這項新技術(shù)允許使用超過60,000個TSV孔堆疊12個DRAM芯片，同時保持與當前8層芯片相同的厚度。 全球先進半導體技術(shù)的領(lǐng)導者三星電子今天宣布，它已開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV（直通硅通孔
2019-10-08 16:32:23
6863 據(jù)臺灣媒體報道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計劃，訪問速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級計算機的轉(zhuǎn)型。三星稱，DDR5 速度高達
2021-03-25 14:17:1512001 本文報道了硅通孔三維互連技術(shù)的核心工藝以及基于TSV形成的眾多先進封裝集成技術(shù)。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大技術(shù)路線。TSV 硅刻蝕、TSV 側(cè)壁
2024-11-01 11:08:075236 
7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:015236 在上篇文章中介紹了扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝，這篇文章著重介紹硅通孔(TSV)封裝工藝。
2023-11-08 10:05:537069 
硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)，是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:1323017 
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準，標志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:375157 
硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導通孔并填充導電材料來實現(xiàn)芯片間垂直互連的先進封裝技術(shù)。
2025-10-13 10:41:463152 
“ ?本文將詳細介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167378 
積極與芯片廠商溝通，導入和研發(fā)新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，同時籌備配置DDR5生產(chǎn)線，有望在2021年第二季度推出單條16GB容量的DDR5內(nèi)存條。
2020-12-03 09:53:443549 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）TSV（Through Silicon Via）即硅通孔技術(shù)，是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)，是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵
2025-04-14 01:15:002557 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006846 ，近期同樣規(guī)格的16Gb產(chǎn)品中，DDR4 16Gb（1GX16）與DDR5 16G（2Gx8）的價格差距已達到1倍。 ? CFM閃存市場表示，去年三
2025-06-27 00:27:004541 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 2025年末，存儲行業(yè)超級周期熱潮下，一則技術(shù)動態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004807 品研發(fā)經(jīng)驗；基于三星 A15-Exynos5260/5410/5250、A9-S5P4418、A9-Exynos 4412、A8-S5PV210、 ARM11-S3C6410
2017-06-30 11:00:32
，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設計，外加強大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
看到這里，高速先生似乎已經(jīng)能猜到大家最關(guān)心的問題了：片上ECC的使用是否意味著可以不用單獨的ECC顆粒
2023-06-28 09:09:11
常大的，可以從最小的8Gb到最大的64Gb，這兩種容量的構(gòu)成方式分別是下面這樣子的。 好，本期的文章就先對DDR5做一些定量的一些概述，如果大家覺得這篇文章對于DDR5的介紹還不夠干貨的話，高速先生準備在下一期的文章放大招，給大家show一下DDR5的相關(guān)技術(shù)在真正仿真中對信號性能的改善哈，敬請期待哦！
2021-08-12 15:42:06
` 三星 S5P6818 開發(fā)板是友堅科技研發(fā)的一款八核 64 位 ARM 開發(fā)板，硬件完美兼容S5P4418.6818 開發(fā)板，搭建最新的 android5.1 系統(tǒng)，2G 內(nèi)存，8GEMMC 存
2017-11-02 11:02:17
緊跟三星ARM芯片的技術(shù)路線，秉承領(lǐng)先、專業(yè)、全面、貼心服務的理念竭誠為廣大客戶提供從產(chǎn)品開發(fā)到代工生產(chǎn)、從外觀設計到芯片供應、從系統(tǒng)調(diào)試到軟件開發(fā)的整體技術(shù)服務。2.聯(lián)發(fā)科MTK方案思科德技術(shù)團隊近日
2013-11-19 17:26:07
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
，CIS在性能方面絲毫不遜于CCD，但在價格上卻更具有競爭力。隨著CIS的應用逐漸廣泛，整個產(chǎn)業(yè)基于CIS技術(shù)進步所帶來的收益業(yè)也在逐漸加大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三星電子技術(shù)人員表示，新型CIS芯片與CCD具有相同水平
2018-11-19 17:12:09
三星電子近日宣布成功開發(fā)出高質(zhì)量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機模組。該照相機模組有1/3英寸SXGA（130萬像素）、1/5.8英寸VGA（33萬像素）兩種規(guī)格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
222MHz32-MbitSGRAM。 2001年，三星電子移動電話生產(chǎn)量超過5千萬臺，并開發(fā)出世界最大的40英寸TFT-LCD顯示器。 2001年，三星電子銷售額達到247億美元，創(chuàng)利潤22億美元。在存儲器芯片
2019-04-24 17:17:53
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實不得不服三星的技術(shù)）順便發(fā)個三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
1、任務欄，會有個叫NVIDIA設置的圖標。2、雙擊打開。3、進入后會看到亮度的調(diào)節(jié)了。4、早期的型號的三星筆記本電腦可以按【FN】+上下方向鍵調(diào)節(jié)的。5、新型號的筆記本可以按【FN】+【F2
2020-08-14 11:36:07
第三季度銷售額為62.05萬億韓元，同比增加29.8%。凈利潤為11.19萬億韓元。三星第三季度業(yè)績表現(xiàn)不錯，主要體現(xiàn)在半導體芯片價格持續(xù)高漲以及OLED面板市場供不應求。伴隨著三星管理層的重組，加之三星半導體芯片以及OLED面板的擴產(chǎn)，可以預料其第四季度營收也將極為可觀。
2017-11-01 15:56:56
硅通孔（TSV）電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應用中的一個有吸引力的熱點。本文介紹了通過優(yōu)化濺射和電鍍條件對完全填充TSV的改進。特別注意具有不同種子層結(jié)構(gòu)的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
` 本帖最后由 q271763634 于 2016-8-11 14:47 編輯
推薦理由：1、三星中國S5P4418開發(fā)系統(tǒng)國內(nèi)唯一旗艦商；2、全球絕對獨家發(fā)布，獨家支持3G/4G電話和短信功能
2015-05-19 15:01:01
本帖最后由 rpdzkj 于 2017-5-13 10:43 編輯
深圳眾為啟翔科技電子公司的三星210 開發(fā)板，火爆便宜，公司提供技術(shù)支持。開發(fā)板底板兼容三星6410核心板 三星2416
2012-10-21 10:18:32
：DDR5 RDIMM測試系統(tǒng)，DDR5內(nèi)存測試系統(tǒng)， DDR5 MR-DIMM測試系統(tǒng)，DDR5 RCD/DB芯片測試，DDR5芯片測試，DDR5接收機測試，DDR5發(fā)射機測試，DDR5數(shù)據(jù)緩沖測試
2024-08-06 12:03:07
功能模塊。S5P6818 核心板尺寸為 62mm*42mm,標配 2GB DDR3 內(nèi)存、8GB EMMC 存儲并配備有電源管理芯片——AXP228；PCB 采用 8 層通孔板工藝，布局布線充分考慮電氣
2017-12-04 11:27:25
三星ic，大量求購三星ic，帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購工廠庫存
2021-05-28 19:17:34
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購?。?！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
。深圳專業(yè)收購三星ic，大量求購三星ic，帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量
2021-04-28 18:52:33
內(nèi)存本身性能的擴大，封裝技術(shù)也需要不斷發(fā)展。經(jīng)證實，三星已經(jīng)處于下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)階段，將采用MSAP技術(shù)。目前，MSAP已經(jīng)被三星的競爭對手（SK海力士和美光）用于DDR5中。據(jù)介紹
2022-10-26 16:37:40
我們使用i.MX8MPlus運行Windows 10 IoT系統(tǒng)，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運行
2023-03-17 09:03:23
量產(chǎn)中利用意法半導體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
級產(chǎn)品。 2、友堅是三星AP事業(yè)部國內(nèi)重要合作伙伴,是三星指定平板產(chǎn)品的IDH 3、CPU:S5P4418 三星四核 4、內(nèi)存：1G RAM+4G eMMC 5、安卓4.4系統(tǒng)本批次開發(fā)板將新增四大
2016-07-01 14:04:09
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
深圳帝歐電子高價專業(yè)回收三星字庫，回收DDR，收購DDR。帝歐電子具有以下優(yōu)勢：壹、實力雄厚、資金充裕，可以一次性現(xiàn)金收購200萬以內(nèi)的庫存。貳、全面而專業(yè)的評估團隊。由20多名有數(shù)十年經(jīng)驗的評估
2021-01-11 18:18:34
三星ic，大量求購三星ic，帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購工廠庫存
2020-12-14 16:00:38
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因為我的應用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
ID，但是也沒說針對這個OTP怎么操作。所以請教一下，有沒有使用過的大神幫忙指導一下，或者有三星flash芯片相關(guān)的技術(shù)支持的聯(lián)系方式，麻煩告知一下。謝謝！
2017-03-21 09:22:02
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
高價回收三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
高價收購三星DDR3深圳帝歐長期收購ddr，專業(yè)收購三星ddr3，長期回收現(xiàn)代ddr3。帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。帝歐高價回收以下
2021-09-23 19:20:15
三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm
三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封
2009-11-06 10:40:451239 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 重點討論了垂直互連的硅通孔(TSV)互連工藝的關(guān)鍵技術(shù)及其加工設備面臨的挑戰(zhàn)．提出了工藝和設備開發(fā)商的應對措施并探討了3DTSV封裝技術(shù)的應用前景。
2011-12-07 10:59:23
89 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52153 中微半導體設備有限公司（以下簡稱“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設備Primo TSV200E?
2012-03-15 09:39:401776 5月13日消息，三星于上周日宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出第五代移動通信（5G）技術(shù)，而這一項技術(shù)將于2020年部署。
2013-05-13 10:02:121212 硅通孔技術(shù)（Through Silicon Via， TSV）技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù)，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認為是第四代封裝技術(shù)。TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)
2016-10-12 18:30:2718197 
下一代服務器DIMM緩沖器芯片瞄準DDR5內(nèi)存應用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203633 的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會在DDR4的基礎上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達32Gb，并預計會在2020年開始商用。 很多人會把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實際上兩者應用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比和應用場合。
2017-11-15 16:36:0348251 
三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 早在三星A6s以及A9s發(fā)布時，三星為A8s埋下了伏筆，這三款機型都是三星的A咖系列，主打年輕時尚群體，之后，在三星的開發(fā)者大會上首次提出了“Infinity-O”的全面屏設計理念，這就是之后在A8s上的通孔屏幕設計。
2018-12-23 16:22:001725 2019年10月7日，三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。
2019-10-08 11:22:271176 10月7日，三星電子宣布已開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV技術(shù)。
2019-10-08 16:33:013486 隨著現(xiàn)代計算機能力的不斷發(fā)展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:471128 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:433479 EUV光刻和現(xiàn)在常用的DUV光刻不同，它使用波長短得多的極紫外光，這就讓更精細的光刻成為可能，允許制作更小的晶體管，提升工藝水平，并提升生產(chǎn)效率；三星預計，使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍，讓產(chǎn)能不再是問題。
2020-03-26 14:54:224726 JEDEC還沒有正式發(fā)布DDR5規(guī)范，但是DRAM制造商和SoC設計人員正在全力準備DDR5的發(fā)布。Cadence公司早在2018年就對這項新技術(shù)進行了宣傳，并在之后發(fā)布了臨時DDR5 IP
2020-06-08 17:37:346162 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1718333 去年底，TEAMGROUP（十銓）宣布正開發(fā)DDR5內(nèi)存條（U-DIMM，用于臺式機）?，F(xiàn)在，SO-DIMM形態(tài)的DDR5內(nèi)存也官宣了，筆記本、迷你機、NAS等將因此受益。 十銓稱已成功開發(fā)
2021-01-26 16:43:213384 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:394194 Intel副總裁Carolyn Duran確認，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強可擴展處理器（Sapphire Rapids藍寶石激流）兼容。根據(jù)路線圖，Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092885 三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 外媒 TheElec 報道稱，在 5 月 19 日的時候，三星電子正式發(fā)布了 3 款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片，可以做到高效直流降壓。 三星稱，最新的電源
2021-05-21 18:11:343849 通過對硅層進行研磨，三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%，并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實際上更薄，分別為1.0毫米和 1.2 毫米。
2022-06-28 15:10:251493 
“32Gb
DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節(jié)點上
開發(fā)，并計劃在明年初推出，”
三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和
三星網(wǎng)絡研討會上表示（見
三星在下圖中的演示）?！盎?32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市?！?/div>
2022-08-22 10:21:192938 該機構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機構(gòu)還預計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標準。
2022-09-19 15:14:482099 （nm）級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人
2022-12-21 21:19:541342 
芯片業(yè)務部門產(chǎn)品營銷副總裁John Eble透露，從2022年第四季度開始，Rumbus第三代DDR5 RCD芯片已經(jīng)送樣給
2023-03-02 10:27:136269 
業(yè)界認為，三星雖維持資本支出計劃，但主要是強化DDR5等新世代高階存儲芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點聚焦高階新世代產(chǎn)品，并釋出大幅減產(chǎn)信息，意味主流DDR4市況將更健康。
2023-05-24 11:37:23721 編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:345433 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535589 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 3D-IC 中 硅通孔TSV 的設計與制造
2023-11-30 15:27:282237 
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:5528 近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:581532 瀾起科技，一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新，近日再次實現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級，他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片（DDR5 RCD04），進一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:111768 瀾起科技近日在接受機構(gòu)調(diào)研時分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動態(tài)。據(jù)瀾起科技預測，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過第一子代RCD芯片。更進一步，DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:351769 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 消息不僅標志著三星在高性能內(nèi)存技術(shù)上的又一重要里程碑，也預示著DDR5等存儲芯片市場即將迎來一波新的供需變化。
2024-07-17 15:19:411221 近日，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場傳來重磅消息，由于服務器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應顯著，多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。據(jù)供應鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布DDR5內(nèi)存的單季價格將實現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224 的數(shù)據(jù)傳輸速率、更大的容量和更低的功耗。 2. DDR5內(nèi)存工作原理 DDR5內(nèi)存的工作原理基于雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)，即在每個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)。DDR5內(nèi)存通過提高數(shù)據(jù)傳輸速率、增加數(shù)據(jù)預取和優(yōu)化功耗管理來
2024-11-22 15:38:037940 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 注入導電物質(zhì)，將相同類別芯片或不同類別的芯片進行互連，達到芯片級集成的先進封裝技術(shù)。 TSV技術(shù)中的這個通道中主要是通過銅等導電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連，減小信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信，增加帶寬和實現(xiàn)器件集成的小型化需求
2024-12-17 14:17:513345 
技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔（ThroughSiliconVia），指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術(shù)，芯片通常通過MicroBump
2025-10-11 16:39:24747 
三星、美光暫停 DDR5 合約報價引發(fā)的存儲芯片荒，正通過 AI 服務器需求鏈，悄然傳導至 PCB 行業(yè)。這場關(guān)聯(lián)的核心，并非簡單的 “芯片漲價帶動 PCB 漲價”，而是 AI 服務器對存儲芯片
2025-11-05 10:29:56576 已全部加載完成
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