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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破

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長(zhǎng)存儲(chǔ)首次公開亮相談DARM技術(shù)的未來

在談到DRAM技術(shù)未來的發(fā)展時(shí),平博士首先強(qiáng)調(diào),DRAM是有它的極限的。我們通過改進(jìn),可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能,就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)選擇,這在未來幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展,滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代的需求。
2019-09-19 15:06:132836

長(zhǎng)存儲(chǔ)的野心能否撐起國(guó)產(chǎn)替代芯的一片天?

自從福建晉華遇到了極大麻煩后,其他本地廠商如合肥長(zhǎng),西安國(guó)芯的計(jì)劃似乎很有限,不太可能對(duì)全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為合肥長(zhǎng)長(zhǎng)存儲(chǔ)已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其自制
2019-12-16 17:28:0026019

3倍薪水猛挖角 大陸存儲(chǔ)器廠瞄準(zhǔn)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)和DRAM

大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)等陣營(yíng)陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:151867

合肥長(zhǎng)首座存儲(chǔ)器晶圓廠2017年七月動(dòng)工

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,大陸紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)及福建晉華都積極爭(zhēng)取大陸存儲(chǔ)器主導(dǎo)權(quán),隨著三大體系建廠計(jì)劃預(yù)定2018年量產(chǎn),三大體系將正面對(duì)決。長(zhǎng)日前正式曝光相關(guān)投資計(jì)劃,預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)
2016-12-19 14:49:258982

合肥長(zhǎng)DRAM正式投片,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)跨出重要一步

知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ),國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破,為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:056161

長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變

在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)(CFMS)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講,披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:004251

長(zhǎng)原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案

是來自于合肥長(zhǎng)的純國(guó)產(chǎn)CXMT DRAM芯片。 合肥長(zhǎng)作為國(guó)產(chǎn)DRAM芯片行業(yè)的代表,曾經(jīng)吸收過奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)的部分資源,這家德國(guó)DRAM廠商沒能等到熬過10年前的內(nèi)存寒冬,在破產(chǎn)后將2.8TB的技術(shù)文件以及16000相專利申請(qǐng)轉(zhuǎn)讓給了合肥長(zhǎng)。 經(jīng)過了足足
2020-10-30 15:33:148573

長(zhǎng)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)

6月12日,日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo),合肥長(zhǎng)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng):長(zhǎng)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)
2019-06-13 18:30:033778

長(zhǎng)存儲(chǔ)與藍(lán)鉑世簽署專利許可協(xié)議

日前,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱長(zhǎng)存儲(chǔ))與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.(以下簡(jiǎn)稱藍(lán)鉑世)簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議,長(zhǎng)存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱DRAM技術(shù)
2020-04-27 16:14:435261

長(zhǎng)存儲(chǔ)與Rambus簽署協(xié)議,可獲取更多有關(guān)DRAM的專利;三星電子目標(biāo)到 2030 年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球第一…

4 月 28 日訊,近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與美國(guó)半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專利許可協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,長(zhǎng)存儲(chǔ)從 Rambus 獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱“DRAM”)技術(shù)專利的實(shí)施許可
2020-04-29 09:27:385040

威剛導(dǎo)入長(zhǎng)存儲(chǔ)DDR4顆粒,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力

今年2月底,長(zhǎng)存儲(chǔ)官方宣布,符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn),并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:379678

長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5X來了!速率高達(dá)10667Mbps,躋身國(guó)際主流水平!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶),日前從長(zhǎng)存儲(chǔ)官網(wǎng)查閱到,長(zhǎng)存儲(chǔ)已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹,LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)
2025-10-30 09:12:555305

長(zhǎng)存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相,火力全開!

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)存儲(chǔ)最新的DDR5產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達(dá)8000Mbps,最高
2025-11-25 08:27:008146

2021年中國(guó)十大科技突破

。 該貯箱采用了5米級(jí)長(zhǎng)筒段,首次實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)近2米級(jí)筒段向5米級(jí)筒段的重大跨越,標(biāo)志著我國(guó)已初步掌握長(zhǎng)筒段研制技術(shù),火箭在高質(zhì)量、高效率、低成本研制上又取得重大突破。長(zhǎng)筒段將現(xiàn)有多個(gè)筒段整合為一,有效
2021-07-06 10:02:35

DRAM存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)

理,相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低?! ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲(chǔ)原理  DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長(zhǎng)可久,投資于此,理所當(dāng)然。DRAM制程推進(jìn)已很緩慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也許可以推進(jìn)到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力。對(duì)于一個(gè)商業(yè)公司
2018-10-12 14:46:09

DRAM芯片中的記憶單元分析

某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成,DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析:由題得,16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45

MPC82G516芯片解密特征結(jié)構(gòu)開發(fā)

  達(dá)科技近期以來取得重大技術(shù)突破且擁有成熟解密方案的優(yōu)勢(shì)解密系列,針對(duì)各種IC芯片,目前我們均能夠提供高效可靠、價(jià)格合理的芯片解密方案。  MPC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00

【內(nèi)存知識(shí)】DRAM芯片工作原理

比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定,DRAM存儲(chǔ)電荷的時(shí)間非常短暫,這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新,直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

CPU、內(nèi)存和加速器,可能改變內(nèi)存池化、共享的架構(gòu)。 國(guó)產(chǎn)化:中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域(尤其是DRAM和NAND)投入巨大,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(NAND)和長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM)是代表,正努力突破技術(shù)和產(chǎn)能瓶頸。 6.
2025-06-24 09:09:39

實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破?

什么是SOI技術(shù)?在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破?
2021-05-10 06:42:44

據(jù)新華社等多家媒體報(bào)道!暢能達(dá)科技實(shí)現(xiàn)散熱技術(shù)重大突破!

據(jù)新華社等多家媒體報(bào)道!暢能達(dá)科技實(shí)現(xiàn)散熱技術(shù)重大突破 由 廣東暢能達(dá)科技發(fā)展有限公司 自主研發(fā)的高熱流密度散熱相變封裝基板,其散熱性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有的金剛石鋁和金剛石銅。該技術(shù)可廣泛運(yùn)用于芯片、微波
2024-05-29 14:39:57

科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)

`華爾街日?qǐng)?bào)發(fā)布文章稱,科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個(gè)組件,微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12

DRAM原理 - 1.存儲(chǔ)單元陣列#DRAM

DRAM
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 15:17:53

ADI寬帶RFIC實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破,大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

ADI寬帶RFIC實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破,大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì) 隨著多種標(biāo)準(zhǔn)在中國(guó)的共存,射頻器件需要滿足多種頻段的需求。目前的情況是移動(dòng)終端的射頻已開始走向部分集成,支持
2010-01-04 14:10:48862

IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破 可建百萬萬億次電腦

IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破 可建百萬萬億次電腦 網(wǎng)易科技訊 北京時(shí)間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報(bào)道,IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布,他們用微型硅電路取代銅線實(shí)現(xiàn)芯片
2010-03-04 08:50:13769

綠色光伏發(fā)電技術(shù)重大突破

“第三代”光伏發(fā)電技術(shù),也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù),特點(diǎn)是綠色、高效、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)。中國(guó)第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破
2011-11-30 09:34:381197

存儲(chǔ)芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛,有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

的生產(chǎn)工藝,合肥長(zhǎng)和福建晉華在投產(chǎn)后預(yù)計(jì)在工藝方面較這些存儲(chǔ)芯片巨頭還有較大差距,在正式投產(chǎn)后還將面臨著良率問題等,需要時(shí)間。 值得驚喜的關(guān)注,北京兆易創(chuàng)新公司,他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM技術(shù)上取得了突破
2018-04-18 09:12:376932

中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有希望在合肥誕生

近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃:2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成
2018-04-18 13:50:008123

合肥長(zhǎng)即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬片

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司CEO王寧國(guó)高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)表示,合肥長(zhǎng)作為國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,近日12吋基地約300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,裝機(jī)后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
2018-04-23 11:25:0013560

揭開合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘之處 “打造中國(guó)最大DRAM內(nèi)存廠”?

中國(guó)三大存儲(chǔ)器勢(shì)力還有一大神秘隊(duì)伍合肥長(zhǎng),看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘 合肥對(duì)DRAM的謀劃不僅是合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)項(xiàng)目,在2016年3月,就有消息傳出,原爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國(guó)主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018-05-02 10:28:009953

長(zhǎng)發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國(guó)產(chǎn)DRAM跨出重要一步

國(guó)內(nèi)目前有三大存儲(chǔ)芯片基地,紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地,主要生產(chǎn)3D NAND閃存,預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存,選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營(yíng),福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)聯(lián)電在
2018-07-20 17:48:199888

合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目,正開始進(jìn)入試產(chǎn)階段

中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國(guó)目前在全球個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時(shí)代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位,聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:2417648

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272

合肥長(zhǎng)DRAM正式投片 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的一大步

日前,合肥長(zhǎng)DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4??梢哉f,近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922

合肥長(zhǎng)嘗試“從0到1”的突破 推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠邁出了重要的一步

7月16號(hào),中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)召開存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì),在會(huì)上傳出消息,合肥長(zhǎng)即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片,成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)
2018-11-29 16:51:0518310

紫光存儲(chǔ)新調(diào)整 ,國(guó)微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153

長(zhǎng)研發(fā)DRAM技術(shù)基礎(chǔ) 授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲(chǔ)大廠奇夢(mèng)達(dá)

從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào),業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長(zhǎng)會(huì)踩到前人地雷,然合肥長(zhǎng)首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805

EOSRL宣布在MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破

據(jù)悉,臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實(shí)驗(yàn)室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破。
2019-05-24 15:29:252508

避免被封殺!合肥長(zhǎng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片!

日前,據(jù)消息人士稱,合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅,已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830

避免觸及美國(guó)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)!長(zhǎng)存儲(chǔ)自研設(shè)計(jì)DRAM芯片

長(zhǎng)存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363777

回顧存儲(chǔ)市場(chǎng)崩盤的可能性分析

來到DRAM方面,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)在七月中下旬正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑。據(jù)合肥長(zhǎng)的王寧國(guó)之前的披露,合肥長(zhǎng)的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成,設(shè)備也開始安裝。
2019-08-30 11:22:221657

長(zhǎng)存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破

作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832

中國(guó)存儲(chǔ)芯片逐漸起步 可望逐漸降低對(duì)外國(guó)存儲(chǔ)芯片的依賴

在早前長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后,近日合肥長(zhǎng)也宣布已解決DRAM芯片技術(shù)難題并已進(jìn)入小規(guī)模生產(chǎn),這意味著困擾中國(guó)制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破,這為中國(guó)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09981

長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn) 一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬片晶圓

20日在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬片晶圓。
2019-09-20 15:57:164487

長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁披露DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)

昨日,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443

長(zhǎng)存儲(chǔ)淺談未來DRAM技術(shù)的發(fā)展之路

在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030

我國(guó)集成電路市場(chǎng)增速領(lǐng)跑全球市場(chǎng) 但產(chǎn)業(yè)仍存在一些薄弱環(huán)節(jié)有待補(bǔ)強(qiáng)

在9月20日-23日安徽合肥舉行的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)宣布DRAM生產(chǎn)線投產(chǎn)。這標(biāo)志著我國(guó)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得重大突破。合肥將依托長(zhǎng)存儲(chǔ)引進(jìn)芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、裝備材料、智能終端類項(xiàng)目,打造空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園。
2019-09-24 15:40:052418

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:363283

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片明年有望占據(jù)全球 5% 即將迎來重大突破

中國(guó)的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣,新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長(zhǎng)到世界 5%的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:581191

合肥長(zhǎng)提升19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能 目標(biāo)是月產(chǎn)4萬片晶圓

存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭,其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高,有20%以上。
2019-11-27 17:01:152508

長(zhǎng)儲(chǔ)存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970

長(zhǎng)儲(chǔ)存19nm DDR4內(nèi)存計(jì)劃于2020年第一季度推出

12月3日消息,根據(jù)消息報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838

長(zhǎng)存儲(chǔ)獲大量原奇夢(mèng)達(dá)內(nèi)存專利 助力持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187

長(zhǎng)存儲(chǔ)采購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)DRAM內(nèi)存專利,數(shù)量相當(dāng)可觀

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817

長(zhǎng)自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來重大突破

12 月 5 日訊,在近日召開的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約 1500 億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505

長(zhǎng)存儲(chǔ)成為國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商,晶圓廠月產(chǎn)量可達(dá)到20000

近日,據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。
2019-12-09 16:18:527140

長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議

近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布,就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片DRAM)制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的DRAM專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829

長(zhǎng)存儲(chǔ)成國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商 計(jì)劃自主制造項(xiàng)目總投資1500億元

12 月 10 日訊,長(zhǎng)存儲(chǔ)獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告,將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長(zhǎng)存儲(chǔ)正式成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748

長(zhǎng)國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光,使用19納米制造技術(shù)

長(zhǎng)存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片,目標(biāo)是在2020年第一季度上市。現(xiàn)在,一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM產(chǎn)品陸續(xù)上線 向更先進(jìn)和更大容量的DRAM發(fā)展

2 月 27 日訊,日前,國(guó)產(chǎn)芯片代表企業(yè)長(zhǎng)存儲(chǔ)官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品,均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530

合肥長(zhǎng)DDR4內(nèi)存終于對(duì)外供貨 未來將有更多產(chǎn)品覆蓋

千呼萬喚始出來,前兩天國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻——合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存終于開始對(duì)外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311

韓媒稱以長(zhǎng)存儲(chǔ)為代表的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的實(shí)力不可小視

據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司啟動(dòng)DRAM芯片銷售,成為中國(guó)第一家DRAM芯片供應(yīng)商。中國(guó)企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額。
2020-02-29 14:50:563824

國(guó)產(chǎn)DDR4存儲(chǔ)芯片問世,長(zhǎng)存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破

如果說處理器等領(lǐng)域,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感,那么存儲(chǔ)市場(chǎng)就幾乎為零了。
2020-03-11 10:44:564255

合肥協(xié)調(diào)海關(guān)助力長(zhǎng)存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)口

據(jù)合肥在線報(bào)道,3月25日晚,一架搭載2臺(tái)共34噸精密設(shè)備的波音747全貨機(jī)在合肥新橋國(guó)際機(jī)場(chǎng)落地,解決了本地長(zhǎng)存儲(chǔ)公司疫情期間設(shè)備進(jìn)口的燃眉之急。
2020-04-03 16:42:054588

基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)取得重大突破

近日,我國(guó)在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破,在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)相距50公里光纖的存儲(chǔ)器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443811

FORESEE推出采用長(zhǎng)存儲(chǔ)顆粒的DDR4國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存

江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存,核心DRAM均采用長(zhǎng)存儲(chǔ)的顆粒,這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2020-05-15 14:18:153534

國(guó)內(nèi)兩大存儲(chǔ)芯片廠商引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器發(fā)展駛?cè)肟燔嚨?/a>

中芯國(guó)際14納米FinFET代工的移動(dòng)芯片實(shí)現(xiàn)了規(guī)?;慨a(chǎn)和商業(yè)化

近年來,以中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)為代表的本土半導(dǎo)體制造企業(yè)正分別在邏輯電路芯片、3DNAND存儲(chǔ)芯片、DRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域布局先進(jìn)制程產(chǎn)能,也是中國(guó)半導(dǎo)體制程工藝技術(shù)走在最前沿的企業(yè)。
2020-07-14 14:49:454203

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬片

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬片,預(yù)計(jì)將超越南亞科技,屆時(shí)市占率將僅次于三大巨頭。此外,長(zhǎng) 17nm工藝即將出世,明年可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 報(bào)道稱,長(zhǎng)存儲(chǔ) 19nm DRAM 工藝已于 2020
2020-09-03 15:08:006616

長(zhǎng)預(yù)計(jì)在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年,國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長(zhǎng)則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335

存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快!吹響存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化號(hào)角

生產(chǎn)能力為“零”。在我國(guó)不斷強(qiáng)調(diào)科技創(chuàng)新,“關(guān)鍵核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破”的大背景下,未來存儲(chǔ)芯片***空間極為廣闊! 三、合肥長(zhǎng)+長(zhǎng)江存儲(chǔ)吹響
2020-11-03 12:27:323601

力積電董事長(zhǎng)DRAM 芯片明年上半年將供不應(yīng)求

12 月 1 日消息,英文媒體此前曾多次報(bào)道,存儲(chǔ)芯片制造商今年下半年的處境并不樂觀,行業(yè)內(nèi)供過于求,三星電子和其他主要制造商 DRAM 和 NAND 閃存的平均庫(kù)存,已接近 4 個(gè)月。 但從英文
2020-12-01 17:39:582292

傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片到達(dá)技術(shù)節(jié)點(diǎn)

的非易失性存儲(chǔ)器類型(PCM和MRAM)將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。 傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片到達(dá)技術(shù)節(jié)點(diǎn) 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲(chǔ)器三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的市場(chǎng)。 然而,隨著摩爾定律的延伸,技術(shù)需求也越來越高,傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片
2020-12-06 06:57:004266

易失性存儲(chǔ)DRAM是什么,它的主要原理是怎樣的

理,相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識(shí)。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)。若寫入位
2020-12-11 15:11:294696

國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)迎來重大突破?

芯片已成為世界各國(guó)科技角力的主陣地,但最近全球卻面臨一個(gè)重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:193759

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資

? DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資,內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長(zhǎng)存儲(chǔ)
2020-12-25 17:49:106588

長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司完成156.5億元增資,國(guó)產(chǎn)DRAM再獲強(qiáng)勁助力

? 國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資,國(guó)產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強(qiáng)勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示,12月14日,國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501

華為中國(guó)芯片技術(shù)最新突破

華為中國(guó)芯片技術(shù)最新突破:因?yàn)橐咔楹兔绹?guó)的芯片禁令導(dǎo)致中國(guó)缺芯問題愈發(fā)嚴(yán)重,華為和中國(guó)的很多的芯片企業(yè)都在積極地解決問題,華為海思的芯片技術(shù)也有了重大突破,國(guó)產(chǎn)14nm芯片將會(huì)在明年年底量產(chǎn)。
2022-01-10 11:04:2032799

存儲(chǔ)前景未來可期 NAND Flash何去何從?

 中國(guó)存儲(chǔ)器的努力已縮小到兩個(gè)最有前途的參與者,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù) (CXMT),它們得到了蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:114586

長(zhǎng)電科技實(shí)現(xiàn)4納米芯片封裝

近日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技宣布,公司在先進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破,實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機(jī)芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。
2022-07-22 11:46:413975

長(zhǎng)存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)專業(yè)從事DRAM芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售領(lǐng)軍企業(yè),是唯一實(shí)現(xiàn)
2022-08-04 16:23:143700

華為芯片重大突破

華為芯片重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強(qiáng)大的移動(dòng)芯片之一,被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機(jī)以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)之一,近年來通過自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:564987

國(guó)內(nèi)首家,長(zhǎng)存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

長(zhǎng)存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)存儲(chǔ)dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769

長(zhǎng)存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

長(zhǎng)12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566

國(guó)內(nèi)首家!長(zhǎng)存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:062775

長(zhǎng)存儲(chǔ)取得時(shí)鐘信號(hào)生成技術(shù)專利

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN116631469B,申請(qǐng)日期為2023年7月。
2023-12-04 10:03:441191

重大突破!首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:081383

我國(guó)在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲(chǔ)新紀(jì)元

”;這是我國(guó)在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲(chǔ)技術(shù)難題。 利用國(guó)際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲(chǔ)技術(shù),實(shí)驗(yàn)上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實(shí)現(xiàn)了點(diǎn)尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:452307

長(zhǎng)科技融資108億元!增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛,估值達(dá)1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格,與長(zhǎng)科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議,并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》,共同參與長(zhǎng)科技增資事項(xiàng)。
2024-03-30 14:48:504668

兆易創(chuàng)新: 擬15億元對(duì)長(zhǎng)科技增資,深化DRAM業(yè)務(wù)合作

1.88%股權(quán)。 兆易創(chuàng)新表示,本次對(duì)長(zhǎng)科技投資,有利于加深雙方戰(zhàn)略合作關(guān)系,發(fā)揮在代工產(chǎn)能和技術(shù)優(yōu)勢(shì)等方面的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,通過強(qiáng)化協(xié)同聯(lián)動(dòng),在存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)領(lǐng)域持續(xù)深化合作,實(shí)現(xiàn)互利共贏。長(zhǎng)科技本輪融資完成后,將繼續(xù)推進(jìn)產(chǎn)
2024-04-02 15:27:351710

存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競(jìng)相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別,并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。
2024-04-16 15:22:301327

DRAM芯片的基本結(jié)構(gòu)

如果內(nèi)存是一個(gè)巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個(gè)矩陣的實(shí)體化。如下圖所示,一個(gè)DRAM芯片包含了8個(gè)array,每個(gè)array擁有1024行和256列的存儲(chǔ)單元。
2024-07-26 11:41:302710

今日看點(diǎn):長(zhǎng)存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X,蘋果自研 5G 芯片 C2 曝光

速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計(jì),長(zhǎng)存儲(chǔ) LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升,目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量,最高速率達(dá)到10667Mbps ,達(dá)到國(guó)際主流
2025-10-30 09:53:28937

公布最新技術(shù)路線圖!長(zhǎng)存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠

據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖,從其路線規(guī)劃來看,其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)
2019-12-03 18:18:1323542

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片新格局:2020年真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)!

價(jià)格一路走跌, 2019 年底稍有回暖跡象。 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在剛剛過去的 2019 年成長(zhǎng)顯著,兆易創(chuàng)新受益于 TWS 業(yè)績(jī)一路攀升,長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 256 Gb 3D NAND 量產(chǎn),長(zhǎng)存儲(chǔ) 10
2020-01-06 08:30:0026712

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層
2020-07-14 09:26:5712532

長(zhǎng)科創(chuàng)板IPO受理:四季度有望爆賺95億,營(yíng)收或高達(dá)580億!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)終于!國(guó)內(nèi)DRAM龍頭長(zhǎng)科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書,擬在科創(chuàng)板掛牌上市。成立于2016年的長(zhǎng)專注于DRAM存儲(chǔ)芯片的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,填補(bǔ)了中國(guó)大陸本土
2026-01-01 04:09:009251

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