國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR3588 ChiL數(shù)字控制IC，以及IR3552與IR3546單、雙相位PowIRstage器件
2012-08-29 09:26:14
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全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，國(guó)際整流器公司（IR）近日推出IR3823 SupIRBuck?集成式穩(wěn)壓器，適用于空間受限、節(jié)能高效的網(wǎng)絡(luò)通信、服務(wù)器和存儲(chǔ)應(yīng)用。
2013-08-14 17:35:141531 微軟將以71.7億美元收購諾基亞設(shè)備與服務(wù)部門，加速發(fā)展Windows生態(tài)系統(tǒng)。
2013-09-03 14:36:461120 據(jù)外媒 TechCrunch 報(bào)導(dǎo)，亞馬遜的云服務(wù)部門 AWS 很可能已經(jīng)悄然收購了網(wǎng)絡(luò)信息安全公司 harvest.ai。 harvest.ai 創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)中包括兩名前 NSA 員工，他們用機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能的方式，分析一家公司關(guān)鍵 IP 上的用戶行為，進(jìn)而辨識(shí)和阻止有針對(duì)性的攻擊，防止資訊泄露。
2017-01-11 09:10:111753 在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動(dòng)下，外延設(shè)備的出貨量在未來五年將增長(zhǎng)三倍以上。 外延在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導(dǎo)體外延片正大舉進(jìn)軍超越摩爾領(lǐng)域 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長(zhǎng)用于硅基
2020-01-30 09:58:585823 )
2.IR915開啟openVPN服務(wù)器.
設(shè)計(jì)IR615 后端子網(wǎng)為192.168.10.0/24，IR915后端子網(wǎng)192.168.30.0/24，IR915_server 子網(wǎng)
2024-07-25 08:10:33
收購一款I(lǐng)TOP 4412開發(fā)板，有的請(qǐng)聯(lián)系我。。。。。。。。
2015-08-16 10:12:21
收購各系車輛OBD轉(zhuǎn)向燈數(shù)據(jù)，有剩余油量數(shù)據(jù)更好電話：***QQ：297266953聯(lián)系人：歐先生
2015-08-20 15:19:53
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
打造唐山電腦維修旗艦店----------唐山亦道為嬴電腦科技上門服務(wù)部：唐山唯一一家以家庭客戶為主要服務(wù)對(duì)象的正規(guī)公司。主要服務(wù)項(xiàng)目：軟件安裝、殺毒、升級(jí)，家庭網(wǎng)絡(luò)調(diào)試安裝
2009-01-03 20:45:28
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
18914951168求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
工作職責(zé)：1、售后服務(wù)部日常管理；2、對(duì)售后產(chǎn)品問題進(jìn)行診斷和協(xié)調(diào)；3、對(duì)常見售后產(chǎn)品質(zhì)量問題及時(shí)解答和歸總；任職要求：1、對(duì)照明特別是LED照明行業(yè)有3年以上工作經(jīng)驗(yàn)；2、對(duì)LED產(chǎn)品性能熟悉
2012-07-30 17:20:50
汽車是一個(gè)由數(shù)以萬計(jì)零部件組成的機(jī)電混合復(fù)雜系統(tǒng)，GRGTEST能幫助新能源汽車整車廠及零部件廠商快速提升零部件性能，滿足您對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)和安全的高要求，服務(wù)涵蓋汽車零部件的環(huán)境可靠性測(cè)試、電學(xué)性能
2016-12-26 13:59:56
本篇應(yīng)用筆記作為第二部分，重點(diǎn)介紹高輸出的硅應(yīng)變計(jì)
2021-03-11 07:56:41
聯(lián)系電話：***..聯(lián)系QQ：2668053208....收購蘋果5代液晶屏 收購蘋果5代主板 收購蘋果A5 A6 A4處理器收購蘋果ic收購蘋果外殼 收購5代外殼 收購5代攝像頭收購iphone5
2014-05-15 16:27:56
打擾下了，如果您現(xiàn)在也正在尋找新的發(fā)展平臺(tái)請(qǐng)您留意下我們公司我公司網(wǎng)站：www.jinbenteng.com以上兩職位均需要有汽車電子方面工作經(jīng)驗(yàn)。技術(shù)服務(wù)部副經(jīng)理需要您具備汽車電子方面的售后工作
2009-08-04 16:26:39
the IR2339/IR2339n is a high performacne quad comparator ,which poerates form a single power supply to a wide range of voltages.
2008-09-08 13:03:19
46 NPN 硅外延三極管型號(hào)
2009-11-12 14:28:4121 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國(guó)IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2442 Vishay公司作出一項(xiàng)非約束性收購計(jì)劃，即耗資16億美元來收購IR公司（International Rectifier）的股票。如果該項(xiàng)交易通過的話，收購將強(qiáng)化Vishay的分立器件業(yè)務(wù)。IR與Vishay均是全球最大的
2008-08-19 13:14:151899 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測(cè)與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯(cuò)及位錯(cuò)密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:404098 
愛立信收購北電無線事業(yè)部 出資11.3億
在2009年1月宣布進(jìn)入破產(chǎn)保護(hù)的北電(Nortel)決定放棄重整，并將逐步出售營(yíng)運(yùn)狀況良好的部
2009-08-17 09:48:28487 英國(guó)電信全球服務(wù)部和沃達(dá)豐將在Light Reading于倫敦舉辦的OSS 2.0會(huì)議上發(fā)表主題演講
TM Forum 也將參與討論
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2009-10-15 08:39:39899 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-23 08:35:54807 ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精
2010-01-23 09:32:321062 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-25 09:17:05708 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:292222 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:091458 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351748 IRPLCFL2 IR2156 42W，單管，緊湊型熒光燈鎮(zhèn)流器，110/220VAC IRPLCFL3 IR2156 雙向可控硅調(diào)光電路，27W，單管，小型熒光燈鎮(zhèn)流器，120VAC
2011-02-09 09:23:51106 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:044803 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布擴(kuò)充其 PowIRstage 集成式器件系列，推出專為下一代服務(wù)器、消費(fèi)者及通信系統(tǒng)優(yōu)化的 40A IR3553。
2011-12-06 16:06:313018 半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書，重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38119 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR3551以擴(kuò)充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17 09:37:092818 思科昨日宣布，它已經(jīng)完成收購NDS Group的交易。思科還將通過收購NDS擴(kuò)展其全球視頻產(chǎn)品在新生市場(chǎng)的銷售范圍，進(jìn)一步拓寬其服務(wù)供應(yīng)商的服務(wù)范圍和加深與客戶的關(guān)系。
2012-08-01 09:24:461276 本周一（25日），思科宣布將收購云服務(wù)管理解決方案供應(yīng)商SolveDirect。
2013-03-26 10:10:25817 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出IR3891和IR3892 SupIRBuck集成式雙輸出穩(wěn)壓器，適用于空受限的網(wǎng)絡(luò)通信、服務(wù)器和存儲(chǔ)應(yīng)用。
2013-11-20 16:04:251496 NB-IoT Instruments -NBA-中科院測(cè)試服務(wù)部
2016-12-26 16:01:2234 法國(guó)阿斯克新城和德國(guó)德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術(shù)研究院 （IEMN） 的最新結(jié)果顯示，ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:426459 
華為全球技術(shù)服務(wù)部副總裁、管理服務(wù)與網(wǎng)絡(luò)保障服務(wù)部總裁沈惠豐發(fā)布AUTIN解決方案
2018-03-14 10:50:058856 氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí)，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 無論您剛剛畢業(yè)還是有數(shù)年經(jīng)驗(yàn)，請(qǐng)考慮加入ADI公司。本視頻重點(diǎn)展現(xiàn)ADI公司企業(yè)信息服務(wù)部門激動(dòng)人心的工作內(nèi)容分析。
2018-06-01 14:57:003350 分析師凱蒂－休伯特（Katy Huberty）在給客戶的一份報(bào)告中指出?！疤O果應(yīng)用商店已經(jīng)成為蘋果服務(wù)部門最大動(dòng)力來源?！毙莶貙⑻O果的目標(biāo)股價(jià)從每股200美元上調(diào)到了214美元，與周三收盤價(jià)相比
2018-05-28 12:31:002889 IR2133IR2135 / IR2233IR2355（J＆S）是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有三個(gè)獨(dú)立的高端和低端參考輸出通道，用于3相應(yīng)用。專有的HVIC技術(shù)可實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固耐用的單片結(jié)構(gòu)
2018-05-31 13:00:0061 微軟收購的步伐在加速，繼收購github后，又收購人工智能創(chuàng)企Bonsai，計(jì)劃將Bonsai與該公司配備了GPU和Brainware的Azure云服務(wù)相結(jié)合，全方位部署云服務(wù)。
2018-06-21 09:48:424589 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-15 14:53:494130 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176874 近日，歐司朗Sylvania與Wesco簽訂了收購SLS資產(chǎn)的最終協(xié)議，SLS將成為Wesco Services LLC子公司的一部分。據(jù)知情人士透露，這筆交易價(jià)格不到1億歐元。SLS是歐司朗在北美的服務(wù)部門，2018年的銷售額約為1億美元，總部位于馬薩諸塞州的威爾明頓。
2019-01-22 15:25:471583 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在上月26億美元收購Looker Data Sciences公司之后，搜索巨頭谷歌在云計(jì)算方面又有了新的收購目標(biāo)，其已宣布將收購云存儲(chǔ)服務(wù)提供商Elastifile。
2019-07-10 16:33:31767 紐約州的金融監(jiān)管機(jī)構(gòu)是NYDFS，即紐約州金融服務(wù)部。長(zhǎng)期以來，紐約州以其對(duì)加密貨幣嚴(yán)厲的監(jiān)管著稱。紐約州的加密貨幣交易牌照BitLicense，也是美國(guó)所有州中最難拿到的加密貨幣許可牌照之一
2019-07-25 10:56:161484 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外，公司還報(bào)告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍(lán)圖。
2020-04-08 16:53:125033 
近日，東方日升通過下屬全資公司向盾安光伏收購聚光硅業(yè)100％股權(quán)。在光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，東方日升本次的收購不僅體現(xiàn)了自身加快全產(chǎn)業(yè)鏈布局的決心，也展示出了對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)的信心。 東方日升多年來一直在
2020-11-09 18:17:176521 11月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，電動(dòng)汽車制造商特斯拉將在中國(guó)成立一個(gè)移動(dòng)服務(wù)部門，特斯拉車主可使用簡(jiǎn)單易用的二維碼來進(jìn)行移動(dòng)服務(wù)預(yù)約。 據(jù)悉，特斯拉一直采用的是直銷模式，沒有經(jīng)銷商與4S店，其售后
2020-11-17 15:49:502770 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是2SC3356微波低噪聲放大用NPN外延硅射頻晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2020-12-16 08:00:007 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:302566 GaN?是一種寬帶隙半導(dǎo)體，它允許器件在比硅更高的溫度和更高的電壓下工作。此外，GaN 更強(qiáng)的介電擊穿能力可以構(gòu)建更小，因此電阻更低的器件。具有較小電容的較小器件是由較低的特性Rds(on)產(chǎn)生
2022-07-29 18:19:472652 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5215305 該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:542005 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長(zhǎng)，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長(zhǎng)。
2022-11-29 16:05:154887 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。
2023-04-21 09:31:094421 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。
2023-06-16 10:05:181966 
計(jì)算機(jī)、人工智能等新興領(lǐng)域。由于硅（Si）材料發(fā)光效率低，因此將發(fā)光效率高的III-V族半導(dǎo)體材料如砷化鎵（GaAs）外延在CMOS兼容Si基襯底上，并外延和制備激光器被公認(rèn)為最優(yōu)的片上光源方案。由于Si與GaAs材料間存在大的晶格失配、極性失配和熱膨
2023-06-26 15:46:041712 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:232593 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03863 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:343034 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺(tái)灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國(guó)劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計(jì)和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟
2023-11-06 17:32:311338 
紫金山觀察消息顯示，該項(xiàng)目一期投資19.3億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力，支撐開展大尺寸硅外延和化合物外延研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化，擴(kuò)大在高端功率器件、集成電路等應(yīng)用領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2023-11-14 15:44:121346 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:1011188 
上海合晶硅材料股份有限公司（簡(jiǎn)稱“上海合晶”，證券代碼688584）正式在科創(chuàng)板掛牌上市，標(biāo)志著這家深耕半導(dǎo)體硅外延片領(lǐng)域多年的企業(yè)，迎來了全新的發(fā)展階段。
2024-02-19 09:37:461579 上海合晶硅材料股份有限公司（簡(jiǎn)稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創(chuàng)板成功上市，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)，以其卓越的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新的工藝技術(shù)在市場(chǎng)上樹立了良好的口碑。
2024-02-26 11:20:081859 上海合晶硅材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“上海合晶”，股票代碼：SH:688584）近日在上海證券交易所科創(chuàng)板成功掛牌上市，標(biāo)志著這家在半導(dǎo)體硅外延片制造領(lǐng)域深耕多年的企業(yè)邁入了全新的發(fā)展階段。
2024-03-11 16:05:081927 麥斯克電子近日宣布，其年產(chǎn)360萬片8英寸硅外延片的項(xiàng)目已成功封頂。據(jù)CEFOC中電四公司透露，該項(xiàng)目的總投資額超過14億元，建設(shè)規(guī)模宏大，占地建筑面積超過5萬平方米。預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成并投產(chǎn)后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)量將達(dá)到360萬片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312194 前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到
2024-06-12 08:09:075138 
蘋果公司近期采取了一項(xiàng)罕見的行動(dòng)，其服務(wù)部門宣布裁員約100名員工，這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)知情人士透露，裁員通知已于8月27日周二正式下達(dá)給受影響的員工，他們分散在由高級(jí)副總裁艾迪·庫伊領(lǐng)導(dǎo)的服務(wù)集團(tuán)內(nèi)的多個(gè)不同團(tuán)隊(duì)中。
2024-08-29 15:45:01880 系統(tǒng)等領(lǐng)域。除硅基激光器外，硅基光探測(cè)器、硅基光調(diào)制器等硅基光電子器件技術(shù)已經(jīng)基本成熟，但作為最有希望實(shí)現(xiàn)低成本、大尺寸單片集成的硅基外延激光器仍然面臨著諸多挑戰(zhàn)。
2024-10-24 17:26:3732074 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496643 
SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí)，有效避免這些問題的產(chǎn)生，可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 引言
碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317 
京準(zhǔn)電鐘：關(guān)于GPS北斗衛(wèi)星授時(shí)服務(wù)部署方案
2025-02-25 09:54:41731 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY -DTA114YE PNP硅外延平面數(shù)字晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 17:03:060 在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺(tái)階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
今天，硅基流動(dòng)聯(lián)合沐曦集成電路（上海）股份有限公司（簡(jiǎn)稱“沐曦”），全球首發(fā)基于沐曦曦云 C550 集群的月之暗面 Kimi-K2 大模型商業(yè)化服務(wù)部署。該服務(wù)運(yùn)行于匯天網(wǎng)絡(luò)科技有限公司（簡(jiǎn)稱“匯
2025-07-23 17:33:581669 半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061537 
格羅方德（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）宣布收購總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF），此舉標(biāo)志著格羅方德在推進(jìn)硅光技術(shù)創(chuàng)新
2025-11-19 10:54:53430
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