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技術前沿：MEMS及功率半導體的特色工藝晶圓代工與模組封裝集成
工藝平臺涵蓋超高壓、車載、先進工業(yè)控制和消費類功率器件及模組，以及車載、工業(yè)、消費類傳感器，應用領域覆蓋智能電網(wǎng)、新能源汽車、風力發(fā)電、光伏儲能、消費電子、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、家用電器等行業(yè)。
（1）MEMS
MEMS是集成了微傳感器、微執(zhí)行器、微機械結構、微電源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件等于一體的微型器件或系統(tǒng)，具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、適于批量化生產(chǎn)、易于集成和實現(xiàn)智能化等優(yōu)點，廣泛應用于高新技術產(chǎn)業(yè)。MEMS制造的核心是將傳統(tǒng)的機械部件微型化后，通過三維堆疊技術把器件組合并固定在硅晶圓上，制造過程無固定標準化生產(chǎn)工藝流程，通常會根據(jù)不同的應用場合采用特殊定制，每種產(chǎn)品都有獨特的制造工藝和專屬的封裝形式，因此產(chǎn)品的工藝技術實現(xiàn)難度較高。
共性關鍵技術包括體硅和表面硅工藝能力，標準化成套制造工藝高精度膜層沉積/生長、高強度鍵合技術、高兼容度的敏感元件低溫工藝、無損集成器件的MEMS犧牲層釋放技術等。
MEMS產(chǎn)品主要可以分為MEMS傳感器和MEMS執(zhí)行器。其中傳感器是用于探測和檢測物理、化學、生物等現(xiàn)象和信號的器件，而執(zhí)行器是用于實現(xiàn)機械運動、力和扭矩等行為的器件。MEMS產(chǎn)品結構如下：
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①MEMS麥克風傳感器
MEMS麥克風傳感器是基于MEMS技術制造的麥克風，它采用表貼工藝進行制造，具有更好的噪聲消除性能。
②慣性傳感器
慣性傳感器是對物理運動做出反應的器件，如線性位移或角度旋轉，并將這種反應轉換成電信號，通過電子電路進行放大和處理。
③射頻器件
射頻器件主要用于手機和通信基站，它能夠將射頻信號和數(shù)字信號進行轉化，來實現(xiàn)通信功能。
壓力傳感器通常由壓力敏感元件和信號處理單元組成。按不同的測試壓力類型，壓力傳感器可分為絕壓式和差壓式兩種。
（1）MEMS傳感器
傳感器是物體實現(xiàn)感知功能的主力，其應用已滲透進各行各業(yè)，如工業(yè)自動化、汽車電子、消費電子、資源開發(fā)、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療診斷、交通運輸?shù)取鞲衅魍ǔＳ蓚鞲衅髂K、微控制器模塊、無線通信模塊以及電源管理模塊四個部分構成。傳感器感知狀態(tài)數(shù)據(jù)，微控制器存儲和處理數(shù)據(jù)，無線通信模塊接收微控制器模塊處理的數(shù)據(jù)之后再通過網(wǎng)絡傳輸?shù)竭h端的數(shù)據(jù)采集平臺。MEMS技術是將微米級的敏感組件、信號處理器、數(shù)據(jù)處理裝置封裝在一塊芯片上，再利用硅基微納加工工藝進行批量制造，從而形成了MEMS傳感器，廣泛應用于汽車電子、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航天、通信等領域。根據(jù)Yole統(tǒng)計，2020年全球MEMS傳感器市場規(guī)模為90億美元，預計2026年市場規(guī)模將達到128億美元，2020-2026年均復合增長率為6.1%。消費電子、汽車電子和工業(yè)控制是應用MEMS最多的三個下游板塊，也是近年最大的增長點。
（2）MEMS射頻器件
MEMS射頻器件（RFMEMS）是MEMS技術的重要應用領域之一。MEMS射頻器件用于射頻和微波頻率電路中的信號處理，是一項將能對現(xiàn)有雷達和通訊中射頻結構產(chǎn)生重大影響的技術。隨著信息時代的來臨，在無線通信領域，特別是在移動通信和衛(wèi)星通信領域，正迫切需要一些低功耗、超小型化且能與信號處理電路集成的新型器件，并希望能覆蓋包括微波、毫米波和亞毫米波在內(nèi)的寬頻波段。而通訊系統(tǒng)中仍有大量不可或缺的片外分立元件，例如電感、可變電容、濾波器、耦合器、移相器、開關陣列等，成為限制系統(tǒng)尺寸進一步縮小的瓶頸。MEMS技術的出現(xiàn)有望解決這個難題。采用MEMS技術制造的無源器件能夠直接和有源電路集成在同一芯片內(nèi)，實現(xiàn)射頻系統(tǒng)的片內(nèi)高集成，消除由片外分立元件帶來的寄生損耗，真正做到系統(tǒng)的高內(nèi)聚、低耦合，能顯著提高系統(tǒng)的性能。
MEMS技術在射頻領域的應用可分為可動的和固定的兩類?？蓜拥腗EMS器件包括開關、調諧器和可變電容，固定的MEMS器件包括本體微機械加工傳輸線、耦合器和濾波器。其中，濾波器是射頻前端的關鍵核心器件之一，約占整個射頻前端市場超過60%的份額。根據(jù)Yole統(tǒng)計，2020年MEMS射頻器件的市場規(guī)模為21億美元，預計2026年市場規(guī)模將達到40億美元。
（2）功率器件
功率器件是指能夠耐受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，具體用途是電能變換和控制，如變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關等，主要包括二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET等產(chǎn)品。
根據(jù)功率器件的可控性可以將功率器件分為三類，第一類是全控型器件，以IGBT和MOSFET等器件為主，是帶有控制端的三端器件；第二類是半控型器件，主要是晶閘管及其派生器件，這類器件的開通可控而關斷不可控；第三類是不可控型器件，主要是二極管，二極管的通斷都不能通過器件本身進行控制。從應用范圍來看，MOSFET和IGBT適用范圍最廣，二者市場規(guī)模之和占整體功率器件的一半以上。功率器件各項參數(shù)對比情況如下：
（1）IGBT
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷Ｆ渲饕饔檬沁M行交流電和直流電的轉換、高低電壓的轉換，能夠提高用電效率和質量、降低碳排放和解決能源短缺問題，有效助力碳中和。在清潔能源發(fā)電及利用領域，IGBT是光伏逆變器和風電逆變器的核心器件，且廣泛應用于新能源車電驅系統(tǒng)及充電樁；在傳統(tǒng)能源的消耗端，lGBT在工業(yè)上應用于變頻器，能夠降低設備能耗，幫助實現(xiàn)節(jié)能減排。
IGBT工藝平臺包括溝槽型場截止IGBT、車載IGBT、高壓IGBT等。完整的工藝能力，包括深溝槽刻蝕、超薄減薄工藝、高能注入、平坦化工藝、激光退火、雙面對準、質子注入、局部載流子壽命控制、嵌入式傳感器、多元化金屬層、高性能介質層、高低溫CP測試等。應用于智能電網(wǎng)、新能源汽車、充電樁、風力發(fā)電、光伏儲能、家電、變頻器、UPS、焊機、感應加熱等領域。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態(tài)壓降。IGBT的開關特性可以實現(xiàn)直流電和交流電之間的轉化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
因此，從小家電、數(shù)碼產(chǎn)品，到航空航天、高鐵領域，再到新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興應用都會大量使用IGBT。
IGBT分為IGBT芯片和IGBT模塊，其中IGBT模塊是由IGBT芯片封裝而來，具有參數(shù)優(yōu)秀、最高電壓高、引線電感小的特點，常用于大電流和大電壓環(huán)境，是IGBT最常見的應用形式。
根據(jù)Yole統(tǒng)計，2020年全球IGBT市場規(guī)模為54億美元，預計2026年市場規(guī)模將達到84億美元，2020-2026年均復合增長率為7.6%。具體情況如下
（2）MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor），即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種多子導電的單極型電壓控制器件。其主要作為模擬放大元件和電子開關，優(yōu)點為工作頻率高、驅動簡單、驅動功率小、抗擊穿性好。
從低壓到高壓的MOSFET工藝平臺，包括溝槽型MOSFET、屏蔽柵溝槽型MOSFET、超結MOSFET等。關鍵工藝技術包括超薄晶圓加工、氫注入、超結產(chǎn)品外延生長等。MOSFET產(chǎn)品具有導通電阻小、開關速度快、開關損耗低等特點，產(chǎn)品應用覆蓋工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、消費電子、無線通訊、電網(wǎng)輸變電、新能源應用等領域。
MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET的優(yōu)點在于穩(wěn)定性好，具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，適用于AC/DC開關電源、DC/DC轉換器。MOSFET下游的應用領域中，消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、醫(yī)療、國防和航空航天、通信占據(jù)了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。
在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動MOSFET的市場需求，在汽車電子領域，MOSFET在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電制動等動力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領域均發(fā)揮重要作用，擁有廣泛的應用市場及發(fā)展前景。
MOSFET是功率器件的最大市場，根據(jù)Yole統(tǒng)計，2020年全球MOSFET市市場規(guī)模為76億美元，預計2026年市場規(guī)模將達到95億美元，2020-2026年均復合增長率為3.8%。具體情況如下：
工藝流程
1、晶圓代工
晶圓代工是指借助載有電路信息的光掩模，經(jīng)過光刻和刻蝕等工藝流程的多次循環(huán)，逐層集成，并經(jīng)離子注入、退火、擴散、化學氣相沉積、化學機械研磨等流程，最終在晶圓上實現(xiàn)特定的集成電路結構。晶圓代工的主要工藝流程如下：
（1）晶圓清洗
晶圓清洗是指通過將晶圓沉浸在不同的清洗藥劑內(nèi)或通過噴頭將調配好的清洗液藥劑噴射于晶圓表面進行清洗，再通過超純水進行二次清洗，以去除晶圓表面的雜質顆粒和殘留物，確保后續(xù)工藝步驟的準確進行。
（2）光刻
光刻的主要環(huán)節(jié)包括涂膠、曝光和顯影，具體如下：
①涂膠
涂膠是指通過旋轉晶圓的方式在晶圓上形成一層光刻膠。
②曝光
曝光是指先將光掩模上的圖形與晶圓上的圖形對準，然后用特定的光照射。光能激活光刻膠中的光敏成分，從而將光掩模上的電路圖形轉移到光刻膠上。
③顯影
顯影是用顯影液溶解曝光后光刻膠中的可溶解部分，將光掩模上的圖形準確地用晶圓上的光刻膠圖形顯現(xiàn)出來。
（3）刻蝕
刻蝕是指未被光刻膠覆蓋的材料被選擇性去除的過程，主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕主要利用等離子體對特定物質進行刻蝕，濕法刻蝕主要通過液態(tài)化學品對特定物質進行刻蝕。
（4）離子注入、退火
離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到一定能量，然后注入晶圓材料的表層內(nèi)，以改變材料表層物質特性的工藝。退火是指將晶圓放置于較高溫度的環(huán)境中，使得晶圓表面或內(nèi)部的微觀結構發(fā)生變化，以達到特定性能的工藝。
（5）擴散
擴散是指在高溫環(huán)境下通過讓雜質離子從較高濃度區(qū)域向較低濃度區(qū)域的轉移，在晶圓內(nèi)摻入一定量的雜質離子，改變和控制晶圓內(nèi)雜質的類型、濃度和分布，從而改變晶圓表面的電導率。
（6）化學氣相沉積
化學氣相沉積是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應物在一定溫度和氣壓下在襯底表面上進行化學反應，生成的固態(tài)物質沉積在晶圓表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術。
（7）化學機械研磨
化學機械研磨是指同時利用機械力的摩擦原理及化學反應，借助研磨顆粒，以機械摩擦的方式，將物質從晶圓表面逐層剝離以實現(xiàn)晶圓表面的平坦化。
（8）晶圓（加工后）檢測
晶圓檢測是指用探針對生產(chǎn)加工完成后的晶圓產(chǎn)品上的集成電路或半導體元器件功能進行測試，驗證是否符合產(chǎn)品規(guī)格。
（9）包裝
包裝是指對檢測通過的生產(chǎn)加工完成后的晶圓進行真空包裝。
2、模組封測
封裝是指將芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，并通過印制板與其他器件建立連接，起到安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用。模組封測的主要工藝流程如下：
（1）晶圓減薄
晶圓減薄是指減少晶圓背面一定區(qū)域的厚度，并且在晶圓邊緣保留一定厚度，這樣既保證了晶圓厚度的要求，同時增加了晶圓的整體強度。
（2）晶圓背金屬
晶圓背金屬是指在晶圓的背面鍍上金屬以便與裝片膠進行接合。
（3）劃片
劃片是指將整片晶圓按照大小分割成單一的芯片。
（4）貼片
貼片是指通過取放裝置將芯片從劃片后的晶圓上取下，放置在對應的框架或基板上的過程。
（5）鍵合
鍵合是使用金屬線（片）連接芯片與框架或基板的工藝技術，實現(xiàn)芯片與框架或基板間的電氣互連、芯片散熱以及芯片間的信息互通功能。
（6）塑封
塑封是指利用環(huán)氧膜塑料，在相應的模具上通過高溫、高壓把鍵合好的產(chǎn)品包封起來，用以隔絕濕氣與外在環(huán)境的污染，以達到保護芯片的目的。
（7）電鍍
電鍍是指在含有某種金屬離子的電解質溶液中，將待鍍件作為陰極，通過一定波形的低壓直流電，使得金屬離子不斷在陰極沉積為金屬薄層的加工過程。
（8）打印
打印也稱為打標，是指在半導體器件的表面上進行標記。
（9）切筋成形
切筋成形是指切除引線框架上連接引腳的橫筋及邊筋，并將引腳彎成一定的形狀，以適合后期裝配的需要。
（10）測試
測試是指根據(jù)半導體器件的類型，就其功能及特點進行的電性能測試，來確保器件性能及可靠性。
（11）包裝
包裝是指對性能測試通過的產(chǎn)品進行包裝。
MEMS行業(yè)的新技術發(fā)展情況與趨勢
A.產(chǎn)品尺寸微型化
基于MEMS傳感器下游的電子消費行業(yè)對器件尺寸小型化、低功耗化的需求，MEMS傳感器生產(chǎn)商需要不斷提升自己的技術水準，盡量縮小成品尺寸，使得自己的產(chǎn)品更加具有競爭力。為了實現(xiàn)這個目標，MEMS傳感器生產(chǎn)廠商利用系統(tǒng)封裝等技術將IC芯片和被動元器件進行整合，進一步縮小了傳感器芯片的尺寸。
與此同時，在單片晶圓上所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量也隨芯片尺寸的減小而增多，MEMS傳感器芯片的成本也能夠得到有效降低。然而，MEMS制造工藝也并非一味追求更小的尺寸與更高的集成度，而是更加注重材料的結構機械特性、材質化學特性以及刻蝕深度、精度、應力控制等每一步工藝的準確實現(xiàn)。通過革新技術，在保障產(chǎn)品高性能的同時縮小產(chǎn)品尺寸和降低功耗是MEMS傳感器行業(yè)的重要發(fā)展方向。
B.多傳感器集成
隨著設備智能化程度的不斷提升，單設備中含傳感器數(shù)量不斷增多，多傳感器的協(xié)同合作變得尤為重要。傳感器集成化程度的提高，提升了信號識別與收集的效果，也提高了智能設備的集成化程度。
近年來，在慣性傳感器領域，出現(xiàn)了融合加速度計、陀螺儀、GPS等多功能的慣性導航系統(tǒng)，在消費電子和汽車電子領域的應用越來越廣泛。智能手機中的MEMS麥克風數(shù)量不斷增加，通過麥克風陣列中多個麥克風的協(xié)同工作，能夠根據(jù)不同位置的麥克風之間的延遲和功率差異對聲源進行更精確的定位，并對噪聲進行濾除，實現(xiàn)主動降噪和增強信號的功能，有效提升了麥克風的信噪比。
C.多元場景應用
MEMS傳感器目前已經(jīng)廣泛運用于消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、醫(yī)療、國防和航空航天、通信等各個領域，隨著人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術的發(fā)展，MEMS傳感器的應用場景將更加多元。
MEMS傳感器是人工智能重要的底層硬件之一，傳感器收集的數(shù)據(jù)越豐富和精準，人工智能的功能才會越完善。物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)的核心是傳感、連接和計算，隨著聯(lián)網(wǎng)節(jié)點的不斷增長，對智能傳感器數(shù)量和智能化程度的要求也不斷提升。未來，智能家居、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、智能城市等新產(chǎn)業(yè)領域都將為MEMS傳感器行業(yè)帶來更廣闊的市場空間。
MEMS行業(yè)的新產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
A.新消費電子
可穿戴設備與智能音箱為代表的新消費電子的興起正在推動MEMS又一輪高速成長。除了智能手機、平板電腦和筆記本電腦等主流消費電子產(chǎn)品外，近年來涌現(xiàn)出的智能家居和可穿戴設備等新興應用領域也廣泛使用了MEMS傳感器產(chǎn)品，如智能手表安裝了MEMS加速度計、陀螺儀、微型麥克風和脈搏傳感器，TWS耳機中使用了MEMS麥克風、壓感、骨傳導等傳感器，VR/AR設備采用MEMS加速度計、陀螺儀和磁傳感器來精確測定頭部轉動的速度、角度和距離等。
B.車用傳感器和自動駕駛
隨著汽車智能化的發(fā)展趨勢和汽車安全要求標準的提高，MEMS傳感器在汽車上的應用也越來越廣泛，汽車傳感器已經(jīng)成為MEMS傳感器的一個主要的應用市場，超聲波傳感器、激光雷達傳感器、微波傳感器、紅外傳感器等也都被廣泛使用。尤其是在自動駕駛領域，MEMS傳感器將扮演越來越重要的角色。一般家用型汽車實現(xiàn)自動駕駛需要數(shù)十個傳感器來感知周圍環(huán)境的實時情況，大型商用車以及其他特種車輛需要的傳感器數(shù)目會更多，精度會更高。未來車用傳感器行業(yè)以及自動駕駛行業(yè)將是MEMS傳感器應用增長較快的領域之一。
C.物聯(lián)網(wǎng)
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術的不斷發(fā)展，MEMS產(chǎn)品作為信息獲取和交互的關鍵器件，市場空間將不斷擴大，新的應用場景亦層出不窮。在物聯(lián)網(wǎng)的結構中，感知層處于最底層，是物聯(lián)網(wǎng)的先行技術，也是其數(shù)據(jù)來源和物理實體基礎，而感知層中分布的各類傳感器就是獲取信息的關鍵，傳感器及其芯片提供商在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈中扮演了重要角色。
D.人工智能
在人工智能領域，MEMS傳感器承擔了類似人體的各項感官功能，是未來人工智能領域不可或缺的組成部分。伴隨著人工智能的市場規(guī)模擴大，相應MEMS傳感需求也將同步提升。
功率器件行業(yè)的新技術發(fā)展情況與趨勢
A.模塊化、集成化的技術發(fā)展趨勢
隨著功率器件應用場景不斷拓展，下游產(chǎn)品對其電能轉換效率、穩(wěn)定性、高壓大功率需求及復雜度提出了更高要求。功率器件的組裝模塊化和集成化能有效滿足上述要求，有助于優(yōu)化客戶使用體驗并保障產(chǎn)品配套性和穩(wěn)定性，功率器件的組裝模塊化和集成化將成為行業(yè)技術發(fā)展的主流趨勢。
同時，隨著工藝技術的不斷升級，更高性能、更小體積的功率器件為模塊化和集成化創(chuàng)造了技術條件。
B.第三代半導體材料有望實現(xiàn)突破
當前功率器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能成為新型的半導體材料，屬于新興領域，具有極強的應用戰(zhàn)略性和前瞻性。
目前美歐、日韓及中國臺灣等地區(qū)已經(jīng)實現(xiàn)SiC、GaN等新材料功率器件的量產(chǎn)。部分境內(nèi)公司通過多年的技術和資本積累，依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域。
由于新型半導體材料屬于新興領域，國內(nèi)廠商與國際巨頭企業(yè)的技術差距不斷縮小，因此有望抓住機遇、實現(xiàn)突破并搶占未來市場。
②功率器件行業(yè)的新產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
A.新能源汽車與充電樁
新能源汽車普遍采用高壓電路，需要頻繁進行電壓變化，對電壓轉換電路需求大幅提升。IGBT、MOSFET等功率器件用于主驅動系統(tǒng)的逆變器、變壓器、換流器等，其需求相應增大。除了動力系統(tǒng)，功率器件在新能源汽車上應用還涵蓋了安全配置、電動門窗及后視鏡、人車交互系統(tǒng)、儀表盤、車燈、娛樂系統(tǒng)及底盤系統(tǒng)等。汽車電子隨著新能源汽車的發(fā)展呈越來越熱的趨勢，汽車內(nèi)部電子系統(tǒng)數(shù)量的需求不斷攀升，越來越多汽車制造商都在逐步加大電動汽車技術的研發(fā)投入。
新能源汽車充電樁為功率器件另一大增量，根據(jù)中國汽車充電基礎設施促進聯(lián)盟的統(tǒng)計，2016年至2021年，我國公共充電樁和專用充電樁的保有量由5.88萬個增長至114.70萬個，呈爆發(fā)式增長，帶動了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市場需求。
B.工業(yè)和智能電網(wǎng)
工業(yè)領域是功率器件另一大需求市場。工業(yè)領域中，數(shù)控機床、牽引機等電機對功率器件需求較大，主要使用的功率器件是IGBT。隨著“工業(yè)4.0”不斷推進，工業(yè)的生產(chǎn)制造、倉儲、物流等流程改造對電機需求不斷擴大，工業(yè)功率器件需求增加。太陽能、風能等新能源發(fā)電過程中產(chǎn)生的電能，需要經(jīng)過IGBT、MOSFET等功率器件的變換，之后才能入網(wǎng)傳輸。功率器件作為智能電網(wǎng)的核心部件，可以增強電網(wǎng)的靈活性與可靠性，使得智能電網(wǎng)實現(xiàn)電力高效節(jié)能的傳輸。未來新能源市場的快速發(fā)展和智能電網(wǎng)建設的推進將催生出對功率器件需求的穩(wěn)步增長。
C.消費電子
MOSFET等功率器件是消費電子產(chǎn)品的重要元器件，消費電子市場也是功率器件產(chǎn)品的主要需求市場之一。中國消費電子產(chǎn)品的普及程度越來越高，而且近年來消費者對消費電子的需求從以往的臺式PC、筆記本電腦為主向平板電腦、智能電視、無人機、智能手機、可穿戴設備等轉移，直接推動消費電子市場的快速發(fā)展。消費電子產(chǎn)品更新?lián)Q代周期短以及新技術的不斷推出，使得消費電子市場需求量進一步上升。
各類新產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動市場需求持續(xù)旺盛
半導體行業(yè)雖然呈現(xiàn)周期性波動的特性，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，每次技術變革持續(xù)帶動行業(yè)增長。隨著消費電子產(chǎn)品向智能化、輕薄化、便攜化的方向發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，使得半導體產(chǎn)業(yè)的市場前景越來越廣闊。
5G時代已經(jīng)到來，通信行業(yè)對功率器件激增的需求導致市場對功率器件需求量大幅增長。以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動的如云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應用的興起，逐漸成為半導體行業(yè)新一代技術變革動力。
同時，新能源驅動的智能汽車已經(jīng)成為萬物互聯(lián)的關鍵節(jié)點，隨著智能汽車復雜程度的提高，智能汽車網(wǎng)聯(lián)化、智能化以及電動化程度進一步提升，新能源汽車行業(yè)對汽車半導體元件的需求勢必會大幅增長，因此汽車板塊對半導體產(chǎn)業(yè)而言屬于推動其長期發(fā)展的新引擎。
半導體下游應用領域的不斷延展帶動了市場需求的持續(xù)旺盛。同時，伴隨著全球的半導體巨頭不斷加大資本性投資力度，半導體行業(yè)的景氣度有望保持上升趨勢，有利于半導體制造企業(yè)發(fā)展壯大。
全球半導體產(chǎn)業(yè)資源轉移大趨勢下的進口替代市場機遇
半導體行業(yè)目前呈現(xiàn)專業(yè)分工深度細化、細分領域高度集中的特點。從歷史進程看，全球半導體行業(yè)已經(jīng)完成兩次的半導體產(chǎn)業(yè)轉移：第一次是20世紀70年代從美國轉向日本，第二次是20世紀80年代半導體產(chǎn)業(yè)轉向韓國與中國臺灣。
目前全球半導體行業(yè)正經(jīng)歷第三次巨變，眾多境內(nèi)外知名晶圓制造廠及封裝測試廠紛紛在中國大陸進行產(chǎn)能擴充，并積極實現(xiàn)生產(chǎn)工藝的精進。全球半導體產(chǎn)業(yè)資源正處于向中國大陸和東南亞等地區(qū)轉移的進程之中，產(chǎn)業(yè)轉移是市場需求和資本驅動的綜合結果。目前，中國擁有全球最大且增速最快的半導體消費市場。
巨大的下游市場配合積極的國家產(chǎn)業(yè)政策與活躍的社會資本，正在全方位、多角度地支持國內(nèi)半導體行業(yè)發(fā)展。我國光伏、顯示面板、LED等高新技術行業(yè)經(jīng)過多年已達到領先水平，也大力拉動了上游的晶圓代工制造產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化進程。隨著半導體產(chǎn)業(yè)鏈相關技術的不斷突破，加之我國在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車等下游市場走在世界前列，有望在更多細分市場實現(xiàn)進口替代。
主要企業(yè)
英飛凌成立于1999年，是全球領先的半導體公司之一，在功率器件領域有較強的市場地位。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，專注于為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案，業(yè)務遍及全球，在美國加州圣克拉拉、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。
安森美（ONSemiconductorCorporation）
安森美于1999年從摩托羅拉分拆出來，于次年在美國納斯達克上市。安森美的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，主要應用于汽車電子、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍工及電源應用等領域。
德州儀器（TexasInstrumentsIncorporated）
德州儀器成立于1930年，總部位于美國德克薩斯州的達拉斯，是全球領先的模擬及數(shù)字半導體芯片設計制造公司，在信號鏈與電源管理領域均擁有強大的市場地位。主要從事創(chuàng)新型數(shù)字信號處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導體業(yè)務外，還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。
意法半導體（STMicroelectronicsN.V.）
意法半導體成立于1987年，是全球最大的半導體公司之一，是紐約證券交易所、泛歐證券交易所和意大利米蘭證券交易所上市公司，在分立器件、手機相機模塊和車用集成電路領域居世界前列。意法半導體產(chǎn)品包括二極管、晶體管以及復雜的片上系統(tǒng)器件等，是各工業(yè)領域的主要供應商。意法半導體在模擬電路與功率器件領域都處于行業(yè)領先地位。
安世半導體（NexperiaB.V.）
安世半導體是半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應用于全球各類電子設計。其產(chǎn)品組合包括二極管、雙極型晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管（GaNFET）以及功率IC等。聞泰科技股份有限公司（600745.SH）于2019年取得對安世半導體的控制權。
華潤微（688396.SH）
華潤微成立于2003年，是華潤集團半導體投資運營平臺，擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力，產(chǎn)品聚焦于功率半導體、智能傳感器與智能控制領域。在分立器件及集成電路領域具備較強的產(chǎn)品技術與制造工藝能力，形成了較為先進的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線。
士蘭微（600460.SH）
士蘭微成立于1997年，前身是杭州士蘭電子有限公司，是一家專業(yè)從事集成電路以及半導體微電子相關產(chǎn)品的設計、生產(chǎn)與銷售的高新技術企業(yè)，士蘭微目前的主要產(chǎn)品是集成電路以及相關的應用系統(tǒng)和方案，主要包括半導體分立器件、MCU電路、電源管理電路、LED照明驅動電路、LED顯示驅動/控制電路等產(chǎn)品。
華微電子（600360.SH）
華微電子成立于1999年，是集功率器件設計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體的高新技術企業(yè)，擁有多條功率器件生產(chǎn)線，產(chǎn)品應用于消費電子、節(jié)能照明、計算機、PC、汽車電子、通訊保護與工業(yè)控制等領域。華微電子目前已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT功率器件產(chǎn)品體系。
華虹半導體（1347.HK）
華虹半導體由華虹NEC與上海宏力于2011年合并而成，于2014年在香港聯(lián)交所上市（股票代碼：1347.HK），在中國臺灣、日本、北美和歐洲等地提供銷售與技術支持。華虹半導體8英寸晶圓加工能力在中國名列前茅，12英寸晶圓廠建設進展迅速，目前公司主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應用的8英寸及12英寸晶圓半導體，尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。華虹半導體的技術組合還包括仿真及混合信號、電源管理及MEMS等若干其他先進工藝技術。
先進半導體
先進半導體前身是1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導體公司，2019年初，上海積塔半導體完成對先進半導體的私有化。先進半導體為一家領先的專門模擬芯片代工廠，有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，在汽車電子、MEMS以及IGBT領域具有一定的優(yōu)勢。
審核編輯：劉清
工商網(wǎng)監(jiān)
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