～共178款產(chǎn)品，有助眾多應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化、更低功耗和更高可靠性～

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出小型高效的肖特基勢壘二極管（以下簡稱SBD※1）“RBR系列”共12款產(chǎn)品，“RBQ系列”共12款產(chǎn)品，這些產(chǎn)品非常適用于車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種電路的整流和保護(hù)。至此，這兩個(gè)系列的產(chǎn)品陣容中已達(dá)178款產(chǎn)品。

在各種應(yīng)用產(chǎn)品中，通常使用二極管來實(shí)現(xiàn)電路整流和保護(hù)。隨著各種應(yīng)用產(chǎn)品對更低功耗的要求，比其他二極管效率更高的SBD正越來越多地被采用。另一方面，如果為了追求效率而降低VF，則存在此消彼長關(guān)系的IR將會(huì)升高，熱失控的風(fēng)險(xiǎn)會(huì)隨之增加，因此在設(shè)計(jì)電路的過程中，選擇SBD時(shí)需要很好地權(quán)衡VF和IR，這一點(diǎn)很重要。

在這種背景下，ROHM追求低VF特性和低IR特性之間的平衡，并進(jìn)一步加強(qiáng)了SBD小型化產(chǎn)品陣容，以車載市場為中心創(chuàng)造了非常優(yōu)異的業(yè)績。此次，ROHM針對已經(jīng)頗具量產(chǎn)成果的RBR和RBQ系列，面向大電流、高電壓和小型化，進(jìn)一步擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容，從而可以在更廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)整流和保護(hù)工作。

通過采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產(chǎn)品相比，效率提高了25%。

不僅如此，RBR系列具有出色的低VF（正向電壓）※2特性（該特性是提高效率的關(guān)鍵），并實(shí)現(xiàn)了低損耗。該系列產(chǎn)品非常適用于要求提高效率的應(yīng)用，比如車載設(shè)備中的車載充電器，以及消費(fèi)電子設(shè)備中的筆記本電腦等。此次又新增了12款小型封裝產(chǎn)品，還將有助于削減安裝面積（比以往產(chǎn)品少42%）。

而RBQ系列則具有出色的低IR（反向電流）※3特性，可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其是可降低SBD可能會(huì)發(fā)生的熱失控※4風(fēng)險(xiǎn)。非常適用于需要在高溫環(huán)境中工作的汽車動(dòng)力系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的高電壓電源等應(yīng)用。為滿足更高耐壓的需求，此次又新增了12款100V產(chǎn)品。此外，RBR系列和RBQ系列均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※5，可確保高可靠性。

這兩個(gè)系列的新產(chǎn)品從2021年6月開始已經(jīng)全部投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格：50日元～/個(gè)，不含稅）。

今后，ROHM將繼續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導(dǎo)體元器件的品質(zhì)，并繼續(xù)加強(qiáng)具有ROHM特色的產(chǎn)品陣容，為應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻(xiàn)力量。

＜特點(diǎn)＞

通過采用新工藝，RBR和RBQ系列與相同尺寸的ROHM以往產(chǎn)品相比，效率提高了25%，這兩個(gè)系列的產(chǎn)品分別具有以下特點(diǎn)：

1. RBR系列

1-1. 具有低VF特性，損耗更低

RBR系列不僅保持了與低VF特性存在此消彼長關(guān)系的低IR特性，與相同尺寸的ROHM以往產(chǎn)品相比，VF特性降低約25%，損耗更低。因此，不僅非常適用于要求更高效率的車載充電器等車載設(shè)備，還非常適用于要求更節(jié)能的筆記本電腦等消費(fèi)電子設(shè)備。

此外，與同等性能的產(chǎn)品相比，RBR系列還可實(shí)現(xiàn)芯片的小型化，因此受芯片尺寸影響的封裝也可以采用更小型的封裝形式。例如，如果以往產(chǎn)品尺寸為3.5mm×1.6mm（PMDU封裝），則通過將其替換為2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封裝）的產(chǎn)品，可使安裝面積減少約42%。

1-2.新增小型封裝，產(chǎn)品陣容更豐富

在RBR系列中，此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封裝產(chǎn)品（消費(fèi)電子和車載領(lǐng)域各6款）。至此，該系列已擁有共140款產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品陣容（耐壓：30V、40V、60V；電流：1A～40A），進(jìn)一步擴(kuò)大了在車載設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。

2. RBQ系列

2-1. 具有低IR特性，可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作

RBQ系列采用ROHM自有的勢壘形成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了非常適合開關(guān)電源的VF特性和IR特性之間的平衡。與ROHM以往產(chǎn)品相比，反向功率損耗降低了60%，可進(jìn)一步降低高溫環(huán)境下熱失控的風(fēng)險(xiǎn)。因此，該系列產(chǎn)品非常適用于需要在高溫環(huán)境中工作的汽車動(dòng)力系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備用的電源等應(yīng)用。

2-2. 新增100V產(chǎn)品，產(chǎn)品陣容更豐富

在RBQ系列中，此次新增了12款100V產(chǎn)品（消費(fèi)電子和車載領(lǐng)域各6款）。至此，包括共陰極型和單芯片型產(chǎn)品在內(nèi)，該系列已擁有共38款產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品陣容（耐壓：45V、65V、100V；電流：10A～30A）。

＜支持應(yīng)用例＞

■ RBR系列

• 車載充電器　
• LED前照燈
• 汽車配件 　
• 筆記本電腦

■ RBQ系列

• 工業(yè)設(shè)備電源 　
• 音響　 　　　
• 筆記本電腦
• XEV 　
• 引擎ECU
• AC/DC、DC/DC電路的二次側(cè)整流

＜術(shù)語解說＞

※1）肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode：SBD）

利用金屬與和半導(dǎo)體接觸形成肖特基結(jié)、從而獲得整流性能（二極管特性）的二極管。沒有少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)，具有優(yōu)異的高速特性。

※2）正向電壓： VF（Forward Voltage）

當(dāng)電流沿從＋到－的方向流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的電壓降。該值越低，效率越高。

※3）反向電流： IR（Reverse Current）

施加反向電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。該值越低，功耗（反向功耗）越小。

※4）熱失控

當(dāng)向二極管施加反向電壓時(shí)，內(nèi)部的芯片發(fā)熱量超過了封裝的散熱量，導(dǎo)致IR值增加，最終造成損壞的現(xiàn)象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發(fā)生熱失控，因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要格外注意。

※5）汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車制造商和大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的針對汽車電子元器件的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。Q101是有關(guān)分立半導(dǎo)體元器件（晶體管、二極管等）的標(biāo)準(zhǔn)。