fā)燒友
2023-02-20 09:13:0189437

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤點(diǎn)

產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5613481

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:382489

Soitec宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目,共同開發(fā)新一代碳化硅襯底

法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合項(xiàng)目,展開對(duì)新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151

2023碳化硅產(chǎn)業(yè)趨勢(shì):未來五到十年供應(yīng)都會(huì)緊缺?國(guó)產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)進(jìn)入2023年的第一個(gè)月,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就迎來不少好消息。國(guó)內(nèi)多家碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)獲得新的融資,多個(gè)碳化硅上下游的項(xiàng)目有了新進(jìn)展,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈都在春節(jié)前加速突破
2023-01-24 08:17:0010843

8英寸襯底井噴,11月國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來新進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,成本占比最高的部分是襯底,碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此,襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風(fēng)向標(biāo)。 ? 本土碳化硅供應(yīng)商份額增長(zhǎng)
2023-12-12 01:35:002680

碳化硅降本關(guān)鍵:晶體制備技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價(jià)值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導(dǎo)體器件的成本構(gòu)成中,作為襯底的硅片一般只占不到10
2024-01-21 07:48:004014

碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是:  碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多。  三、碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)  上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低,約
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

電子化方向發(fā)展。汽車電子有望接棒消費(fèi)電子成為下一個(gè)電子行業(yè)驅(qū)動(dòng)引擎并再現(xiàn)消費(fèi)電子對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈的整體拉動(dòng)。  汽車電子有很多分支,底盤和發(fā)動(dòng)機(jī)控制方向偏向于系統(tǒng)控制,能量轉(zhuǎn)換單元偏向于開關(guān)電源。對(duì)于汽車電子
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場(chǎng)也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

:Anode Metal  外延層:N- drift(輕摻雜),主要作用是承擔(dān)反向耐壓  襯底層:N+(重?fù)诫s),呈電阻特性,不具備電壓耐受能力  陰極金屬:Cathode Metal  圖(2)碳化硅
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

中美貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響

制造商,人工智能設(shè)計(jì)公司,互聯(lián)網(wǎng)公司在國(guó)家政策的鼓勵(lì)下,紛紛投入“造芯”行列,本土半導(dǎo)體分銷行業(yè)的頻繁整合、動(dòng)蕩加劇,利潤(rùn)和市場(chǎng)空間受到擠壓。中美貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響從上世紀(jì)80年代開始
2018-08-30 16:02:33

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11

國(guó)家氫能產(chǎn)業(yè)政策:氫能源股票龍頭及上市公司 精選資料分享

財(cái)經(jīng)365(www.caijing365.com)8月17日訊:又一波政策紅利來了!國(guó)家級(jí)政策扶持!國(guó)家氫能產(chǎn)業(yè)政策:氫能源股票龍頭及上市公司一、國(guó)家國(guó)家氫能產(chǎn)業(yè)政策最新動(dòng)向在“雙碳”目標(biāo)下,氫能
2021-08-31 08:30:47

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

可有效減小功率回路寄生電感參數(shù),減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫,所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視,三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

簡(jiǎn)述LED襯底技術(shù)

LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利,只有科銳一家使用,成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低,但目前技術(shù)還不完善?! 腖ED成本上來看,用
2012-03-15 10:20:43

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00140328

簡(jiǎn)述碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:185164

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能,因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:045801

ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計(jì)劃,由意法半導(dǎo)體在今后18個(gè)月內(nèi)完成對(duì)Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測(cè)試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底,促進(jìn)公司碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù),
2022-12-08 12:22:481145

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:545134

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:136470

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482002

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:113177

碳化硅規(guī)?;瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應(yīng)用。
2023-03-22 15:38:522668

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:042505

國(guó)內(nèi)外碳化硅裝備發(fā)展?fàn)顩r SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)及關(guān)鍵裝備

SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似,一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié),SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割研磨和拋光等工序過程,完成向下游的襯底供貨。
2023-04-25 10:44:082570

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:486511

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:201105

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:561557

新能源汽車碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬只

聚焦強(qiáng)補(bǔ),國(guó)基南方、55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái),率先在新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域規(guī)?;瘧?yīng)用,累計(jì)保障超過160萬輛新能源汽車應(yīng)用需求。
2023-07-12 11:20:58974

碳化硅8英寸時(shí)代倒計(jì)時(shí) 中國(guó)廠商能否搭上“早班車”

碳化硅襯底碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng),碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:581831

碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些?

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟,對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法,在高溫真空環(huán)境下將粉料升華,通過溫場(chǎng)的控制在籽晶表面生 長(zhǎng)出碳化硅晶體。
2023-08-04 11:32:131765

車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì),碳化硅材料七成以上來自美國(guó)公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-15 10:07:41739

碳化硅公司上半年難過盈利大關(guān)

 在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上,隨著越來越多的新參與者加入,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié),如襯底、外延片、器件制造和應(yīng)用等,都有廠商進(jìn)行布局。
2023-09-19 17:33:451537

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828

LED產(chǎn)業(yè)鏈上市公司發(fā)布前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告

隨著第三季度進(jìn)入尾聲,有LED產(chǎn)業(yè)鏈上市公司開始搶先發(fā)布前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告。
2023-10-18 11:08:201289

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651

碳化硅襯底,新能源與5G的基石.zip

碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403

安森美中國(guó)區(qū)碳化硅首席專家談碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)與背后的意義、合作與機(jī)會(huì)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國(guó)區(qū)汽車市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績(jī)、 運(yùn)營(yíng)模式、市場(chǎng)前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:022169

鋰電產(chǎn)業(yè)鏈上市公司第三季度業(yè)績(jī)盤點(diǎn)

10月過去,鋰電產(chǎn)業(yè)鏈上市公司的三季度已全部披露完畢。
2023-11-05 10:45:241366

碳化硅賽道“涌動(dòng)” ,國(guó)內(nèi)外巨頭抓緊布局

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封裝測(cè)試等。從行業(yè)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來看,碳化硅襯底市場(chǎng)目前以美國(guó)、日本為主和歐洲,其中美國(guó)是世界上最大的。
2023-12-04 16:29:321918

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體的碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:081964

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳化硅外延片,制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國(guó)內(nèi)外主要廠商分布圖

中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝堋⒏吣陀眯噪娮悠骷枨蟮脑黾樱?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來越重要。
2024-02-27 10:28:512937

華索科技入選深圳比亞迪研究院碳化硅襯底加工項(xiàng)目設(shè)備供應(yīng)

華索科技于5月22日宣布,成功中標(biāo)深圳比亞迪研究院碳化硅襯底加工項(xiàng)目設(shè)備供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)。這標(biāo)志著華索科技和深圳比亞迪在新能源產(chǎn)業(yè)鏈方面的戰(zhàn)略合作拉開序幕。據(jù)悉,雙方已簽署價(jià)值數(shù)千萬元的襯底加工設(shè)備項(xiàng)目合同。
2024-05-24 10:43:551570

中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增,市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?b class="flag-6" style="color: red">價(jià)格戰(zhàn)

從2023年起,中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地,行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù),國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬大關(guān)
2024-06-03 14:18:171096

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場(chǎng)迎來新變革

近期市場(chǎng)消息指出,中國(guó)新能源汽車和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展,推動(dòng)了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢(shì)導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本顯著下降,特別是SiC襯底、外延以及SiC模塊的價(jià)格降幅明顯。
2024-10-22 11:48:281800

碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分,以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而,修邊過程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及
2024-12-23 16:56:37487

用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本,以及最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。因此,在碳化硅襯底
2024-12-26 09:51:54465

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001981

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953

環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

近日,環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025年對(duì)SiC的市場(chǎng)預(yù)期仍較為保守,但2026年
2025-02-19 11:35:49946

SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn),主要源于以下多維度原因: ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門檻低導(dǎo)致市場(chǎng)同質(zhì)化與價(jià)格戰(zhàn) 碳化硅二極管(如肖特基二極管)技術(shù)相對(duì)成熟,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,進(jìn)入門檻較低。國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域,導(dǎo)致產(chǎn)能過剩
2025-02-28 10:34:31753

東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折射出歐美與中國(guó)在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)中
2025-03-31 18:03:08983

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

蔓延,國(guó)產(chǎn)碳化硅逆變焊機(jī)或重蹈光伏逆變器早期“價(jià)格戰(zhàn)自毀”覆轍,最終淪為技術(shù)史上的失敗案例。唯有通過強(qiáng)制可靠性標(biāo)準(zhǔn)(如嚴(yán)格的TDDB和HTGB)、建立全生命周期質(zhì)量追溯體系,并引導(dǎo)資本投向已驗(yàn)證技術(shù),才能挽救這一戰(zhàn)產(chǎn)業(yè)。 1. 技術(shù)性能崩塌:SiC碳化硅
2025-04-14 07:02:35650

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析 切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28537

超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

超薄碳化硅襯底
2025-07-02 09:49:10483

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問題

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30659

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

,為碳化硅襯底生產(chǎn)與研發(fā)提供可靠的測(cè)量保障。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,精確測(cè)量襯底 TTV 厚度對(duì)把控產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)化生產(chǎn)工藝至關(guān)重要。而測(cè)量設(shè)備的性能直接影響
2025-08-11 11:23:01555

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

提供理論與技術(shù)支持。 引言 隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛,晶圓總厚度變化(TTV)作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo),其精確測(cè)量至關(guān)重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20:16778

【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

本文通過對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異,深入分析兩者的性價(jià)比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù),助力優(yōu)化資源配置。 引言 在
2025-08-15 11:55:31707

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

理論依據(jù)。 引言 在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅襯底的質(zhì)量對(duì)芯片性能和良率起著決定性作用,晶圓總厚度變化(TTV)作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其精確測(cè)量至關(guān)重
2025-08-18 14:33:59454

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02552

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401083

襯底到外延:碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化

碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底:作為整個(gè)器件的基礎(chǔ)載體
2025-09-03 10:01:101293

成功打入博世、英飛凌供應(yīng),國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底收獲期來臨

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期國(guó)內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長(zhǎng)期協(xié)議,公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品。 ? 5月3日在
2023-05-06 01:20:003980

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:345166

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