探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41
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SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì)，而SiC則需要更嚴(yán)格的品質(zhì)控制和可靠性測(cè)試，以充分發(fā)揮其作為高性能器件的特性。
2025-12-24 15:49:584959 
在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動(dòng)下，外延設(shè)備的出貨量在未來(lái)五年將增長(zhǎng)三倍以上。 外延在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導(dǎo)體外延片正大舉進(jìn)軍超越摩爾領(lǐng)域 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長(zhǎng)用于硅基
2020-01-30 09:58:585823 12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37809 晶體生長(zhǎng)和器件加工技術(shù)的額外動(dòng)力。在20世紀(jì)80年代后期，世界各地正在進(jìn)行大量努力，以提高SiC襯底和六方SiC外延的質(zhì)量 - 垂直SiC功率器件所需 - 從日本的京都大學(xué)和AIST等機(jī)構(gòu)到俄羅斯
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
之間通常還有襯底減薄和芯片分離的工藝過(guò)程，而在這個(gè)過(guò)程中，外延片有可能碎裂、局部殘缺碎裂或局部殘缺，使得實(shí)際的芯片分布與儲(chǔ)存在分選機(jī)里的數(shù)據(jù)不符，造成分選困難。從根本上解決芯片測(cè)試分選瓶頸問(wèn)題的關(guān)鍵是
2018-08-24 09:47:12
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
` 首先萬(wàn)分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒(méi)有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
羅姆這回提供的電路非常豐富，按由主及次的評(píng)測(cè)思路，我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn)，特整理了電路分析的內(nèi)容。整個(gè)評(píng)估板提供的主要電路如下，圖中電路主要意思是這樣，評(píng)估板提供了由兩個(gè)
2020-06-07 15:46:23
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開(kāi)關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
項(xiàng)目名稱：SiC mosfet 測(cè)試試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：公司開(kāi)發(fā)雙脈沖測(cè)試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過(guò)此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃：1、測(cè)試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測(cè)試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測(cè)試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。自從16多年前第一款SiC二極管問(wèn)市以來(lái)，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
2018-10-29 08:51:19
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
` 有誰(shuí)用過(guò)SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
異的高溫和高頻性能。
案例簡(jiǎn)介：SiC MOSFET 的動(dòng)態(tài)測(cè)試可用于獲取器件的開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開(kāi)關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-05-26 10:23:36
19 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國(guó)IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2442 介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-12-23 14:33:5625 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測(cè)與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯(cuò)及位錯(cuò)密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:404098 
LED外延片代工廠走勢(shì)分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14906 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
2011-05-06 11:55:522259 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張 外延片 隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。 半導(dǎo)體制造
2011-09-22 16:38:321589 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1cm-2。
2012-10-16 15:13:214852 濟(jì)寧高新區(qū)聯(lián)電科技園核心企業(yè)冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產(chǎn)出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產(chǎn)出的芯片數(shù)量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461477 為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容
2018-03-13 15:58:3813 氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí)，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，全新光電VCSEL外延片仍需等待蘋果公司的產(chǎn)品審核，而加入蘋果iPhone系列手機(jī)和其他設(shè)備的VCSEL 3D傳感器供應(yīng)鏈，將成為該公司2018年的主要業(yè)務(wù)目標(biāo)之一。
2018-04-03 14:49:329446 LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為L(zhǎng)ED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國(guó)內(nèi)LED技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4922362 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外，公司還報(bào)告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍(lán)圖。
2020-04-08 16:53:125033 
晶棒長(zhǎng)成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。
2020-04-16 17:08:322307 其中，1310/1550 nm波段10 G/25 G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于5G通信、激光雷達(dá)、激光抽運(yùn)、激光顯示等領(lǐng)域。
2020-07-08 10:29:343786 LED外延片其實(shí)是襯底材料作用的，也就是說(shuō)在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運(yùn)用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說(shuō)在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:596396 在外延片方面，我國(guó)已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng)，建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈上游的碳化硅外延產(chǎn)品，早已在國(guó)外市場(chǎng)和全球頂部廠商直接競(jìng)爭(zhēng)。
2020-09-26 11:49:215174 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:291175 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圓迎來(lái)了具有歷史意義的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:145522 控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
2022-04-11 13:44:4410190 的。IVWorks（韓國(guó)）利用基于深度學(xué)習(xí)的人工智能 (AI) 外延技術(shù)制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料，已獲得 670 萬(wàn)美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現(xiàn)在已獲得總計(jì) 1000 萬(wàn)美元的資金。三星旗下專業(yè)投資子公司三星風(fēng)險(xiǎn)投資參與了
2022-07-29 18:19:472652 
在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更高的性能，該器件需要在低電阻率的 p 型襯底上外延生長(zhǎng)。
2022-10-27 09:35:009907 該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:542005 國(guó)產(chǎn)之光?？瓢雽?dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 希科半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功 中國(guó)蘇州，2022年11月23日——?？瓢雽?dǎo)體科技（蘇州）有限公司于
2022-11-29 18:06:053670 ?？瓢雽?dǎo)體（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉，該產(chǎn)品通過(guò)了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的雙重檢測(cè)，具備媲美國(guó)際大廠碳化硅外延片的品質(zhì)，解決了國(guó)外產(chǎn)品的卡脖子問(wèn)題，為我國(guó)碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281826 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:254278 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:415426 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 希科半導(dǎo)體的外延片產(chǎn)品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創(chuàng)始核心團(tuán)隊(duì)擁有15年以上的規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，憑借業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導(dǎo)電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:001568 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過(guò)程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:522521 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03863 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:343035 
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)semi國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》 （specification for 4h-sic
2023-08-24 10:37:181969 
此外，研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高，多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理，則需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的減薄要求也不同，整體加工效率較低。
2023-09-27 16:35:432064 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過(guò)外延加工，即在襯底上生 長(zhǎng)一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:3913 半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來(lái)了解一下
2023-11-22 17:21:258101 SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:232252 預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:011234 襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:413482 
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 12:22:194983 
作為半導(dǎo)體單晶材料制成的晶圓片，它既可以直接進(jìn)入晶圓制造流程，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件；也可通過(guò)外延工藝加工，產(chǎn)出外延片。
2024-04-24 12:26:525872 
麥斯克電子近日宣布，其年產(chǎn)360萬(wàn)片8英寸硅外延片的項(xiàng)目已成功封頂。據(jù)CEFOC中電四公司透露，該項(xiàng)目的總投資額超過(guò)14億元，建設(shè)規(guī)模宏大，占地建筑面積超過(guò)5萬(wàn)平方米。預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成并投產(chǎn)后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)量將達(dá)到360萬(wàn)片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312194 前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到
2024-06-12 08:09:075139 
外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程： 外延片是通過(guò)在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來(lái)制造的。這個(gè)過(guò)程通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或
2024-07-12 09:16:522550 實(shí)驗(yàn)名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向：LED外延片檢測(cè)測(cè)試設(shè)備：光譜儀、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器
2024-10-25 10:29:541233 
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)。
2024-11-14 14:46:302351 
電化合物有限公司連續(xù)3年獲得了相關(guān)獎(jiǎng)項(xiàng)，繼2022年榮獲“中國(guó)SiC襯底十強(qiáng)”，2023年榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)后，本次榮獲“中國(guó)SiC外延影響力企業(yè)”稱號(hào)。 ? ?
2024-12-19 14:44:501230 
器件的穩(wěn)定性和可靠性。
二、外延填充方法
1. 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備
在進(jìn)行外延填充之前，首先需要通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定外延生長(zhǎng)和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有
2024-12-30 15:11:02504 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2024-12-31 15:04:18398 碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，SiC外延晶片在生產(chǎn)過(guò)程中可能會(huì)引入微量的金屬雜質(zhì)，這些雜質(zhì)對(duì)器件
2025-01-02 16:53:31340 ，SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程對(duì)溫度、氣氛、襯底質(zhì)量等因素極為敏感，因此需要設(shè)計(jì)一種高效、穩(wěn)定的高溫大面積碳化硅外延生長(zhǎng)裝置及處理方法，以滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求。
裝置結(jié)構(gòu)
高溫大面
2025-01-03 15:11:42382 一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實(shí)現(xiàn)高性能SiC
2025-01-07 15:19:59423 一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。化學(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長(zhǎng)過(guò)程中，石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364 集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對(duì)芯片性能的影響。
2025-01-24 11:01:382188 
SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，晶型夾雜和缺陷問(wèn)題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí)，有效避免這些問(wèn)題的產(chǎn)生，可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 引言
碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過(guò)程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317 引言
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，襯底應(yīng)力問(wèn)題一直是
2025-02-08 09:45:00268 影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會(huì)降低外延片的良品率，還可能對(duì)后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此，有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成，對(duì)于提升Si
2025-02-10 09:35:39401 引言
碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過(guò)程中，表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414 引言
碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制備過(guò)程中，揭膜后的臟污問(wèn)題一直是影響外延
2025-02-24 14:23:16260 
近日，上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)國(guó)內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量、設(shè)備等方面的管理需求，定制化部署MES、EAP、RMS、FDC以及 YMS系統(tǒng)，幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率和良率的雙提升。
2025-03-26 11:21:04959 作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性，有助于優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，提升外延片質(zhì)量，推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
二、碳化硅外延片生長(zhǎng)工藝參數(shù)分析
2025-09-18 14:44:40645 
近日，上揚(yáng)軟件憑借深厚的行業(yè)積淀、領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力以及眾多經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的成功案例，在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，成功中標(biāo)麥斯克電子材料股份有限公司（麥斯克電子）8英寸外延片工廠 CIM 系統(tǒng)實(shí)施項(xiàng)目。此次合作
2025-10-14 11:50:46682 外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長(zhǎng)）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實(shí)踐和技術(shù)資料的流程解析：一、預(yù)處理階段初步清洗目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃
2025-12-08 11:24:01238 
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