3月14日消息，三星電子宣布將批量生產(chǎn)全球容量最大的12GB LPDDR4X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4X）移動(dòng)DRAM。 該產(chǎn)品主要針對(duì)高階智能手機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)應(yīng)用，包括Galaxy Fold
2019-03-15 14:55:39
5834 最新的LPDDR4/4X產(chǎn)品采用節(jié)省空間的100BGA封裝，尺寸僅為7.5X10mm2。該產(chǎn)品可顯著減小PCB尺寸從而使設(shè)計(jì)更為緊湊，適用于需要在小封裝中實(shí)現(xiàn)更高數(shù)據(jù)吞吐量的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。 ? 華邦目前提供容量為
2022-07-27 11:04:531600 
最近三星公司剛剛公布了旗下首個(gè)8GB低功率的LPDDR4內(nèi)存芯片，并且可以在移動(dòng)設(shè)備大小的多層結(jié)構(gòu)芯片中肩負(fù)4GB運(yùn)行內(nèi)存的功能。
2014-01-02 09:33:44919 三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級(jí)20納米工藝技術(shù)的業(yè)界首款12Gb LPDDR4（低功耗雙數(shù)據(jù)速率4）移動(dòng)DRAM。
2015-09-11 10:21:011755 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482248 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 ，該公司今天宣布已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)12GigabitLPDDR5DRAM芯片，旨在在未來(lái)智能手機(jī)中支持5G和AI功能。 三星此舉非常重要，尤其是該公司在為其他移動(dòng)設(shè)備制造商提供內(nèi)存方面扮演著重要角色。三星的DRAM不僅可以在自家Galaxy系列手機(jī)和平板電腦中找到，也
2019-07-20 08:16:001343 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543514 閃存。 ? ? 容量方面，該系列產(chǎn)品能夠提供內(nèi)存容量由6GB到12GB、閃存容量由128GB到512GB。 ? 性能方面，LPDDR5能夠支持25GB/s的讀寫(xiě)速度，相較之前的LPDDR4X快1.5倍
2021-06-17 07:08:004661 三星成功開(kāi)發(fā)LPDDR5X DRAM三星的14納米LPDDR5X在“速度、容量和省電”特性方面大幅提升，針對(duì)5G、AI、元宇宙等爆發(fā)式增長(zhǎng)的未來(lái)尖端產(chǎn)業(yè)提供優(yōu)秀的解決方案。
2021-11-09 10:23:472188 
在10700 MT/s運(yùn)行。 ? 為了提高速度，三星必須在其DRAM芯片中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡?！八南嘧孕?zhǔn)環(huán)路”技術(shù)，它能確保高速內(nèi)存接
2025-02-28 00:07:006349 `這幾年以來(lái)，國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
本文詳細(xì)介紹了 SK hynix 公司生產(chǎn)的 LPDDR4 16Gb（x16，2 Channel，1 CS）內(nèi)存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術(shù)規(guī)格書(shū)。該文檔提供了芯片的詳細(xì)參數(shù)、功能描述
2025-03-03 14:07:05
LPDDR4X與LPDDR4的區(qū)別到底在哪里？LPDDR4X在LPDDR4的基礎(chǔ)上有哪些提升？
2021-06-18 09:07:43
LPDDR4、LPDDR3與LPDDR4X分別是什么？LPDDR4與LPDDR3區(qū)別是什么？LPDDR4X與LPDDR4區(qū)別是什么？
2021-06-18 07:59:30
什么是LPDDR5？LPDDR4又是什么？LPDDR5相對(duì)于LPDDR4，性能上又有哪些提升呢？
2021-06-18 08:22:53
如題降低lpddr4時(shí)鐘頻率為800M，使用lpddr4型號(hào)為MT53E1536M32D4DT-046
應(yīng)用MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v8.xlsx配置lpddr4如下
應(yīng)用工
2023-06-02 07:26:51
的上方依舊配置了麥克風(fēng)和130萬(wàn)像素的攝像頭。作為12寸的筆記本，1520g的整機(jī)重量，攜帶起來(lái)還是比較方便?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三星NC20-KA01采用英特爾Atom N270處理器，英特爾945。此外本本還標(biāo)配
2009-07-02 09:09:38
上是天價(jià)了！如果搭配一部低端普通的手機(jī)使用，簡(jiǎn)直就是“門(mén)不當(dāng)戶不對(duì)”嘛！那這么高端昂貴的存儲(chǔ)卡到底有何特殊之處呢？據(jù)三星官方解釋道，該存儲(chǔ)卡的讀取傳輸速度最快可達(dá)95MB/s，寫(xiě)入傳輸速度最高可達(dá)
2015-12-16 11:31:26
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
服務(wù)器、行動(dòng)通信、車(chē)用等重要用途，展示了10nm、8Gb LPDDR 5的全球首個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)品。這個(gè)規(guī)格與LPDDR4相較，大概快了1.5倍，大約是6400Mb/s的速度，耗電也減少30%，每秒可以傳輸
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的半導(dǎo)體封裝。同年，三星電子成為世界第一個(gè)擁有4-GB半導(dǎo)體處理生產(chǎn)技術(shù)的廠商 1999年7月三星電子世界第一個(gè)1GDDRDRAM芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，并引入世界最快的3DGraphics圖形卡專(zhuān)用
2019-04-24 17:17:53
嗨，考慮到所有因素，設(shè)備BRAM的最高速度是多少，它是FPGA速度的25/50 / 75％？是的我知道外部延遲和路由將最終控制最大值，但有任何技術(shù)考慮因素表明BRAM只能以設(shè)備速度的百分比計(jì)時(shí)。C。
2020-06-02 11:57:26
STM32F4的PWM最高速度
2023-09-22 08:09:04
單相串勵(lì)電機(jī)轉(zhuǎn)速太快怎么辦？能把最高速度減下來(lái)嗎？
2023-03-20 14:05:50
年收購(gòu)電子芯片，收購(gòu)電子IC，收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片，收購(gòu)內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
我需要幫助尋找用于 imx8m-plus 的替代可用 LPDDR4 6GB，因?yàn)橛糜陂_(kāi)發(fā)板的 LPDDR4 不可用。
2023-05-09 07:33:34
`日前，三星宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)界首款基于12GB LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP產(chǎn)品。美光也曾推出了uMCP產(chǎn)品，基于1znm LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP4，可提供從
2019-12-25 14:38:44
2019年下半年開(kāi)始了，新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來(lái)越大，6GB只是起步，8GB才算是標(biāo)準(zhǔn)，而除了容量更大、頻率越高之外，手機(jī)內(nèi)存還有趨勢(shì)，那就是LPDDR4X類(lèi)型的內(nèi)存越來(lái)越多，與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4
2019-07-03 11:39:09
請(qǐng)幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案？
2023-05-06 08:09:49
請(qǐng)問(wèn)下：CC2541 SPI 最高速度可以到多少？
2020-04-01 09:59:14
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 3月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。
2011-03-25 10:45:301048 關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開(kāi)發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后，不到九個(gè)月又成功開(kāi)發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597 日前在深圳召開(kāi)的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國(guó)OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來(lái)更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 LPDDR4 內(nèi)存，而 SK Hynix 則是在 12 月 21 日，足足晚了 2 個(gè)月。目前 8GB（64Gb）的 LPDDR4 內(nèi)存將由 4 顆 16Gb 內(nèi)存在同一封裝內(nèi)組成。
2016-12-22 09:40:382080 
現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432688 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM，將應(yīng)用于未來(lái)智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 說(shuō)到性能最強(qiáng)的M.2 SSD，那非三星的960 PRO莫屬，在目前絕大多數(shù)M.2 SSD的最高速度只有2600MB/s的時(shí)候，這款產(chǎn)品的最高速度竟達(dá)到了3500MB/s之高，這速度可是相當(dāng)驚人
2017-02-10 17:05:015854 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 2017年新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來(lái)越大，4GB只是起步，6GB才算是標(biāo)準(zhǔn)，而除了容量更大、頻率越高之外，手機(jī)內(nèi)存還有趨勢(shì)，那就是LPDDR4X類(lèi)型的內(nèi)存越來(lái)越多，與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4內(nèi)存相比它的多數(shù)指標(biāo)相同，但是電壓更低，有效降低了內(nèi)存能耗，降幅40%以上也不奇怪。
2017-05-09 16:21:3776013 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開(kāi)始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012034 三星電子ISOCELL Fast 2L3的圖像傳感器采用三層堆疊式結(jié)構(gòu)，在原有的像素層和模擬邏輯層下，加入了2Gb的移動(dòng)DRAM（LPDDR4）層。
2018-03-09 16:43:001308 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%，同時(shí)功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004089 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤(pán)，型號(hào)“PM883”，最大特點(diǎn)是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格，主控方案未知（估計(jì)是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216 12月20日，三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 DRAM芯片組成。三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級(jí)16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 4月25日，三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)汽車(chē)用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車(chē)應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 半導(dǎo)體公司已經(jīng)將樣品出貨給客戶，并預(yù)計(jì)在年底量產(chǎn)。 LPDDR3 是當(dāng)前最快移動(dòng) DRAM，常常被應(yīng)用在三星 Galaxy S4 之類(lèi)的高端智能手機(jī)上。早在今年 4 月份，三星宣稱自己成為首家量產(chǎn) 4Gb
2018-10-28 00:44:011156 關(guān)鍵詞：LPDDR4 , Helio , P90 美光12Gb LPDDR4X DRAM已在聯(lián)發(fā)科技Helio P90智能手機(jī)平臺(tái)的參考設(shè)計(jì)得到驗(yàn)證 芯片封裝的內(nèi)存容量翻倍，單臺(tái)智能手機(jī)容量可達(dá)
2018-12-17 16:00:01310 三星電子14日表示，將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動(dòng)式DRAM“12GB LPDDR4X”（Low Power Double Data Rate 4X）。
2019-03-18 16:52:13950 韓國(guó)三星官方在18日宣布，量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。該款DRAM針對(duì)未來(lái)智能手機(jī)中的5G和AI功能進(jìn)行了優(yōu)化。此外，三星還計(jì)劃本月底開(kāi)始大量生產(chǎn)12Gb的LPDDR5模組，每個(gè)
2019-07-18 16:10:563645 據(jù)安兔兔消息，三星宣布量產(chǎn) 12GB LPDDR5 內(nèi)存顆粒，計(jì)劃將于本月量產(chǎn) 容量為12GB的LPDDR5內(nèi)存。三星方面稱 LPDDR5 內(nèi)存要比目前的 LPDDR4X 內(nèi)存快 0.3 倍，同時(shí)
2019-07-23 17:38:073556 近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來(lái)智能手機(jī)，優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256 美光科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM （LPDRAM），顯示了美光為當(dāng)前和下一代移動(dòng)設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005102 10月24日，三星電子宣布，在業(yè)內(nèi)率先開(kāi)始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:061305 今日，根據(jù)微博大V“冰宇宙”爆料，即將到來(lái)的三星Galaxy S20系列智能手機(jī)最低配置下也將搭載12GB的LPDDR5 RAM，不要說(shuō)是手機(jī)了，這個(gè)規(guī)格甚至已經(jīng)超過(guò)了大多數(shù)人的電腦內(nèi)存容量。
2020-01-14 09:17:543087 三星近日發(fā)布了代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)單封片16GB容量的LPDDR5內(nèi)存，追上高端筆記本、游戲PC的水準(zhǔn)。
2020-02-25 13:53:423612 
近日三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存，而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps，是LPDDR4X-4266的1.3倍，功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372 三星宣布量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款12Gb LPDDR5，距離12Gb LPDDR4X量產(chǎn)僅僅5個(gè)月的時(shí)間，三星將晚些時(shí)候開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于8個(gè)12Gb芯片封裝的12GB LPDDR5產(chǎn)品，2020年開(kāi)發(fā)16Gb LPDDR5，以鞏固其在全球DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2020-07-30 11:28:481789 在D1z技術(shù)節(jié)點(diǎn)部份，三星的D1z 12Gb LPDDR5比前一代的D1y 12Gb版本在產(chǎn)量上多了15%，設(shè)計(jì)規(guī)則(D/R)則從(前一代D1y制程) 17.1奈米，微縮至15.7奈米。
2021-03-02 14:48:175152 
LPDDR4 緩存、2TB 版本搭載 2GB LPDDR4 緩存、4TB 版本搭載 4GB LPDDR4 緩存。 速度方面，三星 870 EVO 連續(xù)讀取速度 560MB/s，連續(xù)寫(xiě)入速度 530MB/s，隨機(jī)讀取速度分別為 98k 和 88k IOPS。 目前，三星尚未公布何時(shí)發(fā)
2021-01-19 17:52:314575 三星8GB LPDDR3 SDRAM產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
2021-06-03 09:49:46
41 相比，全新uMCP還利用了最快的 UFS 3.1 存儲(chǔ)芯片，連續(xù)讀取性能翻了一番，下載速度提高了 20%。三星的uMCP芯片這次將LPDDR5 DRAM和UFS 3.1
2021-06-23 14:55:093005 與LPDDR4X規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)的combo PHY。這個(gè)基于三星14LPC FinFET工藝的IP解決方案已通過(guò)硅驗(yàn)證，不但面積小且功耗低，傳輸速度更可達(dá)4.2Gbps，特別適用于多媒體、AR/VR、AI邊緣計(jì)算、AIoT、IIoT、機(jī)器人、多功能打印機(jī)、SSD、5G與網(wǎng)絡(luò)通訊等各式ASIC應(yīng)用。
2021-06-30 14:08:083168 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開(kāi)發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過(guò)12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過(guò)類(lèi)似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 DRAM 存儲(chǔ)器是任何計(jì)算設(shè)備的“心臟”，例如智能手機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的內(nèi)存速度和效率。它支持高達(dá) 4267Mbps
2023-05-26 14:34:078462 
的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:4412278 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:461179 已保留有6位SDR空間。最后，它占用的片上空間更少，單個(gè)封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是，LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容，它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:3624155 
三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開(kāi)始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開(kāi)發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241721 長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝，這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566 相比上一代LPDDR4，長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%，達(dá)到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度來(lái)看，LPDDR5芯片能夠?yàn)橐苿?dòng)電子設(shè)備帶來(lái)更快的速度和更低的功耗。
2023-11-29 17:34:162398 三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問(wèn)三星今后將開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開(kāi)了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161331 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列
2023-12-03 11:30:001855 
LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-13 11:12:081384 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511278 值得注意的是，此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級(jí)制程工藝，相較前代產(chǎn)品性能提升超過(guò)25%，容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383 深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開(kāi)始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星在
2024-08-06 08:32:461003 三星電子于6日正式宣布，其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級(jí)低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲(chǔ)器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時(shí)提供12GB及16GB的存儲(chǔ)容量選項(xiàng)。
2024-08-06 15:30:421414 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AM625SIP處理器如何透過(guò)整合LPDDR4，加快開(kāi)發(fā)速度.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-28 10:47:260 近日，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平，更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431426 三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達(dá)42.5Gbps，專(zhuān)為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得益于多項(xiàng)改進(jìn)與更新，該芯片相比前代在密度上提升
2024-10-22 15:13:373216 三星 K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4
2025-07-21 14:47:090
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