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電子發(fā)燒友網(wǎng)>MEMS/傳感技術(shù)>基于動(dòng)態(tài)跟蹤的消除系統(tǒng)溫漂和時(shí)漂的解決方案

基于動(dòng)態(tài)跟蹤的消除系統(tǒng)溫漂和時(shí)漂的解決方案

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如題,看數(shù)據(jù)手冊(cè),ADS8568內(nèi)部電壓基準(zhǔn)有10ppm的。gain drift是6ppm,但是是referenced to VERFIO。那是不是說(shuō)gain drift的絕對(duì)值可達(dá)16ppm
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【連載視頻教程】 貼片電阻的數(shù)據(jù)手冊(cè)介紹(第六期)貼片電阻及頻率特性

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2023-09-08 17:56:48

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MAXIM推出零、滿(mǎn)擺幅運(yùn)算放大器 前,Maxim推出零、滿(mǎn)擺幅運(yùn)算放大器MAX9617/MAX9618。器件采用6引腳SC70 (單通道)和8引腳SC70 (雙通道)封裝,在減小方案尺寸的同時(shí)
2009-11-12 09:34:261117

利用差頻電路實(shí)現(xiàn)微電容式傳感器檢測(cè)電路的抑制

利用差頻電路實(shí)現(xiàn)微電容式傳感器檢測(cè)電路的抑制 0引言 電容式傳感器是將被測(cè)的非電量變化轉(zhuǎn)換為電容量變化的一類(lèi)傳感器,由于它具有靈敏度高、功耗低
2010-01-08 10:35:382835

低溫型運(yùn)算放大器是什么意思

低溫型運(yùn)算放大器是什么意思 低溫型運(yùn)算放大器的定義和組成通常所謂的漂移就是指輸入失調(diào)電壓隨溫度的變化.一般的
2010-03-09 15:47:051955

低溫低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計(jì)

低溫低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計(jì) 摘 要:設(shè)計(jì)一種低溫低功耗的帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)核心電路結(jié)構(gòu)上增加一對(duì)PNP管,兩個(gè)雙極型晶
2010-04-28 08:59:112206

MAX9617–MAX9620低功耗、零運(yùn)算放大器

MAX9617–MAX9620支持滿(mǎn)擺幅CMOS輸入和輸出以及1.5MHz GBW,整個(gè)時(shí)間和溫度范圍內(nèi)電源電流僅為59µA,零輸入失調(diào)電壓僅為10µV (最大值)。MAX9617/MAX9618的零特性降低了CMOS輸入運(yùn)算放大器中常見(jiàn)的較大1/f噪聲
2011-03-04 10:32:232825

一種消除系統(tǒng)和時(shí)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

具有稱(chēng)量快速、操作簡(jiǎn)單、自動(dòng)校準(zhǔn)、故障自診斷等多種儀表所無(wú)法具備的功能與優(yōu)越性。由于計(jì)量精密 ,靈敏度高 ,與時(shí)成為影響了儀表的精度和工作穩(wěn)定性的主要因素。
2011-07-28 11:47:375143

[2.2.2]--2-2和時(shí)

傳感器傳感器技術(shù)
jf_75936199發(fā)布于 2023-03-13 22:45:55

一種高電源抑制低溫帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

一種高電源抑制低溫帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)_于全東
2017-01-03 15:24:451

Mems陀螺零的方法

詳細(xì)介紹了陀螺零的方法
2017-10-14 09:27:3210

多功能的病理組織片和烤片一體機(jī)設(shè)計(jì)過(guò)程

的效率,設(shè)計(jì)一套多功能的病理組織片和烤片一體機(jī)至關(guān)重要。 本系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用數(shù)字型溫度傳感器,采用PID算法實(shí)現(xiàn)恒溫控制,溫度可調(diào)范圍大,穩(wěn)定可靠。在片缸體中安裝了可調(diào)亮度照明系統(tǒng),可根據(jù)使用環(huán)境調(diào)節(jié)亮度,提高
2020-11-10 14:49:342966

HJS113B正弦波信號(hào)發(fā)生器改進(jìn)實(shí)驗(yàn)

HJS113B經(jīng)對(duì)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)改進(jìn)優(yōu)化后,輸出幅度值相對(duì)于改進(jìn)前有較大改善,并且滿(mǎn)足用戶(hù)需求。該器件屬于模擬電路,相對(duì)于數(shù)字正弦波器件具有頻帶范圍寬,抗干擾能力強(qiáng),尺寸小,外圍電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)
2022-07-29 10:44:201693

晶振為什么會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題?

某些特定的應(yīng)用場(chǎng)合下可能會(huì)給系統(tǒng)帶來(lái)嚴(yán)重的影響,因此對(duì)晶振問(wèn)題進(jìn)行深入的研究和解決是非常必要的。 晶振問(wèn)題的原因有很多,主要包括以下幾個(gè)方面: 1. 外界環(huán)境影響:晶振輸出頻率的穩(wěn)定性受環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變
2024-01-24 14:04:211545

應(yīng)用分享 | 高性能電源在汽車(chē)ECU地測(cè)試中的應(yīng)用

測(cè)試是汽車(chē)ECU的重要測(cè)試項(xiàng)目之一,能夠有效評(píng)估ECU的通信和控制性能。因此,在ECU生產(chǎn)、整車(chē)制造、第三方檢測(cè)等機(jī)構(gòu)在進(jìn)行研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料測(cè)試、驗(yàn)證檢測(cè)等過(guò)程中,一般需要進(jìn)行地測(cè)試。接下來(lái)
2024-03-11 17:29:282880

類(lèi)比半導(dǎo)體發(fā)布CSA52x系列零電流檢測(cè)放大器

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)商上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“類(lèi)比半導(dǎo)體”)近日宣布,正式推出全新CSA52x系列零電流檢測(cè)放大器。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅彰顯了類(lèi)比半導(dǎo)體在電流檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力,也為業(yè)界帶來(lái)了一個(gè)高效、可靠的精密電流測(cè)量和電流環(huán)路控制解決方案
2024-06-03 10:04:091157

TLVx387高精度、零、低輸入偏置電流運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表

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2024-06-04 09:49:150

類(lèi)比半導(dǎo)體推出零電流檢測(cè)放大器CSA52x系列

在模擬及數(shù)?;旌闲酒O(shè)計(jì)領(lǐng)域,上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司再次展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力,近日正式推出了全新的零電流檢測(cè)放大器CSA52x系列。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著類(lèi)比半導(dǎo)體在電流檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-06-05 14:52:091687

OPA2333-Q1汽車(chē)類(lèi)1.8V微功耗CMOS零運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表

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2024-06-13 09:58:030

OPA2333P 1.8V微功耗零運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表

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2024-06-15 11:25:310

維特智能MEMS傾角傳感器,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測(cè)量

溫度變化時(shí)產(chǎn)生的問(wèn)題也逐漸凸顯出來(lái)。本文將為您詳細(xì)介紹如何攻克MEMS傾角傳感器的難題,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測(cè)量。 :傾角傳感器的“隱形敵人” 溫度漂移()是傾角傳感器在溫度變化時(shí),由于材料性質(zhì)、電路設(shè)計(jì)等因素引起的
2024-06-24 11:27:381596

(溫度系數(shù))與阻值的關(guān)系

電阻阻值與的關(guān)系
2024-10-16 09:23:396114

測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,對(duì)于晶圓厚度測(cè)量的實(shí)際影響

一、“” 現(xiàn)象的本質(zhì)剖析 測(cè)量探頭的 “”,指的是由于環(huán)境溫度變化或探頭自身在工作過(guò)程中的發(fā)熱,導(dǎo)致探頭的物理特性發(fā)生改變,進(jìn)而使其測(cè)量精度出現(xiàn)偏差的現(xiàn)象。從原理上看,多數(shù)測(cè)量探頭基于電學(xué)或
2025-01-10 15:12:22598

測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于晶圓厚度測(cè)量的影響

在半導(dǎo)體芯片制造的微觀世界里,精度就是生命線,晶圓厚度測(cè)量的精準(zhǔn)程度直接關(guān)聯(lián)著最終產(chǎn)品的性能優(yōu)劣。而測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,宛如精密時(shí)鐘里的一粒微塵,雖小卻能攪亂整個(gè)測(cè)量體系的精準(zhǔn)節(jié)奏。深入探究
2025-01-13 09:56:22693

測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,對(duì)于碳化硅襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響

在半導(dǎo)體制造的微觀世界里,碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石,其厚度測(cè)量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基,不容有絲毫偏差。然而,測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題卻如同一股暗流,悄然沖擊著這一精準(zhǔn)測(cè)量的防線,給
2025-01-14 14:40:26447

測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于碳化硅襯底厚度測(cè)量的影響

在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域,碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,其厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性如同精密機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)的核心齒輪,容不得絲毫差錯(cuò)。然而,測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題卻如隱匿在暗處的 “幽靈
2025-01-15 09:36:13386

測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響

—— 測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題。這一看似細(xì)微的現(xiàn)象,實(shí)則對(duì)氮化鎵襯底厚度測(cè)量產(chǎn)生著諸多深遠(yuǎn)且實(shí)際的影響,關(guān)乎整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝的成敗。 一、“” 現(xiàn)象的內(nèi)
2025-01-20 09:36:50404

測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的影響

—— 測(cè)量探頭的 “” 問(wèn)題。深入探究 “” 的產(chǎn)生根源,以及剖析其給氮化鎵襯底厚度測(cè)量帶來(lái)的全方位影響,對(duì)于保障半導(dǎo)體制造工藝的高質(zhì)量推進(jìn)有著舉足輕重
2025-01-22 09:43:37449

村田GRM系列電容的特性分析

在電子元件領(lǐng)域,電容器的溫度穩(wěn)定性(即“”特性)是衡量其性能的重要指標(biāo)之一。村田制作所作為電子元件行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),其GRM系列電容以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受矚目。本文將對(duì)村田GRM系列
2025-03-24 15:35:24897

替換REF3125,電壓基準(zhǔn)源應(yīng)用于變頻器,15ppm/℃

替換REF3125,電壓基準(zhǔn)源應(yīng)用于變頻器,15ppm/℃
2025-03-25 09:51:34637

碳化硅襯底厚度測(cè)量中探頭的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

引言 在碳化硅襯底厚度測(cè)量過(guò)程中,探頭會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量精度。構(gòu)建探頭的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,有助于深入理解探頭的產(chǎn)生機(jī)理,為提高測(cè)量準(zhǔn)確性提供理論依據(jù)與技術(shù)支持。 熱傳導(dǎo)模型構(gòu)建
2025-06-04 09:37:59456

基于光纖傳感的碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭抑制技術(shù)

引言 在碳化硅襯底厚度測(cè)量中,探頭是影響測(cè)量精度的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)測(cè)量探頭受環(huán)境溫度變化干擾大,導(dǎo)致測(cè)量數(shù)據(jù)偏差。光纖傳感技術(shù)憑借獨(dú)特的物理特性,為探頭抑制提供了新方向,對(duì)提升碳化硅襯底厚度
2025-06-05 09:43:15465

碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭動(dòng)態(tài)修正方法

引言 碳化硅襯底高溫加工過(guò)程中,溫度的劇烈變化會(huì)引發(fā)測(cè)量探頭,嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測(cè)量精度,進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動(dòng)態(tài)修正方法,是保障高溫加工質(zhì)量與效率的關(guān)鍵所在。
2025-06-06 09:37:50555

碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測(cè)量中,探頭與材料各向異性均會(huì)影響測(cè)量精度,且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測(cè)量誤差根源,為優(yōu)化測(cè)量探頭性能提供理論支撐。 耦合影響機(jī)制分析 材料
2025-06-11 09:57:28670

?平尚科技貼片電阻補(bǔ)償算法精度優(yōu)化至±0.05%

本文以東莞市平尚電子科技有限公司(平尚科技)的貼片電阻補(bǔ)償技術(shù)為核心,系統(tǒng)解析其通過(guò)材料創(chuàng)新與算法優(yōu)化將精度提升至±0.05%的技術(shù)路徑。結(jié)合汽車(chē)電子智能車(chē)載設(shè)備的實(shí)際需求,平尚科技在電池
2025-06-11 10:35:30656

合金電阻毫歐級(jí)分流器:800V平臺(tái)BMS電流檢測(cè)的抑制技術(shù) ?

本文解析平尚科技合金電阻在800V BMS中的突破。通過(guò)梯度摻雜與納米防護(hù),實(shí)現(xiàn)±5ppm/℃超低溫及2mΩ±0.5%精度。結(jié)合寧德時(shí)代麒麟電池、特斯拉4680等案例,展示該技術(shù)如何將SOC估算精度提升至99.5%,電池循環(huán)壽命延長(zhǎng)60%,并探討AI動(dòng)態(tài)調(diào)阻的未來(lái)發(fā)展。
2025-07-04 11:54:00656

晶振溫度穩(wěn)定性指標(biāo)直接決定系統(tǒng)特性

晶振選型須量化頻率精度、、功耗、尺寸、環(huán)境適應(yīng)性,匹配負(fù)載電容、輸出電平,規(guī)避過(guò)冗余與盲區(qū),經(jīng)全老化驗(yàn)證,平衡成本,確保系統(tǒng)時(shí)鐘長(zhǎng)周期穩(wěn)定可靠。
2025-09-12 09:55:00592

合粵車(chē)規(guī)鋁電解電容:系數(shù)低,不同溫差下性能始終如一

在電子元器件領(lǐng)域,車(chē)規(guī)級(jí)鋁電解電容的性能穩(wěn)定性直接關(guān)系到汽車(chē)電子系統(tǒng)的可靠性。合粵電子推出的車(chē)規(guī)鋁電解電容系列產(chǎn)品,憑借其卓越的系數(shù)表現(xiàn),在-55℃至+125℃的極端溫差環(huán)境下仍能保持性能穩(wěn)定,成為新能源汽車(chē)、智能駕駛等高端汽車(chē)電子應(yīng)用的理想選擇。
2025-09-20 11:57:01848

電線電纜耐漏電起痕試驗(yàn)中,電解液電導(dǎo)率的補(bǔ)償技術(shù)

補(bǔ)償技術(shù),就像為試驗(yàn)裝上了“精準(zhǔn)校準(zhǔn)器”,通過(guò)巧妙的調(diào)控消除溫度干擾,確保每一次測(cè)試都能準(zhǔn)確反映絕緣層的抗痕性能。? 了解補(bǔ)償技術(shù),首先要明白溫度與電解液電導(dǎo)率的關(guān)聯(lián)。在試驗(yàn)過(guò)程中,環(huán)境溫度的細(xì)微波
2025-10-14 15:54:09318

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