兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:07
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由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)
2017-11-21 07:34:0078959 
本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu)，其次對(duì)IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理，最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及IGBT模塊的靜態(tài)測量。
2018-05-22 09:15:5310550 搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件，在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開關(guān)就可以了，但估計(jì)很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作區(qū)的命名和區(qū)別，同時(shí)由于不同參考書對(duì)工作區(qū)的命名又有很多種，很容易讓人混淆。
2021-01-01 17:34:0025187 
的IGBT就派上用場了。那什么是IGBT呢?IGBT的作用是什么呢?IGBT的工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)又有哪些呢?這次我們來好好了解一下什么是IGBT!
2022-08-22 09:06:3916635 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2023-08-25 10:07:332091 
Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同電流下的優(yōu)異特性，一般會(huì)將的Si-IGBT和 SiC-MOSFET按照一定比例進(jìn)行混合并聯(lián)使用。
2025-01-21 11:03:572639 
家用焊機(jī)應(yīng)用電路特點(diǎn)，實(shí)際應(yīng)用工況，分析對(duì)IGBT的參數(shù)要求，并在實(shí)際焊機(jī)上進(jìn)行帶載和沖擊測試，比較不同IGBT的性能優(yōu)劣。1電路特點(diǎn)家用焊機(jī)相對(duì)工業(yè)焊機(jī)而言輸出焊接電流較小(一般
2014-08-13 09:25:59
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
**Mosfet **和 IGBT 驅(qū)動(dòng)對(duì)比的簡介簡述：一般中低馬力的電動(dòng)汽車電源主要用較低壓（低于 72V）的電池組構(gòu)成。由于需求的輸出電流較高，因此市場上專用型的 Mosfet 模塊并不
2022-09-16 10:21:27
IGBT的特點(diǎn)可以從其全稱中了解一二：絕緣柵雙極晶體管。所謂絕緣柵，是指IGBT與MOSFET類似，作為控制的門級(jí)和功率電路部分是絕緣的，之間沒有通過導(dǎo)體或半導(dǎo)體電氣連接。門級(jí)只要出現(xiàn)一定的電壓，在
2023-02-16 15:36:56
電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N 一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+基極
2018-10-18 10:53:03
現(xiàn)有IGBT 型號(hào)為H20R1202 要設(shè)計(jì)他的驅(qū)動(dòng)電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計(jì)過IGBT驅(qū)動(dòng)電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動(dòng)上嗎？
2016-04-01 09:34:58
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
本帖最后由 松山歸人 于 2022-2-10 16:57 編輯
大家下午好！今天給大家?guī)怼?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET與IGBT基礎(chǔ)講解】，會(huì)持續(xù)更新，有問題可以留言一同交流討論。需要更多學(xué)習(xí)資料可點(diǎn)擊下方鏈接，添加客服領(lǐng)取http://zyunying.zhangfeidz.com?id=28
2022-02-10 16:54:31
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng),IXYS有一款MOSFET
2025-03-25 13:43:17
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。 2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2020-06-28 15:16:35
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
本帖最后由 我愛方案網(wǎng) 于 2022-6-28 10:31 編輯
前言 EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?！俄烏?zhàn)爭加速了EV產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，去化石燃料、保護(hù)國家安全，以及
2022-06-28 10:26:31
。IGBT的頻率一般不會(huì)超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz）,應(yīng)用范圍比較多的頻率段應(yīng)該為幾百KHz左右。所以排序大概為：GTO
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會(huì)超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會(huì)超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
MOSFET開時(shí)米勒平臺(tái)的形成過程的詳細(xì)解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管呢？乍看這么多問題好像很頭痛，其實(shí)很簡單，我們一步一步來。1為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？要
2023-02-10 15:33:01
三極管的組合，MOSFET存在高壓時(shí)導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET
2021-03-02 13:47:10
PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高
2012-06-19 11:36:58
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開關(guān)電源（也稱為開關(guān)型整流器SMR）是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
與IGBT的比較中，開關(guān)特性與SJ MOSFET同樣優(yōu)異。Hybrid MOS可高速開關(guān)，而這是IGBT的弱點(diǎn)。只要能提高開關(guān)頻率的速度，即可減少組成電路的電感和電容器的值和尺寸。另外，沒有損耗要因之一
2018-11-28 14:25:36
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短?！ ?）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
2023-02-27 16:03:36
電動(dòng)自行車一般用的是IGBT還是MOSFET？是什么原因呢？
2023-03-16 10:27:43
的效率。要做到這一點(diǎn)，電機(jī)控制電路必須很快地開關(guān)流向電機(jī)線圈的電流，在開關(guān)上面需要達(dá)到最小的切換時(shí)間或?qū)щ娖陂g的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導(dǎo)體器件都可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2016-01-27 17:22:21
（Mosfet和 IGBT）把直流電源變?yōu)榻涣餍碗娫矗煌ㄟ^變壓器變出一定的電壓，再整流后得到我們想要的目標(biāo)電源。為了適應(yīng)輸入電壓的波動(dòng)范圍，我們通過電壓反饋和電流反饋來調(diào)節(jié)控制開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷信號(hào)
2012-07-06 15:47:08
（Mosfet和 IGBT）把直流電源變?yōu)榻涣餍碗娫?；通過變壓器變出一定的電壓，再整流后得到我們想要的目標(biāo)電源。為了適應(yīng)輸入電壓的波動(dòng)范圍，我們通過電壓反饋和電流反饋來調(diào)節(jié)控制開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷信號(hào)的占空比
2012-07-04 17:05:50
AE（負(fù)責(zé)IGBT, MOSFET, Triacs,Rectifiers and power discretes產(chǎn)品在工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用和技術(shù)支持,待遇優(yōu)厚）工作地點(diǎn)：深圳如對(duì)推薦職位有興趣可直接投遞簡歷或E-Mail：Jessie.Yu@heaci.com QQ:1930470890
2013-11-21 12:57:53
發(fā)生故障，僅僅是因?yàn)槟承?shù)字性溢出故障。
圖1：超級(jí)結(jié)MOSFET (a)和IGBT (b)橫截面，模型中包含嵌入式樣品制程參數(shù)
圖2：可從一個(gè)物理模型擴(kuò)展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40:05
實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）
2007-09-30 20:59:37
1103 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:138880 
MOSFET和IGBT是當(dāng)
2010-12-31 10:31:243122 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011353 
IGBT選型參考一文介紹了IGBT元件的性能.參數(shù)
2016-06-17 16:57:2459 一種改進(jìn)控制電路在IGBT串聯(lián)中的應(yīng)用_顏文旭
2017-01-08 10:30:297 四大存儲(chǔ)方式技術(shù)解析其優(yōu)劣勢
2017-01-22 13:38:0823 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在需要高電壓和開關(guān)頻率的電流電路中獲得相當(dāng)多的使用。一般來說，這些電路是在電機(jī)控制，不間斷電源和其他類似的逆變器應(yīng)用。大部分的IGBT的流行源于其簡單的MOSFET
2017-07-04 10:51:0522 IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品。
2017-12-11 18:46:5626613 
眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
IGBT、MOSFET的過電流保護(hù)
2018-03-19 15:10:477 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-06-05 10:00:00194 一文解析PLC的應(yīng)用，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-07-19 11:21:566116 
由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-07-24 10:25:2617647 
由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-12-03 11:21:2022501 
文將結(jié)合所學(xué)以自動(dòng)駕駛系統(tǒng)供應(yīng)商的角度來分析解決方案優(yōu)劣和功能安全需求，后續(xù)將持續(xù)更新。
2018-12-04 09:14:525577 控制。此外，由于無需采用集成式反向二極管，這使制造商能夠靈活地選擇針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的快速“復(fù)合封裝（co-pak）”二極管 （IGBT和二極管采用同一個(gè)封裝），這與固有MOSFET二極管相反，固有MOSFET二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr和反向恢復(fù)
2019-03-16 07:39:022360 
的開關(guān)速度更快，更適合高頻工作場合。諧振型開關(guān)電源一般都采用MOSFET。本節(jié)分析對(duì)比了IGBT和MOSFET的開關(guān)損耗產(chǎn)生機(jī)理，為LLC諧振變換器工作區(qū)域的確定提供了依據(jù)。
2020-04-08 08:00:007 本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024 
IGBT MOSFET建模(電源4572)-該文檔為利用Simplorer?IGBT MOSFET建模仿真，simplorer為最近幾年新出的仿真軟件，模型具有比較準(zhǔn)確的可仿真性
2021-07-26 13:35:4098 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:40114 1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2022-02-11 10:47:5631 本書在簡析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參
數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)重點(diǎn)討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:144323 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
2023-02-10 09:41:021102 
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電
壓驅(qū)動(dòng)式
2023-02-22 14:51:281 MOSFET和IGBT的對(duì)比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體
2023-02-22 13:56:541 IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。
2023-02-22 15:52:243337 
功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十M
2023-02-23 15:51:011 我們都知道，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。有的同學(xué)可能會(huì)有這樣的困惑： “IGBT本來就是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，為什么它自己還需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)？IGBT驅(qū)動(dòng)到底是做什么的？” 這個(gè)問題說來簡單，就像《極簡
2023-02-23 15:47:510 功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不
錯(cuò)了。不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十MHZ，射頻領(lǐng)
域的產(chǎn)品。
2023-02-24 10:33:326 半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型
2023-05-18 09:51:586137 
要了解什么是IGBT驅(qū)動(dòng)，首先你需要了解什么是IGBT。請戳前情提要：《極簡電力電子學(xué)》。我們都知道，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。有的同學(xué)可能會(huì)有這樣的困惑：“IGBT本來就是驅(qū)動(dòng)電機(jī)
2022-02-11 09:23:292821 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:322357 
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:405635 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:422343 
MOSFET與IGBT的區(qū)別
2023-11-27 15:36:452393 
IGBT和MOSFET該用誰？你選對(duì)了嗎？
2023-12-08 18:25:065096 
、詳實(shí)、細(xì)致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:352490 IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是IGBT和MOSFET工作的一個(gè)重要區(qū)域，但是
2024-02-18 14:35:354111 引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場打開了增長的窗口。充電樁中
2024-02-19 12:28:043251 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點(diǎn)，其獨(dú)特
2024-03-12 15:34:185917 
碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，在電動(dòng)汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳化硅MOSFET有望成為下一代主流功率器件。
2025-01-15 17:40:551102 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一文解析工業(yè)互聯(lián)網(wǎng).pptx》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 16:42:511 革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn)，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03932 
設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)分析MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比，特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權(quán)衡。一、MOSFET與IGBT的基本原理MOSFET工作原理：MO
2025-07-07 10:23:192440 
在做電力電子設(shè)計(jì)的朋友，經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)選擇題：IGBT和MOSFET，到底該用哪個(gè)?這兩個(gè)器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動(dòng)汽車、電源模塊等場景。但它們各自的“性格
2025-08-26 09:58:402174 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-09 09:37:551525 
深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其可靠驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-30 15:40:03302
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