8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
5509 2020年的高端手機(jī)在用的幾個(gè)熱門技術(shù)有LPDDR5、UFS3.0、WiFi6和140Hz，到目前為止，使用了LPDDR5的手機(jī)有小米10、iQOO3、三星Galaxy S20系列手機(jī)等等。為何這些
2020-06-05 09:55:1122617 電子發(fā)燒友報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗要比
2021-10-09 09:17:004872 最近三星公司剛剛公布了旗下首個(gè)8GB低功率的LPDDR4內(nèi)存芯片，并且可以在移動(dòng)設(shè)備大小的多層結(jié)構(gòu)芯片中肩負(fù)4GB運(yùn)行內(nèi)存的功能。
2014-01-02 09:33:44919 FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺(tái)積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在 2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。
2015-05-28 10:23:161272 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對(duì)手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 網(wǎng)上對(duì)Galaxy S8的三大預(yù)測(cè)：1、Galaxy S8手機(jī)將配置8GB運(yùn)行內(nèi)存，內(nèi)存芯片采用三星自家10納米工藝制造；2、據(jù)高盛預(yù)測(cè)，由于原材料成本較高、安全性檢查等多因素影響，三星可能將Galaxy S8的零售價(jià)格提高15%-20%；3、2017年三星會(huì)推出6英寸的S8 Plus。
2016-12-26 11:26:391140 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 此外，三星還計(jì)劃在今年下半年批量生產(chǎn)基于第三代10nm 級(jí)(1z)工藝技術(shù)的16Gb LPDDR5產(chǎn)品，以配合6400Mb / s 芯片組的開發(fā)。這將有利于三星進(jìn)一步鞏固其在高端移動(dòng)設(shè)備、高端個(gè)人電腦和汽車應(yīng)用程序等市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 配置：128+8GB，128+12GB，256+8GB和256+12GB。 美光uMCP5搭載美光LPDDR5內(nèi)存、高可靠性NAND以及UFS3.1控制器，將高性能、高密度及低功耗的內(nèi)存和存儲(chǔ)集成在一個(gè)
2020-10-21 10:47:355431 6月16日，三星電子宣布，6月開始量產(chǎn)其最新的智能手機(jī)內(nèi)存解決方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封裝uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5?DRAM 和最新的UFS3.1?NAND
2021-06-17 07:08:004659 -Ultra-Pro DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內(nèi)存，采用該公司第五代10nm級(jí)DRAM工藝制造，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.05V。即便在0.9伏的低電壓環(huán)境下，也能穩(wěn)定
2025-02-28 00:07:006343 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
的商機(jī)仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實(shí)下，2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
以些許性能優(yōu)勢(shì)擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨(dú)拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設(shè)計(jì)了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
我們使用i.MX8MPlus運(yùn)行Windows 10 IoT系統(tǒng)，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運(yùn)行
2023-03-17 09:03:23
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭(zhēng)，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
2019年下半年開始了，新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來越大，6GB只是起步，8GB才算是標(biāo)準(zhǔn)，而除了容量更大、頻率越高之外，手機(jī)內(nèi)存還有趨勢(shì)，那就是LPDDR4X類型的內(nèi)存越來越多，與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR
2019-07-03 11:39:09
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動(dòng)生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 日前在深圳召開的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國(guó)OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 在 Samsung Electronics 之后，SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手機(jī)用的 8GB
2016-12-22 09:40:382079 
現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 一直以來，三星的旗艦產(chǎn)品在配置方面幾乎都是頂級(jí)的，唯獨(dú)在運(yùn)存方面，今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的運(yùn)存，或許在明年運(yùn)存將不再是三星手機(jī)的槽點(diǎn)，因?yàn)榻沼邢⒎Q三星Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片。
2016-12-27 09:08:45713 2017年即將到來，三星電子最新旗艦三星Galaxy S8將于2017年三月份正式發(fā)布上市，關(guān)于三星Galaxy S8的小道消息得知，三星Galaxy S8將會(huì)沿襲三星note7的外觀設(shè)計(jì)，并且首次將會(huì)配備全球首款8GB內(nèi)存。
2016-12-27 11:49:081014 2017年即將到來，三星電子最新旗艦三星Galaxy S8將于2017年三月份正式發(fā)布上市，關(guān)于三星Galaxy S8的小道消息得知，三星Galaxy S8將會(huì)沿襲三星note7的外觀設(shè)計(jì)，并且首次將會(huì)配備全球首款8GB內(nèi)存。
2016-12-28 13:45:001520 不知道大家是不是還記得在今年10月份左右的時(shí)候，有韓國(guó)媒體稱，三星一位高管因?yàn)橄蛑袊?guó)公司泄露14/10nm工藝機(jī)密而被警方逮捕，報(bào)道還稱三星將在Galaxy S8上首次使用10nm Exynos
2016-12-29 11:52:361913 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動(dòng)SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 在去年三星電信設(shè)備營(yíng)收得到了很大的漲幅，更是刺激了三星持續(xù)投入電信設(shè)備業(yè)務(wù)，三星一直將華為最為強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)剛好給三星提供機(jī)會(huì)，據(jù)悉，三星計(jì)劃將在2019年量產(chǎn)5G芯片。
2018-01-19 11:47:561048 業(yè)界首款16Gb GDDR6顯存芯片即將投入量產(chǎn)，傳可提供72GB/s的數(shù)據(jù)傳輸率，使用的是10nm級(jí)工藝，三星稱功耗會(huì)降低35%。
2018-01-19 14:34:371348 LPDDR5 存儲(chǔ)器的測(cè)試。市場(chǎng)預(yù)估，在三星推出 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器之后，在 2019 年問世的三星 Galaxy S10 智能型手機(jī)要用 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器應(yīng)該也就是在計(jì)劃中了。
2018-07-18 17:56:004088 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 6400 Mps，大約是現(xiàn)在 iPhone X 上所采用的 LPDDR4X 的 1.5 倍。三星方面表示，LPDDR5 內(nèi)存可以每秒傳輸 51.2G 的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于 14 部 3.7G 大的 1080P 高清視頻文件。
2018-07-29 10:28:005226 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 在高通在香港舉行的4G / 5G峰會(huì)上，三星宣布將于2019年起推行UFS 3.0存儲(chǔ)芯片的商用進(jìn)程，2020年推行LPDDR5運(yùn)行內(nèi)存芯片的商用進(jìn)程，以適應(yīng)5G網(wǎng)絡(luò)的普及和發(fā)展。據(jù)悉，三星推出
2018-10-26 10:34:526105 半導(dǎo)體公司已經(jīng)將樣品出貨給客戶，并預(yù)計(jì)在年底量產(chǎn)。 LPDDR3 是當(dāng)前最快移動(dòng) DRAM，常常被應(yīng)用在三星 Galaxy S4 之類的高端智能手機(jī)上。早在今年 4 月份，三星宣稱自己成為首家量產(chǎn) 4Gb
2018-10-28 00:44:011156 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 韓國(guó)三星官方在18日宣布，量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。該款DRAM針對(duì)未來智能手機(jī)中的5G和AI功能進(jìn)行了優(yōu)化。此外，三星還計(jì)劃本月底開始大量生產(chǎn)12Gb的LPDDR5模組，每個(gè)
2019-07-18 16:10:563645 據(jù)安兔兔消息，三星宣布量產(chǎn) 12GB LPDDR5 內(nèi)存顆粒，計(jì)劃將于本月量產(chǎn) 容量為12GB的LPDDR5內(nèi)存。三星方面稱 LPDDR5 內(nèi)存要比目前的 LPDDR4X 內(nèi)存快 0.3 倍，同時(shí)
2019-07-23 17:38:073556 近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來智能手機(jī)，優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256 除了臺(tái)積電，三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn)：7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后，按照官方最新給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn)，4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:433408 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月24日，三星電子宣布，在業(yè)內(nèi)率先開始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:061305 其中，芝奇DDR4 4266MHz 8GB成為年度最強(qiáng)內(nèi)存，以11008.9的得分位居PC內(nèi)存性能榜第一。該內(nèi)存基于三星B-dieIC顆粒，支持Intel XMP 2.0規(guī)范，用戶可輕松實(shí)現(xiàn)超頻。同時(shí)還滿足高速、低延遲、大容量、RGB燈效等多重需求，是魯大師2019“牛角尖”獎(jiǎng)最強(qiáng)內(nèi)存條得主。
2020-01-08 13:45:072367 今日，根據(jù)微博大V“冰宇宙”爆料，即將到來的三星Galaxy S20系列智能手機(jī)最低配置下也將搭載12GB的LPDDR5 RAM，不要說是手機(jī)了，這個(gè)規(guī)格甚至已經(jīng)超過了大多數(shù)人的電腦內(nèi)存容量。
2020-01-14 09:17:543086 2月6日消息，官方宣布小米10系列搭載LPDDR5內(nèi)存。雷軍介紹，LPDDR5初期成本比較貴，原本計(jì)劃只在小米10高配上采用，然而經(jīng)過反復(fù)討論，LPDDR5對(duì)手機(jī)性能提升非常明顯，要讓所有小米10用戶用上LPDDR5，哪怕成本貴不少。最后決定：小米10全線采用LPDDR5。
2020-02-06 15:31:424674 今天上午，小米官方宣布小米10將是全國(guó)首款LPDDR5手機(jī)。隨后，中興中興通訊消費(fèi)者體驗(yàn)部部長(zhǎng)呂錢浩在微博宣布，中興天機(jī)Axon 10s Pro也配備LPDDR5內(nèi)存。
2020-02-06 18:14:253092 2月6號(hào)晚上，小米CEO雷軍更新消息，小米10全線采用LPDDR5 ，不僅會(huì)搭載美光的LPDDR5 內(nèi)存，同時(shí)也會(huì)搭載三星的LPDDR5內(nèi)存。雷軍還特別強(qiáng)調(diào)，附圖是三星公眾號(hào)中的圖，不是小米10的渲染圖。
2020-02-07 15:03:223209 2月6號(hào)上午，美光科技宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。之后小米方面也科普了有關(guān)LPDDR5內(nèi)存相關(guān)信息，雷軍也在微博中稱LPDDR5內(nèi)存對(duì)智能手機(jī)性能提升影響巨大。
2020-02-07 16:08:073180 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 三星今日宣布，已開始量產(chǎn)單封片16GB容量的LPDDR5內(nèi)存，追上高端筆記本、游戲PC的水準(zhǔn)。
2020-02-25 13:53:423606 
近日三星宣布開始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存，而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps，是LPDDR4X-4266的1.3倍，功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372 2020年的旗艦中，最大的一個(gè)變化就是基本都采用了LPDDR5內(nèi)存。其中，小米10首發(fā)了美光的LPDDR5內(nèi)存。
2020-02-29 09:54:3418867 2020年2月12日，三星發(fā)布了新一代的旗艦Galaxy S系列手機(jī)，包括S20、S20+、S20 Ultra，同時(shí)業(yè)內(nèi)首發(fā)LPDDR5內(nèi)存！
2020-02-29 10:20:531484 三星現(xiàn)在已經(jīng)開始在旗艦智能手機(jī)上部署業(yè)界首個(gè)16GB LPDDR5內(nèi)存顆粒封裝，新的內(nèi)存顆粒不僅比上一代擁有更高的容量，速率也比上一代LPDDR4X-4266快30%。
2020-02-29 10:22:493177 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 2019年2月，JEDEC正式發(fā)布LPDDR5全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，即Low Power Double Data Rate 5。相較于LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200MT/s提升到
2020-07-06 17:00:5133376 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 三星宣布量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款12Gb LPDDR5，距離12Gb LPDDR4X量產(chǎn)僅僅5個(gè)月的時(shí)間，三星將晚些時(shí)候開始大規(guī)模生產(chǎn)基于8個(gè)12Gb芯片封裝的12GB LPDDR5產(chǎn)品，2020年開發(fā)16Gb LPDDR5，以鞏固其在全球DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2020-07-30 11:28:481789 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:3811015 ，LPDDR5有望對(duì)下一代便攜電子設(shè)備（手機(jī)、平板）的性能產(chǎn)生巨大提升。 美光率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存，小米10首發(fā) 今年2月，內(nèi)存大廠美光率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片，并同時(shí)宣布首發(fā)于小米
2020-10-27 11:40:032918 
在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058 三星8GB LPDDR3 SDRAM產(chǎn)品規(guī)格書
2021-06-03 09:49:46
41 2021年6月10日，今年2月，美光宣布已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5） 內(nèi)存。該款內(nèi)存經(jīng)過硬件評(píng)估，滿足最高級(jí)別的汽車安全完整性等級(jí) （ASIL） 標(biāo)準(zhǔn)，即
2021-06-23 14:39:0610715 近日，三星已在其韓國(guó)的工廠，大規(guī)模量產(chǎn)新款5代uMCP芯片，無疑，這將改變了現(xiàn)在所有中、高端智能手機(jī)的硬件格局?；?uMCP4 框架，全新uMCP 5使用 LPDDR5 內(nèi)存優(yōu)化 5G 網(wǎng)絡(luò)
2021-06-23 14:55:093005 日前，三星宣布用于移動(dòng)設(shè)備的最新多芯片封裝LPDDR5 uMCP開始大規(guī)模量產(chǎn)，并完成了LPDDR5 uMCP和國(guó)內(nèi)幾家智能手機(jī)制造商的兼容性測(cè)試。隨著5G設(shè)備成為主流，以及搭載了三星新一代LPDDR5 uMCP芯片的移動(dòng)設(shè)備上市，更多中高端智能手機(jī)用戶將感受到類似旗艦機(jī)性能的流暢體驗(yàn)。
2021-09-30 14:31:183879 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗
2021-10-12 11:16:232425 ， LPDDR5 內(nèi)存，也就是說蘋果手機(jī)的整體配置將上一個(gè)檔次。 在TrendForce的報(bào)告中透露iPhone 15 Pro 機(jī)型可能配備 8GB 內(nèi)存，而現(xiàn)有 iPhone 14 Pro的內(nèi)存容量是6GB
2023-02-22 19:46:501464 
其中一名知情人士透露，“針對(duì)任天堂的需求，
三星 8nm 制程很適宜。此外，結(jié)合 128 bit
LPDDR5 內(nèi)存，任天堂可自由選擇
8GB、12
GB 甚至 16
GB 的
內(nèi)存配置?！?/div>
2024-03-01 11:14:392756 深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星在
2024-08-06 08:32:461003 三星電子今日正式宣告，其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝，以驚人的0.65mm封裝高度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減，縮減幅度高達(dá)9%，展現(xiàn)了三星在內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新能力。
2024-08-07 11:21:461830 已全部加載完成
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