化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2/V·s，本征電阻率達10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:38
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當前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。
2016-06-27 11:09:501446 
在車用高功率半導(dǎo)體、光源與射頻（RF）三大應(yīng)用需求加持下，化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor， CS）將有遠優(yōu)于單晶半導(dǎo)體的成長速度。根據(jù)Strategy Analytice
2017-01-20 10:32:171405 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡要描述了實現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點介紹了離子
2023-08-14 17:03:501335 
傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料是新一代半導(dǎo)體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
2019-04-09 17:23:3511305 化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當重要的上游材料。
2020-09-02 18:53:426843 來源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測：各大封測廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導(dǎo)體迎來新機遇電磁屏蔽、導(dǎo)熱材料獲得新市場空間
2020-12-30 06:01:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
同質(zhì)性范圍的化學(xué)計量化合物，因此在評估中被視為線化合物。纖鋅礦結(jié)構(gòu)被認為是唯一穩(wěn)定的固體形式。盡管亞穩(wěn)態(tài)閃鋅礦結(jié)構(gòu)可以在薄膜中產(chǎn)生并且在高壓下預(yù)計在 III 族氮化物中會出現(xiàn) NiAs 型改性，但并未
2021-07-07 10:28:12
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍寶石襯底的候選者之一，藍寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
和碳化硅，在室溫下電化學(xué)刻蝕在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產(chǎn)生類似的速率，與晶體極性無關(guān)。 介紹 寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對許多新興應(yīng)用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高電子
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過這樣做，我們開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過在 H 中蝕刻形成具有對應(yīng)于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體資料，主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的分離化合物，但遭到
2020-03-26 15:40:25
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
目前國內(nèi)外有很多研究在有機化合物作為鋰離子電池正極材料方面進行了大量卓有成效的工作，特別是在含氧有機共軛化合物方面，一些電化學(xué)活性高的含氧官能團及其分子結(jié)構(gòu)對有機正極化合物的設(shè)計具有重要的指導(dǎo)
2015-11-17 17:12:07
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
SnAgCu無鉛焊料中Sn的含量較高，焊接溫度也比較高，導(dǎo)致了焊點中Cu的溶解速度和界面金屬間化合物的生長速度遠高于SnPb系焊料。相關(guān)研究表明，焊點與金屬接點間的金屬間化合物的形態(tài)和長大對焊點
2020-02-25 16:02:25
III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
2010-03-04 12:16:164356 什么是化合物半導(dǎo)體集成電路
是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無源元件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊
2010-03-04 16:09:153545 化合物半導(dǎo)體多接合型太陽能電池將實現(xiàn)批量生產(chǎn)
美國威訊聯(lián)合半導(dǎo)體（RF Micro Devices,RFMD）利用該公司的GaAs類化合物半導(dǎo)體150mm生
2010-03-18 08:51:161146 硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下，這些合金的非晶態(tài)和晶態(tài)都十分穩(wěn)定。當加熱時，硫系化合物可以從非晶態(tài)
2010-07-02 10:26:581632 
化合物半導(dǎo)體是 5G 通信不可替代的核心技術(shù)。美歐日等發(fā)達國家通過產(chǎn)業(yè)和技術(shù)扶持計劃，培育了眾多龍頭企業(yè)，已占領(lǐng)化合物半導(dǎo)體技術(shù)和市場高地。同時美國以危害國家安全為由，對我國實行技術(shù)封鎖，頻頻阻撓
2018-01-13 11:56:123884 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 化合物半導(dǎo)體因其在射頻電子和電力電子方面的優(yōu)良性能，以及在5G通信和新能源汽車等新興市場的應(yīng)用價值，被認為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。在國內(nèi)發(fā)展集成電路的背景下，化合物半導(dǎo)體受到地方政府和產(chǎn)業(yè)資本的熱捧。投資“熱潮”之下，需要重新思考我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體的機遇、挑戰(zhàn)和路徑。
2018-10-05 15:29:0020276 化合物半導(dǎo)體相比硅半導(dǎo)體具有高頻率和大功率等優(yōu)異性能，是未來5G通信不可替代的核心技術(shù)。
2018-11-01 17:11:009145 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率、高頻率等方面特有的優(yōu)勢，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。
2018-11-20 11:01:5619278 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引人矚目，攪動著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:534663 傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展局限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，而化合物半導(dǎo)體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合未來半導(dǎo)體發(fā)展所需，終端產(chǎn)品趨勢將由5G通訊、車用電子與光通訊領(lǐng)域等應(yīng)用主導(dǎo)。
2019-03-22 16:26:394735 
功率及化合物半導(dǎo)體對人類社會和科技發(fā)展影響越來越巨大，其應(yīng)用涵蓋了照明、激光、成像、移動通訊、消費電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。
2019-04-07 00:02:006110 化合物半導(dǎo)體中心（Compound Semiconductor Centre,簡稱CSC）成立于2015年，是由英國IQE公司和加的夫大學(xué)共同成立的合作機構(gòu)，任務(wù)是加速化合物半導(dǎo)體材料和器件研發(fā)的商業(yè)化，實現(xiàn)對英國在該重要使能技術(shù)領(lǐng)域所投資金的有形經(jīng)濟回報。
2019-04-11 17:37:576296 
據(jù)韓國消息報道，韓國科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個KIST團隊已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍光LED。
2020-03-09 16:49:224413 北電新材的經(jīng)營范圍，包括化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)、化合物半導(dǎo)體集成電路制造、電子元器件制造；功能材料及其元器件的開發(fā)、銷售；功能器件用襯底的生產(chǎn)；人造寶石的制造及銷售；集成電路設(shè)計等。2020年上半年營業(yè)收入304.37萬元，凈利潤虧損1766.97萬元。
2020-08-19 15:44:404448 它們的速度也更快，這就是為什么數(shù)據(jù)密集型5G電信網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星通信需要它們。化合物半導(dǎo)體可以發(fā)射和檢測光。磷化銦就是一個很好的例子，他們成功開拓了醫(yī)學(xué)成像和診斷，光纖通信和量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用。
2020-11-06 15:25:054394 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2020-11-20 14:08:177688 隨著晶圓代工業(yè)的火爆，其細分領(lǐng)域——化合物半導(dǎo)體代工——也是水漲船高，相關(guān)廠商近期的業(yè)績都很亮眼。而且，相對于廣義上的數(shù)字和模擬芯片代工廠，化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠商的數(shù)量較少，這就使它們在代工產(chǎn)能普遍稀缺的當下，價值愈加突出。
2020-12-03 15:20:454351 西安高新區(qū)二季度重點項目集中開工儀式舉行，會上集中開工項目共計51個，總投資約1165億元，項目涉及先進制造業(yè)、服務(wù)業(yè)、新材料新能源、電子信息等領(lǐng)域。 其中，化合物半導(dǎo)體延片研發(fā)生產(chǎn)項目、比亞迪西安
2021-06-21 10:16:504328 第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這些材料發(fā)展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:243268 
半導(dǎo)體行業(yè)尤其是光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)近年來國際市場專利糾紛不斷，國內(nèi)企業(yè)持有完備的高價值專利資產(chǎn)將有利于我國快速獲得光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)的國際話語權(quán)。
2022-03-11 11:54:201168 
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2022-03-23 14:27:463364 以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)具有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:213281 
近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現(xiàn)在是不可否認
2022-08-05 14:51:331182 
第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導(dǎo)體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:081508 研究機構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對化合物半導(dǎo)體襯底市場的預(yù)測，認為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動下，到2027年市場規(guī)模將達到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長率為16%。 該機
2022-11-21 10:31:392027 
與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時具有開關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:031737 氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應(yīng)截至波長365nm，對可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應(yīng)，且紫外靈敏度低的缺點，是制備紫外線傳感器的理想材料。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見-紫外波段。
2023-01-12 10:37:361479 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:454118 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。
2023-02-03 18:18:4610813 
氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 18:21:213898 氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目前第三代半導(dǎo)體材料主要有三族化合物半導(dǎo)體材料
2023-02-05 15:01:488941 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093643 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場效電晶體（MOSFET）。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136684 氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:492265 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2023-02-12 17:32:164696 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-13 16:49:5614117 GaN是一種無機物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬度。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用于高
2023-02-15 15:31:562895 氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，因此與硅基電子產(chǎn)品相比具有許多優(yōu)勢。
2023-02-15 17:52:352111 半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:2211803 
西安電子科技大學(xué)教授、副校長郝躍中國科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導(dǎo)體電子器件
2022-01-04 16:32:223314 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍寶石模板，藍寶石氮化預(yù)處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:111515 
中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園建成包含碳化硅襯底、碳化硅外延和氮化鎵外延的現(xiàn)代化生產(chǎn)車間
2023-06-30 16:53:061079 報道強調(diào)，隨著全球消費電子、電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導(dǎo)體的價格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體，達到比傳統(tǒng)單晶硅基半導(dǎo)體更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更高的功率密度，此外耐用性會更佳，進一步迎合汽車應(yīng)用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。
2023-07-13 16:18:251286 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:311103 
氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453087 2021年化合物半導(dǎo)體行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:05:46
9 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117181 由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:581043 
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:221301 
清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:383463 
據(jù)悉，本項目計劃在2025年實現(xiàn)竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料的2至3英寸激光器和探測器芯片產(chǎn)線，以及相應(yīng)的器件封裝能力。
2023-12-12 10:34:151506 三五族氮化物半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0.6eV到6.2eV連續(xù)可調(diào)禁帶寬度特點，非常適用于光電材料與器件的應(yīng)用開發(fā)和研究。
2023-12-21 09:46:331720 
材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:242956 III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。
2023-12-28 09:15:062283 
氮化鎵是一種無機化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于菱面
2024-01-10 10:05:092857 雙層扭角過渡金屬硫族化合物（TB-TMDCs）由于具有與摩爾超晶格有關(guān)的穩(wěn)定平帶特征以及特殊電子特性而受到廣泛關(guān)注，有望成為研究凝聚態(tài)物理的新對象。為了深入挖掘扭角結(jié)構(gòu)的奇妙性質(zhì)，推動扭轉(zhuǎn)電子學(xué)向前發(fā)展
2024-01-23 10:27:371170 3月24日，SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺受邀出席本次大會，并在會上做主題演講。
2024-04-19 14:14:551235 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252049 
半導(dǎo)體材料因其在紅外探測、高速電子器件及新型能源技術(shù)中的潛在應(yīng)用，成為科研工作者和工業(yè)界關(guān)注的焦點。 銻化鎵晶體的基本性質(zhì) 銻化鎵(GaSb)材料材料概述 銻化鎵（Gallium Antimonite, GaSb） 是 III-V 族化合物半導(dǎo)體， 屬于閃鋅礦、直接帶隙材料， 其禁帶寬
2024-11-27 16:34:512415 
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場預(yù)測，全球化合物半導(dǎo)體市場到2030年的市場規(guī)模有望達到約250億美元。這一預(yù)測顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年的快速擴張潛力，特別是在汽車和移動出行領(lǐng)域
2025-03-04 11:42:001083 
2026年4月23–25日，第三屆中國光谷國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE 2026）將在武漢光谷科技會展中心盛大啟幕。
本屆展會以“核芯聚變·鏈動未來”為主題聚焦化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，搭建全球性的技術(shù)交流、產(chǎn)品展示與產(chǎn)業(yè)合作高端平臺。
2025-09-22 14:31:32846 
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規(guī)?；瘧?yīng)用，到第四代氧化鎵（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091412 
半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的范式轉(zhuǎn)變。盡管硅材料在數(shù)十年間始終占據(jù)主導(dǎo)地位，但化合物半導(dǎo)體（由元素周期表中兩種及以上元素構(gòu)成的材料）正迅速崛起，成為下一代技術(shù)的核心基石。從電動汽車到5G基礎(chǔ)設(shè)施，這些
2025-10-14 09:19:17656 
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