IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開關(guān)動(dòng)作時(shí)，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時(shí)，需要對(duì)門極施加300V加15V，合計(jì)315V的母線電壓。因此，需要不受開關(guān)噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動(dòng)電路。
2025-07-03 10:46:04
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在PWM和電子鎮(zhèn)流器當(dāng)中，半橋電路發(fā)揮著重要的作用。半橋電路由兩個(gè)功率開關(guān)器件組成，它們以圖騰柱的形式連接在一起，并進(jìn)行輸出，提供方波信號(hào)。本篇文章將為大家介紹半橋電路的工作原理，以及半橋電路當(dāng)中應(yīng)該注意的一些問題，希望能夠幫助電源新手們更快的理解半橋電路。
2014-08-28 10:13:4520892 ? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個(gè)換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:185629 
在IGBT半橋模塊中，適當(dāng)減小DBC上層銅的面積，會(huì)使得DBC對(duì)地共模電容減小嗎？如果會(huì)的話原理是什么呢？
2023-04-05 13:38:09
可靠性與能效是當(dāng)今逆變器設(shè)計(jì)考慮的兩個(gè)主要因素。英飛凌全新EconoPACK TM 4將強(qiáng)健的模塊設(shè)計(jì)與全新高能效IGBT4和EmCon4二極管技術(shù)融合在一起。基于最新技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入
2018-12-07 10:23:42
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過 流保護(hù)。產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
8-20kHz之間，請(qǐng)使用英飛凌后綴為DN2、RT4、KT4的IGBT模塊.高壓1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17ME4
2022-05-10 10:06:52
：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及眾多保護(hù)功能（過熱保護(hù)，過壓，過流，欠壓保護(hù)等）的IGBT模塊。
2012-07-09 12:00:13
：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級(jí)驅(qū)動(dòng)及眾多保護(hù)功能（過熱保護(hù)，過壓，過流，欠壓保護(hù)等）的IGBT模塊。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:12:52
IGBT在半橋式電機(jī)控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT，也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由
2015-12-30 09:27:49
半橋焊機(jī)（IGBT /二極管）器件選擇指南評(píng)估板。各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括兩個(gè)SW正向，半橋和全橋，已用于低壓/大電流DC-ARC焊接機(jī)，以最大限度地提高系統(tǒng)效率并提高效率。在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，半橋最常用于小型，低于230A的焊接機(jī)
2020-04-13 09:52:57
近日，萊姆（LEM）宣布，推出其新型高精度ITL 900型電流傳感器，它是目前市面上精度最高的電流傳感器，可以準(zhǔn)確測(cè)量和控制直流、交流以及脈沖電流，量程高達(dá)±900A，可以廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療
2018-11-14 15:17:35
本人最近利用Multisim軟件在做一個(gè)全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說明文檔驅(qū)動(dòng)電壓為±20V，然而給定驅(qū)動(dòng)脈沖，IGBT并未正常開通、關(guān)斷，本人用到的脈沖發(fā)生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
公司有成熟的服務(wù)器和產(chǎn)品 只不過以前用的DTU以前DTU 設(shè)置一個(gè)終端IDSIM卡號(hào)服務(wù)器域名端口號(hào)就可以聯(lián)網(wǎng)通訊上傳數(shù)據(jù)到服務(wù)器 現(xiàn)在改用900A GPRS模塊 替代DTU該怎樣進(jìn)行呢？GPRS
2019-05-28 00:09:58
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變器及大功率開關(guān)電源等高壓應(yīng)用領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計(jì)長(zhǎng)期面臨著高壓干擾、驅(qū)動(dòng)效率低下以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜的核心痛點(diǎn)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，600V半橋門極驅(qū)動(dòng)芯片SiLM2285，4A
2025-09-05 08:31:35
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
CAB320M17XM3XM半橋1700 V320 A3.5 mΩGen 3175 °C80 x 53 x 19 mm工業(yè)
CAB400M12XM3XM半橋1200 V400 A4 mΩGen 3
2025-09-11 09:48:08
，就光用SIM900A就行了是因?yàn)椴荒苡霉雀璧姆?wù)了嗎回答 1\谷歌服務(wù)器停了2、要實(shí)現(xiàn)可以采用服務(wù)器訪問第三方服務(wù)器的辦法3、900A停產(chǎn) 。那么就要找一款替代產(chǎn)品，GU900E是最適合的無論體積大小
2016-03-08 10:46:10
本篇博客是全橋MOS/IGBT電路搭建的介紹，想了解全橋電路的驅(qū)動(dòng)部分請(qǐng)看博主的單元一：全橋驅(qū)動(dòng)電路詳解。感興趣的可以添加博主逆變電路（Inverter Circuit）是與整流
2021-11-16 06:14:11
控橋帶阻感負(fù)載的情況，假設(shè)負(fù)載中電感很大，且電路已工作于穩(wěn)態(tài)。在u2正半周，觸發(fā)角a處給晶閘管VT1加觸發(fā)脈沖，u2經(jīng)VT1和VD4向負(fù)載供電u2過零變負(fù)時(shí)，因電感作用使電流連續(xù)，VT1繼續(xù)導(dǎo)通。但因a
2009-06-24 22:49:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
“假設(shè)額定功率100KW，三相380V * 1.414 大約按500V計(jì)算，2個(gè)IGBT組成半橋，單IGBT占空比0.4，則
2012-07-10 09:58:03
IGBT FF600R17IE3在1.3μH電感的回路發(fā)生短路故障。半橋結(jié)構(gòu)上下兩個(gè)處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT承受900V直流電壓。在t1時(shí)刻，IGBT導(dǎo)通VCE（Ch4）下降，流過短路IGBT（Ch2
2018-12-03 13:56:42
專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國收購IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國收購IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收電話
2020-07-30 13:20:09
我想用半橋電路測(cè)試igbt，所以我根據(jù)以下電路圖搭建了電路，但是igbt總是導(dǎo)不通，有沒有大佬幫忙看看為什么
驅(qū)動(dòng)板的輸入為兩個(gè)互補(bǔ)的PWM波，輸出也為兩個(gè)互補(bǔ)的PWM波，已用示波器測(cè)量過，中間
2024-11-05 11:06:27
對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式，常用推挽式電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動(dòng)用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2020-07-15 01:34:51
對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式，常用推挽式電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動(dòng)用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2017-02-16 14:02:13
/400A的半橋模塊，表示其中的2個(gè)IGBT管芯的電流/電壓規(guī)格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受最高2400V的瞬間直流電壓。 不僅半橋模塊，所有模塊均是如此標(biāo)注的?！ ?.全橋模塊
2019-03-05 06:00:00
我想利用900A實(shí)現(xiàn)向服務(wù)器上傳數(shù)據(jù)，大概步奏是什么呀？只需要一個(gè)公網(wǎng)IP就可以了嗎？
2019-06-06 04:36:28
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
1400A,1200V,IGBT4,PrimePack3 PrimePack3 ?南京收購回收英飛凌IFBT模塊FF900R12IP4D 900A,1200V,IGBT4,PrimePack2
2021-09-17 19:23:57
高價(jià)大量上門回收英飛凌IGBT模塊(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊),功率可控硅,晶閘管,整流橋模塊(TT/TZ/TD/DT/TX系列模塊)專業(yè)焊機(jī)IGBT模塊,電機(jī)控制IGBT模塊,變頻器IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:49:08
FF1400R17IP41700 V 1400 A 雙 IGBT模塊PrimePACK? 3 1700 V、1400 A 半橋雙 IGBT 模塊，采用 TRENCHSTOP? IGBT4、第四代
2022-05-11 10:01:43
4-A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
4A 半橋雙極開關(guān) Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V) 8 Input VCC (Max) (V) 35
2022-12-14 14:43:26
TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道
2023-02-27 17:04:43
供應(yīng)士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:22:02
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道m(xù)osfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道m(xù)osfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF1388M/TF2366M/TF2388M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)IC，設(shè)計(jì)用于高壓三相應(yīng)用，在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道模塊和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2388M高側(cè)
2023-07-04 11:38:27
半橋結(jié)構(gòu)串聯(lián)諧振逆變電路原理圖
該電源采用半橋結(jié)構(gòu)串聯(lián)諧振逆變電路，主電路原理如圖3所示。在大功率IGBT諧振式逆變電路中，主電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)十
2008-01-14 21:11:1214169 
雙片工作半橋式力敏電橋4電路圖
2009-06-06 09:46:31512 
2SD315A應(yīng)用實(shí)例(驅(qū)動(dòng)模塊應(yīng)用電路)
4 只625A/ 1200V 的IGBT 構(gòu)成橋式逆變主電路,它們由兩片2SD315A 控制。每片2SD315A 驅(qū)動(dòng)半橋上、下兩只IGBT
2010-01-07 11:08:414355 
IGBT和續(xù)流二極管的功率模塊單元電路
(a)所示為單開關(guān)模塊; (b)所示為兩單元(半橋)模塊; (c)所示為H橋(單相橋)模塊; (d)所示為不對(duì)稱H橋模塊; (e)所示為三相橋(六單元或逆
2010-02-17 23:12:173221 
GA系列IGBT半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
2010-02-18 22:20:081903 
晶閘管 整流管聯(lián)臂模塊三相半控橋式整流電路
2010-03-29 15:30:431935 
NJW4800是一款能提供4A 電流的通用半橋驅(qū)動(dòng)器。內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器能驅(qū)動(dòng)高端和低端的功率MOSFET，所以能
2010-12-30 11:51:561890 
Econo FourPACK IGBT模塊是一種專門為緊湊型全橋輸出的雙變換不闖斷電源開發(fā)的低寄生電感模塊。與傳統(tǒng)的IGBT半橋模塊設(shè)計(jì)習(xí)慣采用兩條直流母線排的形式不同，Econo封裝使用焊接式引腳方便使用PCB板疊層母線。這種封裝形式的模塊已在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中大量使用。通過
2011-03-15 00:45:53
184 SIMA900A模塊通訊程序，包括發(fā)送短信，打電話，發(fā)送彩信等命令
2015-11-03 10:16:1612 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 本文介紹了MOSFET/IGBT 半橋驅(qū)動(dòng)芯片IR2111 的使用情況, 分析了其工作電路中外圍各元器件的作用, 同時(shí)指出了在使用過程中應(yīng)注意的一些問題和現(xiàn)象, 并對(duì)不同公司的MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片作了簡(jiǎn)要介紹。
2016-06-15 17:36:420 ATK-SIM900A GSM模塊測(cè)試實(shí)驗(yàn).rar
（寄存器版本，適合戰(zhàn)艦V3和精英STM32開發(fā)板）擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)4 ATK-SIM900A GSM模塊測(cè)試實(shí)驗(yàn).rar
（庫函數(shù)版本，適合
2016-07-20 10:21:2343 本文為您介紹半橋驅(qū)動(dòng)電路工作原理、半橋驅(qū)動(dòng)電路的作用以及半橋驅(qū)動(dòng)電路需要注意問題、特點(diǎn)。
2016-08-05 18:17:35113625 
Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流（450A），新型半橋IGBT模塊
2016-10-25 16:29:153345 SIM900A模塊，單片機(jī)控制通信
2017-12-04 13:34:3120 本文首先介紹了SIM900A模塊主要特點(diǎn)與功能，其次介紹了sim900a功能框圖與原理圖，最后介紹了sim900a模塊引腳及功能。
2018-05-30 14:50:51160048 
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì)，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W
2018-09-05 08:44:005542 把半橋電路的兩個(gè)橋臂諧振電容改成兩個(gè)IGBT，線圈串聯(lián)一個(gè)揩振電容就構(gòu)成全橋電路，IGBT1和IGBT4以及IGBT2和IGBT3交替工作，從而獲得比較大的功率。全橋電路成本遠(yuǎn)高于單管和半橋電路
2019-06-10 17:32:5212251 
FIT-GPRS-Ⅱ_SIM900AV1.1模塊采用 SIMCOM公司生產(chǎn)的 SIM900A模塊，SIM900A模塊針對(duì)全球市場(chǎng)設(shè)計(jì)，是一個(gè)雙頻的 GSM/GPRS模塊，工作的頻段為： EGSM
2019-11-27 17:46:428086 
ADuM3224/ADuM4224：隔離式精密半橋驅(qū)動(dòng)器，提供4 A輸出
2021-03-19 09:52:518 ADuM3223/ADuM4223：隔離式精密半橋驅(qū)動(dòng)器，提供4 A輸出
2021-03-21 05:56:4411 UG1858：評(píng)估ADuM4221-2隔離半橋柵驅(qū)動(dòng)器，4 A輸出
2021-03-22 22:56:2611 PPT導(dǎo)讀 通用半橋模塊（infineon命名為FF）是最常見的IGBT封裝型式，大規(guī)模用于兩電平DC/AC變換器中，電壓電流型號(hào)豐富，且具有較高的性價(jià)比。本文主要介紹基于半橋模塊設(shè)計(jì)的三電平
2021-03-26 15:48:524381 
ADuM7234：隔離式精密半橋驅(qū)動(dòng)器，4 A輸出數(shù)據(jù)表
2021-05-24 20:01:368 SIMCOM SIM 900A 模塊專為亞洲市場(chǎng)制造，不會(huì)在歐洲網(wǎng)絡(luò)上注冊(cè)。要使其正常工作，您需要進(jìn)行固件升級(jí)。使用您喜歡的搜索引擎查找固件文件。在本文中，我使用的是“1137B03SIM90064_ST_ENHANCE.cla”
2022-04-26 17:06:064766 
在通用變頻器或伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。
2022-06-08 14:52:077129 
兩個(gè)字母或數(shù)字決定 ·2單元的半橋IGBT拓?fù)?以BSM和FF開頭。 ·4單元的全橋IGBT拓?fù)?以F4開頭。這個(gè)目前已經(jīng)停產(chǎn)，大家不要選擇。 ·6單元的三項(xiàng)全橋IGBT拓?fù)?以FS開頭。 ·三項(xiàng)整流橋
2023-02-08 14:17:2913149 
IGBT模塊在電力電子變流領(lǐng)域應(yīng)用尤為廣泛，其吸收電容的選型計(jì)算成為熱點(diǎn)。由于IGBT模塊關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的尖峰附加電壓，疊加在母線電壓上容易導(dǎo)致IGBT模塊燒毀（IGBT模塊開通時(shí)的尖峰附加電壓
2023-02-23 09:11:1229 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:07:021868 
驪微電子供應(yīng)ID2005半橋igbt驅(qū)動(dòng)芯片提供ID2005國產(chǎn)200V半橋驅(qū)動(dòng)芯片詳細(xì)參數(shù)、規(guī)格書等，是芯朋微一級(jí)代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-04-20 14:48:4952 JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。
2023-12-05 10:46:162089 
應(yīng)變片1/4橋、半橋、全橋的區(qū)別及其應(yīng)用場(chǎng)景 應(yīng)變片是一種利用應(yīng)變效應(yīng)制造電場(chǎng)的器件，可將機(jī)械變形轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。它廣泛應(yīng)用于傳感器、開關(guān)、位移檢測(cè)等領(lǐng)域。根據(jù)應(yīng)變片的電橋結(jié)構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景的不同，可以
2024-02-04 14:48:2524567 日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:181737 
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:511491 圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個(gè)IGBT管，而且一般C1=C2，
2024-04-19 10:17:3219928 
合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析
2024-05-31 15:22:381195 
Vishay推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S
2024-06-29 08:30:56939 
新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu)，針對(duì)開放式液冷散熱器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)更高
2024-08-13 08:14:431056 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《UCC25660x半橋LLC評(píng)估模塊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-11-08 14:49:306 新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實(shí)現(xiàn)可再生能源轉(zhuǎn)換效率最大化，助力脫碳進(jìn)程產(chǎn)品型號(hào)
2025-08-04 18:10:291908 BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
2025-09-01 15:23:110 UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-09-24 14:47:351199 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-10-10 14:58:35463 
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道 （HO
2025-10-10 15:05:041378 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊一直是實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換的核心組件。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊，看看它在性能、特性和應(yīng)用方面有哪些獨(dú)特之處。
2025-11-27 09:29:58369 
在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里，選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解 onsemi 的 SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊，看看它究竟有哪些獨(dú)特之處，能為我們的設(shè)計(jì)帶來怎樣的優(yōu)勢(shì)。
2025-11-27 09:33:09632 
評(píng)估套件，板上搭載了兩個(gè)GD3160單通道柵極驅(qū)動(dòng)器件。該套件旨在為工程師提供一個(gè)便捷的平臺(tái)，用于評(píng)估和開發(fā)與IGBT或SiC模塊相關(guān)的半橋應(yīng)
2025-12-25 10:55:05246
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