隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)新的單晶薄膜，為提升器件性能發(fā)揮了關(guān)鍵作用。本文將對(duì)外延技術(shù)的定義、分類(lèi)、原理、常用技術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行探討。
2025-06-16 11:44:03
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外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4717658 在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動(dòng)下，外延設(shè)備的出貨量在未來(lái)五年將增長(zhǎng)三倍以上。 外延在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導(dǎo)體外延片正大舉進(jìn)軍超越摩爾領(lǐng)域 據(jù)麥姆斯咨詢(xún)介紹，目前，外延生長(zhǎng)用于硅基
2020-01-30 09:58:585823 Asterion DC ASM系列電源可通過(guò)直觀易用的觸摸屏或數(shù)字通信接口進(jìn)行控制，其標(biāo)配LXI LAN，USB和RS232接口且可選配GPIB接口。
2021-11-23 09:57:363644 
全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8）的進(jìn)一步增強(qiáng)。該機(jī)臺(tái)采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì)，兼容6
2024-10-17 14:11:31830 
的12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37808 本書(shū)主要內(nèi)容包括：電源技術(shù)概述及通信電源系統(tǒng)組成、相位控制型電源、基準(zhǔn)電源與程控電源、開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源、物理電源與化學(xué)電源、不間斷電源、通信電源集中監(jiān)控系統(tǒng)以及開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)等。
2013-02-19 15:14:35
擾動(dòng)的來(lái)源是多個(gè)負(fù)載連接到同一網(wǎng)絡(luò)，引起擾動(dòng)穿越鄰近設(shè)施和建筑物。為了克服電源質(zhì)量挑戰(zhàn)，有必要監(jiān)控輸入以及負(fù)載產(chǎn)生的擾動(dòng)。電源質(zhì)量監(jiān)控可為設(shè)備提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)，并且?guī)椭_定合適的管控技術(shù)來(lái)提高電源質(zhì)量。如果利益相關(guān)方充分利用這些技術(shù)，其昂貴的基礎(chǔ)設(shè)施將受益于干凈的電源并獲得更長(zhǎng)的使用壽命。
2019-07-16 08:24:22
大家好，我正在研究PIC16F68上的一個(gè)舊的ASM軟件。在某些情況下，會(huì)發(fā)生設(shè)備復(fù)位，我試圖找出原因。我不能把ICD3作為調(diào)試器，因?yàn)槌绦騼?nèi)存已滿(mǎn)（2個(gè)單詞空閑）。我試過(guò)：-禁用配置位=>中
2020-03-31 09:55:07
STM32 的 GPIO 配置中，對(duì) MODER 設(shè)置使某引腳為復(fù)用功能，也就是分配給片上設(shè)備用，輸入輸出由片上設(shè)備決定。
但若所選的片上設(shè)備還沒(méi)有啟用，那么這時(shí)此引腳是什么狀態(tài)呢？
按照我粗淺的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，好象是高阻狀態(tài)。但是我也不肯定，也沒(méi)有看到手冊(cè)中對(duì)這種情況的敘述。
2024-04-24 07:59:42
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
我正在 Linux 中開(kāi)發(fā) ASM330LH。在內(nèi)核中啟用 ASM 驅(qū)動(dòng)程序、IIO 驅(qū)動(dòng)程序并在設(shè)備樹(shù)中添加 asm 節(jié)點(diǎn)條目后，設(shè)備就會(huì)被檢測(cè)到。目標(biāo)：/sys/bus/iio/devices
2023-01-13 08:14:53
` 有誰(shuí)用過(guò)SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
是否有必要為車(chē)載設(shè)備編程提供XRE引腳的訪問(wèn)？或者設(shè)備可以像PSOC 1設(shè)備那樣使用功率復(fù)位編程嗎？編程規(guī)范說(shuō)明XRES方法是推薦的方法，但是可選地使用功率序列，但是必須使用技術(shù)參考手冊(cè)XRE。有人讓電源重新編程工作嗎？我寧愿在板上沒(méi)有XRE的冗余連接器引腳。
2019-09-17 14:31:51
型號(hào)。今天中港揚(yáng)盛技術(shù)員就跟大家聊聊使用功率FET應(yīng)該注意的問(wèn)題有哪些。電路的綜合成本超過(guò)雙極型晶體管,尤其是在開(kāi)關(guān)頻率提高的情況下,功率FET是不可缺少的元件。功率FET用于開(kāi)關(guān)電源時(shí),若使用雙極型晶體...
2021-11-12 07:10:09
有關(guān)在 OpenVINO? 工具套件中啟用 NPU 設(shè)備的咨詢(xún)。
2025-03-06 07:25:43
組件可以通過(guò)創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來(lái)控制功耗編譯時(shí)可使用CONFIG_PM_ENABLE選項(xiàng)啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會(huì)增加中斷延遲。額外延遲與多個(gè)因素有關(guān)，例如CPU頻率
2021-12-27 06:11:35
描述TIDA-00761 是在小外形設(shè)計(jì)中采用 bq25120 IC 的電源管理解決方案，適用于低功耗可穿戴設(shè)備。它集成了用于可穿戴設(shè)備的最常用功能：線性充電器、穩(wěn)壓輸出、負(fù)載開(kāi)關(guān)、帶計(jì)時(shí)器的手動(dòng)
2018-08-24 09:35:48
和渦輪分子泵, 檢漏儀 ASM 392 內(nèi)置2臺(tái)渦輪分子泵, 可以加速檢漏流程, 降低生產(chǎn)設(shè)備的停機(jī)時(shí)間, ASM 390, ASM 392 對(duì)氦氣的快速抽空能力
2022-07-28 09:19:53
如何導(dǎo)入ASM文件到工程(視頻教程)
2009-07-25 09:54:15
39 Marki Microwave 的 MEQ7-20ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 20 GHz，增益均衡為 7.5
2023-05-12 13:52:59
Marki Microwave 的 MEQ5-20ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 20 GHz，增益均衡為 5 dB。標(biāo)簽
2023-05-12 14:01:39
電氣設(shè)備-電源設(shè)備技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)成就軌道交通電源行業(yè)強(qiáng)者
2010-11-10 23:55:4018 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 最新的 USB 3.1 標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和外部設(shè)備對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?b class="flag-6" style="color: red">ASM3142 設(shè)計(jì)精良，適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)周邊設(shè)備。產(chǎn)品技術(shù)資料接口類(lèi)型：U
2024-11-11 14:57:43
硅單晶外延層的質(zhì)量檢測(cè)與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯(cuò)及位錯(cuò)密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:404098 
IR收購(gòu)ATMI硅外延服務(wù)部
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)宣布收購(gòu)ATMIInc.(納斯達(dá)克：ATMI)的特殊硅外延服務(wù)部。目
2009-07-06 08:45:271208 ASM-51宏匯編使用手冊(cè)
ASM-51 宏匯編主要用來(lái)開(kāi)發(fā)Inter8051系列單片機(jī)，它具有宏處理，數(shù)據(jù)處理，列表處理和條件處理等多種功能。源程
2009-09-06 09:04:492025 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-23 08:35:54807 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-25 09:17:05708 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:292222 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 ASM固晶培訓(xùn)資料.關(guān)于固晶和焊線的相關(guān)知識(shí)介紹
2015-11-10 15:07:430 利用功率元件簡(jiǎn)化1kW電源設(shè)計(jì) 的PDF。
2016-01-06 18:03:430 電源設(shè)計(jì)——利用功率元件簡(jiǎn)化1kW電源設(shè)計(jì)
2016-05-24 16:45:550 如何啟用USB主機(jī)到主機(jī)設(shè)備的API支持Android_英版。
2016-10-12 16:05:100 AT&T_ASM資料，匯編語(yǔ)言。
2016-11-23 11:52:461 對(duì)于禁用和啟用網(wǎng)卡，找到控制面板的網(wǎng)絡(luò)設(shè)置里面就可以搞定的，但他們偏偏不，就要用批處理實(shí)現(xiàn)，好吧，微軟的 DevCon 工具就可以命令行禁用或啟用網(wǎng)卡，下面是兩個(gè)批處理的例子。
2017-09-20 14:37:355 ARM Bootloader 的實(shí)現(xiàn)C 和 ASM 混合編程
2017-10-30 09:28:1615 疲勞駕駛研究中，面部關(guān)鍵特征精確定位與跟蹤是個(gè)難點(diǎn)。提出了一種基于主動(dòng)形狀模型ASM和膚色模型的疲勞駕駛檢測(cè)方法。首先，利用膚色模型檢測(cè)到人臉區(qū)域?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">ASM提供初始定位；然后基于ASM進(jìn)行人眼和嘴巴
2017-11-28 11:31:222 人臉跟蹤和特征提取是人臉識(shí)別和機(jī)器視覺(jué)的關(guān)鍵技術(shù)。主動(dòng)形狀模型（Active Shape Model，ASM）是由Cootes等人于1995年提出的一種基于點(diǎn)分布模型算法，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于單幅人臉或
2017-12-19 13:47:560 ASM絕對(duì)半導(dǎo)體后段工序設(shè)備同時(shí)也是蘋(píng)果華為小米背后的隱形大佬，近年來(lái)，ASMPT的后段工序設(shè)備和SMT業(yè)務(wù)市占率均已位居全球第一，身家400億，行業(yè)內(nèi)大名鼎鼎卻像個(gè)謎。近一年多來(lái)，ASMPT回購(gòu)和大股東減持，ASMI卻仍舊選擇高位減持。
2018-02-07 11:08:2131626 
80386asm匯編集合
2018-03-02 11:47:202 本應(yīng)用報(bào)告描述了smartreflex?的觀念和利益在DM6467設(shè)備實(shí)施技術(shù)。兩種參考電源設(shè)計(jì)支持smartreflex特征進(jìn)行了討論。與smartreflex特征啟用，1W功率節(jié)省平均可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的設(shè)備。這個(gè)包括參考設(shè)計(jì)表明，在電壓中需要額外的組件。調(diào)節(jié)電路，但成本可以保持在最低限度。
2018-04-18 16:50:402 據(jù)媒體報(bào)道，TCL正考慮競(jìng)購(gòu)ASMI公司所持有的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)ASM Pacific Technology Ltd. （ASM太平洋科技有限公司，以下簡(jiǎn)稱(chēng)ASMPT）的25%的股權(quán)。
2018-09-30 17:20:004874 近日，據(jù)報(bào)道，中國(guó)電子巨頭 TCL集團(tuán)（ 000100）考慮收購(gòu)半導(dǎo)體器材制造商ASM International NV(ASM國(guó)際00522，HK)旗下ASM Pacific Technology Limited(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ASM太平洋”)的25%股權(quán)。
2018-10-10 10:22:573753 LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為L(zhǎng)ED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 重慶市大足區(qū)人民政府官網(wǎng)信息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚力成半導(dǎo)體”）一期廠房正式啟用，計(jì)劃10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)，生產(chǎn)線達(dá)21條，年產(chǎn)能達(dá)12萬(wàn)片。
2019-06-10 16:43:314942 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國(guó)內(nèi)LED技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4922362 ASM公司的引線框架事業(yè)部在全球引線框架領(lǐng)域排名前三，該事業(yè)部具有先進(jìn)的制造技術(shù)與長(zhǎng)遠(yuǎn)的產(chǎn)品路線規(guī)劃。
2020-07-29 16:09:011120 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是ASM源文件編譯器軟件免費(fèi)下載。適用于32位計(jì)算機(jī)，asm編譯器，將ASM51.exe放在同一目錄，在dos狀態(tài)編譯 如； d:asm51.exe ***.ASM{注意要空格}直接生成hex燒錄文件
2020-08-07 08:00:006 （ASM，architectedsoftmachine）。這個(gè)ASM將利用3D打印技術(shù)制造出真正的軟體機(jī)器人。
2020-08-14 10:16:151535 據(jù)外媒1月30日?qǐng)?bào)道，加拿大Micro LED技術(shù)開(kāi)發(fā)商VueReal宣布與ASM太平洋（ASMPT）達(dá)成合作關(guān)系，雙方將整合VueReal的墨盒Micro LED轉(zhuǎn)移技術(shù)與ASMPT的Micro LED巨量轉(zhuǎn)移接合技術(shù)。
2021-02-02 11:48:174040 本文檔將對(duì)嵌入式設(shè)備上的USB通用功能進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于希望有一個(gè)簡(jiǎn)單的接口可以經(jīng) USB 與主機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)讀 / 寫(xiě)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，本文檔可用作編程指南。文中還說(shuō)明了如何把 Microchip 通用功能驅(qū)動(dòng)程序融入到開(kāi)發(fā)者自己的應(yīng)用中。
2021-04-02 15:08:0218 EE-32：語(yǔ)言擴(kuò)展：內(nèi)存存儲(chǔ)類(lèi)型、ASM和內(nèi)聯(lián)構(gòu)造
2021-04-25 09:32:227 開(kāi)關(guān)電源如何選用功率電感(通信電源技術(shù)雜志社電話(huà))-開(kāi)關(guān)電源如何選用電感，非常不錯(cuò)的技術(shù)資料！功率電感 – 怎樣選擇- 8個(gè)設(shè)計(jì)小貼士 -
2021-09-27 12:07:5127 Oracle如何實(shí)現(xiàn)外部調(diào)用功能講解(直流穩(wěn)壓電源技術(shù)參數(shù))-該文檔為Oracle如何實(shí)現(xiàn)外部調(diào)用功能講解文檔，是一份不錯(cuò)的參考文檔，感興趣的可以看看，，，，，，，，，
2021-09-28 13:46:5310 型號(hào)。今天中港揚(yáng)盛技術(shù)員就跟大家聊聊使用功率FET應(yīng)該注意的問(wèn)題有哪些。電路的綜合成本超過(guò)雙極型晶體管,尤其是在開(kāi)關(guān)頻率提高的情況下,功率FET是不可缺少的元件。功率FET用于開(kāi)關(guān)電源時(shí),若使用雙極型晶體...
2021-11-07 17:06:0013 組件可以通過(guò)創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來(lái)控制功耗編譯時(shí)可使用CONFIG_PM_ENABLE選項(xiàng)啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會(huì)增加中斷延遲。額外延遲與多個(gè)因素有關(guān)，例如CPU頻率
2022-01-05 14:38:445 完成接線并數(shù)據(jù)閃存之后，便可在特定軟件環(huán)境中對(duì)溫度信號(hào)進(jìn)行調(diào)。通過(guò)環(huán)境界面中的標(biāo)定變量 “ASM_Temp_facTGain_C” 和 “ASM_Temp_tOfst_C” 增大或減小ECU讀到的溫度值，達(dá)到終端客戶(hù)要求。
2022-07-14 16:07:451655 的。IVWorks（韓國(guó)）利用基于深度學(xué)習(xí)的人工智能 (AI) 外延技術(shù)制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料，已獲得 670 萬(wàn)美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現(xiàn)在已獲得總計(jì) 1000 萬(wàn)美元的資金。三星旗下專(zhuān)業(yè)投資子公司三星風(fēng)險(xiǎn)投資參與了
2022-07-29 18:19:472652 
重組ASM存儲(chǔ)空間，從底層解析ASM磁盤(pán)，導(dǎo)出數(shù)據(jù)庫(kù)文件。從底層解析這些數(shù)據(jù)庫(kù)文件，按用戶(hù)將數(shù)據(jù)導(dǎo)入到新的數(shù)據(jù)庫(kù)中。
2022-09-26 11:15:232968 
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車(chē)、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站等
2023-02-16 10:50:0912987 晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測(cè)量工具和 技術(shù)，進(jìn)而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術(shù)，詳細(xì)介紹了幾種表 征技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景和近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的相關(guān)
2023-02-20 11:47:223015 數(shù)據(jù)庫(kù)故障：
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)的ASM磁盤(pán)組掉線，ASM實(shí)例不能掛載。管理員嘗試修復(fù)數(shù)據(jù)庫(kù)但是沒(méi)有成功。
數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)方案：
數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)工程師通過(guò)分析組成ASM磁盤(pán)組的磁盤(pán)
2023-03-03 13:42:501731 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
TPS3431-Q1是標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)帶啟用功能的可編程看門(mén)狗定時(shí)器用于汽車(chē)應(yīng)用?？撮T(mén)狗超時(shí)具有15%的精度，高精度計(jì)時(shí)（-40°C至+125°C），25oC時(shí)通常為2.5%。這個(gè)看門(mén)狗超時(shí)可以通過(guò)外部
2023-07-19 11:27:401231 
數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境：
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)ASM磁盤(pán)組有4塊成員盤(pán)。
數(shù)據(jù)庫(kù)故障&分析：
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)ASM磁盤(pán)組掉線 ，ASM實(shí)例無(wú)法掛載，用戶(hù)聯(lián)系我們要求恢復(fù)oracle數(shù)據(jù)庫(kù)。
2023-08-11 15:27:242103 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類(lèi)器件。
2023-08-15 14:43:343034 
asm預(yù)計(jì)兩年內(nèi)銷(xiāo)售額將從28億至34億歐元增加到30億至36億歐元。asm還重申了2023至2025年的總利潤(rùn)率為46%至50%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為26至31%的目標(biāo)。他還表示，將2026年至2027年設(shè)定了同樣的目標(biāo)，此后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。
2023-09-27 09:45:531753 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:1011188 
證監(jiān)會(huì)近日公告顯示，深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“納設(shè)智能”）已正式開(kāi)啟首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案程序。該公司專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）外延設(shè)備以及石墨烯等先進(jìn)材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和應(yīng)用推廣，是國(guó)產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備的領(lǐng)軍企業(yè)。
2024-02-26 17:28:021941 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:291418 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶啟用功能的1.5A快速響應(yīng)高精度LDO線性穩(wěn)壓器LP38855數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 09:24:270 異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù)，它指的是在一個(gè)特定的襯底材料上生長(zhǎng)出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過(guò)程，即：在一種材料的基片上生長(zhǎng)出另一種材料。
2024-04-17 09:39:421713 
英飛凌科技近日宣布，其首個(gè)面向客戶(hù)的“英飛凌電源應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室”已在上海張江的大中華區(qū)總部正式啟用。這一實(shí)驗(yàn)室的設(shè)立，標(biāo)志著英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新和服務(wù)客戶(hù)方面邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-05-07 14:59:461073 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶啟用功能的八進(jìn)制、十六進(jìn)制和四進(jìn)制D型觸發(fā)器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-13 11:11:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶啟用功能的150mACMOS超低智商和IGND LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-19 09:28:210 分子束外延（MBE）技術(shù)。外延層可以具有不同的摻雜類(lèi)型和濃度，以滿(mǎn)足特定的電子特性。 擴(kuò)散片是通過(guò)在硅片上擴(kuò)散摻雜劑來(lái)制造的。這個(gè)過(guò)程通常在高溫下進(jìn)行，以使摻雜劑擴(kuò)散到硅片中。擴(kuò)散片的摻雜濃度和深度可以通過(guò)控制擴(kuò)散時(shí)間
2024-07-12 09:16:522550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《啟用多個(gè)TPS4019x設(shè)備.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-10 10:58:260 全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8）的進(jìn)一步增強(qiáng)。該機(jī)臺(tái)采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì)，兼容6
2024-10-17 14:21:26514 
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境&故障：
Oracle ASM磁盤(pán)組由4塊磁盤(pán)組成。Oracle ASM磁盤(pán)組掉線 ，ASM實(shí)例不能mount。
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)故障分析&恢復(fù)
2024-10-28 11:26:08743 SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)。
2024-11-14 14:46:302350 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿(mǎn)足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496643 
電源技術(shù)對(duì)電子設(shè)備的影響深遠(yuǎn)且重要，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 一、提供穩(wěn)定電能 電源技術(shù)是電子設(shè)備正常運(yùn)行的基礎(chǔ)，它負(fù)責(zé)為設(shè)備提供穩(wěn)定和適當(dāng)?shù)碾娔?。這種穩(wěn)定的電能供應(yīng)是確保電子設(shè)備能夠持續(xù)、高效
2025-01-08 10:10:091466 SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，晶型夾雜和缺陷問(wèn)題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí)，有效避免這些問(wèn)題的產(chǎn)生，可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 影響外延片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問(wèn)題，應(yīng)力消除外延生長(zhǎng)裝置及外延生長(zhǎng)方法應(yīng)運(yùn)而生。本文將詳細(xì)介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。
應(yīng)力
2025-02-08 09:45:00268 
薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:232319 
。 首先提供我們內(nèi)部測(cè)試使用的原理圖供大家參考，工程師可以根據(jù)產(chǎn)品實(shí)際使用環(huán)境做更改。 圖1：DEMO板原理圖 核心管腳應(yīng)用技巧：從接線到防護(hù)的全流程指南 圖2 ASM1042管腳圖 1. 電源與邏輯電平控制管腳 VCC 電源管腳（3 腳） 通常要求 VCC 在 4.75V 至 5
2025-06-27 16:28:12933 
本文綜述了國(guó)科安芯推出的國(guó)產(chǎn)CANFD芯片ASM1042系列的技術(shù)特性與應(yīng)用前景。ASM1042系列作為一款高性能的CANFD收發(fā)器，支持5Mbps的高速通信和高達(dá)±70V的總線耐壓，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、工業(yè)控制和航空航天等領(lǐng)域。
2025-08-27 18:02:141002
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