關(guān)于絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估，除了規(guī)格以外，需要確認的“重要檢查點”進入“溫度測量和損耗測量”相關(guān)說明。

• MOSFET的漏極電壓和電流、及輸出整流二極管的耐壓
• 變壓器的飽和
• Vcc電壓
• 輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形
• 溫度測量和損耗測量
• 電解電容器

本項將說明溫度和損耗的測量與計算方法，其最主要的目的在于確認即使實際工作在最大溫度條件時電源IC的結(jié)溫（接合部溫度）Tj也不會超過其最大額定Tjmax。最大額定值絕對不可以超過，因此也不會出現(xiàn)超過最大額定值的狀況。如果超過最大額定值，元件壽命將明顯縮短，甚至可能因此而受損。 此外，除了不超過額定值外，還要從可靠性的角度來了解實際Tj值，并進行降額。

之所以要同時檢查損耗狀況，是因為損耗＝發(fā)熱。從容許損耗的角度來看，實際的損耗是否低于容許損耗是檢查要點，最終的Tj到底是多少，才是檢查的原點。只要掌握造成損耗的原因，就可以視情況改善損耗和降低發(fā)熱。當然，這部分也和效率改善有關(guān)。

【檢查條件】

輸入電壓：最大

負載電流：最大

環(huán)境：溫度條件的上限

【檢查要點】

電源IC的Tj是否未超過最大額定值

損耗是否低于技術(shù)規(guī)格所示的容許損耗

溫度測量

本次的示例所使用電源IC為內(nèi)置功率晶體管型，測量電源用IC的結(jié)溫。另外，外置功率晶體管時，首要發(fā)熱源就是外置的功率晶體管，要注意的是控制器IC的功率晶體管柵極驅(qū)動用的電流有時候不會變小。

那么，雖然必須知道結(jié)溫Tj，但IC芯片大多封裝采用樹脂密封，而無法直接測量。因此，要基于周圍溫度Ta或外殼（封裝）溫度Tc的實測值和熱電阻計算出Tj。右邊的圖是表示熱電阻和溫度的關(guān)系。θja是從接合處（芯片）到環(huán)境中的全熱電阻，Tj為Ta＋自我發(fā)熱，發(fā)熱為熱電阻×功率，通過基本成立的下方的公式計算出Tj。

熱電阻相關(guān)，可以參照IC廠商提供的數(shù)據(jù)。技術(shù)規(guī)格等未記載時，請試著詢問制造廠商。

在實際測量Ta或Tc時，才發(fā)現(xiàn)原來測量Ta其實并不容易。測量時，會利用熱電偶測量周圍的環(huán)境溫度，但是發(fā)熱體附近和距離發(fā)熱體遠的情況，兩者溫度根本不同。而且，實際測量的位置可能位在內(nèi)部，或是啟動冷卻風(fēng)扇讓空氣流動等，這樣一來，到底哪個條件下測量到的環(huán)境溫度才是Ta呢？雖然可以利用經(jīng)驗法則解決，但依舊是一個困難的問題。

對于上述Tc的測量情況，近年來，普遍會使用熱成像或輻射溫度計等，已經(jīng)比以往簡單許多。當然，也可以使用熱電偶進行測量，但如此一來，熱電偶必須接觸到封裝，會因為熱電偶引發(fā)散熱，難以正確測量到正確數(shù)值。另外，測量時千萬不要利用膠帶，將熱電偶前端黏貼在封裝上面。鑒于近年來情況，以利用紅外線的非接觸式溫度計為最佳對策。

還有一點要注意，就是計算時，要使用封裝哪一處的溫度作為Tc。根據(jù)上面的封裝圖，就能夠輕易知道答案，但功率晶體管正上方處和不太會功耗的控制芯片上方，兩者的Tc是不同的。基本上，使用封裝表面溫度最高的數(shù)值。從這個意義上，熱成像最為便利。至于熱電偶方面，雖然還有其他更加細微的條件要求，但一般會在封裝中央處進行測量。

損耗測量

取得熱電阻、Tc或Ta的數(shù)值后，如果要代入上述公式進行計算，還必須先取得P數(shù)值，也就是功耗＝損耗（功率）。損耗直接以電壓×電流來算出。例如，LDO線性穩(wěn)壓器中，（輸入電壓－輸出電壓）×（輸出電流＋自我消耗電流）就是損耗的功率，但開關(guān)穩(wěn)壓器時，是利用開關(guān)，轉(zhuǎn)換出所需要的功率，因此必須先算出平均功耗，而計算方式有些復(fù)雜。以下為原則上的計算公式。

基本上，平均功率P是指電流和電壓的積與時間進行積分的值，再除以時間T。接著套用在實際開關(guān)上。1個周期大致上為OFF→ON（T1～T2）、ON期間（T2～Ｔ3）、ON→OFF（T3～T4）、OFF期間（T4～T5）一共4個狀態(tài)，如同下圖所示，分成4個區(qū)間進行計算。實際進行積分計算的時候，將使用積分公式。

在計算之前，必須先取得能夠看出上述4個區(qū)間的時間、電壓/電流的波形數(shù)據(jù)，尤其是能夠充分了解波形移動時向上升/向下降的時間，與波形穩(wěn)定不變時電壓/電流關(guān)系為何的波形（參照右上波形數(shù)據(jù)）。之后，就可以將讀取到的數(shù)值代入到公式內(nèi)，進行計算。

總結(jié)

將經(jīng)由測量和計算所取得的P，損耗（功耗），代入在上述的Tj計算公式內(nèi)，算出Tj的數(shù)值。Tj的最大額定值為150℃，因此確認Tj是否低于該最大額定值。

容許損耗是經(jīng)由右邊的圖表（摘錄于BM2P013的技術(shù)規(guī)格，PCB ： 74.2mm×74.2mm×1.6mm 雙層玻璃環(huán)氧樹脂基板安裝時）計算取得。就IC而言，Ta = 105℃在工作溫度范圍內(nèi)，容許損耗約750mW。使用電源的工作溫度達最大值時，就必須取得IC附近的Ta數(shù)值。不論是哪個溫度條件，損耗低于容許損耗都是最低條件。

關(guān)鍵要點：

?元件（芯片）的接合溫度（Tj）在額定值內(nèi)，除了可靠性，也包括安全性等必須確認事項。

?溫度可利用實測和熱電阻的概念計算出來。

?損耗經(jīng)由開關(guān)波形的觀測和數(shù)學(xué)公式計算出來。

?容許損耗可以參照技術(shù)規(guī)格的圖表，但最后仍須依照Tj值。