美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開(kāi)始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來(lái)改善
2019-08-20 10:22:36
8531 8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開(kāi)發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:215509 有消息稱，這款蘋(píng)果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:432381 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 年，32GB DDR4模組價(jià)格可望漲逾300美元，南亞科直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產(chǎn)能已全賣(mài)光。 DRAM價(jià)格今年漲了一整年，但2018年看來(lái)仍是DRAM市場(chǎng)大好年。在供給端來(lái)看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮，舊有廠內(nèi)擠出空間
2017-12-25 08:56:388415 
就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國(guó)芯標(biāo)識(shí)的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團(tuán)投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體基地，建成后將成
2017-12-28 16:53:272777 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:3611144 
4月20日，DRAM大廠南亞科宣布，將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無(wú)塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠，采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù)，規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約 4.5 萬(wàn)片，計(jì)劃今年底動(dòng)工、2024 年開(kāi)始第一階段 1.5 萬(wàn)片量產(chǎn)，總投資額達(dá)新臺(tái)幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:439146 相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:446127 
，這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 ，不過(guò)，公司也于去年重返PCDRAM市場(chǎng)，并以切入毛利率較高的服務(wù)器用DRAM為目標(biāo)，經(jīng)過(guò)一年多努力，南亞科在成功以20nm產(chǎn)生8GbDDR4DRAM、并獲手機(jī)廠導(dǎo)入產(chǎn)品后，決定將服務(wù)器用DDR4DRAM交予北美和中國(guó)大陸客戶驗(yàn)證，并訂于今年重返服務(wù)器市場(chǎng)。 此外，有消息稱，南亞科服務(wù)
2020-04-07 10:27:046423 。 ? ? 南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭指出，今年預(yù)期DRAM市場(chǎng)售價(jià)止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底，并邁向成長(zhǎng)。南亞科將投入更多的研發(fā)資源，加速開(kāi)發(fā)10納米級(jí)制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品，同時(shí)規(guī)劃新廠擴(kuò)建，未來(lái)將以符合市場(chǎng)需求為目標(biāo)，逐步增加產(chǎn)出。 ? 對(duì)于今年?duì)I運(yùn)計(jì)劃
2021-04-26 13:57:353631 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006845 ，近期同樣規(guī)格的16Gb產(chǎn)品中，DDR4 16Gb（1GX16）與DDR5 16G（2Gx8）的價(jià)格差距已達(dá)到1倍。 ? CFM閃存市場(chǎng)表示，去年三
2025-06-27 00:27:004541 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-11 07:13:53
我有一塊自制的imx8mp主板，使用DDR4的型號(hào)是：K4ABG165WA-MCWE，單片容量32Gb，主頻3200Mhz，我的主板使用了兩顆芯片，但是使用MX8M_Plus_DDR4_RPA_v9.xlsx無(wú)法完成配置
2023-05-17 06:12:25
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
東莞專業(yè)收購(gòu)DDR4東莞長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-05-08 17:42:19
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場(chǎng)，到2013年時(shí)運(yùn)行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測(cè)試，采用30nm級(jí)工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
如今，電腦已經(jīng)成為了人們工作和娛樂(lè)中不可缺少的設(shè)備，越來(lái)越多的人選擇DIY一臺(tái)屬于自己的PC。在實(shí)際裝機(jī)之前，進(jìn)一步地了解硬件是非常有必要的，就拿內(nèi)存條來(lái)說(shuō)，雖然現(xiàn)在主流已經(jīng)是選擇DDR4了，很多人
2019-07-25 14:08:13
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-12-27 19:25:08
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
南亞科第二季營(yíng)收將成長(zhǎng)于5%，獲利有機(jī)會(huì)季增3~5成。南亞科及華邦電下半年旺值得注意的是，南亞科20奈米制程微縮順利，下半年8GB DDR4將進(jìn)入量產(chǎn)，年底前可望完成LPDDR4試產(chǎn)并進(jìn)入量產(chǎn)，屆時(shí)
2017-06-13 15:03:01
深圳專業(yè)收購(gòu)DDR4深圳長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-01-30 17:36:35
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號(hào)稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過(guò)該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖牵m然賽靈思沒(méi)有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁(yè)找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別
2010-02-10 09:40:501422 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺(tái)灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241369 南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開(kāi)始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開(kāi)與三星電子（
2012-07-18 09:44:331159 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM，將應(yīng)用于未來(lái)智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 vs STLL 驅(qū)動(dòng)DRAM工業(yè)發(fā)展的一個(gè)主要市場(chǎng)需求是對(duì)內(nèi)存器件的低功耗要求。介于這個(gè)原因，DDR4引入了一個(gè)新
2017-10-13 20:13:18
10 A30的主要亮點(diǎn)一是高頻，二是自主研發(fā)的散熱裝甲（御風(fēng)者）。據(jù)悉，極光A30 DDR4內(nèi)存分為4GB/8GB/16GB可選，頻率達(dá)到2400MHz，比常規(guī)普條（2133Mhz）更高。
2017-11-09 14:07:021670 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國(guó)家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場(chǎng)中國(guó)沒(méi)有足夠的話語(yǔ)權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道，紫光打造的中國(guó)第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問(wèn)世，讓我們看到了國(guó)產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261933 三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 ，并開(kāi)始設(shè)備安裝；2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4；2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)片/月；2020 年開(kāi)始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。
2018-04-18 13:50:008123 
DRAM廠南亞科（2408）總經(jīng)理李培瑛預(yù)期今年第2、3季的市場(chǎng)需求穩(wěn)定成長(zhǎng)，第2季整體市況仍供不應(yīng)求，產(chǎn)品單價(jià)可望持續(xù)微幅上揚(yáng)，且公司第二季位元季增率有機(jī)會(huì)超過(guò)15%，DDR4出貨量持續(xù)增加，有利拉抬毛利率、營(yíng)業(yè)利益率持續(xù)攀高。
2018-06-26 15:59:001495 據(jù)國(guó)際電子商情，日前，消息稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272 
12月20日，三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 DRAM芯片組成。三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級(jí)16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 ?！靶聵?biāo)準(zhǔn)使下一代系統(tǒng)有更優(yōu)秀的性能，顯著提高封裝密度和可靠性，同時(shí)有更低的功耗，”Macri說(shuō)。
DDR4的單個(gè)內(nèi)存顆粒容量2Gb-16Gb，同時(shí)提供了三種數(shù)據(jù)寬度x4、x8、x16，最大數(shù)
2018-09-30 00:15:013010 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開(kāi)發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 Intel已經(jīng)從服務(wù)器到消費(fèi)級(jí)、從高端到低端徹底完成了DDR4內(nèi)存的轉(zhuǎn)換，AMD這邊則直到今天才真正進(jìn)入DDR4的時(shí)代，但首款產(chǎn)品卻是面向嵌入式領(lǐng)域的R系列APU/CPU，開(kāi)發(fā)代號(hào)“Merlin Falcon”。
2019-06-26 17:07:041196 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571 10月21日，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 最近一年來(lái)，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:006891 最新消息，今天在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相，一期
2019-11-14 15:31:363283 9 月份合肥長(zhǎng)鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，市場(chǎng)預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來(lái)太大影響，但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒(méi)什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 12月8日消息，近日，七彩虹推出了兩款DDR4 普條，都是DDR4 2666頻率，8GB單條售價(jià)188元，16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:497054 其中，芝奇DDR4 4266MHz 8GB成為年度最強(qiáng)內(nèi)存，以11008.9的得分位居PC內(nèi)存性能榜第一。該內(nèi)存基于三星B-dieIC顆粒，支持Intel XMP 2.0規(guī)范，用戶可輕松實(shí)現(xiàn)超頻。同時(shí)還滿足高速、低延遲、大容量、RGB燈效等多重需求，是魯大師2019“牛角尖”獎(jiǎng)最強(qiáng)內(nèi)存條得主。
2020-01-08 13:45:072367 除了PC處理器年度榜單之外，魯大師今日還發(fā)布了2019年度PC內(nèi)存排行。從榜單來(lái)看，8GB依然是PC玩家首選。
2020-01-08 13:58:186591 南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布，已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102666 1 月 13 日訊，近日，南亞科技股份有限公司稱，公司已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展，南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉，除可改善成本，南亞科成功自主開(kāi)發(fā) 10 納米制程技術(shù)，將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機(jī)會(huì)與技術(shù)進(jìn)展。
2020-01-14 10:47:271225 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來(lái)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。現(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620 2 月 27 日訊，日前，國(guó)產(chǎn)芯片代表企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品，包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品，均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530 MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場(chǎng)小容量FLASH短缺需求 一、MXIC 19nm SLC NAND 介紹： MX30LF/MX60LF系列由
2020-03-23 11:06:282504 FORESEE DDR4 SO-DIMM采用了黑色面板，頗具科技神秘感。內(nèi)存采用了單顆8Gb bit顆粒，正反共8顆，組成8GB的容量。顆粒為三星品牌，質(zhì)量及穩(wěn)定性方面都讓我們足夠信任。 另一面標(biāo)簽
2020-04-13 11:33:003453 4年前也就是2016年的時(shí)候，旗艦款的智能手機(jī)在內(nèi)存容量上也就是剛剛邁入了4GB的階段，而那個(gè)時(shí)候的PC平臺(tái)已經(jīng)進(jìn)入了DDR4的時(shí)候，主流級(jí)平臺(tái)的內(nèi)存容量也已經(jīng)基本從4GB開(kāi)始向8GB邁進(jìn)，而且基本從2017年開(kāi)始，8GB內(nèi)存已經(jīng)算是主流級(jí)PC的標(biāo)配，更不用說(shuō)是對(duì)性能要求更高的游戲型PC了。
2020-04-12 09:30:175442 
江波龍電子旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:225961 江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4SODIMM 8GB、DDR4UDIMM 8GB、DDR4UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)
2020-05-22 15:24:523650 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:472390 公告顯示，兆易創(chuàng)新DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資總額約40億元，擬投入募集資金33億元。兆易創(chuàng)新擬通過(guò)本項(xiàng)目，研發(fā)1Xnm級(jí)（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
2020-08-17 16:44:293795 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒(méi)量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:3811015 在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后，合肥長(zhǎng)鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開(kāi)發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。 嘉合勁威神可DDR4內(nèi)存采用純國(guó)產(chǎn)的DDR4顆粒，包括UDIMM桌面
2021-01-28 09:22:522976 亦重拾漲勢(shì)，8GB DDR4模組合約價(jià)月增4.8％達(dá)26美元，換算8Gb DDR4顆粒合約價(jià)已達(dá)3美元。 ? 此外，1月份利
2021-02-03 16:59:202336 DDR4意義就是把入門(mén)級(jí)內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-06 13:51:01165 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過(guò)16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 8Gb DDR4 SDRAM B裸片組織為128Mbit x 4 I/O x16banks或64Mbit x8 I/O x 16banks設(shè)備。此同步設(shè)備實(shí)現(xiàn)高達(dá)2666Mb/sec的高速雙數(shù)
2022-12-05 11:54:2425 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548669 市場(chǎng)上，DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:112707 主要專注于DDR4市場(chǎng)的公司，如南亞科（2408）和華邦電（2344），有望從中受益。 在上半年，由于存儲(chǔ)市場(chǎng)不景氣，三星已經(jīng)采取了減產(chǎn)措施，涵蓋了NAND Flash和DRAM領(lǐng)域。下半年，三星計(jì)劃繼續(xù)減產(chǎn)DRAM，特別是DDR4，以期在今年年底之前將DDR4存貨水平調(diào)
2023-09-15 17:42:081808 對(duì)于DRAM業(yè)務(wù)，這個(gè)公司的主要是低端市場(chǎng)，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線，推動(dòng)DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:311153 2024年，南亞科預(yù)披露將啟動(dòng)資本開(kāi)銷(xiāo)約200億元，有待董事會(huì)批準(zhǔn)。同時(shí)進(jìn)一步釋放消息，計(jì)劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)（1B）來(lái)生產(chǎn)8Gb DDR4及16Gb DDR5產(chǎn)品，由此可見(jiàn)其對(duì)于未來(lái)發(fā)展的投入決心。
2024-01-11 09:43:001261 據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預(yù)計(jì)明年產(chǎn)量將會(huì)進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:092438 近日，在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)，北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)公司介紹，目前各類(lèi)DRAM產(chǎn)品，包括DDR2、DDR3、LPDDR4等，均有新品在研發(fā)中。在工藝方面，北京君正正在積極推進(jìn)21nm
2024-11-12 14:27:051737 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組，標(biāo)志著 DDR4 內(nèi)存時(shí)代進(jìn)入收尾階段。
2025-10-14 17:11:371046 2025 年 12 月 3日，中國(guó)蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）前段時(shí)間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計(jì)劃陸續(xù)退出部分DDR4市場(chǎng)，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動(dòng)，同時(shí)在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:0010160 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論