DRAM性能并降低成本。該工藝技術(shù)強(qiáng)化了計(jì)算DRAM（DDR4），移動(dòng)DRAM（LPDDR4）和圖形DRAM（GDDR6）產(chǎn)品線的相對(duì)性能和功耗方面的持續(xù)優(yōu)化。可適用于人工智能，自動(dòng)駕駛汽車(chē)，5G，移動(dòng)設(shè)備
2019-08-20 10:22:36
8531 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271563 市場(chǎng)傳出，DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計(jì)劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動(dòng)式記憶體(Mobile DRAM)，以因應(yīng)蘋(píng)果新機(jī)出貨，同時(shí)通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價(jià)。法人預(yù)期，盤(pán)跌近七個(gè)月的DRAM價(jià)格可望止跌回升，華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營(yíng)運(yùn)可望再起。
2015-08-03 07:55:21594 DRAM大廠三星預(yù)定明年第1季率先量產(chǎn)1x（18奈米）DRAM，另一大廠SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）也將于明年跟進(jìn)，三大DRAM廠明年進(jìn)入1x奈米大戰(zhàn)；臺(tái)廠除南亞科（2408）也預(yù)約1x制程技術(shù)外，其余均專注利基型記憶體，避開(kāi)戰(zhàn)火。
2015-12-31 08:20:551563 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋(píng)果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說(shuō)第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 南亞科、華亞科與華邦電等DRAM廠，受DRAM需求增加與價(jià)格上揚(yáng)影響，第3季運(yùn)營(yíng)全面獲利，業(yè)界預(yù)期第4季DRAM供給將持續(xù)短缺，報(bào)價(jià)也將續(xù)漲，DRAM廠獲利成長(zhǎng)可期，法人預(yù)期以南亞科最具爆發(fā)成長(zhǎng)性。
2016-10-31 15:45:35578 10月份，三星宣布10nm進(jìn)入量產(chǎn)后，市場(chǎng)上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無(wú)光。三星計(jì)劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計(jì)是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對(duì)手臺(tái)積電和它的客戶不愿被動(dòng)挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276 業(yè)界消息指出，存儲(chǔ)器大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號(hào)的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過(guò)半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬(wàn)條，業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價(jià)將再見(jiàn)飆漲走勢(shì)。
2017-03-06 09:34:281126 
年，32GB DDR4模組價(jià)格可望漲逾300美元，南亞科直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產(chǎn)能已全賣(mài)光。 DRAM價(jià)格今年漲了一整年，但2018年看來(lái)仍是DRAM市場(chǎng)大好年。在供給端來(lái)看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮，舊有廠內(nèi)擠出空間
2017-12-25 08:56:388415 
4月20日，DRAM大廠南亞科宣布，將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無(wú)塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠，采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù)，規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約 4.5 萬(wàn)片，計(jì)劃今年底動(dòng)工、2024 年開(kāi)始第一階段 1.5 萬(wàn)片量產(chǎn)，總投資額達(dá)新臺(tái)幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:439146 DRAM廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，第4季DRAM需求相對(duì)于上半年轉(zhuǎn)趨保守，預(yù)估產(chǎn)品單價(jià)會(huì)下滑約5%，也因此下修今年資本支出約12.5%，來(lái)到210億元（新臺(tái)幣，下同）。
2018-10-17 10:36:161497 3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-26 09:12:564442 ，不過(guò)，公司也于去年重返PCDRAM市場(chǎng)，并以切入毛利率較高的服務(wù)器用DRAM為目標(biāo)，經(jīng)過(guò)一年多努力，南亞科在成功以20nm產(chǎn)生8GbDDR4DRAM、并獲手機(jī)廠導(dǎo)入產(chǎn)品后，決定將服務(wù)器用DDR4DRAM交予北美和中國(guó)大陸客戶驗(yàn)證，并訂于今年重返服務(wù)器市場(chǎng)。 此外，有消息稱，南亞科服務(wù)
2020-04-07 10:27:046423 研究機(jī)構(gòu)此前公布的數(shù)據(jù)顯示，雖然一季度主要DRAM廠商的銷(xiāo)售額環(huán)比下滑，但全球DRAM產(chǎn)品的價(jià)格卻有上升。由于居家經(jīng)濟(jì)對(duì)相關(guān)設(shè)備的需求依然強(qiáng)勁，對(duì)DRAM的需求也依然會(huì)保持強(qiáng)勁，DRAM的合約價(jià)格，在今年三季度仍將繼續(xù)上漲。
2020-06-02 09:41:584318 9月14日，臺(tái)資動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）廠南亞科技今天宣布，自15日起暫停供貨華為，未來(lái)將依照相關(guān)規(guī)定向美方申請(qǐng)恢復(fù)供貨。
2020-09-15 09:43:093357 。 ? ? 南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭指出，今年預(yù)期DRAM市場(chǎng)售價(jià)止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底，并邁向成長(zhǎng)。南亞科將投入更多的研發(fā)資源，加速開(kāi)發(fā)10納米級(jí)制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品，同時(shí)規(guī)劃新廠擴(kuò)建，未來(lái)將以符合市場(chǎng)需求為目標(biāo)，逐步增加產(chǎn)出。 ? 對(duì)于今年?duì)I運(yùn)計(jì)劃
2021-04-26 13:57:353631 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動(dòng)態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。請(qǐng)看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場(chǎng)因素，目前DRAM市場(chǎng)價(jià)格并不差，反倒是NAND的價(jià)格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價(jià)格低落的產(chǎn)品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時(shí)也不是媒體所猜測(cè)的國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放，國(guó)內(nèi)
2018-10-12 14:46:09
似乎遇到了一些問(wèn)題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開(kāi)始出現(xiàn)的電容漏電問(wèn)題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開(kāi)發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過(guò)適當(dāng)放寬線寬等
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
使用NI的 FPGA，開(kāi)辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開(kāi)始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫(xiě)不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
市場(chǎng)的35%。明年，至少兩家中國(guó)集成電路供應(yīng)商（睿力集成電路和晉華集成電路）將成功進(jìn)入DRAM市場(chǎng)。盡管?chē)?guó)產(chǎn)廠商的產(chǎn)能和制造流程最初不會(huì)與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵，但看看中國(guó)的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何，將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
[資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來(lái)維持強(qiáng)勢(shì)，但封測(cè)廠強(qiáng)調(diào)，7月?tīng)柋剡_(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
芯片可以存儲(chǔ)16384個(gè)bit數(shù)據(jù)，同時(shí)期可同時(shí)進(jìn)行1bit的讀取或者寫(xiě)入操作。DRAM地址引腳為7根，SRAM地址引腳為14根，這顆16K DRAM通過(guò)DRAM接口把地址一分為二，然后利用兩個(gè)連續(xù)
2010-07-15 11:40:15
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來(lái)自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷(xiāo)售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增，第三季因價(jià)格持續(xù)看漲，營(yíng)收及獲利可望再寫(xiě)新高。無(wú)新產(chǎn)能，導(dǎo)致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出，但多數(shù)資金都用來(lái)進(jìn)行
2017-06-13 15:03:01
是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為了防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM充電，故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)
2019-09-18 09:05:09
SoC芯片的自研，顯然是想將手機(jī)的優(yōu)勢(shì)帶入到更廣泛的物聯(lián)網(wǎng)終端領(lǐng)域。OPPO推出6nm的NPU芯片，也是考慮到通過(guò)自研芯片拉開(kāi)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，給自家高端化手機(jī)提供差異化體驗(yàn)。國(guó)產(chǎn)替代的三個(gè)誤區(qū)集成電路
2022-01-02 08:00:00
三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55645 南亞科擴(kuò)建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意
2010-01-22 09:52:57860 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場(chǎng)需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003713 3月上旬DRAM合約價(jià)漲幅逾5%，順利回到1美元關(guān)卡，創(chuàng)近三個(gè)月新高，有助南科、華亞科等業(yè)者營(yíng)運(yùn)回溫，業(yè)者態(tài)度也轉(zhuǎn)趨樂(lè)觀，南科預(yù)期4月報(bào)價(jià)持續(xù)上漲，全球DRAM二哥海力士（Hyn
2012-03-15 09:21:42728 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 導(dǎo)語(yǔ)：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 據(jù)報(bào)道，市場(chǎng)傳出，因大陸品牌手機(jī)的高端手機(jī)市況生變，聯(lián)發(fā)科近期向臺(tái)積電下修明年度10nm的投片需求，大砍的幅度超過(guò)五成。
2016-12-20 08:53:57832 臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝，不過(guò)臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問(wèn)題，這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限，在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋(píng)果的情況下，對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28860 雖然摩爾定律即將走向終結(jié)，但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒(méi)有停下過(guò)。臺(tái)積電和三星作為ARM芯片代工陣營(yíng)的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進(jìn)至10nm，而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:114294 
三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 從目前來(lái)看聯(lián)發(fā)科去年押寶10nm已成為一個(gè)大錯(cuò)，X30不受市場(chǎng)歡迎，另一款采用10nm工藝的P35據(jù)說(shuō)可能會(huì)被放棄，而改用12nm工藝的P30來(lái)救場(chǎng)。
2017-05-15 13:03:173521 觀察各廠技術(shù)與產(chǎn)能布局，三星今年的目標(biāo)除了專注于18nm制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)外，近幾季DRAM同業(yè)的高獲利，亦刺激三星開(kāi)始思索可能的DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，一方面應(yīng)對(duì)供給吃緊狀況，另一方面則期望提高DRAM產(chǎn)出量，壓抑DRAM價(jià)格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領(lǐng)先地位，維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術(shù)差距。
2017-11-14 14:00:14743 
三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢(qián)的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來(lái)，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科（2408）日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏（2337）在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨（29）日登上成交金額之首。
2018-06-22 15:45:001644 內(nèi)存廠南亞科24日舉行股東會(huì)，展望今年整體市況，董事長(zhǎng)吳嘉昭表示，預(yù)期今年DRAM位元需求將年增22%，位元供給將增加21%，DRAM整體仍是需求仍大于供給，今年?duì)I運(yùn)狀況不錯(cuò)。
2018-07-04 06:30:00844 DRAM大廠陸續(xù)洽談第3季DRAM合約價(jià)格，維持小漲局面，推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫(xiě)新高，臺(tái)系DRAM南亞科（2408）和華邦電等，預(yù)料今年將繳出逐季創(chuàng)新高佳績(jī)。
2018-07-04 17:08:00916 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 12月20日，三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 存儲(chǔ)器大廠南亞科2018年上半年展現(xiàn)亮麗成長(zhǎng)動(dòng)能，并看好第3季供需持續(xù)穩(wěn)定，下半年市場(chǎng)需求將穩(wěn)定成長(zhǎng)，南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，DRAM產(chǎn)業(yè)市況穩(wěn)定，每年市場(chǎng)需求成長(zhǎng)約15%~20%，但不代表短期內(nèi)
2018-08-06 16:41:19845 三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 4月25日，三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)汽車(chē)用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車(chē)應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛昨（17）日表示，第二季DRAM市場(chǎng)仍明顯供不應(yīng)求，且預(yù)期第三季旺季需求將持續(xù)成長(zhǎng)、維持供不應(yīng)求的市況，而第四季有可能受韓廠開(kāi)出新產(chǎn)能影響，預(yù)期屆時(shí)價(jià)格可望維持穩(wěn)定，整體而言，今年DRAM市況相當(dāng)健康穩(wěn)健。
2018-08-23 16:18:28706 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過(guò)個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開(kāi)始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:213452 由于DRAM市場(chǎng)正逐漸由供貨吃緊轉(zhuǎn)向供過(guò)于求，在需求前景不明且供給持續(xù)增加下，買(mǎi)方回補(bǔ)庫(kù)存意愿偏低，DRAM價(jià)格可能終結(jié)連9季上揚(yáng)態(tài)勢(shì)，南亞科第4季營(yíng)收恐難再創(chuàng)高。
2018-09-05 14:12:034657 DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財(cái)報(bào)，展望后市，南亞科總經(jīng)理李培瑛不諱言，第4季DRAM需求相對(duì)前半年保守，預(yù)期單季平均銷(xiāo)售單價(jià)可能下滑5%左右，PC需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用，且由于第3季
2018-10-18 16:40:111465 全球DRAM市場(chǎng)上，三星一家獨(dú)大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95％左右，而華亞科被美光全資收購(gòu)之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2．5％的份額跟前面三家公司20％—45％的份額相比是小巫見(jiàn)大巫。
2018-12-10 13:33:027953 三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 19日出具調(diào)查報(bào)告指出，今年上半年DRAM市場(chǎng)仍供過(guò)于求，價(jià)格持續(xù)下跌，不僅本季價(jià)格跌幅將超過(guò)二成，下季仍持續(xù)看跌15%，相當(dāng)于上半年累計(jì)跌價(jià)幅度超過(guò)三成，比市場(chǎng)原預(yù)期更悲觀，華邦、南亞科等芯片廠，以及模組廠威剛、宇瞻等，營(yíng)運(yùn)將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122875 今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592 DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，近期服務(wù)器用DRAM需求已經(jīng)反彈，此舉將幫助第二季DRAM市況優(yōu)于首季，下半年轉(zhuǎn)好。
2019-03-05 17:30:134818 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開(kāi)發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 DRAM廠南亞科昨日舉行股東會(huì)，總經(jīng)理李培瑛會(huì)后受訪表示，第2季DRAM市況已看到會(huì)比第1季好，第3季又會(huì)比第2季稍好，合約價(jià)跌幅會(huì)比現(xiàn)貨價(jià)??；整體而言，隨著旺季到來(lái)，下半年DRAM還是會(huì)比上半年好。
2019-05-31 16:58:212780 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開(kāi)發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布，已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102666 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-25 16:53:572848 韓國(guó)三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬(wàn)個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級(jí)DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動(dòng)設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開(kāi)啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
美國(guó)記憶體大廠美光（Micron Technology Inc.）股價(jià)大漲4.53%再攀新高，自第一季開(kāi)始，DRAM合約價(jià)預(yù)期將開(kāi)始止跌回升，南亞科(2408)可望受惠，今股價(jià)續(xù)攻上90元。 美光
2021-01-06 17:43:452693 的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先進(jìn)，或者說(shuō)1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓功耗降低15％
2021-01-27 17:28:332298 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，為了應(yīng)對(duì)巨大的客戶需求，英特爾在過(guò)去幾年里將其 14 納米和 10 納米的生產(chǎn)能力增加了一倍。英特爾產(chǎn)品現(xiàn)正逐漸轉(zhuǎn)向 10nm，目前全球共有三個(gè)工廠正在全速
2020-12-24 14:58:132323 據(jù)etnews報(bào)道，SK海力士已開(kāi)始在其位于韓國(guó)利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī)，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過(guò)并未透露
2021-01-20 18:19:202943 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896 
廠商都專心研究28nm DRAM芯片時(shí)，三星同樣跨過(guò)了28nm，直接開(kāi)始研發(fā)25nm工藝，最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車(chē)來(lái)與其他廠商拉開(kāi)差距，占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計(jì)劃在6月完成11nm DRAM芯片的開(kāi)發(fā)工作。 綜合整理自 比特網(wǎng) 萬(wàn)仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244 ％。其中生產(chǎn)設(shè)備資本支出降幅約四成。 ? 展望2022第四季度DRAM市場(chǎng)供需，南亞科表示，全球性總體經(jīng)濟(jì)面臨衰退，受高通膨、升息、俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)、封控等負(fù)面因素電子產(chǎn)品市場(chǎng)需求疲弱，部分終端客戶庫(kù)存逐步去化。 ? 供應(yīng)商庫(kù)存增加，部分供應(yīng)商調(diào)降資本支出，整體市
2022-10-19 14:16:082408 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:152892 
部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:211562 據(jù)報(bào)道，近期三星宣布自明年第一季度起，DRAM價(jià)格將上漲至少15%；盡管NAND閃存漲價(jià)跡象尚不明顯，但預(yù)測(cè)同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀點(diǎn)預(yù)計(jì)，DRAM價(jià)格漲勢(shì)將持續(xù)至2024年末。
2024-01-03 14:31:031462 據(jù)分析師預(yù)測(cè)，DRAM行業(yè)將于2030年前縮減工藝至10nm以下，然而當(dāng)前的設(shè)計(jì)已無(wú)法在此基礎(chǔ)上進(jìn)行延伸，故而業(yè)內(nèi)開(kāi)始尋求如3D DRAM等新型存儲(chǔ)器解決方案。
2024-04-03 15:48:251077 SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計(jì)劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506 和20nm的研發(fā)工作。預(yù)計(jì)21nm的DRAM產(chǎn)品將于今年年底推出，而20nm的產(chǎn)品則有望在明年中前后上市。此外，公司還表示將持續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)，以保持技術(shù)領(lǐng)先。
2024-11-12 14:27:051737 Memory)的開(kāi)發(fā)。 此次合作將充分融合南亞科技在10nm級(jí)DRAM技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，以及補(bǔ)丁科技在定制內(nèi)存產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的卓越能力。雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，共同打造出針對(duì)AI與邊緣應(yīng)用需求的高附加值、高性能、低功耗的定制超高帶寬內(nèi)存解決方案。 這一戰(zhàn)略合作的達(dá)成，標(biāo)志著南亞科技與補(bǔ)丁科技在內(nèi)存技
2024-12-20 14:28:171003 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923 據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，DRAM市場(chǎng)價(jià)格正面臨持續(xù)的下滑趨勢(shì)，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)至少將持續(xù)到今年第三季度。導(dǎo)致這一狀況的主要原因是IT產(chǎn)品需求疲軟以及中國(guó)公司供應(yīng)量的增加。
2025-02-10 17:30:40968
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