變頻器的額定值大多標(biāo)在其銘牌上，包括輸入側(cè)的額定值及輸出側(cè)的額定值。
2012-02-15 15:31:00
2981 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:583118 
具有雙電壓額定值的變壓器使用多個(gè)H和X繞組運(yùn)行，每個(gè)繞組能夠處理不同的電壓。配置涉及這些繞組的串聯(lián)或并聯(lián)，影響整體電壓輸出。 例如，H 繞組雙電壓額定值為 240 V 和 480 V 以及 X 繞組
2023-10-25 15:16:423542 
選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營銷或客戶目的以指示某些所需的能量水平。
2024-02-27 09:56:273115 
為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS
2018-09-05 15:37:26
嗨，我的FET狂熱愛好者同行們，歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第2部分！作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值（本博客系列中的下一篇
2018-09-05 15:37:29
最后，我們來到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體
2018-09-05 09:59:06
嗨，我的FET狂熱愛好者同行們，歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第3部分！今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用
2018-09-05 15:37:43
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過MOSFET規(guī)格書中的絕對最大額定值
2022-07-26 18:06:41
面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件關(guān)斷過程中，如果電壓過沖值（通常由漏電流和雜散電感造成）未超過擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，但是——當(dāng)電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET的擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩
2019-08-29 10:02:12
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被證明是一個(gè)非常有用的參數(shù)。雖然不建議在
2022-11-18 06:39:27
例如，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過這個(gè)值不會(huì)立即對FET造成損壞，而在這個(gè)限值以上長時(shí)間使用將開始減少器件
2022-11-18 07:01:33
為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS
2015-11-19 15:46:13
系列的第一部分，我將重點(diǎn)談一談輸入電源所需要的，流入降壓穩(wěn)壓器輸入電壓 (VIN)引腳的電流。當(dāng)研讀數(shù)據(jù)表時(shí)(你始終必須閱讀數(shù)據(jù)表!)，最好關(guān)注輸入電流的條件，而不要被專業(yè)術(shù)語搞糊涂。我們來看
2018-10-09 09:59:14
請解釋 4 個(gè)并聯(lián) MOSFET 的用途，為什么我們不能使用 1 個(gè)或 2 個(gè)具有更高額定值的 MOSFET，還有為什么每相使用三個(gè)單獨(dú)的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，為什么不使用 3 通道的單個(gè)驅(qū)動(dòng)器。是否可以使用，請根據(jù)您的設(shè)計(jì)提出使用的任何優(yōu)勢。
2023-01-06 07:06:07
GB/T12668《調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)》分為以下部分:第1部分;:一般要求低壓直流調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)額定值的規(guī)定第2部分:一般要求低壓交流變頻電氣傳動(dòng)系統(tǒng)額定值的規(guī)定第3部分:電磁兼容性要求及其特定
2021-09-06 06:21:53
。MOSFET數(shù)據(jù)表的第二部分提供器件的電氣特性。每個(gè)參數(shù)被定義為一組特定的測試條件，并顯示器件的典型值、最小值和最大值。數(shù)據(jù)表的第三部分包含一組典型的性能曲線，描繪器件在多種條件下包括電壓、電流
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復(fù)雪崩電流IAR和重復(fù)雪崩能量EAR，同時(shí)標(biāo)注了測量條件，通常有起始溫度25C，最高結(jié)溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
有沒有人知道在16F150 3上的DACOUT引腳的輸出電阻/最大電流額定值是多少？我在數(shù)據(jù)表中的任何地方都找不到它，除了一個(gè)不那么含糊的語句，即引腳不打算驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載！
2020-03-19 09:58:00
問題：1.第1部分看懂一點(diǎn)，第2部分完全不知道要干什么，第3部分那樣處理也不知道是要做什么。2.這個(gè)電路要實(shí)現(xiàn)的功能是一個(gè)從幾十到幾百赫茲的帶通濾波。3.已經(jīng)用Multisim仿真過，得到的結(jié)果是
2018-07-26 10:00:39
構(gòu)建混合測試系統(tǒng)第1部分：為成功過渡奠定基礎(chǔ)
2019-11-06 09:36:06
。閾值電壓具有負(fù)TC;如果一個(gè)電池比它的鄰居熱一點(diǎn)，它會(huì)從它們吸引電流，從而產(chǎn)生一個(gè)熱點(diǎn)。如果溫度超過150或175攝氏度，就會(huì)發(fā)生短路。均勻性得到了極大的改善，以至于（Si） MOSFET 具有雪崩額定值
2023-02-20 16:40:52
源極區(qū)，從而降低了擊穿電壓值。如果P-體區(qū)的厚度太大，高摻雜不夠，溝道的電阻和閾值電壓將增大。因此需要仔細(xì)的設(shè)計(jì)P-體區(qū)、epi摻雜和厚度以優(yōu)化其性能。在MOSFET數(shù)據(jù)表中標(biāo)有測試條件，當(dāng)測試條件
2023-02-20 17:21:32
率MOSFET、查閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)表的時(shí)候，看到前面好幾個(gè)電流的定義：連續(xù)漏極電流ID、IDSM、脈沖漏極電流IDM、雪崩電流IAS的額定值，記得當(dāng)時(shí)作者就看得云里霧里、一臉茫然，后來一直想弄明白這些電流的定義
2016-08-15 14:31:59
輸出。所以理解所尋找器件的不同技術(shù)規(guī)格是找到合適器件的關(guān)鍵。在我們這一期的電機(jī)驅(qū)動(dòng)論壇問答中，我將主要來談一談最容易被誤解的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)格：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出
2018-09-07 14:41:08
：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出電流和均方根 (RMS) 輸出電流。峰值輸出電流是在不考慮器件及其封裝的熱限制情況下，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器能夠傳送的最大電流。這個(gè)限值通常由電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的過
2022-11-18 07:12:17
存在絕對最大額定電源電壓與工作電源電壓的最大值相同的情況。負(fù)反饋系統(tǒng)及其效果絕對最大額定值（差分輸入電壓）
2019-04-24 22:39:21
產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很
2022-11-18 06:02:49
如何能在夸示了較高的額定值后不被發(fā)覺。表1：計(jì)算的CSD17570Q5B脈沖電流在“了解MOSFET產(chǎn)品說明書”的第五部分，筆者將為脈沖電流額定值（IDM）提供類似的分析，并展示這與產(chǎn)品說明書中的其它參數(shù)
2018-09-07 14:52:25
看到這個(gè)主題，可能有些工程師會(huì)問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎？這里面還有什么被忽略的內(nèi)容？細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)
2016-09-06 15:41:04
”靜態(tài)工作電流。我們將CMOS OPA316運(yùn)算放大器用作示例并計(jì)算其“典型”功率。其電壓范圍和工作電流在下方的數(shù)據(jù)表內(nèi)提供：電壓范圍額定值在+1.8至+5.5V之間，IQ典型值400μA。圖1顯示了
2018-09-12 11:29:07
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:138880 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系
2010-12-30 10:12:442870 
嗨，我的FET狂熱愛好者同行們，歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第2部分！作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值（本博客系列中的下一篇文章，這么看來，也不算是巧合）之外，我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。
2017-04-18 11:35:0116305 
最后，我們來到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件
2017-04-18 11:46:112139 
嗨，我的FET狂熱愛好者同行們，歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第3部分！今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定
2017-04-18 11:47:322462 
歡迎場效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們再度光臨，閱讀了解MOSFET產(chǎn)品說明書博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很相似，因?yàn)樗且粋€(gè)理論上的計(jì)算值。
2017-04-18 12:32:005567 
該系列視頻共包括2部分，這是第1部分。本部分介紹MAX32660低功耗Arm? Cortex?-M4 FPU微控制器，器件適用于可穿戴和IoT傳感器應(yīng)用。了解這款微小尺寸、96MHz、32位微控制器
2018-10-08 01:46:008004 視頻簡介：功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對應(yīng)用中MOSFET的選-用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初-始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能能力的快照。本視頻將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，并闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。
2019-03-12 06:10:004558 
和最大值。這些極限值是由制造商規(guī)定的，并且通過了設(shè)計(jì)驗(yàn)證或詳盡測試和良率分析的檢驗(yàn)，有所保證。數(shù) 據(jù)手冊中還包含了絕對最大額定值部分，提供了器件可以容忍的絕對最大額定值，但這絕不是正常工作時(shí)的條件，就像火一樣，您最好遠(yuǎn)離這些ABS極限值，否則 很容易引火燒身!
2019-04-10 10:24:496957 極二極管。因此，通過改變一些工藝和布局參數(shù)，有可能保證使用該二極管的箝位能力來承受超過標(biāo)稱漏源電壓的意外電壓/功率浪涌，當(dāng)然，對堅(jiān)固性的含義的混淆，以及如何在數(shù)據(jù)表中對此進(jìn)行評級是如此巨大，再加上對它缺乏理論知識(shí)。盡管如此，
2020-06-08 08:00:00
5 本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性，例如溫度，能量，機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹了數(shù)據(jù)手冊中包含的圖形以及功率MOSFET
2021-05-26 14:52:162631 
除了絕對最大額定值外，技術(shù)規(guī)格書中還會(huì)給出“推薦工作條件”和“標(biāo)準(zhǔn)值”。要想很好地了解絕對最大額定值，這兩項(xiàng)是僅次于“定義”的重要項(xiàng)目。
2021-02-26 11:45:574923 歡迎場效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們再度光臨，閱讀“了解 MOSFET 產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在 FET 產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中
2021-01-06 00:03:0036 今天我們來談一談 MOSFET 電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS（ON） 和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計(jì)算出來的，并且有
2021-01-06 00:07:0011 在看到 MOSFET 數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS（ON）、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA 曲線），而其
2021-01-06 00:10:0010 小編告訴大家油泵電機(jī)轉(zhuǎn)速低于
額定值一般是以下原因?qū)е碌模?/div>
2020-12-14 21:42:172251 已全部加載完成
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