電子數(shù)據(jù)分析位于單獨(dú)的接地基準(zhǔn)上，并且每個(gè)基準(zhǔn)的電壓可能不同。在本文中，引腳 1 到引腳 3 將稱為初級(jí)側(cè)，引腳 4 到引腳 6 將稱為次級(jí)側(cè)。柵極驅(qū)動(dòng)器提供的隔離很容易達(dá)到數(shù)百伏，從而允許更高的系統(tǒng)總線電壓。
2022-12-19 11:46:18
3410 
瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供適當(dāng)柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器具有提供短路保護(hù)的功能并影響開關(guān)速度。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2022-12-22 11:09:192069 
引言：對(duì)于中壓或高壓的電源系統(tǒng)，對(duì)MOS組的要求特別高，DrMOS已經(jīng)不能滿足設(shè)計(jì)參數(shù)要求，此時(shí)將DrMOS再次分拆開來，將驅(qū)動(dòng)部分獨(dú)立成為柵極驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度和抗擾度極佳，非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、家用電器、SMPS、電池供電應(yīng)用和大功率照明。
2023-11-10 16:00:484295 
柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2024-04-02 14:16:352916 
通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂酶咝阅馨霕?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過降低開關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開關(guān)打開或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開關(guān)損耗。為了打開FET，柵極電容得到的電荷必須超過閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流能夠有助于柵極
2022-11-14 06:52:10
降至地電壓以下。發(fā)生這種情況時(shí)，高端驅(qū)動(dòng)器可能發(fā)生閂鎖，并永久性損壞。光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器另一種方法(如圖2所示)利用兩個(gè)光耦合器和兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)輸出之間的電流隔離，從而避免了高端-低端交互作用
2018-10-23 11:49:22
所示)利用兩個(gè)光耦合器來實(shí)現(xiàn)輸出之間的電流隔離，從而避免了上橋臂-下橋臂交互作用的問題。柵極驅(qū)動(dòng)器電路往往置于與光耦合器相同的封裝中，最常見的情況是，兩個(gè)獨(dú)立的光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器IC構(gòu)成完整的隔離式半橋
2018-10-16 16:00:23
壓以下。發(fā)生這種情況時(shí)，高端驅(qū)動(dòng)器可能發(fā)生閂鎖，并永久性損壞。 光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器 另一種方法（如圖2所示）利用兩個(gè)光耦合器和兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)輸出之間的電流隔離，從而避免了高端-低端交互作用
2018-09-26 09:57:10
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
使控制器過熱，進(jìn)而受損。柵極驅(qū)動(dòng)器具有更高驅(qū)動(dòng)能力，支持快速切換，上升和下降時(shí)間只有幾納秒。這可以減少開關(guān)功率損耗，提高系統(tǒng)效率。因此，驅(qū)動(dòng)電流通常被認(rèn)為是選擇柵極驅(qū)動(dòng)器的重要指標(biāo)。與驅(qū)動(dòng)電流額定值相對(duì)
2021-07-09 07:00:00
同時(shí)施加一個(gè)信號(hào)，則兩個(gè)通道輸出的時(shí)間延遲是延遲匹配數(shù)值。延遲匹配數(shù)值越小，柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)的性能越好。延遲匹配有兩個(gè)主要好處：· 確保同時(shí)驅(qū)動(dòng)的并聯(lián)MOSFET具有最小的導(dǎo)通延遲差?！?簡化了柵極
2019-04-15 06:20:07
在電源電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT（隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗
2021-11-11 07:00:00
當(dāng)今世界，設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出！更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力，這包括（但不限于）性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。特別是高電流
2019-08-07 04:45:12
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
情況時(shí)，高端驅(qū)動(dòng)器可能發(fā)生閂鎖，并永久性損壞。光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器另一種方法（如圖2所示）利用兩個(gè)光耦合器和兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)輸出之間的電流隔離，從而避免了高端-低端交互作用的問題。柵極驅(qū)動(dòng)器電路往往
2018-07-03 16:33:25
變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
/dt 下的有源米勒鉗位的有效性以及 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器的源自可調(diào)速電氣電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) (IEC61800-3) 的系統(tǒng)級(jí) ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC，尤其是在功率級(jí)別>100kW和使用800V電壓母線的情況下，系統(tǒng)需要一款具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)能力以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。牽引
2022-11-03 07:38:51
，但也存在一些局限性。在柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，脈沖變壓器的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是可以將3 V或5 V邏輯電平提升到15 V或更高的電壓，以便驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極。遺憾的是，為了驅(qū)動(dòng)高電流同步整流器電路，可能需要一個(gè)
2018-10-15 09:46:28
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)（驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
板。 負(fù)輸出電壓操作保證低至 -4V，即使在高感性電流下也能實(shí)現(xiàn)精確的柵極控制。這已通過專門設(shè)計(jì)的電平轉(zhuǎn)換器和浮動(dòng)電源生成來適應(yīng)?！ ?duì)于高占空比應(yīng)用（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類放大器），必須長時(shí)間保持
2023-02-24 15:09:34
高負(fù)載電流下，其電壓V通用電氣（米勒）更高［1］。從公式3可以明顯看出，在較高的米勒平臺(tái)電壓下，柵極電流較低。因此，通過使用電壓源驅(qū)動(dòng)器，可以預(yù)期導(dǎo)通dv/dt將隨著負(fù)載的增加而穩(wěn)步下降，從而導(dǎo)致更高
2023-02-21 16:36:47
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離
2022-11-10 06:40:24
V或5 V邏輯電平提升到15 V或更高的電壓，以便驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極。遺憾的是，為了驅(qū)動(dòng)高電流同步整流器電路，可能需要一個(gè)單獨(dú)的高電流柵極驅(qū)動(dòng)器IC。還有一點(diǎn)需要考慮：脈沖變壓器不能很好地處
2017-04-05 14:05:25
，并提供驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能，柵極
2018-10-16 21:19:44
，并提供驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能，柵極
2018-10-16 06:20:46
，并提供驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能，柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-10-24 09:47:32
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
驅(qū)動(dòng)器小充電器和大柵極傳輸是隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特色。它廣泛應(yīng)用于大功率和高電壓應(yīng)用，絕緣安全且控制快速。圖 1 顯示了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的常見電源系統(tǒng)應(yīng)用。圖 1：隔離驅(qū)動(dòng)器的常見電源系統(tǒng)應(yīng)用隔離系列產(chǎn)品
2022-09-30 14:05:41
需要很快，以盡可能縮短切換時(shí)間。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，需要高瞬變電流來使柵極電容快速充電和放電。圖2.無柵極驅(qū)動(dòng)器的MOSFET導(dǎo)通轉(zhuǎn)換能夠在更長時(shí)間內(nèi)提供/吸收更高柵極電流的驅(qū)動(dòng)器，切換時(shí)間會(huì)更短，因而
2018-10-25 10:22:56
討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器？考慮一個(gè)具有微控制器的數(shù)字邏輯系統(tǒng)，其I/O引腳之一上可以輸出一個(gè)0 V至5 V的PWM信號(hào)。這種PWM將不足以使電源系統(tǒng)中使用的功率器件完全導(dǎo)通，因?yàn)槠溥^驅(qū)電壓一般超過標(biāo)準(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電壓。如此，請(qǐng)大神分析下面兩種方式：
2018-08-29 15:33:40
/IGBT可能會(huì)使控制器過熱，進(jìn)而受損。柵極驅(qū)動(dòng)器具有更高驅(qū)動(dòng)能力，支持快速切換，上升和下降時(shí)間只有幾納秒。這可以減少開關(guān)功率損耗，提高系統(tǒng)效率。因此，驅(qū)動(dòng)電流通常被認(rèn)為是選擇柵極驅(qū)動(dòng)器的重要指標(biāo)
2018-11-01 11:35:35
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
基于CMOS的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以提高電源供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
與傳統(tǒng)的解決方案相比,完全集成的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器械可以顯著地提高開關(guān)電源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:31
44 Fairchild推出提高汽車應(yīng)用的燃油效率的柵極驅(qū)動(dòng)器--FAN708x系列
Fairchild Semiconductor 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠改進(jìn)汽車應(yīng)用的功耗、雜訊免疫能力和瞬態(tài)
2009-05-20 14:53:231006 利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)
低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC是專用放大器，普遍用于電源設(shè)計(jì)中，根據(jù)來自PWM控制器的輸入信號(hào)開關(guān)接地參考MOSFET和 IGBT。對(duì)于低于100~200W
2009-12-12 09:46:161168 
利用恒流LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)高效率LED照明系統(tǒng)方案
本文將探討如何利用恒流LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)出高效率、高穩(wěn)定性的LED照明系統(tǒng)。
隨著高功率LED的問
2010-04-03 08:36:521512 
H 電橋電路用于許多存在高壓和其它電氣風(fēng)險(xiǎn)的電源應(yīng)用,如逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等.為提供安全保護(hù),設(shè)計(jì)人 員可以利用兩個(gè)雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器將控制電路與 H 電橋隔離開來,例如
2012-05-30 11:27:180 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:113617 
許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:418497 
在此系列的第一部分中，討論過高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器也可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。
2017-03-01 15:49:512088 
觀看視頻系列，“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視，但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉！該視頻系列說明了柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理，并重點(diǎn)介紹了
2017-04-26 15:18:384196 
的電源電壓僅為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器。雖然P溝道器件的柵極驅(qū)動(dòng)簡單起見，一個(gè)可行的選擇，其相關(guān)的成本和更高的性能限制了應(yīng)用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在
2017-07-02 09:18:5120 的電源電壓僅為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器。雖然P溝道器件的柵極驅(qū)動(dòng)簡單起見，一個(gè)可行的選擇，其相關(guān)的成本和更高的性能限制了應(yīng)用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在
2017-07-04 15:46:2016 1.2知道你的柵極驅(qū)動(dòng)器：驅(qū)動(dòng)電流
2019-04-23 06:08:003774 
TMC6200是新型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，具有在線電機(jī)電流檢測(cè)功能，可使用外部MOSFET實(shí)現(xiàn)高達(dá)100A的BLDC電機(jī)和PMSM伺服電機(jī)。
2019-04-10 11:45:283034 光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns，這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)成本更高。光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器（采用6管腳小外形封裝，帶寬管腳）額定工作電壓為1，414 VPK。
2019-04-30 16:33:341688 ST公司的STGAP2SCM是電流隔離1700V單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能隔離柵極驅(qū)動(dòng)通路與低壓控制電路和接口電路。驅(qū)動(dòng)電流4A，并具有軌到軌輸出，是得器件適合于大功率逆變器應(yīng)用如工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。器件有兩種不同的配置：單獨(dú)輸出引腳允許采用專用柵極電阻來單獨(dú)優(yōu)化開和關(guān)閉狀態(tài)。
2019-08-04 11:06:205539 
FET柵極驅(qū)動(dòng)器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動(dòng)器中，從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:284330 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供高電流柵極驅(qū)動(dòng)器是如何提升整體系統(tǒng)效率的？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-19 08:40:131 新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體
2021-12-23 16:52:131272 
雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì)，包括更快的開關(guān)和更高的效率，但它也帶來了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。
2022-08-03 09:13:512723 
使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器增加HEV/EV牽引逆變器的效率
2022-10-28 11:59:410 增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動(dòng)器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率
2022-11-01 08:25:230 如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——第二部分：高速柵極驅(qū)動(dòng)器
2022-11-02 08:15:592 如何利用高電流柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率
2022-11-02 08:16:030 FAN7085 高邊柵極驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部充電路徑設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:59:1312 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計(jì)概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:464711 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122921 
高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">高電流柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:481549 
UCC27282 120V半橋驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)新特性和參數(shù)改進(jìn)，有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號(hào)可禁用驅(qū)動(dòng)器，將UCC27282設(shè)置為非常低的IDD電流狀態(tài)。當(dāng)禁用
2023-03-30 09:50:031858 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">高電流柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來越重要。
功率
2023-04-04 10:23:451365 具體而言，大電流柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過最小化開關(guān)損耗來幫助提高整體系統(tǒng)效率。當(dāng) FET 打開或打開和關(guān)閉時(shí)，會(huì)發(fā)生開關(guān)損耗。要打開FET，柵極電容必須充電超過閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流有利于柵極電容
2023-04-07 10:23:293392 
特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過降低開關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開關(guān)打開或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開關(guān)損耗。為了打開FET，柵極電容得到的電荷必須超過閾值電壓。
2023-04-08 09:19:291307 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:5211547 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（ ）和就緒
2023-06-12 19:15:022654 
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源
2023-06-16 11:33:389782 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電子器件，它能夠?qū)⑿盘?hào)電平作為輸入，通過放大和轉(zhuǎn)換等過程，產(chǎn)生適合于驅(qū)動(dòng)下級(jí)器件的電源信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:443804 了解和對(duì)提高柵極驅(qū)動(dòng)器性能的持續(xù)努力，這種優(yōu)化成為可能。憑借 1.25ns 的最小柵極輸入脈沖寬度，其結(jié)果是快速開關(guān)能力有助于開發(fā)更緊湊、更節(jié)能和更高性能的應(yīng)用。 近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備數(shù)量的不斷增加，提高電源轉(zhuǎn)換效率和減少服務(wù)器系統(tǒng)中的電源單元數(shù)量已成為關(guān)鍵考慮因素。
2023-11-14 15:04:581860 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:57:327 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:081905 
的開關(guān)操作。本文將詳細(xì)介紹柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的作用、工作原理、關(guān)鍵特性以及應(yīng)用領(lǐng)域。 ### 一、柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的作用 1. **精確控制**：柵極驅(qū)動(dòng)器芯片能夠精確控制功率器件的開關(guān)時(shí)間，這對(duì)于提高系統(tǒng)效率和減少能量損耗至關(guān)重要。 2. **保護(hù)功能**：
2024-06-10 17:20:003069 介紹柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理、結(jié)構(gòu)、功能和設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 ### 1. 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的基本原理 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的主要任務(wù)是為功率電子器件的柵極提供適當(dāng)?shù)碾妷汉?b class="flag-6" style="color: red">電流，以實(shí)現(xiàn)器件的快速開關(guān)和穩(wěn)定工作。其基本原理如下： #### 1.1 柵極電壓控制 功率電
2024-06-10 17:23:003609 起著至關(guān)重要的作用。選型標(biāo)準(zhǔn)是確保柵極驅(qū)動(dòng)器能夠滿足特定應(yīng)用需求的關(guān)鍵因素。以下是一篇詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的關(guān)于柵極驅(qū)動(dòng)器選型標(biāo)準(zhǔn)的文章。 ### 引言 柵極驅(qū)動(dòng)器作為電力電子系統(tǒng)中的核心組件，其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性。因此，在選擇柵
2024-06-10 17:24:001860 的信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、逆變器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
2024-07-19 17:15:2724573 將控制器輸出的低電壓、低電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖信號(hào)，來驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。
2024-07-24 16:15:272144 利用集成負(fù)偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí)，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因?yàn)榕c IGBT 相比，SiC 技術(shù)具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:50:111 提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第一篇，將分享MOSFET、柵極驅(qū)動(dòng)器及電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的基礎(chǔ)知識(shí)，還將介紹電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器選型指南。
2024-11-11 17:12:321493 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:411292 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)
2025-02-02 13:47:001718 選擇峰值電流匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-01-10 18:33:05590 
DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07528 
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，可降低系統(tǒng)成本并提高可靠性。柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化死區(qū)時(shí)間以避免擊穿情況，通過可調(diào)的柵極驅(qū)動(dòng)電流控制降低電磁干擾 （EMI），并防止漏極到源極和柵極短路條件~DS~和 V~GS的~顯示器。
2025-10-14 14:23:03492 
驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，可降低系統(tǒng)成本并提高可靠性。柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化死區(qū)時(shí)間以避免擊穿情況，通過可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)電流控制降低電磁干擾 （EMI），并通過 VDS 和 VGS 監(jiān)控器防止漏極到源極和柵極短路。
2025-10-14 14:27:06449 
STMicroelectronics STGAP2GSN隔離式3A單柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵極驅(qū)動(dòng)通道、低壓控制和接口電路。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有2A源電流、3A灌電流能力以及軌到軌輸出，因此適合用于中等
2025-10-25 09:48:34890 
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動(dòng)器指南旨在針對(duì)各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專業(yè)指導(dǎo)，同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中的電壓與電流效率。
2025-11-13 09:46:33342 
在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅要實(shí)現(xiàn)緩沖和電平轉(zhuǎn)換的功能，還要在高頻操作下保持高效和穩(wěn)定。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款優(yōu)秀的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器——NCV51313。
2025-11-27 10:49:49232 
在高功率應(yīng)用領(lǐng)域，工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器就是這樣一款出色的產(chǎn)品。今天，我們就來深入剖析這款驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)、應(yīng)用以及使用中的關(guān)鍵要點(diǎn)。
2025-12-09 10:07:391541 
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