內(nèi),數(shù)字電源的采用量在未來(lái)幾年要超過(guò)模擬控制的使用量。為了有效地順應(yīng)這一潮流,我堅(jiān)信,我們將需要一種不同的數(shù)字控制器來(lái)為此做好準(zhǔn)備。好了,我這么說(shuō)是什么意思呢?本質(zhì)上說(shuō),在過(guò)去的十年間,我們已經(jīng)目睹了
2018-09-06 15:31:43
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU(專(zhuān)為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì),采用全數(shù)字控制方法)和數(shù)字控制器(具有面向軟件控制算法的專(zhuān)用ROM存儲(chǔ)器)。意法半導(dǎo)體
2023-09-06 07:44:16
本文重點(diǎn)介紹模擬控制器和數(shù)字控制器在Boost單相功率因數(shù)校正變換電路中的應(yīng)用,并論證了數(shù)字控制方式將逐步取代模擬控制方式,在不遠(yuǎn)的將來(lái)成為PFC中的主流控制方式。
2021-04-07 06:10:57
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今,已過(guò)去了四年多,售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民,近日發(fā)現(xiàn),聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn),65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元,一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵(GaN)被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅,有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積,同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通過(guò)簡(jiǎn)單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作,布局和控制都很簡(jiǎn)單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能,確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì),從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
對(duì)這一曾經(jīng)的新興技術(shù)及其供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的大規(guī)模資金投入已經(jīng)為氮化鎵的主流商業(yè)應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),這將在未來(lái)幾十年對(duì)我們的行業(yè)及其它行業(yè)帶來(lái)革命性的影響。`
2017-08-15 17:47:34
再受到質(zhì)疑的技術(shù)。對(duì)此,我不想妄加評(píng)論,由你自己去辨別事情的真?zhèn)?。那么,我提到的“GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”到底是什么意思呢?驗(yàn)證這一點(diǎn)的方法就是查看一下啟用GaN技術(shù)的電源是如何開(kāi)發(fā)的?在很多
2022-11-18 07:30:50
。
與硅芯片相比:
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而,雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇,但它
2023-08-21 17:06:18
,只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的,高性價(jià)比的充電器無(wú)法享受到氮化鎵性能提升所帶來(lái)的紅利。目前,國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片,通過(guò)將氮化鎵開(kāi)關(guān)管,控制器以及驅(qū)動(dòng)器
2021-11-28 11:16:55
在同樣的范圍內(nèi)。幸運(yùn)的是,我們?cè)跀?shù)年前就已經(jīng)擁有具備這一功能的數(shù)字電源控制器了。并不是所有的數(shù)字電源控制器都能夠滿足這些需要,但至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇的余地。那么,GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制中的使用做好準(zhǔn)備
2018-09-06 15:31:50
處于這一范圍。幸運(yùn)的是,多年來(lái),我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求,但是至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇權(quán)。因此,GaN為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備了嗎?我們得到的答案
2018-08-30 15:05:41
問(wèn)題。現(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度,這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?,F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無(wú)精確定時(shí)控制能力等也限制了其
2018-11-05 09:51:35
可以做得更大,成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件,與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛,在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
測(cè)試背景地點(diǎn):國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象:氮化鎵半橋快充測(cè)試原因:因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
——但您不得不承認(rèn),這些東西可以真的很酷(當(dāng)然,真的有用)。數(shù)字控制的主要方法之一是,您可以采用一個(gè)預(yù)封裝的控制器并可對(duì)其添加或修改,以滿足最初的設(shè)備架構(gòu)師未明確設(shè)想的最終解決方案要求。為此,數(shù)字控制器讓
2019-07-16 04:45:12
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU(專(zhuān)為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì),采用全數(shù)字控制方法)和數(shù)字控制器(具有面向軟件控制算法的專(zhuān)用ROM存儲(chǔ)器)。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
SW1106 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。芯片集成有 700V 高壓?jiǎn)?dòng)電路、線電壓掉電檢測(cè)和 X 電容放電功能。SW1106 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)電壓
2023-03-28 10:31:57
FPGA中的數(shù)字控制器是什么?System Generator中的PID控制器是如何設(shè)計(jì)的?
2021-04-08 06:51:46
的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開(kāi)發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),也可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)目前軟開(kāi)關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料,已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào),轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
帶寬更高,這一點(diǎn)很重要,載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比,氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了,可以外接顯示器,拓展塢之類(lèi)的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
怎樣去設(shè)計(jì)一種電流環(huán)控制器硬件電路原理圖?怎樣去設(shè)計(jì)一種基于晶閘管的觸發(fā)數(shù)字控制器?求大神解答一下
2021-09-23 07:54:58
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì),支持基于氮化鎵器件的設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展,從而有越來(lái)越多供應(yīng)商提供新型元件,例如柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和無(wú)源元件,可進(jìn)一步增強(qiáng)基于氮化鎵器件的系統(tǒng)的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布推出15款第二代新型多相數(shù)字控制器和6款SPS,可支持10A至1000A以上的負(fù)載電流,適用于先進(jìn)的CPU、FPGA、GPU和面向物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)
2020-11-26 06:17:51
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
數(shù)字電源控制是什么?它有什么優(yōu)勢(shì)?如何用數(shù)字控制器實(shí)現(xiàn)多軌PoL系統(tǒng)?
2021-04-14 07:06:20
一種基于CPLD的移相全橋軟開(kāi)關(guān)電源數(shù)字控制器的設(shè)計(jì)方案
2021-04-30 06:56:18
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
概述SW1106 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。芯片集成有 700V 高壓?jiǎn)?dòng)電路、線電壓掉電檢測(cè)和 X 電容放電功能。SW1106 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)
2023-03-28 10:24:46
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
根據(jù)磁浮開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)(SRM)對(duì)控制器硬件資源及實(shí)時(shí)性要求,基于雙DSP 與雙口RAM,研制了磁浮SRM的全數(shù)字控制器。控制器以兩片TMS320LF2407A 為核心,以滿足磁浮SRM 功率變換器對(duì)PWM
2010-02-21 17:13:30
31 基于雙DSP 的磁浮開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)全數(shù)字控制器研究
摘要﹕根據(jù)磁浮開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)(SRM)對(duì)控制器硬件資源及實(shí)時(shí)性要求,基于雙DSP 與雙口RAM,研制了磁浮SRM的
2010-04-01 15:42:43
15 數(shù)字控制器設(shè)計(jì)
本章要點(diǎn) 1. 連續(xù)化設(shè)計(jì)方法 重點(diǎn):數(shù)字PID設(shè)計(jì) 2. 直接離散化設(shè)計(jì)方法 重點(diǎn):最少拍控制算法3.
2010-04-29 14:29:47
0 數(shù)字控制振蕩器,數(shù)字控制振蕩器電路原理分析
在實(shí)際的通信系統(tǒng)中,攜帶數(shù)字信息的信號(hào)通常是由某種類(lèi)型的載波調(diào)制方式發(fā)送的,傳送信號(hào)的
2010-03-23 15:14:18
2578 BOSE Panaray系統(tǒng)數(shù)字控制器是需要有源均衡的Bose專(zhuān)業(yè)揚(yáng)聲器系統(tǒng)的完美解決方案,只需簡(jiǎn)單選擇正確的預(yù)設(shè)即可獲得任何Bose揚(yáng)聲器組合的均衡,不需要編程。當(dāng)需要諸如延時(shí)器、限幅器等附加處理功能時(shí),Panaray系統(tǒng)數(shù)字控制器將提供這些性能,減少系統(tǒng)安裝所需
2011-03-01 16:38:46
44 隨著一些專(zhuān)為電源設(shè)計(jì)的低成本、高性能數(shù)字控制器上市,越來(lái)越多的電源公司開(kāi)始為PFC設(shè)計(jì)選用這些新型數(shù)字控制器。相比傳統(tǒng)的模擬控制器,數(shù)字控制器擁有許多優(yōu)勢(shì),例如:可編
2012-01-13 10:58:39
6957 
本文的創(chuàng)新點(diǎn)在于利用DSP的強(qiáng)大數(shù)據(jù)處理功能和CPLD可編程特點(diǎn),設(shè)計(jì)了具有數(shù)字化、智能化、通用性好的開(kāi)關(guān)電源數(shù)字控制器,使得應(yīng)用該數(shù)字控制器的開(kāi)關(guān)電源具有很高的響應(yīng)速度,
2013-01-07 11:32:57
9610 
KRS51 DC55數(shù)字控制器 .
2015-12-31 17:22:59
2 基于ARM感應(yīng)電機(jī)數(shù)字控制器的設(shè)計(jì),有興趣的同學(xué)可以下載學(xué)習(xí)
2016-04-26 17:53:46
66 數(shù)字控制器的原理,感興趣的小伙伴們可以看一看。
2016-12-09 15:19:10
0 在英語(yǔ)里,ready是很有意思的一個(gè)詞,它在不同的語(yǔ)境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí),ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備;而準(zhǔn)備的時(shí)間絕不會(huì)少于30分鐘。在飛機(jī)上,ready就是把手機(jī)收起來(lái)的意思;最后,我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布,GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備。
2017-04-18 12:17:22
1454 數(shù)字控制器,Digital Controller ,電子控制器的一類(lèi),計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的核心部分,一般與系統(tǒng)中反饋部分的元件、設(shè)備相連,該系統(tǒng)中的其他部分可能是數(shù)字的也可能是模擬的。數(shù)字控制器通常是
2017-06-10 10:52:22
16 新款多相數(shù)字控制器
2017-09-21 14:51:25
6664 基于C2000微控制器實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制可再生能源電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)踐
2017-10-13 10:36:40
22 LED燈是在上個(gè)世紀(jì)30年代中期高壓鈉燈問(wèn)世后近80年來(lái)最具顛覆性的照明技術(shù),LED燈引起廣泛關(guān)注的原因不只是能效高、壽命長(zhǎng)、節(jié)能環(huán)保,還因?yàn)長(zhǎng)ED燈比白熾燈或氙燈更好控制。 數(shù)字控制器已步入功率
2017-10-15 10:15:19
0 ,采用集成度高、集成功能強(qiáng)大的數(shù)字控制器設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源控制器,來(lái)適應(yīng)不斷提高的開(kāi)關(guān)電源輸出可編程控制、數(shù)據(jù)通 訊、智能化控制等要求。 2.數(shù)字控制器設(shè)計(jì) 本文設(shè)計(jì)的數(shù)字控制器,采用TI公司24X系列DSP控制器中的TMS320LF2407A芯片作為主
2017-10-20 11:09:46
12 基于DSP的柴油發(fā)電機(jī)組數(shù)字控制器設(shè)計(jì)
2017-10-20 15:39:31
11 ofo在本周關(guān)閉了負(fù)責(zé)管理國(guó)際子公司的國(guó)際部門(mén),目前海外員工仍在履行職責(zé),但表示已為破產(chǎn)或收購(gòu)做好準(zhǔn)備。
2019-01-26 16:02:00
3967 總部位于東京的三菱電機(jī)公司開(kāi)發(fā)出首款超寬帶數(shù)字控制的氮化鎵(GaN)功率放大器,該款放大器將會(huì)兼容一系列專(zhuān)注于第五代(5G)移動(dòng)通信系統(tǒng)的6GHz以下頻段。
2019-01-30 14:13:41
1352 物聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)為您做好了準(zhǔn)備,但您的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)是否也為物聯(lián)網(wǎng)做好了準(zhǔn)備?
2019-07-16 16:56:16
3180 新的Model Y將于下月開(kāi)始交付,現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)特斯拉在工廠的停車(chē)場(chǎng)已經(jīng)囤積了一批Model Y,為交付做好準(zhǔn)備。
2020-03-01 16:42:49
2721 ADP1050:用于帶PMBus接口隔離式電源的數(shù)字控制器
2021-03-19 10:16:16
12 ADP1055:用于帶PMBus接口電源應(yīng)用的數(shù)字控制器
2021-03-21 05:17:17
1 ADP1051: 用于帶PMBus接口的隔離式電源數(shù)字控制器
2021-03-21 08:06:44
1 ADP1052:帶PMBus接口的隔離電源數(shù)字控制器數(shù)據(jù)表
2021-04-30 11:22:16
2 ADP1043A:隔離電源應(yīng)用的數(shù)字控制器數(shù)據(jù)表
2021-05-09 18:33:32
7 ADP1046:隔離電源應(yīng)用的數(shù)字控制器數(shù)據(jù)表
2021-05-25 09:27:24
3 直流電機(jī)PID閉環(huán)數(shù)字控制器設(shè)計(jì)(核達(dá)中遠(yuǎn)通電源技術(shù)有限公司電話號(hào)碼)-直流電機(jī)PID閉環(huán)數(shù)字控制器設(shè)計(jì),有需要的可以參考!
2021-09-15 15:39:40
40 。我會(huì)讓您自己決定哪些東西是正確的。
因此,當(dāng)我說(shuō)“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”時(shí),您懂我的意思嗎?測(cè)試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開(kāi)發(fā)過(guò)程。多數(shù)情況下,電源設(shè)計(jì)人員使用數(shù)字控制來(lái)
2022-01-26 15:27:30
1167 在本文中,我們構(gòu)建了一個(gè)數(shù)字控制器,允許用戶控制電機(jī)速度和運(yùn)行時(shí)間等功能。本文還包括一個(gè)支持 NEC 協(xié)議的紅外接收器電路,其中電機(jī)可以通過(guò)按鈕或紅外發(fā)射器接收的信號(hào)進(jìn)行控制。
2022-07-07 17:08:36
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氮化鎵已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
2022-11-02 08:16:29
1 我們為工業(yè)4.0的到來(lái)做好準(zhǔn)備了嗎?
2022-11-03 08:04:36
0 氮化鎵已為數(shù)字電源控制應(yīng)用做好準(zhǔn)備
2022-11-04 09:50:55
1 做好準(zhǔn)備:關(guān)于 ESD 和 RF 設(shè)備您需要了解什么
2022-12-26 10:16:24
2227 
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長(zhǎng)法,需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲,為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:00
7537 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:41
5426 今年的雙十一已過(guò)!現(xiàn)在,正是供應(yīng)鏈領(lǐng)軍者檢查供應(yīng)鏈中各個(gè)職能的時(shí)候,以下是?Minitab?幫助供應(yīng)鏈經(jīng)理為物流做好準(zhǔn)備: 預(yù)測(cè)模型: Minitab 提供了一系列預(yù)測(cè)模型,包括移動(dòng)平均線、指數(shù)平滑
2023-11-20 10:17:33
920 氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:30
11008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:20
6429 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:22
1796 氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)良的電學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中,主要包括以下幾個(gè)方面:材料準(zhǔn)備、芯片制備、工廠測(cè)試和封裝等。 首先,氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:41
4135 雷軍官宣小米汽車(chē)發(fā)布日,3月28日小米SU7正式見(jiàn)面。小米汽車(chē)回應(yīng)價(jià)格戰(zhàn):已做好準(zhǔn)備!
2024-03-12 14:40:45
1845 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶數(shù)字控制器的圖騰柱PFC優(yōu)化控制方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-29 11:53:32
4 Analog Devices Inc. ADBT1001 4通道AFE數(shù)字控制器是功能豐富的靈活數(shù)字控制器,用于大容量電池測(cè)試和成型制造以及精密電池測(cè)試儀器儀表應(yīng)用。該控制器經(jīng)優(yōu)化可最大限度地減少元件數(shù)量、最大限度地提高靈活性并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
2025-06-30 09:55:16
621 
評(píng)論