電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?三安半導(dǎo)體在近期發(fā)布的中報(bào)里公開(kāi)了不少關(guān)于碳化硅業(yè)務(wù)的新進(jìn)展，包括器件產(chǎn)品、客戶導(dǎo)入、產(chǎn)能等信息。 ? 在產(chǎn)能方面，湖南三安在職員工1560人，已經(jīng)擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能
2025-09-09 07:31:00
1630 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，湖南三安半導(dǎo)體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)模化裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
2025-12-09 09:25:464886 逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三、碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn) 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個(gè)方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導(dǎo)通損耗降低了50%，開(kāi)關(guān)損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實(shí)現(xiàn)更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開(kāi)關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化，集成化方向發(fā)展?！ ≡谛录夹g(shù)驅(qū)動(dòng)下，汽車電子行業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級(jí)。在汽車大量電子化的帶動(dòng)之下，車用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
成熟，資源豐富，碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢(shì)了，但是行業(yè)規(guī)模很小，政策資金方面的風(fēng)險(xiǎn)能力很大，行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛，越來(lái)越多的新行業(yè)也正在開(kāi)發(fā)，線切割為代表的新行業(yè)正
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡(jiǎn)介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標(biāo)準(zhǔn)肖特基結(jié)構(gòu)做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力差，商業(yè)應(yīng)用價(jià)值低。為了提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，碳化硅肖特基二極管的結(jié)構(gòu)也從標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI。 以下測(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長(zhǎng)16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽(yáng)能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì)：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
多年增長(zhǎng)。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗(yàn)，另一方面有效緩解了電動(dòng)汽車的續(xù)航焦慮問(wèn)題，因此廣受新能源車企的青睞。 從功率半導(dǎo)體供應(yīng)商的角度來(lái)看，成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個(gè)
2022-12-27 15:05:47
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-12 10:22:42
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小產(chǎn)品
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
，從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率，并且比碳化硅材料要好得多，因此，可以大規(guī)模生產(chǎn)?，F(xiàn)在，研究和開(kāi)發(fā)人員正致力于收集有關(guān)的資料來(lái)驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授，日本大坂大學(xué)，在以上研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)中
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩、過(guò)沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
的碳化硅功率器件?！ 《鳛檐囕d產(chǎn)品，且承擔(dān)的是充電這一功率變換部分，整車廠對(duì)于產(chǎn)品中元器件使用的要求，也相應(yīng)提高。為了更好的滿足這樣的要求提升，車規(guī)級(jí)器件則成了首選。泰科天潤(rùn)作為中國(guó)碳化硅（SiC
2023-02-27 14:35:13
延遲時(shí)間。碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸延遲需小于200ns，傳輸延遲抖動(dòng)小于20ns，可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)： · 采用數(shù)字隔離驅(qū)動(dòng)芯片，可以達(dá)到信號(hào)傳輸延遲50ns，并且具有比較高的一致性，傳輸抖動(dòng)
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 羅姆碳化硅產(chǎn)品介
2018-02-24 17:06:29
14 總經(jīng)理李斌表示，目前國(guó)際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原來(lái)國(guó)內(nèi)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產(chǎn)業(yè)基地，這個(gè)合格率可以達(dá)到65%?，F(xiàn)在我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">實(shí)現(xiàn)迅速研發(fā)的同時(shí)也進(jìn)一步開(kāi)展量產(chǎn)，三年內(nèi)整個(gè)項(xiàng)目要達(dá)
2020-06-09 18:58:422884 6月23日上午，總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，將打造國(guó)內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，可月產(chǎn)3萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。湖南三安半導(dǎo)體基地位于長(zhǎng)沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，規(guī)劃
2021-06-24 14:14:433017 ，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升，將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?；景雽?dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
比亞迪作為國(guó)內(nèi)車企，在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史，最早是在車載的OBC上用，后面是在車載彈簧、車載電控上面用，目前國(guó)內(nèi)在碳化硅車型上，我們用的碳化硅的量是國(guó)內(nèi)最多的，去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:133124 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:067085 摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
2022-12-21 14:05:032918 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這個(gè)特性使得眾多的車企把目光投注過(guò)來(lái)。 我們
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355707 據(jù)柏松介紹，中國(guó)電子科技集團(tuán)2021年已經(jīng)量產(chǎn)車載充電器用的碳化硅功率器件，2022年第二代產(chǎn)品的裝車量超過(guò)100萬(wàn)臺(tái)。
2023-02-15 13:48:45474 碳化硅模塊上車高濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開(kāi)始投建
2023-02-21 09:26:452 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
讀者的持續(xù)關(guān)注。 一、簡(jiǎn)介 二、碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 三、碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上游 四、碳化硅功率器件設(shè)計(jì) 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng) 01 | 碳化硅功率器件的應(yīng)用 目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 發(fā)布公告稱全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司與意法半導(dǎo)體（中國(guó)）投資有限公司擬在重慶共同設(shè)立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產(chǎn)的合資代工公司，湖南三安持股51%，意法半導(dǎo)體持股49%，合資公司由湖南三安控股，預(yù)計(jì)投入總金額32億美元（約合
2023-06-08 19:33:051848 SHINRY是全球最早實(shí)現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一，開(kāi)發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過(guò)百萬(wàn)件，使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF（DC/DC Converter for Fuel Cell）市場(chǎng)份額超過(guò)50%，在碳化硅器件的應(yīng)用和推廣方面具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和市場(chǎng)基礎(chǔ)
2023-06-27 17:41:501931 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50852 
三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:041652 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535133 
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車（EV）而設(shè)計(jì)，符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:291124 近日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司，再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過(guò)了AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證
2024-06-26 17:58:541640 近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求，至此公司獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572 
。使用碳化硅可以提高充電設(shè)備的效率，降低能耗，從而縮短充電時(shí)間。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有更高的能效和更高的開(kāi)關(guān)速度，能夠實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的體積。 二、電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 碳化硅在電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中主要用于逆變器。逆變器是電動(dòng)車
2024-11-25 17:32:492254 三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司，簡(jiǎn)稱安意法)，全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn)，屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341590 2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，這將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線，項(xiàng)目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)
2025-02-27 18:45:104659 近日，博世汽車電子中國(guó)區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度，增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:291113 在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上，比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái)，推出閃充電池、3萬(wàn)轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片，核心三電全維升級(jí)，搭配全球首個(gè)電動(dòng)車全域千伏架構(gòu)，刷新多項(xiàng)全球之最。
2025-03-24 17:10:051601 3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕，本次會(huì)上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品，吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741 全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國(guó)紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開(kāi)啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。
2025-09-11 09:12:541415 的專利申請(qǐng)量就增長(zhǎng)了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破，這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
2025-09-22 09:31:47654 。 特別是在2025年8月， 湖南三安半導(dǎo)體基地的8吋碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線 ，從建設(shè)到投產(chǎn)僅用不到一年時(shí)間，進(jìn)展快于預(yù)期。 01 三安碳化硅：全產(chǎn)業(yè)鏈布局 三安光電早已不滿足于僅僅作為半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，而是致力于打造 完整的碳化
2025-11-05 16:58:29508
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