DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長(zhǎng)一段時(shí)間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來爆發(fā)期。
2015-08-24 08:23:55
1470 程度來說都很難說達(dá)標(biāo)。 隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR4內(nèi)存顆粒完全實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，真正意義上達(dá)到全球市場(chǎng)主流水平的國(guó)產(chǎn)電腦內(nèi)存產(chǎn)品終于問世了。 今天就帶來金百達(dá)采用長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測(cè)試報(bào)告。 內(nèi)存開箱與外觀： 金百達(dá)的內(nèi)存外觀上來說非
2020-07-29 14:59:1110373 一、前言：長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存，可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌，顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn)，不過這一次，臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存100%用了原廠顆粒，而且
2020-10-30 15:33:148573 相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:446127 
日本著名存儲(chǔ)設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453924 據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào)
2020-02-27 09:01:1110349 這幾年，國(guó)產(chǎn)軟硬件都在突飛猛進(jìn)，硬件方面處理器、內(nèi)存、閃存存儲(chǔ)紛紛取得新突破，但由于產(chǎn)能、應(yīng)用領(lǐng)域等各種原因，普通消費(fèi)市場(chǎng)上是不太容易看到的。 不久前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開始在官方網(wǎng)站上銷售DDR4臺(tái)式機(jī)
2020-04-24 09:58:247106 今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn)，并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:379678 合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出國(guó)產(chǎn)DDR4長(zhǎng)鑫顆粒。國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)品的優(yōu)劣需要市場(chǎng)的考較，近期臺(tái)電聯(lián)合長(zhǎng)鑫推出了純國(guó)產(chǎn)化DDR4內(nèi)存騰龍系列G40。
2020-09-25 18:52:244467 DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程（DDR~DDR4） 一、DDR DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹?b class="flag-6" style="color: red">DDR
2011-02-27 16:47:17
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
，除非將CPU和主板都更換為新平臺(tái)。內(nèi)存頻率提升頻率方面，DDR3內(nèi)存起始頻率為800，最高頻率達(dá)到了2133，DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133，量產(chǎn)產(chǎn)品最高頻率達(dá)到了3000，從內(nèi)存頻率來看
2019-07-25 14:08:13
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項(xiàng)目時(shí)，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr
2020-05-11 09:17:30
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
回收DDR4，收購DDR4,24h開心財(cái)富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專業(yè)高價(jià)回收flash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫。回收全新flash，回收
2021-09-08 14:59:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:462350 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:562016 vs STLL 驅(qū)動(dòng)DRAM工業(yè)發(fā)展的一個(gè)主要市場(chǎng)需求是對(duì)內(nèi)存器件的低功耗要求。介于這個(gè)原因，DDR4引入了一個(gè)新
2017-10-13 20:13:18
10 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5155968 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010 回首過去一年的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，漲價(jià)永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞，一連7個(gè)季度的漲價(jià)，這是由于閃存、內(nèi)存漲價(jià)有市場(chǎng)供需失衡的原因，中國(guó)在這個(gè)領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國(guó)產(chǎn)DDR4量產(chǎn)的希望。韓企壟斷的局面將被打破。
2017-12-28 16:48:211635 據(jù)報(bào)道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝，采用三星B-die顆粒，開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:382139 目前中國(guó)正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但是在內(nèi)存市場(chǎng)卻有一些缺憾，全球內(nèi)存市場(chǎng)幾乎被美國(guó)、韓國(guó)壟斷，去年的內(nèi)存價(jià)格居高不下?，F(xiàn)在目前國(guó)內(nèi)正在發(fā)展存儲(chǔ)芯片，國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步。
2018-03-01 10:12:0530615 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國(guó)產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國(guó)公司的顆粒，也就是說現(xiàn)在的國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場(chǎng)上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別，國(guó)產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠(chéng)，說紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013569 ，并開始設(shè)備安裝；2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4；2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月；2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。
2018-04-18 13:50:008123 
Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002644 近日不少有關(guān)國(guó)產(chǎn)自主DDR4內(nèi)存的報(bào)道，目前已有合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片?，F(xiàn)在最新消息，紫光宣布國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存2018年年底提前推向市場(chǎng)。
2018-08-07 16:42:502844 近期，臺(tái)電將會(huì)發(fā)布一款名為極光A30的DDR4入門內(nèi)存。今天就讓大家來先睹為快吧。
2018-08-28 10:47:009343 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2827840 Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級(jí)架構(gòu)，可
2018-11-30 05:33:004449 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐？
2019-07-02 15:30:133579 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性，增加了對(duì)寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測(cè)。
2019-07-26 14:34:0151736 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強(qiáng)勢(shì)崛起，這就是長(zhǎng)鑫。就在昨天的世界制造業(yè)大會(huì)上，投資1500億的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，一起亮相的還有與國(guó)際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571 最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:006891 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖，并計(jì)劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970 12月3日消息，根據(jù)消息報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖，并計(jì)劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838 12 月 10 日訊，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748 據(jù)網(wǎng)友分享，蘋果官網(wǎng)現(xiàn)已上架新款256GB（2x128GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件以及32GB（2x16GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件。
2019-12-30 15:54:046643 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620 2019年9月20日，合肥長(zhǎng)鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，他們成為第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對(duì)外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。
2020-02-28 09:31:364139 千呼萬喚始出來，前兩天國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻——合肥長(zhǎng)鑫的DDR4內(nèi)存終于開始對(duì)外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311 嚴(yán)格來說，合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中，但是紫光國(guó)微沒有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:113548 2019年國(guó)內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時(shí)取得了重大突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長(zhǎng)鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431694 2 月 28 日訊，國(guó)產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281708 江波龍電子旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:225961 江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2020-05-15 14:18:153534 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級(jí)架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲(chǔ)帶寬，并能夠
2020-05-28 15:00:575104 除了聯(lián)合江波龍發(fā)布全球最小尺寸的SATA SSD SL500 Mini，七彩虹今天還正式推出了自己的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條產(chǎn)品“國(guó)創(chuàng)·戰(zhàn)戟”系列，采用了合肥長(zhǎng)鑫的DDR4內(nèi)存顆粒，由江波龍代工生產(chǎn)。
2020-06-23 10:01:593311 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:472390 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:3811015 在2019年，國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大的突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5420208 
DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:553059 在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后，合肥長(zhǎng)鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:102504 供應(yīng)鏈的消息，1月份服務(wù)器DRAM價(jià)格止跌上漲，32GB DDR4 RDIMM合約價(jià)月增4.6％達(dá)115美元，64GB DDR4 LRDIMM合約價(jià)月增4.9％達(dá)235美元。 1月份PC標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格
2021-02-03 16:59:202336 合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立，從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn)，其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠商等應(yīng)用。
2021-03-05 10:49:037032 3月5日，合肥產(chǎn)投集團(tuán)官微發(fā)文《潮起正是揚(yáng)帆時(shí)——合肥產(chǎn)投集團(tuán)成立六周年發(fā)展紀(jì)實(shí)》，透露了合肥長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的產(chǎn)能情況。
2021-03-09 14:15:394379 DDR4意義就是把入門級(jí)內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-06 13:51:01165 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:488531 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:444033 ARES RGB DDR4?臺(tái)式電腦內(nèi)存 ? ? ?
2022-04-25 10:32:00989 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0562821 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1835674 摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:106055 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842 01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間：2024年7月6日（本周六）10：00地點(diǎn)：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號(hào)線，高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51979 
DDR4，即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個(gè)重要
2024-09-04 11:43:349814 DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的時(shí)鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系，這種關(guān)系對(duì)于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時(shí)鐘頻率和速率之間的關(guān)系，包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊?、如何衡量以及在?shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:278379 DDR4內(nèi)存作為當(dāng)前廣泛應(yīng)用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，盡管其性能穩(wěn)定且技術(shù)成熟，但在實(shí)際使用過程中仍可能遇到一些常見問題。
2024-09-04 12:35:046074 DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個(gè)隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前，DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結(jié)合多個(gè)方面來討論。
2024-09-04 12:37:1512516 ）的尋址原理是計(jì)算機(jī)內(nèi)存系統(tǒng)中至關(guān)重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，它決定了數(shù)據(jù)如何在內(nèi)存中被有效地存儲(chǔ)和訪問。DDR4的尋址原理復(fù)雜而高效，以下將詳細(xì)闡述其關(guān)鍵要素和工作流程。
2024-09-04 12:38:573356 DDR4（Double Data Rate 4）作為當(dāng)前主流的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個(gè)方面都有了顯著提升。
2024-09-04 12:43:1013367 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:256008 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:396941 DDR4（Double Data Rate 4）時(shí)序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時(shí)所需時(shí)間的一組關(guān)鍵參數(shù)，它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對(duì)DDR4時(shí)序參數(shù)的詳細(xì)解釋，涵蓋了主要的時(shí)序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:0711145 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場(chǎng)上最常
2024-11-20 14:24:2211366 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 DDR4內(nèi)存適合多種類型的主板，主要取決于主板的芯片組和處理器插槽類型。以下是一些常見的支持DDR4內(nèi)存的主板： 一、Intel平臺(tái)主板 Z系列主板 ： 如Z370、Z390、Z490、Z590等
2024-11-29 15:03:4715990 ，DDR5內(nèi)存已成為市場(chǎng)主流，并逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是，消費(fèi)級(jí)平臺(tái)已不再支持DDR4，這使得DDR4內(nèi)存開始加速向DDR3目前所占據(jù)的利基市場(chǎng)轉(zhuǎn)移。 若三大內(nèi)存原廠真的決定停產(chǎn)DDR3和DDR4，這無疑將對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。一方面，這將促使現(xiàn)有DDR3和DDR4內(nèi)存庫存
2025-02-19 11:11:513468 近兩年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層
2020-07-14 09:26:5712533
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