這些問(wèn)題，很可能是因?yàn)槟銢](méi)有真正理解示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)：帶寬、采樣率和存儲(chǔ)深度。今天，我們就來(lái)徹底搞懂這三個(gè)參數(shù)，讓你的調(diào)試工作事半功倍！
2025-10-29 17:45:26
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模塊的 5 大關(guān)鍵性指標(biāo)。 第一個(gè)指標(biāo)： WiFi 模塊的 發(fā)射功率 在不同無(wú)線協(xié)議下，發(fā)射功率均不相同。 SKYLAB 的 WIFI 模塊一般發(fā)射功率是在 18dBm 左右，大功率的 WIFI 模塊
2018-07-27 11:38:1530045 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車(chē)AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
5G在核心網(wǎng)部分不會(huì)有太大的變動(dòng)，5G的關(guān)鍵技術(shù)集中在無(wú)線部分。雖然5G最終將采用何種技術(shù)，目前還沒(méi)有定論。不過(guò)，綜合各大高端論壇討論的焦點(diǎn)，我今天收集了8大關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)然，應(yīng)該遠(yuǎn)不止這些。
2019-07-10 06:10:51
Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSFET 的選用
2025-03-24 15:03:44
摘要：本文闡述了MOSFET驅(qū)動(dòng)的基本要求以及在各種應(yīng)用中如何優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)關(guān)鍵詞： MOSFET 驅(qū)動(dòng)， MOSFET 并聯(lián) 1．引言隨著電源高效，高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到
2018-12-10 10:04:29
、關(guān)斷延遲時(shí)間：：Td(off）、下降時(shí)間：tf。下面是從以低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術(shù)規(guī)格中摘錄的內(nèi)容。這些參數(shù)的名稱和符號(hào)，各廠家間可能
2018-11-28 14:29:57
提高電源的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。此外，它還會(huì)提高電磁干擾的噪聲水平，從而使設(shè)計(jì)出的產(chǎn)品達(dá)不到理想的性能。若要最大限度降低電路板布局帶來(lái)的影響，設(shè)計(jì)人員必須確保通過(guò)將驅(qū)動(dòng)和MOSFET盡可能地背靠背放置，從而
2019-05-13 14:11:31
等的再生電流的高速路徑，需要2個(gè)FRD。這樣一來(lái)，添加FRD必然會(huì)使元器件數(shù)量增加，而且MOSFET導(dǎo)通時(shí)的漏極電流（Id）路徑中也因添加FRD而導(dǎo)致?lián)p耗增加。PrestoMOS通過(guò)實(shí)現(xiàn)內(nèi)部二極管
2018-11-28 14:27:08
開(kāi)關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
新型開(kāi)關(guān)電源，有需要的請(qǐng)下載。
2015-09-06 17:32:22
間距。如今，我在行業(yè)市場(chǎng)遇見(jiàn)的每個(gè)人，無(wú)論是生產(chǎn)電源、電池保護(hù)裝置還是電動(dòng)工具，幾乎都對(duì)尺寸變小或性能提升（或兩個(gè)特點(diǎn)兼具）的負(fù)載開(kāi)關(guān)有些興趣。因此，如果您的工業(yè)設(shè)計(jì)需要使用不少的SOT-23或更大的負(fù)載開(kāi)關(guān)，請(qǐng)考慮選擇我們的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB會(huì)在稍后感謝您。
2018-08-29 16:09:11
Maurice Moroney 市場(chǎng)經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)
2018-10-16 21:19:44
Maurice Moroney市場(chǎng)經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)頻率
2018-10-16 06:20:46
Maurice Moroney市場(chǎng)經(jīng)理ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)頻率將
2018-10-24 09:47:32
%,開(kāi)關(guān)頻率就可以從500kHz（TrenchFET MOSFET）增加到1MHz（NexFET MOSFET）。當(dāng)開(kāi)關(guān)電源工作在更高的頻率時(shí),無(wú)源器件,例如輸出電感等的尺寸就可以減少50%,這也改善
2012-12-06 14:32:55
“各得其所”作為目標(biāo)，具有諸多優(yōu)點(diǎn)。家族的產(chǎn)品陣容再豐富，如果電源IC的性能與所需功能不滿足最新的要求，就沒(méi)有任何意義。以BD9C301FJ的特征與規(guī)格為例。BD9C301FJ是在3A的1ch同步整流
2018-12-04 10:06:42
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
Java語(yǔ)言學(xué)習(xí)六大關(guān)鍵
2021-01-01 07:59:00
有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。高速、低噪聲 KN系列KN系列是繼承EN系列的低噪聲性能，并改善了高速性能的系列。當(dāng)然，依然保持低導(dǎo)通電阻。為提高開(kāi)關(guān)速度，降低了Rg和Qgd
2018-12-04 10:17:20
C51單片機(jī)LCD1602驅(qū)動(dòng)程序LCD1602簡(jiǎn)介1602的引腳操作時(shí)序?qū)懖僮鲿r(shí)序時(shí)序參數(shù)LCD1602關(guān)鍵性操作一、初始化二、清屏指令二、進(jìn)入模式設(shè)置指令三、顯示開(kāi)關(guān)控制指令四、功能設(shè)定指令
2021-11-18 08:56:46
的基礎(chǔ)。MOSFET設(shè)計(jì)的改進(jìn)可使電路設(shè)計(jì)者充分發(fā)揮改進(jìn)器件的性能，比如開(kāi)關(guān)性能的提高和其他幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的改善，可確保轉(zhuǎn)換器能夠更高效地運(yùn)行。某些情況下，還可對(duì)設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行修改。若不采用這些改進(jìn)
2018-12-07 10:21:41
PWM開(kāi)關(guān)調(diào)整器的應(yīng)用電路PWM開(kāi)關(guān)調(diào)整器在單片或同一封裝中，含有控制電路和高壓功率開(kāi)關(guān)MOSFET。本文重點(diǎn)介紹PWM開(kāi)關(guān)調(diào)整器的典型應(yīng)用電路。關(guān)鍵詞：PWM與功率MOSFET組合調(diào)整器應(yīng)用電路一
2010-01-10 12:15:51
Si-MOSFET大，因此要想實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，需要使外置柵極電阻盡量小，小到幾Ω左右。但是，外置柵極電阻還承擔(dān)著對(duì)抗施加于柵極的浪涌的任務(wù)，因此必須注意與浪涌保護(hù)之間的良好平衡。關(guān)鍵要點(diǎn):?為使
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例2：脈沖電源脈沖電源是在短時(shí)間內(nèi)瞬時(shí)供電的系統(tǒng)，應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開(kāi)關(guān)，但市場(chǎng)需要更高耐壓更高速
2018-11-27 16:38:39
我想運(yùn)用生成即保證正確（correct-by-construction）規(guī)則設(shè)計(jì)多處理器混合關(guān)鍵性系統(tǒng)，請(qǐng)問(wèn)生成即保證正確（correct-by-construction）規(guī)則可用嗎？在什么情況下可用？
2016-02-17 16:18:34
概述 為了能夠給用戶提供可靠的通信保證，移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)必須滿足合適的性能指標(biāo)。覆蓋、容量、切換性能，都是衡量一個(gè)移動(dòng)通信系統(tǒng)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)性能的關(guān)鍵指標(biāo)(KPI)?！ ?duì)于TD-SCDMA系統(tǒng)
2019-06-05 08:14:59
VoLTE端到端部署10大關(guān)鍵問(wèn)題你都了解嗎
2021-05-21 06:18:42
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過(guò)使用新型開(kāi)關(guān)管以提高開(kāi)關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
控，不同架構(gòu)對(duì)各應(yīng)用有不同的優(yōu)勢(shì)。 ADI的技術(shù)可滿足廣泛應(yīng)用的需求，從微功耗、ksps級(jí)低端功率處理能力到超高速、低偏斜隔離，應(yīng)有盡有。 魯棒性是新型隔離器向前發(fā)展的關(guān)鍵指標(biāo)，我們的產(chǎn)品具有最佳的共模瞬變抗擾度、直接功率注入和輻射性能。
2018-10-29 16:37:37
或電容。數(shù)據(jù)傳輸。它可以是邊沿編碼、開(kāi)關(guān)鍵控或脈寬調(diào)制。封裝。其特性有材料等級(jí)、爬電距離和電氣間隙等。 數(shù)據(jù)傳輸如何影響隔離器性能哪些因素決定隔離器的電氣性能？編碼。在編碼中會(huì)有一些編碼開(kāi)銷(xiāo)，編碼可以
2018-09-03 11:57:50
現(xiàn)代化戰(zhàn)爭(zhēng)對(duì)吸波材料的吸波性能要求越來(lái)越高，一般傳統(tǒng)的吸波材料很難滿足需要。由于結(jié)構(gòu)和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術(shù)的新亮點(diǎn)。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
需求為：功率消耗、外形因素、敏感性和成本。滿足這些需求不單意味著目前傳感器應(yīng)用的提高，同時(shí)還意味著新應(yīng)用的出現(xiàn)，包括聲源定位、精確的運(yùn)動(dòng)跟蹤、便攜式過(guò)敏原檢測(cè)等。據(jù)報(bào)告，這些需求對(duì)于傳感器的激增尤其關(guān)鍵
2018-10-18 11:20:40
開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
問(wèn)題。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開(kāi)關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
業(yè)界為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)邁出了重要步驟，為2018年有可能成為物聯(lián)網(wǎng)真正起飛的一年鋪平了道路。以下是去年推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的十大關(guān)鍵技術(shù)。
2020-10-23 10:02:04
運(yùn)算與抓取顯然是難以滿足物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代發(fā)展需求的，于是，具有自我運(yùn)算、判斷能力的人工智能技術(shù)勢(shì)必將成為下一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，不論是IBM，還是阿里、百度、360等都已經(jīng)開(kāi)始布局云平臺(tái)。顯然，他們已經(jīng)
2019-05-09 06:20:34
泰克公司最近宣布首款經(jīng)驗(yàn)證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的新型示波器平臺(tái)ASIC各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實(shí)現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計(jì)目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)
2019-07-24 07:47:20
轉(zhuǎn)換，所以稱為 Half flash(半快速)型。還有分成三步或多步實(shí)現(xiàn)AD轉(zhuǎn)換的叫做分級(jí)(Multistep/Subrangling)型AD，而從轉(zhuǎn)換時(shí)序角度又可稱為流水線(Pipelined)型
2019-01-04 10:33:44
性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)
性能。本文介紹了混頻器的
關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器?！?/div>
2019-06-26 07:33:14
平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模軟件、硬件及高性能測(cè)試儀器儀表的集成與應(yīng)用，將為無(wú)線電管理機(jī)構(gòu)、科研院所及業(yè)界相關(guān)單位等提供良好的無(wú)線電系統(tǒng)研究、開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)環(huán)境。面向5G關(guān)鍵技術(shù)評(píng)估工作，監(jiān)測(cè)中心計(jì)劃利用該平臺(tái)
2017-12-07 18:40:58
化的SJ-MOSFET。通過(guò)降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開(kāi)關(guān)性能。通過(guò)提高開(kāi)關(guān)速度，可降低開(kāi)關(guān)損耗并提高效率。最后列出了這三個(gè)系列相關(guān)技術(shù)信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進(jìn)一步
2018-12-03 14:27:05
射頻電路應(yīng)用設(shè)計(jì)的關(guān)鍵性課題:1. Interference and Isolation o
2009-05-07 19:39:47
22 新型ZVS 軟開(kāi)關(guān)直流變換器的研究:摘要：綜述了幾種新型的零電壓（ZVS）DC/DC變換器，并分析了變換器的優(yōu)缺點(diǎn)，研究了一種新型MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件的三電平ZVS變換器，并分析了這種
2009-06-19 19:49:3358 TGA2700TGA2700 關(guān)鍵性能頻率范圍：7至13 GHz25 dB標(biāo)稱增益30dBm輸出功率@Pin=10dBm，中頻12 dB輸入回波損耗10 dB輸出回波損耗0.25 um 3MI
2024-03-22 00:25:17
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開(kāi)關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開(kāi)關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)
2009-07-20 16:03:00998 
ADI新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器助力提高系統(tǒng)可靠性
ADI公司最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳
2009-12-03 08:34:14984 滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET
2012-08-29 14:52:061021 
NI LabVIEW三大關(guān)鍵技術(shù)提升測(cè)試速度與吞吐量
2016-03-22 15:02:300 選擇GPS模塊要關(guān)注哪些關(guān)鍵性能指標(biāo)。GPS模塊性能指標(biāo)主要有接收靈敏度、定位時(shí)間、位置精度、功耗、時(shí)間精度等。
一 GPS模塊的靈敏度 隨著GPS?應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)展，業(yè)界對(duì)GPS?接收機(jī)
2017-09-04 14:00:4112 性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。 無(wú)線基站接收機(jī) 我們首先分析無(wú)線基站中的典型接收機(jī)方框圖(圖1)。 圖1. 無(wú)線基站接收機(jī)典型框圖 因?yàn)榻邮盏降男盘?hào)經(jīng)過(guò)
2017-11-24 14:07:01889 
性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2019-03-18 16:01:228802 
今年的 VR/AR 發(fā)展可以說(shuō)既在情理之中，又是意料之外，總結(jié)起來(lái)就是三大關(guān)鍵詞。
2017-12-27 10:10:383888 嵌入式系統(tǒng)8大關(guān)鍵特性？典型的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)傳感器響應(yīng)環(huán)境，通過(guò)執(zhí)行器來(lái)控制環(huán)境，這樣對(duì)嵌入式系統(tǒng)提出了要求，即性能適應(yīng)環(huán)境。這就是為什么嵌入式系統(tǒng)通常被稱為反應(yīng)系統(tǒng)。作為反應(yīng)系統(tǒng)的嵌入式系統(tǒng)有著自身獨(dú)有的關(guān)鍵特性。本文小編就為讀者分析嵌入式系統(tǒng)8大關(guān)鍵特性有哪些？
2018-07-05 07:02:001347 數(shù)字液壓在節(jié)能、可靠性、控制性能等方面較傳統(tǒng)液壓控制方法有巨大優(yōu)勢(shì)，高速開(kāi)關(guān)閥作為數(shù)字液壓中的關(guān)鍵部件，其研究近年來(lái)得到重視。設(shè)計(jì)了一種新型壓電驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)閥，采用基于三角放大原理的滾針結(jié)構(gòu)，對(duì)壓電材料
2018-03-12 11:13:280 MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開(kāi)關(guān)頻率下的零電壓開(kāi)關(guān)三相逆變器及硬開(kāi)關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無(wú)源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無(wú)源元件體積與開(kāi)關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開(kāi)關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:0337 富士伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器選型6大關(guān)鍵性參數(shù) 伺服電動(dòng)機(jī)是利用反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)以工作為變量的系統(tǒng)的閉環(huán)控制的電動(dòng)機(jī)。交流感應(yīng)電機(jī)設(shè)計(jì)用于伺服操作以直角纏繞兩相。固定參考繞組由固定電壓源激勵(lì)，而伺服放大器的可變控制
2020-06-28 17:55:284746 據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃將加大在天津的投資，調(diào)整天津地區(qū)的部分產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，建設(shè)全球領(lǐng)先的動(dòng)力電池生產(chǎn)線以及車(chē)用MLCC工廠。天津戰(zhàn)略調(diào)整實(shí)現(xiàn)三星為了融入中國(guó)產(chǎn)業(yè)的三級(jí)跳“進(jìn)入、融入、升級(jí)”的關(guān)鍵性一步。
2018-12-11 14:44:266291 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:004543 
Nashua，N.H。 - 提高帶寬和靈活性是Teradyne，Inc。連接系統(tǒng)部門(mén)（TCS）新型GbX 2對(duì)連接器的兩大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。專為具有嚴(yán)格插槽限制的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如刀片服務(wù)器市場(chǎng)，新型連接器在
2019-10-06 17:08:002137 SMT貼片加工生產(chǎn)線上，施加焊錫膏——貼裝元器件——回流焊接是SMT三大關(guān)鍵工序。他們直接決定了整個(gè)SMT貼片的質(zhì)量好壞。下面介紹一下SMT貼片的三大關(guān)鍵工序。
2019-11-15 10:51:096709 性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2020-08-14 18:52:000 本文對(duì)近年新型、高端基板材料所用的特殊電解銅箔、特種樹(shù)脂，以及特種玻纖布的供應(yīng)鏈格局，以及對(duì)這三大材料新的性能需求，作以闡述。 2020 年初以來(lái)，全球新冠疫情蔓延，造成了我國(guó)覆銅板原材料供需鏈格局
2020-11-08 10:36:1214811 
與安卓系統(tǒng)相比，鴻蒙系統(tǒng)的三大關(guān)鍵特征，成為其優(yōu)勢(shì)所在，甚至可能成為鴻蒙系統(tǒng)與安卓系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的資本。
2021-02-19 15:32:357335 該新型天線滿足ISM、RFID、SCADA、物聯(lián)網(wǎng)和公用事業(yè)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的需求 Infinite Electronics旗下品牌，射頻、微波和毫米波產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商Pasternack推出了一系列新型
2021-01-20 14:59:082389 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供汽車(chē)圖像傳感器的關(guān)鍵性能和主要應(yīng)用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:45:085 無(wú)線基站通信標(biāo)準(zhǔn)，例如GSM、UMTS和LTE，定義了不同參數(shù)的下限指標(biāo)，包括接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。這些關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)無(wú)線基站中的每個(gè)射頻功能模塊提出了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在接收信號(hào)通路，混頻器性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文所介紹的混頻器關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2021-05-19 09:20:3212894 
的研發(fā)帶來(lái)新的挑戰(zhàn)，其中電源的設(shè)計(jì)便首當(dāng)其沖。 上篇中，我們介紹了車(chē)機(jī)系統(tǒng)中一級(jí)電源和二級(jí)電源的性能要求，今天我們來(lái)看一看下篇： 攝像頭供電和USB充電的關(guān)鍵性能 01如何解決環(huán)視攝像頭的供電問(wèn)題 將環(huán)視攝像頭的圖像處理
2021-11-06 10:39:325821 
第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，市場(chǎng)需求加大，先進(jìn)封裝工藝及封測(cè)設(shè)備升級(jí)是降低成本、確保良率‘搶跑’封測(cè)市場(chǎng)的兩大關(guān)鍵。
2022-08-25 14:32:402765 由于陶瓷板材料、電路布局和分割方法，選擇從激光加工里進(jìn)行切割陶瓷基板。但所需的成本、制造時(shí)間、尺寸、重量和產(chǎn)量才是關(guān)鍵問(wèn)題。在激光加工成型、鉆孔和分割電路時(shí)陶瓷基板方面與機(jī)械切割（使用鋸或模具）、水刀切割和機(jī)械鉆孔等其他方法相比，激光具有關(guān)鍵性優(yōu)勢(shì)。
2022-09-08 16:56:151862 
本文確定了以下方面的關(guān)鍵參數(shù)注意事項(xiàng)：比較IGBT和MOSFET的具體性能SMPS（開(kāi)關(guān)電源）應(yīng)用。在這兩種情況下都研究了開(kāi)關(guān)損耗等參數(shù)硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS（零電壓切換）拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">三個(gè)主電源開(kāi)關(guān)損耗：導(dǎo)
2022-09-14 16:54:121 、可靠的線性模式性能、增強(qiáng)保護(hù)或EMI特性等。突然之間，一系列全新的MOSFET參數(shù)（例如安全工作區(qū)域(SOA)）已經(jīng)成為某個(gè)特定應(yīng)用的關(guān)鍵參數(shù)。而優(yōu)化這些參數(shù)通常會(huì)對(duì)歷來(lái)很重要的參數(shù)產(chǎn)生直接負(fù)面影響。
2023-02-08 09:22:391232 連接器普遍應(yīng)用在各種環(huán)境中，特別是在振動(dòng)、濕氣和腐蝕等特殊環(huán)境中連接器需擁有一些出色的性能，以應(yīng)對(duì)多種惡劣的環(huán)境。本文康瑞連接器廠家主要為大家分享特殊環(huán)境中連接器應(yīng)具備的關(guān)鍵性能。
2023-02-22 14:40:121357 本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:148889 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:282136 
選擇BGA維修設(shè)備時(shí)，關(guān)注其關(guān)鍵性能指標(biāo)是非常重要的，它可以幫助您更好地識(shí)別并獲得最佳的維修設(shè)備。本文將從六個(gè)方面來(lái)介紹BGA維修設(shè)備的關(guān)鍵性能指標(biāo)，以幫助您作出更好的決定。 首先是精度指標(biāo)。BGA
2023-06-16 14:05:53989 
恒溫恒濕試驗(yàn)箱：關(guān)鍵性能與選型策略
2023-10-15 20:42:131297 
器件，能夠像IGBT一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān)，同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路 。今天將帶來(lái)本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:021859 
深入剖析高速SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)行為
2023-12-04 15:26:122229 
示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)有哪些？ 示波器是一種用來(lái)觀察和測(cè)量電信號(hào)的儀器。它通過(guò)顯示電壓隨時(shí)間變化的圖形，使我們能夠觀察信號(hào)的振幅、頻率、相位和波形等特征。在選擇和使用示波器時(shí)，有三個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)需要我們
2024-01-17 15:14:242624 交流接觸器在工業(yè)電氣控制中扮演著核心角色，其性能參數(shù)直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行與安全性。以下詳細(xì)解析交流接觸器的幾個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)。 交流接觸器的額定電壓 額定電壓指的是接觸器主觸點(diǎn)在正常工作狀態(tài)下所能
2024-08-15 17:39:405430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LMK1C110x系統(tǒng)級(jí)關(guān)鍵性能應(yīng)用說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-14 10:46:110 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開(kāi)關(guān)損耗是電子工程中一個(gè)關(guān)鍵的性能參數(shù)，它直接影響到電路的效率、熱設(shè)計(jì)和可靠性。下面將詳細(xì)闡述MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的概念、組成以及影響因素。
2024-09-14 16:11:522432 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新型驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)化高速功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-24 10:00:220 的關(guān)注。據(jù)統(tǒng)計(jì)，幾乎60%的EMI問(wèn)題都可以通過(guò)優(yōu)化高速PCB設(shè)計(jì)來(lái)解決。本文將詳細(xì)介紹高速PCB設(shè)計(jì)解決EMI問(wèn)題的九大規(guī)則，幫助工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)中有效減少EMI的產(chǎn)生。 高速PCB設(shè)計(jì)EMI九大關(guān)鍵規(guī)則 規(guī)則一：高速信號(hào)走線屏蔽規(guī)則 在高速PCB設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號(hào)線
2024-12-24 10:08:42934 演進(jìn)，主要集中在以下古河云科技三大關(guān)鍵領(lǐng)域展開(kāi)深度創(chuàng)新與實(shí)踐。 智能化診療服務(wù)體系的構(gòu)建 診療服務(wù)的智能化改造是智慧醫(yī)院最直接的體現(xiàn)，其核心在于打破傳統(tǒng)醫(yī)療的時(shí)空限制，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)醫(yī)療和高效服務(wù)。在臨床診療層面，
2025-04-25 11:55:55488 一、MOSFET開(kāi)關(guān)速度的定義與影響因素開(kāi)關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通（開(kāi)）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時(shí)間（tr）、下降時(shí)間（tf）和開(kāi)關(guān)時(shí)間（ts）來(lái)描述。開(kāi)關(guān)速度越快，MOSFET
2025-07-01 14:12:12660 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過(guò)流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇
2025-12-15 10:24:57240 
深度解析電流探頭的關(guān)鍵性能指標(biāo)與選型指南
2025-12-17 14:54:48154 
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