韓國《中央日報》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也
2019-05-22 10:25:42
5349 數(shù)據(jù)速率的DDR4。 這是三星自2017年底批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個月就開
2019-10-22 10:41:215509 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 最近三星公司剛剛公布了旗下首個8GB低功率的LPDDR4內(nèi)存芯片，并且可以在移動設(shè)備大小的多層結(jié)構(gòu)芯片中肩負(fù)4GB運(yùn)行內(nèi)存的功能。
2014-01-02 09:33:44919 在國際電子電路研討會大會（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:272068 三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 網(wǎng)上對Galaxy S8的三大預(yù)測：1、Galaxy S8手機(jī)將配置8GB運(yùn)行內(nèi)存，內(nèi)存芯片采用三星自家10納米工藝制造；2、據(jù)高盛預(yù)測，由于原材料成本較高、安全性檢查等多因素影響，三星可能將Galaxy S8的零售價格提高15%-20%；3、2017年三星會推出6英寸的S8 Plus。
2016-12-26 11:26:391140 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:015236 ，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔（TSV） 8 層技術(shù)，與DDR4相比，該技術(shù)使得DDR5的單個芯片能夠包含兩倍的堆棧數(shù)量。每個雙列直插式存儲模塊（DIMM）還提供高達(dá)512GB的存儲空間。其數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)4800 MT/s，專門用于
2020-02-16 07:34:001980 ，這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 轉(zhuǎn)向三星4納米工藝代工。報道指出，第二代驍龍4是該系列首款以4納米制程工藝打造的處理器，高通產(chǎn)品管理總監(jiān)Matthew Lopatka表示，第二代芯片采用了Kryo CPU，可延長電池續(xù)航，提升整體效率，最高主頻可達(dá)到2.2 GHz，CPU效能相較上一代提高10%，還將首次在驍龍4系列中支持DDR5，帶
2023-06-29 10:54:293316 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達(dá)成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006845 ，近期同樣規(guī)格的16Gb產(chǎn)品中，DDR4 16Gb（1GX16）與DDR5 16G（2Gx8）的價格差距已達(dá)到1倍。 ? CFM閃存市場表示，去年三
2025-06-27 00:27:004541 ，既有超強(qiáng)的性能，同時兼顧了低功耗的設(shè)計，外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2021-05-08 17:42:19
2133MT/s，運(yùn)作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
我們使用i.MX8MPlus運(yùn)行Windows 10 IoT系統(tǒng)，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運(yùn)行
2023-03-17 09:03:23
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
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2021-01-30 17:36:35
級緩存、單/雙精度浮點性能超過6/3TFlops、六通道DDR4和多通道16GB MCDRAM高帶寬內(nèi)存、Omni-Path全新自主光纖互連等。 在該芯片解密項目進(jìn)行中，我們深刻的認(rèn)識到國內(nèi)超級計算機(jī)研發(fā)
2015-11-30 14:54:14
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
季度開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps。 值得注意的是，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
高價回收三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 一直以來，三星的旗艦產(chǎn)品在配置方面幾乎都是頂級的，唯獨在運(yùn)存方面，今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的運(yùn)存，或許在明年運(yùn)存將不再是三星手機(jī)的槽點，因為近日有消息稱三星Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片。
2016-12-27 09:08:45713 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 前進(jìn)的步伐還是不會被徹底推翻的。科技的創(chuàng)新也不會因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗證工作，同時即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852 據(jù)韓媒報道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 A30的主要亮點一是高頻，二是自主研發(fā)的散熱裝甲（御風(fēng)者）。據(jù)悉，極光A30 DDR4內(nèi)存分為4GB/8GB/16GB可選，頻率達(dá)到2400MHz，比常規(guī)普條（2133Mhz）更高。
2017-11-09 14:07:021670 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 據(jù)報道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:004819 之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組，但是根據(jù)今日最新消息，或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組，同時三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器，并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 此次研發(fā)出的8Gb LPDDR5DRAM速度比現(xiàn)有高端手機(jī)所采用的DRAM(LPDDR4X, 4266Mb/s)高出1.5倍，可達(dá)6400Mb/s的速度。1秒即可傳輸14篇FHD電影（相當(dāng)于51.2GB）。
2018-07-23 15:01:005201 根據(jù)報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:213452 三星前硬件設(shè)計工程師近日在LinkedIn透露，三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細(xì)節(jié)仍不得而知，但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機(jī)SoC，核心配置核心為2、2和4個。
2018-10-11 10:39:134633 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級DRAM先進(jìn)制程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:006891 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認(rèn)，表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 12月8日消息，近日，七彩虹推出了兩款DDR4 普條，都是DDR4 2666頻率，8GB單條售價188元，16GB單條售價299元。
2019-12-09 15:49:497054 隨著現(xiàn)代計算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:471128 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620 FORESEE DDR4 SO-DIMM采用了黑色面板，頗具科技神秘感。內(nèi)存采用了單顆8Gb bit顆粒，正反共8顆，組成8GB的容量。顆粒為三星品牌，質(zhì)量及穩(wěn)定性方面都讓我們足夠信任。 另一面標(biāo)簽
2020-04-13 11:33:003453 在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086 的接觸點都采用了超量鍍銀金屬，增加高頻穩(wěn)定性。 IT之家了解到，本次共發(fā)布了兩個型號，分別為 iGame Vulcan DDR4 8
2020-12-25 10:31:313302 三星8GB LPDDR3 SDRAM產(chǎn)品規(guī)格書
2021-06-03 09:49:46
41 據(jù)媒體報道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 利用Arm內(nèi)核并采用客戶開發(fā)的相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)（IP）和軟件，三星第二代SmartSSD可實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理。相較于三星傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心SSD，對數(shù)據(jù)庫進(jìn)行重度掃描的查詢時長可縮短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高達(dá)97%。
2022-07-21 10:11:091229 據(jù)消息報道，三星電子近日宣布，該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤（SmartSSD），這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 -三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081808 新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預(yù)計將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:361349 臺積電是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，也是三星的主要競爭對手。雙方都在積極爭取客戶，并計劃在上半年實現(xiàn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-01-22 15:53:261324 據(jù)報道，韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片，稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個重要里程碑，因為三星與臺積電競爭下一代先進(jìn)工藝節(jié)點的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:141629 
近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371046 三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341119 2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714 
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