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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電

三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電

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2016-07-21 17:07:54

手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存 LPDDR 4XLPDDR4的基礎(chǔ)上有哪些提升

內(nèi)存相比它的多數(shù)指標(biāo)相同,但是電壓更低,有效降低了內(nèi)存能耗,降幅可達(dá)到40%以上,節(jié)能省電。 現(xiàn)今LPDDR4XLPDDR4經(jīng)常同時出現(xiàn),在購買手機(jī)時,者也容易讓人混淆,宏旺半導(dǎo)體ICMAX
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特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星10nm工藝
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三星宣布第二代10nm制程已完成開發(fā)

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三星芯片業(yè)務(wù)再登臺階,第二代10nm今年內(nèi)量產(chǎn)!

前進(jìn)的步伐還是不會被徹底推翻的??萍嫉膭?chuàng)新也不會因此而止步。日前,三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片,三星電子在4月20日正式宣布,他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗證工作,同時即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852

三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開發(fā)下一手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938

7nm工藝研發(fā)進(jìn)程,三星有望再次領(lǐng)先全球!

臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中,三星則宣布已推出第二代10nm工藝,這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗,而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815

Intel 10nm處理器流片 第二代10nm產(chǎn)品起碼等到2019年

Digitimes發(fā)布消息稱,英特爾可以按計劃在今年底首發(fā)10nm處理器,但僅限低功耗移動平臺,預(yù)計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周,英特爾剛宣布,第一基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工,同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計。
2017-06-15 11:43:441592

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit(Gb)LPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824

三星10nm SoC第二代量產(chǎn),預(yù)計明年推出

第二代10nm工藝即LPP(Low Power Plus),比LPE(Low Power Early)的性能提升了10%,功耗降低了15%,首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報道,三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù),比初10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場商機(jī)

三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前,90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019

三星Galaxy S9將使用第二代10納米LPP處理器

之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組,但是根據(jù)今日最新消息,或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組,同時三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器,并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667

三星Exynos 9810規(guī)格曝光 單核處理速度提高2倍 支持3D人臉掃描

三星旗艦芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工藝打造,官方確認(rèn)支持3D面部識別,單核處理速度可提高約2倍。
2018-02-06 12:54:471176

三星著眼量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存顆粒,或?qū)⒚髂陸?yīng)用到三星

LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 6400 Mps,大約是現(xiàn)在 iPhone X 上所采用的 LPDDR4X 的 1.5 倍。三星方面表示,LPDDR5 內(nèi)存可以每秒傳輸 51.2G 的數(shù)據(jù),相當(dāng)于 14 部 3.7G 大的 1080P 高清視頻文件。
2018-07-29 10:28:005226

三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102

三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722

三星成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動設(shè)備

三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來,三星開始LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備手機(jī)、平板合一電腦,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625

備戰(zhàn)下一顯卡,三星搶先量產(chǎn)16Gb的GDDR6內(nèi)存芯片

如之前預(yù)告的那樣,在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837

三星第二代NPU已完成開發(fā),將應(yīng)用于Galaxy S10和Note 10

三星前硬件設(shè)計工程師近日在LinkedIn透露,三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細(xì)節(jié)仍不得而知,但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機(jī)SoC,核心配置核心為2、2和4個。
2018-10-11 10:39:134633

華虹半導(dǎo)體第二代BCD工藝平臺成功量產(chǎn)

2018年1010日,華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn),該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少優(yōu)勢,對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-16 15:41:179230

三星7nm LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196

三星Exynos9810解讀 與驍龍845哪個更好

1月4日,三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級移動處理器,基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造,與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面,相較第一LPE (Low Power Early),新工藝就可讓芯片性能提升10%,功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659

主流代工廠芯片制造工藝主要晶圓廠的最新工藝進(jìn)展

在2018年初,三星宣布開始批量生產(chǎn)名為0LPP(low power plus)的第二代10nm工藝。在2018年晚些時候,三星推出了名為10LPU(low power ultimate)的第三代
2019-02-25 16:29:087303

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840

三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592

Intel正式宣布第二代10nm工藝的處理器TigerLake 使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核

2019年就要正式量產(chǎn)了,6月份就會發(fā)布10nm Ice Lake處理器,今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake,將會使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:032265

美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364

Intel第二代10nm Tiger LakeU系列或超越AMD桌面高端銳龍9 3900X

10nm Ice Lake還沒有全面鋪開,Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相,不過首發(fā)還是面向輕薄本設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331

Intel明年初將開始陸續(xù)擴(kuò)大10nm+工藝到桌面及服務(wù)器市場

經(jīng)過多次磨煉之后,Intel今年量產(chǎn)10nm工藝,而且是第二代10nm+工藝,目前有Ice Lake處理器,使用了全新的Sunny Cove微內(nèi)核架構(gòu),現(xiàn)在主要用于移動處理器,明年初開始會陸續(xù)擴(kuò)大到桌面、服務(wù)器市場。
2019-11-09 10:18:46751

三星為滿足市場需求 率先量產(chǎn)12GB容量的多芯片LPDDR4X內(nèi)存

10月24日,三星電子宣布,在業(yè)內(nèi)率先開始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:061305

三星第二代無線耳機(jī)信息曝光,支持主動降噪技術(shù)

12月4日消息 三星正在為其即將推出的智能手機(jī)Galaxy S11,S11 Plus和S11e進(jìn)行最后潤色,預(yù)計將在明年2月發(fā)布,屆時這家韓國制造商還有望推出其第二代無線耳機(jī),現(xiàn)在該耳機(jī)的信息已經(jīng)曝光。
2019-12-04 14:35:294304

三星16GB LPDDR5宣布量產(chǎn),可節(jié)省超過20%的功耗

三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝,基于三星第二代10nm工藝技術(shù),可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量,用于下一高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465

三星16GB LPDDR5內(nèi)存開始量產(chǎn),內(nèi)存速率有5500Mps

近日三星宣布開始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存,而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps,是LPDDR4X-4266的1.3倍,功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372

聯(lián)想YOGA 2020銳龍版采用雙通道板載內(nèi)存,搭載LPDDR4X內(nèi)存

  3月10日消息,AMD 在CES 2020上發(fā)布了7nm工藝的銳龍移動處理器,根據(jù)官方的數(shù)據(jù),新一的APU支持了DDR4 3200和LPDDR4X 4266內(nèi)存?,F(xiàn)在根據(jù)聯(lián)想方面的消息,即將推出的新款YOGA 2020銳龍版筆記本將搭載LPDDR4X 4266內(nèi)存。
2020-03-10 15:32:555815

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544

臺積電第二代 5nm 工藝性能提升水平有望高于預(yù)期

季度為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺積電的 5nm 工藝也不只一,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間,臺積電曾披露,同第一 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:022235

消息稱臺積電第二代3nm工藝計劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報道來看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報道臺積電會推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:462211

vivo預(yù)熱X60系列:采用第二代微云臺

? ?vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新機(jī)并表示將于 12 月 29 日發(fā)布。vivo X60 系列主打第二代微云臺以及蔡司光學(xué)鏡頭,將全球首發(fā)三星 5nm 工藝 Exynos
2020-12-22 10:53:582274

Intel的10nm工藝成功解決產(chǎn)能、性能問題

隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn),Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能問題,現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin(以下簡稱10nm SF)工藝,下半年則會有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝,12酷睿會首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283786

高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識別器 可使手機(jī)解鎖速度快50%

支付方法和電子設(shè)備,該語音支付方法有助于提升語音支付的安全性,適用于人工智能終端電子設(shè)備。 ? 產(chǎn)業(yè)要聞 ? 高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識別器 可使手機(jī)解鎖速度快50% 1月12日消息,據(jù)國外媒體報道,芯片巨頭高通發(fā)布了第二代超聲波屏
2021-01-18 10:12:194668

三星新一LPDDR5 uMCP芯片移動設(shè)備上市

日前,三星宣布用于移動設(shè)備的最新多芯片封裝LPDDR5 uMCP開始大規(guī)模量產(chǎn),并完成了LPDDR5 uMCP和國內(nèi)幾家智能手機(jī)制造商的兼容性測試。隨著5G設(shè)備成為主流,以及搭載了三星新一LPDDR5 uMCP芯片的移動設(shè)備上市,更多中高端智能手機(jī)用戶將感受到類似旗艦機(jī)性能的流暢體驗。
2021-09-30 14:31:183879

谷歌第二代Tensor將由三星4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片,第一在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451942

三星與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤

  據(jù)消息報道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計的,因為移動設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:4412273

lpddr4x過時了嗎?lpddr4x顯卡怎么樣?電腦LPDDR4X夠用嗎?

lpddr4x過時了嗎?lpddr4x顯卡怎么樣?電腦LPDDR4X夠用嗎?? LPDDR4X是低功耗雙數(shù)據(jù)速率第四SDRAM的一種版本,主要用于低功耗移動設(shè)備。它在功耗、性能和尺寸上,都有了很大
2023-08-21 17:16:468082

筆記本lpddr4xlpddr5區(qū)別?

筆記本lpddr4xlpddr5區(qū)別?? LPDDR4XLPDDR5都是一種低功耗雙向數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn),是現(xiàn)代智能手機(jī)平板電腦移動設(shè)備的主要內(nèi)存類型。這兩種技術(shù)從設(shè)計上就注重了對移動設(shè)備電池續(xù)航
2023-08-21 17:28:278802

lpddr4xlpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大

lpddr4xlpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦消費(fèi)電子產(chǎn)品的不斷升級和發(fā)展,人們對設(shè)備運(yùn)行速度和效率的要求也越來越高。在這樣的背景下
2023-08-21 17:28:2934839

lpddr5是什么意思?lpddr5和lpddr4x提升了多少?

LPDDR4X的升級版本,帶來了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。 在移動設(shè)備領(lǐng)域,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一。它對性能、電池續(xù)航時間和穩(wěn)定性都有著重要的影響。隨著智能手機(jī)平板電腦和筆記本電腦的功能和復(fù)雜性不斷提高,人們對內(nèi)存的需求也越來越高。因此,內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展變
2023-08-21 17:28:3214725

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:141629

三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)!

據(jù)報道,三星預(yù)計在未來6個月時間內(nèi),讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上,三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:001249

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用

深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星
2024-08-06 08:32:461003

三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破

三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實(shí)現(xiàn)了對上一產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達(dá)9%,展現(xiàn)了三星內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新能力。
2024-08-07 11:21:461830

三星LPDDR4X車載內(nèi)存通過高通汽車模組驗證

三星電子近日宣布了一項重要進(jìn)展,其專為高級車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)及高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設(shè)計的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺的嚴(yán)格驗證。這一成就不僅標(biāo)志著三星在汽車電子領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力獲得行業(yè)巨頭認(rèn)可,也為未來智能汽車的發(fā)展注入了新的動力。
2024-08-27 16:02:561054

三星量產(chǎn)第四4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星量產(chǎn)第四4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四4nm工藝節(jié)點(diǎn)(SF4X)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208

三星3nm良率僅20%,仍不放棄Exynos 2500處理器,欲打造“十核怪獸”

,導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是,這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝,然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進(jìn)展不如預(yù)期 今年初,有知情人士向韓媒透露,三星已經(jīng)開始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝,被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004953

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