東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實現(xiàn)電源電路小型化

—采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴展的安全工作區(qū)—
?
中國上海，2023年6月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
?

?
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。
?
新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
?
未來，東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設(shè)備功耗。
?

應(yīng)用

-???? 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
-???? 開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）
?

特性

-???? 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
-???? 寬安全工作區(qū)
-???? 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃
?
?

主要規(guī)格

?
（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號			TPH3R10AQM
絕對最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		100
	漏極電流（DC）ID（A）	Tc＝25℃	120
	結(jié)溫Tch（℃）		175
電氣特性	漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON) 最大值（mΩ）	VGS＝10V	3.1
		VGS＝6V	6.0
	總柵極電荷（柵極-源極+柵極-漏極）Qg典型值（nC）		83
	柵極開關(guān)電荷Qsw典型值（nC）		32
	輸出電荷Qoss典型值（nC）		88
	輸入電容Ciss典型值（pF）		5180
封裝	名稱		SOP Advance(N)
	尺寸典型值（mm）		4.9×6.1
庫存查詢與購買			在線購買

?
注：
[1] 在設(shè)備運行時，在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。
[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V
?
?
如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH3R10AQM.html
?
?
如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
?
?
如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況，請訪問以下網(wǎng)址：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH3R10AQM.html
?
*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
?

閱讀全文

東芝(124052) 東芝(124052)

東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品

2023-06-13 16:38:50

1327

100V MOS管推薦 100V SOT-89香薰機MOS

SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌

2021-05-08 15:10:13

N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。

2021-03-02 08:40:51

電源的小型化輕量化設(shè)計方案

的基礎(chǔ)上還降低了電路成本。　　MPS目前有5~15W的一系列的原邊反饋控制芯片方案，MP020是集成700V MOSFET的恒壓恒流(CV/CC) 開關(guān)芯片，能輕松實現(xiàn)高精度的穩(wěn)壓和恒流輸出?！　∪?、小型化

2018-10-10 16:49:11

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些

2021-07-01 09:54:05

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

2021-07-13 09:16:34

BSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA

BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A

2019-11-13 11:00:58

HGK075N10L加濕器MOS管應(yīng)用方案 TO-252 100V15A

，以及手機、平板的快充充電器、適配器的功率輸出級，能滿足這類設(shè)備對低功耗、小體積、高可靠性的需求。低壓電源領(lǐng)域：可用于低壓 DC - DC 轉(zhuǎn)換器、小型 UPS 電源的功率開關(guān)部分，100V 耐壓和低

2025-11-17 14:04:46

NCE0140KA新潔能NCE0140KA原裝100V N溝道 MOS

廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。NCE0140KA為新潔能推出的100V，N溝道，大電流MOS，NCE0140KA實際電流可以達(dá)到40A，可以滿足充電器，移動電源

2019-11-20 11:02:40

SJ MOSFET的效率改善和小型化

，有高達(dá)10MHz的高速開關(guān)IC，結(jié)構(gòu)極其精小，被作為小型便攜設(shè)備的電源使用。－那么，如果BM2Pxxx系列也能實現(xiàn)兆赫茲級別的開關(guān)是不是更好。確實該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了小型化，但如果提高開關(guān)速度，效率

2019-04-29 01:41:22

求一個12V電源口的浪涌保護雷卯電子推出小型化的方案

12V電源浪涌的要求是什么？求一個12V電源口的浪涌保護雷卯電子推出小型化的方案

2022-01-14 07:35:40

安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/

安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSF

2010-02-05 08:37:09

2023

Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8

Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的

2010-04-07 10:52:52

1102

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率

2011-10-21 08:53:05

1058

N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用

電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率

2021-05-27 12:18:58

9885

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作

2021-03-18 22:10:11

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

2021-03-19 06:51:08

東芝針對汽車應(yīng)用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進一步擴充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)前市

2021-10-25 14:16:29

2311

東芝針對汽車應(yīng)用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。新品近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進一步擴充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)

2021-11-26 15:22:50

2814

東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品景嘉微發(fā)布JH920

東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝

2022-03-18 17:35:26

5831

東芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”

　東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。

2022-04-01 16:42:36

12278

NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

2022-07-18 09:06:00

3102

NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

2022-07-18 09:14:57

2243

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

2023-02-20 19:50:19

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

2023-02-20 19:57:31

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA

2023-02-20 20:01:43

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA

2023-02-20 20:01:56

30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE

30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE

2023-02-21 19:32:00

雙N溝道 100V,159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E

雙 N 溝道 100 V、159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E

2023-02-21 19:54:07

雙N溝道 100V,37.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E

雙 N 溝道 100 V、37.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E

2023-02-22 18:41:04

雙N溝道 100V,27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E

雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E

2023-02-22 18:41:14

雙N溝道 100V,82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E

雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E

2023-02-22 18:42:54

雙N溝道 100V,121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E

雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E

2023-02-22 18:43:22

N 溝道 100V,16.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK-PSMN016-100YS

N 溝道 100 V、16.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK-PSMN016-100YS

2023-02-22 18:45:47

N 溝道 100V,5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN5R0-100PS

N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN5R0-100PS

2023-02-22 18:46:36

N 溝道 LFPAK 100V,27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS

N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS

2023-02-22 18:47:05

N 溝道 LFPAK 100V,39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS

N 溝道 LFPAK 100 V、39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS

2023-02-22 18:47:15

N 溝道 LFPAK 100V,72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS

N 溝道 LFPAK 100 V、72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS

2023-02-22 18:47:43

采用 LFPAK 的N溝道 100V,12mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-100YS

采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-100YS

2023-02-22 18:49:30

采用 LFPAK 的N溝道 100V,13 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100YSE

采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、13 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100YSE

2023-02-22 18:49:43

LFPAK56中的N溝道 100V,12mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL

2023-02-22 18:50:48

LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL

2023-02-22 18:51:50

LFPAK56中的N溝道 100V,21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL

2023-02-22 18:52:06

N 溝道 100V,4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS

N 溝道 100 V、4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS

2023-02-22 18:59:52

N 溝道 100V,26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS

N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS

2023-02-22 19:03:50

N 溝道 100V,16mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS

N 溝道 100 V、16 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS

2023-02-22 19:04:16

I2PAK中的N溝道 100V,13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES

I2PAK 中的 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES

2023-02-22 19:05:00

LFPAK56中的N溝道 100V,37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL

2023-02-22 19:05:13

N 溝道 100V,8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS

N 溝道 100 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS

2023-02-22 19:05:46

TO220中的N溝道 100V,6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS

TO220 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS

2023-02-22 19:06:57

LFPAK33中的N溝道 100V,36.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，專為高功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計-PSMN040-100MSE

LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、36.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，專為高功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計-PSMN040-100MSE

2023-02-23 18:40:07

N 溝道 100V,13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS

N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS

2023-02-23 18:40:21

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

2023-02-23 18:42:14

LFPAK中的N溝道 100V,20.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN020-100YS

LFPAK 中的 N 溝道 100 V、20.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN020-100YS

2023-02-23 18:44:18

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

2023-02-23 18:45:04

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

2023-02-23 18:45:23

D2PAK中的N溝道 100V 6.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

2023-03-03 18:53:30

D2PAK中的N溝道 100V 26.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

2023-03-03 19:00:21

D2PAK中的N溝道 100V 16mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS

2023-03-03 19:01:50

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS

2023-03-03 20:12:57

東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

2023-03-31 10:05:32

2107

超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。

2023-06-16 09:03:30

802

東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴展的安全

點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM

2023-06-29 17:40:01

1395

四招實現(xiàn)電源設(shè)計小型化

小型化一直是電子行業(yè)的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量。ADI在本文討論了一些有助于實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的注意事項。

2023-07-08 15:08:31

1156

安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

2023-08-14 15:04:45

1608

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設(shè)備實現(xiàn)高散熱和小型化

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

2023-08-22 11:03:21

1439

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。

2023-08-24 11:19:10

1596

實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的4個小技巧

實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的4個小技巧

2023-10-17 17:59:06

1132

東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。

2024-05-08 14:35:42

1114

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型

2025-01-13 11:41:38

957

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N

2025-01-22 17:04:06

992

PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載

2025-02-14 15:44:04

PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載

2025-02-14 15:42:09

Toshiba推出采用最新一代工藝技術(shù)[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率

Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用

2025-09-28 15:17:14

500

選型手冊：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高

2025-11-05 12:01:34

245

選型手冊：MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-24 14:27:27

203

選型手冊：MOT1111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型

2025-11-24 17:23:08

546

選型手冊：VSP003N10HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持10V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高效能，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器

2025-11-26 15:13:13

227

選型手冊：VSP004N10MS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率，憑借超低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于中壓DC

2025-11-27 14:42:04

203

深入剖析onsemi NVMFWS004N10MC N溝道功率MOSFET

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個電路的運行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。

2025-12-01 15:35:07

232

選型手冊：VSE025N10HS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高可靠性，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-01 16:36:00

207

選型手冊：VS1602GMH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC

2025-12-03 09:23:07

266

選型手冊：VS2646ACL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓小型化電路的電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-04 09:43:35

203

選型手冊：VS3618AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-08 11:10:47

241

選型手冊：VS1891GMH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-263封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-09 10:12:07

262

選型手冊：VS1602GFH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220F封裝，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-09 10:29:22

276

選型手冊：VS1602GTH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-09 10:43:32

215

選型手冊：VS3640AA N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率

2025-12-10 11:48:31

227

選型手冊：VS320N10AU N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-12 15:26:26

172

選型手冊：VSE090N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3x3封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型

2025-12-23 11:22:46

175

選型手冊：VSD090N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型

2025-12-25 16:14:53

109

選型手冊：VSD011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-25 16:18:26

111

選型手冊：VSP004N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-12-26 11:57:06

115

選型手冊：VSF013N10MS3-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220SF封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-29 09:53:44

110

選型手冊：VST018N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-29 11:30:14

170

選型手冊：VSO013N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率

2025-12-29 11:52:16

選型手冊：VSI008N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-251封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型

2025-12-30 10:55:52

選型手冊：VSE011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-30 14:58:12

102

選型手冊：VSP003N10HS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓超大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-12-30 15:04:38

選型手冊：VS1605ATM N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型

2026-01-04 16:31:56

已全部加載完成

91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲日韩欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

搜索歷史

東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實現(xiàn)電源電路小型化

評論