UVCLED的持續(xù)升溫讓市場變得火熱起來。大家都知道UVCLED殺菌消毒效果顯著，在一定劑量和距離下，只需要幾秒到幾十秒就能把常見的細(xì)菌殺滅。但大家不知道的是，隨著市場的火熱，市面上各種UVCLED應(yīng)用產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生，其中不乏以次充好，往往同等級別UVCLED產(chǎn)品，實質(zhì)使用效果卻是千差萬別。

　　歸根到底，是技術(shù)和工藝的差異。

　　UVCLED封裝技術(shù)科普第一期，讓我們先從關(guān)鍵詞熱管理出發(fā)，看看UVCLED封裝技術(shù)背后的秘密。

　　熱管理，提高UVCLED壽命的關(guān)鍵

　　像任何電子元器件一樣，UVCLED對熱敏感。

　　UVCLED的外量子效率（EQE）較低，在輸入的功率中，大約只有1－3％被轉(zhuǎn)換成光，而剩余的97％左右則基本被轉(zhuǎn)換成熱量。此時，如果不將熱量快速去除，保持LED芯片低于其最大工作溫度，將直接影響芯片的使用壽命，甚至不能使用?？梢哉f，熱管理是提高UVCLED使用壽命的關(guān)鍵。

　　做好熱管理，重點在于降低焊接空洞率

　　由于UVCLED體積小的特點，大部分的熱量無法從表面散熱，因此LED背面成為了有效散熱的唯一途徑。此時，如何在封裝關(guān)節(jié)做好熱管理顯得尤為重要。

　　說到封裝環(huán)節(jié)上的熱管理，離不開兩個方面，一是材料，二是工藝。

　　在材料方面，經(jīng)過多年的發(fā)展，目前市面上UVCLED基本以倒裝芯片搭配高導(dǎo)熱氮化鋁基板的方案為主。氮化鋁（AIN）具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性（140W／mK－170W／mK），能耐紫外線光源本身的老化，滿足UVCLED高熱管理的需求。

　　工藝方面，目前市場上存在幾種固晶方式。第一種是采用銀漿，這種方式結(jié)合力雖然不錯，但容易造成銀遷移，導(dǎo)致器件失效。第二種是采用錫膏焊接，這種方式由于錫膏熔點只有220度左右，在器件貼片后，再次過爐會出現(xiàn)再融現(xiàn)象，芯片容易脫落失效，影響UVCLED可靠性。因此，市面上多數(shù)采用的是第三種固晶方式：采用金錫共晶焊。與前兩種固晶方式相比，其主要通過助焊劑進(jìn)行共晶焊接，能有效提升芯片與基板的結(jié)合強(qiáng)度，導(dǎo)熱率，更為可靠，有利于UVCLED的品質(zhì)管控。

　　既然市面上UVCLED封裝的材料和固晶工藝大多一樣，為什么熱管理的效果卻相差那么大呢？

　　在這里，不得不提焊接空洞率。

　　焊接空洞率簡單來說指的是LED芯片與基板焊接過程中，由于工藝等影響，導(dǎo)致部分區(qū)域無法焊接上，形成的缺陷，在外形上呈現(xiàn)為空洞的狀態(tài)，是影響散熱的重要指標(biāo)。

　　為了更直觀地呈現(xiàn)焊接空洞率對熱管理的影響，我們分別取了國星UVCLED以及友商UVCLED作為實驗對照樣本進(jìn)行了空洞率檢測、熱阻對比實驗，以及產(chǎn)品壽命實驗。兩個樣本均為采用相同LED進(jìn)口芯片以及金錫共晶焊工藝。

　　圖注：圖中藍(lán)綠色點為產(chǎn)品焊接空洞

　　經(jīng)檢測計算，在同尺寸LED芯片下，國星UVCLED封裝器件空洞率僅為9％，友商UVCLED封裝器件空洞率為18％。

　　熱阻實驗中，由于國星UVCLED空洞率較低，與友商產(chǎn)品相比，產(chǎn)生的熱阻也較低。

　　在0到480小時內(nèi)，空洞率對光功率維持率的影響基本沒有太大的變化；但從480小時后，國星UVCLED（空洞率9％）的光功率維持率與友商UVCLED（空洞率18％）相比，差距較明顯。4000小時，友商UVCLED光功率維持率只剩60％左右，而國星UVCLED光功率維持率降幅較低，4000小時仍維持在80％左右。

　　通過是上述三個實驗，我們得出結(jié)論，焊接空洞率越低，散熱效果越好，產(chǎn)品壽命越長，品質(zhì)越好。

　　值得注意的是，在降低UVCLED產(chǎn)品焊接空洞率上，國星光電已形成了一套較為領(lǐng)先和完善的工藝技術(shù)。目前，國星UVCLED產(chǎn)品總體空洞面積在10％以下，單顆最大空洞面積在2％以下，與市面同類產(chǎn)品空洞率15％－30％相比，處于行業(yè)領(lǐng)先水平，具有極佳的散熱效果、較長的產(chǎn)品壽命以及優(yōu)秀的產(chǎn)品品控。