在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。
2021-03-07 10:56:00
3259 
HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的可靠運行而設(shè)計，其高速、高壓HS引腳可承受高達-10V的持續(xù)電壓，并以50V/ns速度轉(zhuǎn)換。
2020-06-29 10:54:061552 ，可產(chǎn)生精確的邊沿和快速上升和下降時間。 MIC4414采用4.5V至18V電源供電，可吸收和提供高達1.5A的峰值電流，在12ns內(nèi)切換1000pF電容。通態(tài)柵極驅(qū)動輸出電壓約等于電源電壓（無內(nèi)部穩(wěn)壓器或鉗位）
2020-04-16 10:14:10
18V轉(zhuǎn)5V，18V轉(zhuǎn)3.3V，18V轉(zhuǎn)3V，18V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片，18V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片，18V轉(zhuǎn)3V穩(wěn)壓芯片， 18V常降壓轉(zhuǎn)成5V電壓，3.3V電壓和3V電壓給其他芯片或設(shè)備供電，適用于這個
2020-10-15 17:06:36
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
你好，我正在尋找這兩個MOSFET的驅(qū)動器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
新型LCD驅(qū)動器是如何推動移動電視發(fā)展的？
2021-06-08 06:31:55
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
高速低側(cè)柵極驅(qū)動器14nsUCC27201A3A，120V高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器20ns表1：高速驅(qū)動器 系統(tǒng)效率是一個團隊努力的結(jié)果。本博客系列介紹了高速和高電流柵極驅(qū)動器是關(guān)鍵件。立即訪問
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-2-18 21:36 編輯
Diodes Incorporated AL1697 18V 離線式可調(diào)光 LED 驅(qū)動器是一款高性能、高
2019-02-16 10:26:04
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
控制系統(tǒng)給出一個PWM的信號，PWM通過一個電路，轉(zhuǎn)變成6V或者18V的電壓輸出，該電路輸出的中位電壓是12V。默認時是在中位的，當(dāng)在中位時，控制的設(shè)備是不動作的，當(dāng)設(shè)備信號端檢測到6V（18V
2017-06-21 11:23:39
在電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)控制等功率應(yīng)用領(lǐng)域，一款性能卓越、穩(wěn)定可靠的半橋驅(qū)動器對提升整機效率和可靠性至關(guān)重要。SLM2015CA-DG作為一款160V/200V高速半橋驅(qū)動芯片，憑借其出色的驅(qū)動
2025-11-26 08:20:51
等LED照明驅(qū)動領(lǐng)域。 適用于100mA,300mA等多種規(guī)格。SM7525隔離PSR 18V/290mA方案典型系統(tǒng)規(guī)格18V/290mA輸入電壓90Vac~264Vac輸出電壓8V-18V輸出電流
2016-01-07 13:55:46
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
工作電壓范圍：兼容多種電源設(shè)計，保障MOSFET/IGBT驅(qū)動可靠穩(wěn)定。
3. 10-20V輸入引腳寬范圍：增強信號兼容性，降低電壓波動致驅(qū)動失效風(fēng)險。
高效驅(qū)動，降低系統(tǒng)損耗
1. 4A拉/灌電流
2025-10-21 09:09:18
DC-DC轉(zhuǎn)換器（Buck, Boost, Buck-Boost）
電機驅(qū)動器（有刷/無刷直流電機、步進電機）
逆變器與UPS系統(tǒng)
工業(yè)自動化中的功率開關(guān)與繼電器驅(qū)動
任何需要緊湊、高速、可靠MOSFET
2025-07-28 09:07:47
，SiLM27519提供 IN+ 和 IN- 雙輸入引腳。
支持反相或非反相驅(qū)動配置：用戶可根據(jù)控制信號邏輯需求靈活選擇，無需外部反相器，簡化設(shè)計并提高系統(tǒng)集成度。這是其顯著優(yōu)勢！
高集成度與可靠
2025-07-26 09:13:52
在當(dāng)今功率電子設(shè)計中，驅(qū)動器的性能往往決定著整個系統(tǒng)的效率與可靠性，SiLM27524NCA-DG雙通道低邊門極驅(qū)動器，以其18ns的極速傳輸延遲和4.5A/5.5A的非對稱驅(qū)動能力，提供了全新
2025-11-17 08:25:27
供5A的強勁拉灌電流，其納秒級的開關(guān)速度與高欠壓保護閾值，使其成為替代傳統(tǒng)分立驅(qū)動方案、提升系統(tǒng)可靠性的理想選擇。核心特性：
高壓高速驅(qū)動：支持9V至30V的寬驅(qū)動電源范圍，在18V供電下可提供5A的峰值
2025-12-29 08:33:43
在開關(guān)電源系統(tǒng)中，門極驅(qū)動器是高效驅(qū)動功率器件、實現(xiàn)快速開關(guān)操作的關(guān)鍵組件，它能有效降低開關(guān)功率損耗，從而顯著提高系統(tǒng)效率。對于GaN等先進的寬帶隙功率器件技術(shù)而言，系統(tǒng)對驅(qū)動器的性能提出了更高
2025-11-04 08:48:24
設(shè)計的雙通道、單輸入、死區(qū)可編程的隔離柵極驅(qū)動器，在高速開關(guān)應(yīng)用和高可靠性系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。
核心優(yōu)勢聚焦：
獨創(chuàng)死區(qū)可編程 (DT)： SiLM8254的核心亮點在于其可編程死區(qū)時間功能。通過外部簡單配置
2025-07-14 09:34:01
概述：TC427是TELCOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款1.5A雙高速功率MOSFET驅(qū)動器。雙列直插DIP或貼片SOIC 8腳封裝。輸出峰值電流1.5A，最大輸入電壓18V。
2021-05-18 07:50:05
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機控制器線路驅(qū)動器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚撦d。提供三種標準邏輯選項-雙
2020-10-14 16:57:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片
2021-01-22 06:45:02
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動器。請問mosfet驅(qū)動器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
均采用 TO-247-4L 封裝，其中包括一個驅(qū)動器發(fā)射極/源極引腳。兩種情況均僅使用單極柵極驅(qū)動：IGBT為15V/0V，SiCMOSFET為18V/0V。表 1 顯示了使用相應(yīng)條件執(zhí)行的測試列表
2023-02-21 16:36:47
使用新型薄氧化層漏極延伸MOS器件，該驅(qū)動器可實現(xiàn)可靠的高壓操作，而這一新型器件通過CMOS技術(shù)實現(xiàn)時無需額外的費用。那么，我們該如何利用射頻功率放大器驅(qū)動器實現(xiàn)無線系統(tǒng)呢？
2019-07-31 06:07:48
工作電壓范圍為 4.4V 至 18V 的系統(tǒng)提供三相無刷直流 (BLDC) 電機驅(qū)動器解決方案。該設(shè)計采用 DRV10974 電機驅(qū)動器，從而能夠添加用于實現(xiàn)閉環(huán)速度控制的 MCU。DRV10974
2018-07-03 09:40:10
請問TI有沒有芯片可以支持以下電路設(shè)計的：輸入為+4~+6
V；輸出為+16~+
18V（0.2mA）和-16~-
18V（0.1mA）?；蛘咧惠敵?16~-
18V（0.1mA）。求解答~~ 謝謝?。?/div>
2016-01-25 15:59:28
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
求一個18V的電機驅(qū)動模塊或者設(shè)計思路！
2018-04-14 15:38:02
Portfolio系統(tǒng)，跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個司機與較高的供應(yīng)額定值，支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機。雖然選擇合適的集成三相無刷直流電機驅(qū)動器是有限的，一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
濾波得到約300V高壓直流電壓，然后通過PN8126電源驅(qū)動芯片進行調(diào)制，經(jīng)過高頻變壓器轉(zhuǎn)換為交流信號輸出低壓交流，然后再整流、濾波、穩(wěn)壓得到18V電源?！
2021-01-15 15:35:48
`請問電磁爐的igbt驅(qū)動電壓能大于18V嗎？`
2019-08-22 15:50:47
與TC4427類似的驅(qū)動器有哪些，哪些比18v大
2019-01-08 10:36:55
MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計本應(yīng)用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時間將MOSFET 驅(qū)動器的
2010-06-11 15:23:20
214 基于CMOS的隔離柵極驅(qū)動器以提高電源供電系統(tǒng)設(shè)計
與傳統(tǒng)的解決方案相比,完全集成的隔離柵極驅(qū)動器械可以顯著地提高開關(guān)電源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:3144 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115
18V穩(wěn)壓電源電路
2008-06-04 09:51:352202 
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級新版本，該器件是一個高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅(qū)動器，以在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和
2008-12-09 02:33:472132 
18V監(jiān)測電路圖
2008-12-23 17:41:221025 
18V監(jiān)測器電路
2009-01-10 12:06:401022 
18V監(jiān)測器電路圖
2009-04-17 11:23:36899 
ADI發(fā)表全新的高速MOSFET驅(qū)動器系列
美商亞德諾公司(Analog Devices；ADI)發(fā)表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管)驅(qū)動器家族，能提供2A與4A的峰值電流，同時
2009-11-23 08:41:401075 具有高開關(guān)速度和過溫保護功能的MOSFET驅(qū)動器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14
2009-12-03 10:03:511300 Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N
2010-02-01 10:22:161135 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。
2010-02-04 08:40:551641 
利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能
在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的
2010-02-04 10:41:501501 
ADI公司推出高速、四通道MOSFET驅(qū)動器-ADP3654
2010-09-20 09:24:362257 
MAX15024/MAX15025單/雙通道、高速MOSFET柵極驅(qū)動器，能夠在高達1MHz的工作頻率下驅(qū)動大的容性負載。
2011-05-03 09:42:343683 
M2105-雙路20v MOSFET驅(qū)動器芯片相關(guān)資料
2018-04-08 17:49:5864 MCP14E6/7/8 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動器，能夠提供
2.0A 的峰值電流。通過 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）直
接控制雙反相、雙同相和互補輸出。這些器件還具有較
低的直通電流、快速的上升 / 下降時間和傳播延時，這
使其成為高開關(guān)頻率應(yīng)用的理想之選。
2018-06-28 10:23:0012 MCP14E9/10/11 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動器，能夠提
供 3.0A 的峰值電流。通過 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）
直接控制雙反相、雙同相和互補輸出。這些器件還具有較
低的直通電流、近似匹配的上升/ 下降時間和傳播延時，
這使其成為高開關(guān)頻率應(yīng)用的理想之選。
2018-06-28 09:23:005 MCP14A0051/2 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動器，在使
用單個 4.5V 至 18V 電源工作時，最高能夠提供 0.5A
的峰值電流。反相 （MCP14A0051）或同相
2018-07-03 08:24:001 MCP14A0151/2 器件是高速 MOSFET 驅(qū)動器，在使用單
個 4.5V 至 18V 電源工作時，最高能夠提供 1.5A 的峰值電
流。反相 （MCP14A0151）或同相
2018-07-03 08:24:0010 UCC37323/4/5系列的高速雙MOSFET驅(qū)動器可以向電容性負載提供較大的峰值電流。提供了三種標準邏輯選項-雙反相、雙反相和一反相以及一個非反相驅(qū)動器。熱增強的8針PowerPadTM
2019-09-02 08:00:007 當(dāng)今多種 MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進步日新月異。要根據(jù) MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸，對如何將 MOSFET 驅(qū)動器與 MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得
2020-06-16 08:00:0028 18V 轉(zhuǎn) 12V，18V 轉(zhuǎn) 9V，18V 轉(zhuǎn) 5V，18V 轉(zhuǎn) 3.3V，18V 轉(zhuǎn) 3V， 18V 常降壓轉(zhuǎn)成 5V 電壓，3.3V 電壓和 3V 電壓給其他芯片或設(shè)備供電，適用于這個電壓
2020-10-12 08:00:0020 18V 轉(zhuǎn) 5V，18V 轉(zhuǎn) 3.3V，18V 轉(zhuǎn) 3V， 18V 轉(zhuǎn) 5V 穩(wěn)壓芯片，18V 轉(zhuǎn) 3.3V 穩(wěn)壓芯片，18V 轉(zhuǎn) 3V 穩(wěn)壓芯片， 18V 常降壓轉(zhuǎn)成 5V 電壓，3.3V 電壓
2020-10-14 08:00:0023 15V 降壓 3.3V，18V 降壓 3.3v 電源芯片，降壓芯片，穩(wěn)壓芯片，的幾款大電流 DC-DC 降壓和 LDO，芯片選型和電路圖，恒壓輸出的好幾款芯片，低功耗大電流降壓 IC 15V 降壓
2020-11-30 08:00:0023 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 ADP3629_3630_3631：高速雙通道2 A MOSFET驅(qū)動器
2021-04-17 15:29:101 ADP3654：高速雙4 A MOSFET驅(qū)動器
2021-04-25 20:44:092 LTC4449：高速同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:577 LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 18V 轉(zhuǎn) 12V 轉(zhuǎn) 9V 轉(zhuǎn) 5V 轉(zhuǎn) 3.3V 轉(zhuǎn) 3V 芯片，DC-DC 和 LDO(科奧信電源技術(shù)有限公司)-18V轉(zhuǎn)12V，18V轉(zhuǎn)9V，18V轉(zhuǎn)5V，18V轉(zhuǎn)3.3V，18V轉(zhuǎn)3V，18V常降壓轉(zhuǎn)成5V電壓，3.3V電壓和3V電壓給其他芯片或設(shè)備供電
2021-09-15 13:38:4947 (A89506) 選項，可將關(guān)鍵功能向上集成(up-integrate)以簡化系統(tǒng)設(shè)計，用固態(tài)驅(qū)動器代替機械繼電器以提高性能和可靠性。
2022-05-21 11:49:042513 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:174338 
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導(dǎo)致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:342087 
AP5101 高壓線性恒流電源驅(qū)動 輸入 24-36V 輸出3串18V LED線性恒流驅(qū)動方案
2023-07-31 10:29:591921 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX20474:3.0V至5.5V輸入,6V至18V輸出,同步推動轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有MAX20474:3.0V至5.5V輸入,6V至18V
2023-10-09 18:52:12
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道高速MOSFET驅(qū)動器TPS28xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:25:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道高速Mosfet驅(qū)動器TPS28xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:49:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高速MOSFET驅(qū)動器TPS28xx系列數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:47:052 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高速MOSFET驅(qū)動器TPS2811-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:40:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高速3A同步MOSFET驅(qū)動器LM2724A數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-19 09:53:190 MOSFET驅(qū)動器是一種用于驅(qū)動MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場合
2024-07-24 16:21:071852 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新型驅(qū)動器IC優(yōu)化高速功率MOSFET的開關(guān)特性.pdf》資料免費下載
2024-10-24 10:00:220 MOSFET驅(qū)動器功耗 MOSFET驅(qū)動器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動器交越導(dǎo)通（穿通
2024-10-29 10:45:212503 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器。浮動溝道驅(qū)動器可用于獨立驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 轉(zhuǎn)換器中進行 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器由獨立控制，并在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 1ns。為了提高在嘈雜電源環(huán)境中的性能，UCC27201A-Q1 的 HS 引腳能夠承受絕對最大 -18V。
2025-05-19 17:32:07710 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
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2025-07-09 18:30:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有可選同步 MOSFET 驅(qū)動器的 28 V 降壓 DC-DC 控制器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有具有可選同步 MOSFET 驅(qū)動器的 28 V 降壓 DC-DC 控制器
2025-07-25 18:30:53
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