硅基異構(gòu)集成和三維集成可滿足電子系統(tǒng)小型化高密度集成、多功能高性能集成、小體積低成本集成的需求，有望成為下一代集成電路的使能技術(shù)，是集成電路領(lǐng)域當(dāng)前和今后新的研究熱點(diǎn)。硅基三維集成微系統(tǒng)可集成化合物半導(dǎo)體、CMOS、MEMS等芯片，充分發(fā)揮不同材料、器件和結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，可實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)組件電路的芯片化、不同節(jié)點(diǎn)邏輯集成電路芯片的集成化，從而提升信號(hào)處理等電子產(chǎn)品的性價(jià)比。梳理了晶圓鍵合裝備的工藝過程、主要廠商及市場需求、我國晶圓鍵合設(shè)備研發(fā)現(xiàn)狀，并展望了晶圓鍵合設(shè)備的技術(shù)發(fā)展趨勢。

0 引言

半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求的重要產(chǎn)業(yè)，也是近期國際經(jīng)濟(jì)與科技競爭的焦點(diǎn)。2018年，中國成為全球半導(dǎo)體第一大市場，2019年，全球半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)4183億美元。集成電路產(chǎn)業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最大的消費(fèi)領(lǐng)域，多年來銷售占比重達(dá)80%以上，行業(yè)銷售收入年均增速超過20%[1]。 在摩爾定律的引導(dǎo)下，集成電路行業(yè)一直高速發(fā)展，晶體管特征尺寸己經(jīng)從90nm向7nm邁進(jìn)。然而，由于隨著晶體管特征尺寸已日益接近物理極限，量子效應(yīng)和短溝道效應(yīng)越來越嚴(yán)重[3-4]，內(nèi)部電子自發(fā)地通過源極和漏極，導(dǎo)致漏電流增加，進(jìn)而限制了晶體管的進(jìn)一步縮小。因此，按照摩爾定律的方式，通過縮小晶體管特征尺寸來提升集成電路性能、降低功耗變得越發(fā)困難。晶體管將會(huì)快速地接近約5nm的極限柵極長度，因此探索新的溝道材料和器件結(jié)構(gòu)是推動(dòng)IC產(chǎn)業(yè)繼續(xù)發(fā)展的兩條極為重要的路線[5-7]。

三維（Three-dimensional）集成是超越摩爾一個(gè)至關(guān)重要的研究應(yīng)用方向[8-9]。3D集成的定義是將摩爾晶圓或芯片在垂直于晶圓或芯片平面方向上進(jìn)行堆疊[10]。集成電路技術(shù)由二維平面向三維方向發(fā)展，該技術(shù)分段實(shí)現(xiàn)，首先實(shí)現(xiàn)幾層的三維集成，隨著時(shí)間的推移，三維集成芯片層數(shù)將會(huì)不斷增加。采用全新結(jié)構(gòu)的3D集成是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要技術(shù)，諸如存儲(chǔ)器、邏輯器件、傳感器和處理器等不同類型的器件和軟件的復(fù)雜集成，以及新材料和先進(jìn)的芯片堆疊技術(shù)，都要基于3D集成技術(shù)[11]。3D集成技術(shù)存在著4項(xiàng)挑戰(zhàn)，分別為晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)精度、鍵合完整性、晶圓減薄與均勻性控制以及層內(nèi)（層間）互聯(lián)[12]。

隨著摩爾定律逼近材料與器件的物理極限，源于微機(jī)電系統(tǒng)（Micro Electro Mechanical Systems，MEMS）制造技術(shù)的晶圓級(jí)封裝鍵合技術(shù)逐漸進(jìn)入集成電路制造領(lǐng)域，成為實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器、邏輯器件、射頻器件等部件的三維堆疊同質(zhì)/異質(zhì)集成，進(jìn)而提升器件性能和功能，降低系統(tǒng)功耗、尺寸與制造成本的重要技術(shù)途徑，對(duì)滿足集成電路高集密度、高功能密度和高性能集成的迫切需求，突破國內(nèi)自主可控平面集成能力不足的瓶頸，實(shí)現(xiàn)集成電路由平面集成向三維立體集成的跨越式發(fā)展有重要的戰(zhàn)略價(jià)值[13]。因此，英特爾、三星、華為、高通、羅姆、臺(tái)積電等知名企業(yè)及眾多高校、科研院所均圍繞晶圓級(jí)封裝鍵合開展了設(shè)備、器件、工藝的研究。 1?晶圓鍵合設(shè)備及工藝過程

晶圓鍵合設(shè)備通過化學(xué)和物理作用將兩塊同質(zhì)或異質(zhì)晶片緊密地結(jié)合起來，從而實(shí)現(xiàn)微電子材料、光電材料及其納米等級(jí)微機(jī)電元件的電氣互聯(lián)、功能集成和器件封裝。晶圓鍵合設(shè)備廣泛應(yīng)用于射頻器件、慣性器件、光電器件、信息處理器件及3D集成邏輯集成電路的先進(jìn)封裝制造，對(duì)位精度、鍵合溫度均勻性、鍵合壓力范圍及控制精度對(duì)晶圓鍵合工藝具有重要影響。 如圖1所示，晶圓鍵合工藝過程為：首先將待鍵合的一組晶圓進(jìn)行預(yù)處理、清洗、視覺對(duì)準(zhǔn)，進(jìn)而通過不同方法實(shí)現(xiàn)晶圓對(duì)的鍵合。晶片接合后，界面的原子受到外力的作用而產(chǎn)生反應(yīng)形成共價(jià)鍵結(jié)合成一體，并使接合界面達(dá)到特定的鍵合強(qiáng)度，稱之為永久性鍵合。若借助粘結(jié)劑將晶片接合，也可作為臨時(shí)鍵合，通過將器件晶圓固定在承載晶圓上，可為超薄器件晶圓提供足夠的機(jī)械支撐，保證器件晶圓能夠順利安全地完成后續(xù)工藝制程，如光刻、刻蝕、鈍化、濺射、電鍍和回流焊。

圖1?晶圓鍵合及后續(xù)工藝流程

具體的晶圓鍵合工藝可按照鍵合材料、鍵合手段、應(yīng)用場景分類，方法不盡相同，按照鍵合工藝對(duì)晶圓鍵合分類（見表1）。晶圓級(jí)鍵合是半導(dǎo)體器件物理、材料物理化學(xué)、精密機(jī)械設(shè)計(jì)、高精度自動(dòng)控制等多學(xué)科交叉的科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。晶圓鍵合工藝中晶圓尺寸的擴(kuò)大、芯片特征尺寸的縮小、異質(zhì)材料之間的熱失配及晶格失配等重要技術(shù)問題還有待解決[14]。 國外利用超高真空Ar快速原子束表面活化鍵合工藝實(shí)現(xiàn)了大面積、高強(qiáng)度的晶圓級(jí)鍵合，但我國在大面積、高強(qiáng)度晶圓級(jí)鍵合理論與工藝領(lǐng)域能力仍有待提高。晶圓鍵合及烘烤激活對(duì)晶圓表面溫度均勻性及翹曲變形有十分嚴(yán)格的要求。溫度均勻性取決于設(shè)備結(jié)構(gòu)、加熱工藝以及晶圓自身的熱物理性能，翹曲變形則受溫度均勻性、外加機(jī)械力以及晶圓自身力學(xué)性能的影響。傳統(tǒng)的研究多采用實(shí)驗(yàn)試錯(cuò)的方法，沒有將上述因素協(xié)同考慮，難以獲得優(yōu)化的結(jié)構(gòu)工藝參數(shù)，導(dǎo)致鍵合可靠性及器件良率大大下降。國際上的高水平研究團(tuán)隊(duì)通常結(jié)合先進(jìn)的數(shù)值仿真手段及多變量多目標(biāo)優(yōu)化方法，綜合考慮包含熱輻射、熱傳導(dǎo)在內(nèi)的熱場以及包含熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力在內(nèi)的應(yīng)力場等多物理場之間的復(fù)雜耦合作用機(jī)理，開展對(duì)晶圓鍵合和烘烤激活工藝參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化，從而大大提高鍵合品質(zhì)及器件良率。 表1晶圓鍵合工藝及典型器件

2?晶圓鍵合設(shè)備主要廠商

隨著先進(jìn)封裝趨勢向著更復(fù)雜的異質(zhì)集成、更大的封裝載體、更薄的芯片以及更小的封裝尺寸等方向發(fā)展，發(fā)達(dá)國家晶圓鍵合設(shè)備市場已比較成熟，而我國市場仍處成長階段，未來將成為全球晶圓對(duì)準(zhǔn)設(shè)備消費(fèi)增長的主要推動(dòng)力。在企業(yè)不斷加大資金投入、基礎(chǔ)研究深度拓展和消費(fèi)者認(rèn)知不斷提高的基礎(chǔ)上，晶圓鍵合系列設(shè)備市場將迎來井噴式發(fā)展。目前，國際一流晶圓鍵合設(shè)備廠商主要包括奧地利EVG公司與德國SUSS MicroTec公司等，詳見表2。 表2 2020年晶圓鍵合主要廠商

奧地利EVG公司的主流產(chǎn)品，適合陽極鍵合、共晶鍵合、金屬擴(kuò)散鍵合、直接鍵合、聚合物鍵合、熔融與混合鍵合和瞬時(shí)液相鍵合的小批量、半自動(dòng)晶圓鍵合解決方案，如EVG510、EVG520、E V G 5 4 0?晶圓鍵合系統(tǒng)；也可以提供全自動(dòng)、大批量、滿足3D異構(gòu)集成高對(duì)準(zhǔn)精度生產(chǎn)的晶圓鍵合解決方案，如EVG560、EVG GEMINI、EVGCombond、EVG Bondscale等晶圓鍵合系統(tǒng)；還有用于扇出封裝、晶圓減薄、3D堆疊、晶圓鍵合的臨時(shí)鍵合和晶圓解鍵合解決方案，如E V G 8 5 0?、EVG850TB、EVG850LT等晶圓臨時(shí)鍵合與解鍵合系統(tǒng)；晶圓對(duì)準(zhǔn)設(shè)備由Smartview發(fā)展到Smartview3，對(duì)準(zhǔn)精度提高到50 nm。 晶圓鍵合設(shè)備總體技術(shù)發(fā)展方向是高精度、高集成化、高可靠性、高動(dòng)態(tài)、高效化的趨勢，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)為：對(duì)準(zhǔn)精度≤50 nm；鍵合溫度均勻性≤±1%；最大晶圓尺寸304.8 mm（12英寸）；最大鍵合壓力100 kN；最高鍵合溫度550?℃。

德國SUSS MicroTec擁有六十多年的歷史，是半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的微結(jié)構(gòu)工藝設(shè)備制造商，產(chǎn)品涵蓋光刻、涂膠/顯影、晶圓鍵合、光刻掩膜版清洗等諸多半導(dǎo)體、微加工相關(guān)領(lǐng)域。SUSS晶圓鍵合系統(tǒng)主要包括XB8、SB6/8Gen2、XBS200、XBS300、XBC300Gen2等系統(tǒng)，最大晶圓尺寸304.8 mm（12英寸），對(duì)準(zhǔn)精度≤500 nm，能夠滿足包括共晶、直接鍵合等各種晶圓鍵合工藝需求。 國內(nèi)設(shè)備起步晚，國內(nèi)鍵合設(shè)備技術(shù)發(fā)展方向由手動(dòng)向半自動(dòng)轉(zhuǎn)換，國內(nèi)沒有多模塊集成的晶圓鍵合設(shè)備，與國外設(shè)備代差距較大。上海微電子裝備（SMEE）有獨(dú)立對(duì)準(zhǔn)、鍵合、解鍵合等設(shè)備，SWB系列晶圓鍵合設(shè)備用于有機(jī)膠鍵合、玻璃漿料鍵合、共晶鍵合、陽極鍵合等工藝。SWA系列晶圓對(duì)準(zhǔn)設(shè)備對(duì)準(zhǔn)精度≤±2?μm。蘇州美圖開發(fā)的陽極晶圓鍵合設(shè)備，最大鍵合壓力10～30 kN，最高溫度450?℃。中國電科2所研制真空晶圓鍵合系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)精度≤1?μm，鍵合溫度均勻性≤±1%（FS），設(shè)備達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平（如圖2所示）。

圖2?全自動(dòng)真空晶圓鍵合系統(tǒng)

3?我國晶圓鍵合設(shè)備的研發(fā)現(xiàn)狀

晶圓鍵合設(shè)備是進(jìn)入壁壘很高的產(chǎn)業(yè)，對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)、圖像處理與識(shí)別、高精度晶圓平行移動(dòng)等技術(shù)的要求極高。國內(nèi)的眾多設(shè)備廠家因自身的人才、技術(shù)、設(shè)備、材料和資金等各方面因素的制約，無力進(jìn)行設(shè)備持續(xù)的研究和改進(jìn)，與國外同行之間的技術(shù)和實(shí)力的差距有擴(kuò)大的趨勢，晶圓鍵合產(chǎn)品在技術(shù)性能、質(zhì)量可靠性、穩(wěn)定性等方面存在很大的不足。目前，國內(nèi)晶圓級(jí)鍵合技術(shù)主要受限于國內(nèi)器件設(shè)計(jì)與工藝、設(shè)備穩(wěn)定性與精確度等領(lǐng)域的基礎(chǔ)理論與關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展水平。 3.1技術(shù)性能

目前國內(nèi)生產(chǎn)的最好的設(shè)備對(duì)準(zhǔn)精度為±2?μm，與國外設(shè)備差距較大，EVG對(duì)準(zhǔn)精度≤50 nm。鍵合溫度均勻性規(guī)格書≤±1%（FS），實(shí)際能達(dá)到≤±0.6%。目前在晶圓級(jí)封裝行業(yè)內(nèi)，臨時(shí)鍵合技術(shù)的使用已經(jīng)比較成熟，但都是厚度都在100μm以上的單層硅通孔（TSV）結(jié)構(gòu)，受限于臨時(shí)鍵合材料，暫不能做到更薄。臨時(shí)鍵合穩(wěn)定的另一面是解鍵合和清除殘膠更加麻煩，需要更長時(shí)間去除殘膠，鍵合的穩(wěn)定和解鍵合殘膠的易清潔之間的平衡，還需要更長時(shí)間去解決。國外設(shè)備自動(dòng)化程度可滿足大生產(chǎn)線需求，國內(nèi)設(shè)備差距很大。 3.2?質(zhì)量可靠性

國外設(shè)備鍵合熱臺(tái)使用壽命長、密封可靠性高，加壓氣液缸、檢測傳感器、卡盤等關(guān)鍵件可靠、耐用，設(shè)備一致性、長期使用穩(wěn)定性好，加熱臺(tái)互換性良好。國內(nèi)設(shè)備、鍵合加熱臺(tái)等部件一致性差，穩(wěn)定性不好，缺乏關(guān)鍵零部件持續(xù)攻關(guān)及工藝深度結(jié)合。 3.3研發(fā)模式及投入

我國設(shè)備行業(yè)與國外行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的研發(fā)模式有很大不同。以半導(dǎo)體裝備龍頭企業(yè)AMSL為例，在全球范圍內(nèi)與優(yōu)勢單位、頭部企業(yè)合作，實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)、強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，分布在全球的700多家供應(yīng)商提供的功能模塊和單元組件貢獻(xiàn)了AMSL光刻設(shè)備約85％的外購成本。 AMSL能專注于自身獨(dú)特的能力優(yōu)勢，集成世界范圍內(nèi)最專業(yè)的制造商來設(shè)計(jì)、研發(fā)與制造***，與比利時(shí)的IMEC光刻研究中心保持著長期合作關(guān)系，依靠強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力引領(lǐng)市場、開拓創(chuàng)新，擁有龐大且涉及多學(xué)科多領(lǐng)域的高科技研發(fā)團(tuán)隊(duì)，每年用于研發(fā)的費(fèi)用數(shù)以億計(jì)。自2015年以來，AMSL的研發(fā)人數(shù)占員工總數(shù)的比例一直維持在35％左右，研發(fā)人員逐年遞增，2018年達(dá)8 500多人[15]。國內(nèi)裝備研制企業(yè)與零部件生產(chǎn)商配合不緊密，產(chǎn)學(xué)研合作脫節(jié)，研究方向不專注，高端人才缺乏，研發(fā)投入不夠，缺乏長期戰(zhàn)略投入，造成與國外高端核心裝備的技術(shù)差距較大。?

4?晶圓鍵合設(shè)備技術(shù)發(fā)展趨勢

4.1向全自動(dòng)多工藝集成方向轉(zhuǎn)換

設(shè)備由單一工藝段設(shè)備逐步全自動(dòng)多工藝集成方向轉(zhuǎn)換，表現(xiàn)出高集成度特點(diǎn)。近年來半自動(dòng)晶圓鍵合設(shè)備市場份額在逐漸下降，全自動(dòng)晶圓鍵合設(shè)備市場份額逐年在提高。集束型晶圓鍵合設(shè)備由若干功能不同的工藝腔構(gòu)成，會(huì)產(chǎn)生大量與工藝相關(guān)的數(shù)據(jù)，每個(gè)工藝腔內(nèi)布置大量檢測不同物理量的傳感器，在設(shè)備運(yùn)行期間還會(huì)產(chǎn)生大量數(shù)據(jù)。通過使用合適的數(shù)據(jù)處理方案處理上述海量數(shù)據(jù)，可有效地反饋至各部分設(shè)計(jì)人員，從而輔助設(shè)備設(shè)計(jì)以及器件控制方案。對(duì)集成型先進(jìn)封裝鍵合設(shè)備而言，生產(chǎn)過程較復(fù)雜，而腔室之間處理晶圓的片數(shù)、時(shí)間也不相同，導(dǎo)致腔內(nèi)機(jī)械手時(shí)域作業(yè)調(diào)度方案優(yōu)劣在很大程度上會(huì)影響集束型設(shè)備生產(chǎn)效率以及設(shè)備運(yùn)作流暢性，因此科學(xué)地設(shè)計(jì)集束型設(shè)備生產(chǎn)過程模型以及機(jī)械手調(diào)度算法對(duì)生產(chǎn)效率至關(guān)重要[16]。 此外，國際IC裝備和材料協(xié)會(huì)（SEMI）針對(duì)集束型裝備控制軟件（CTC）的控制軟件正向標(biāo)準(zhǔn)化、通用化控制系統(tǒng)發(fā)展，符合國際標(biāo)準(zhǔn)CTC的控制軟件是國際上IC裝備控制系統(tǒng)的通用解決方案。因此，為使晶圓鍵合設(shè)備可以進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)線，需要針對(duì)SEMI標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)CTC軟件。

4.2向3D集成技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)化

設(shè)備由MEMS領(lǐng)域應(yīng)用轉(zhuǎn)化到3D集成技術(shù)領(lǐng)域，表現(xiàn)出高對(duì)準(zhǔn)精度特點(diǎn)。大多數(shù)對(duì)準(zhǔn)、鍵合工藝都源于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造技術(shù)，但應(yīng)用于3D集成的對(duì)準(zhǔn)精度要比傳統(tǒng)MEMS對(duì)準(zhǔn)精度提高5～10倍，目前設(shè)備對(duì)準(zhǔn)精度已經(jīng)達(dá)到亞微米級(jí)。實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)的方法有頂部對(duì)準(zhǔn)或者底部對(duì)準(zhǔn)（TSA/BSA）、紅外透射對(duì)準(zhǔn)（IR）、片中間對(duì)準(zhǔn)（ISA）/面-面對(duì)準(zhǔn)、背對(duì)背對(duì)準(zhǔn)（如圖3所示）。頂部對(duì)準(zhǔn)或者底部對(duì)準(zhǔn)采用一組物鏡，這種方法要求一片晶圓是透明的或具有一定的透光性，從上側(cè)或者下側(cè)都可以看到上下兩個(gè)晶圓的標(biāo)識(shí)（Mark）點(diǎn)。紅外透射對(duì)準(zhǔn)技術(shù)廣泛應(yīng)用于3D IC晶圓級(jí)鍵合領(lǐng)域，能夠?qū)嵤?duì)Mark進(jìn)行測量實(shí)時(shí)成像，多次對(duì)準(zhǔn)，進(jìn)一步提高對(duì)準(zhǔn)精度。紅外透射對(duì)準(zhǔn)的優(yōu)點(diǎn)是可實(shí)時(shí)成像，多次對(duì)準(zhǔn)；缺點(diǎn)是對(duì)準(zhǔn)精度與晶圓的厚度相關(guān)，波長選擇與材質(zhì)和厚度相關(guān)，并且隨著厚度增加，成像質(zhì)量下降，疊層晶圓出射面的粗糙度與紅外透射對(duì)準(zhǔn)精度也相關(guān)。背對(duì)背對(duì)準(zhǔn)需要雙面光刻，或者背面光刻。

(a)頂部對(duì)準(zhǔn)或者底部對(duì)準(zhǔn)? ? ??(b)紅外透射對(duì)準(zhǔn)

(c)片中間對(duì)準(zhǔn)? ???(d)背對(duì)背對(duì)準(zhǔn)

圖3?對(duì)準(zhǔn)方式及對(duì)準(zhǔn)示意圖

當(dāng)上述方式都不滿足對(duì)準(zhǔn)要求時(shí)，可以采用片中間對(duì)準(zhǔn)（ISA），這種對(duì)準(zhǔn)方式的主要缺點(diǎn)是需要對(duì)準(zhǔn)的晶圓Z?方向的間距大。EV Group采用SmartView對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。

設(shè)備由MEMS領(lǐng)域應(yīng)用轉(zhuǎn)化到3D集成技術(shù)領(lǐng)域，表現(xiàn)大壓力高溫度均勻性特點(diǎn)。鍵合臺(tái)由金屬加熱器向陶瓷加熱器轉(zhuǎn)化，進(jìn)一步提高溫度均勻性及耐磨性。晶圓尺寸由203.2 mm（8英寸）轉(zhuǎn)向304.8 mm（12英寸），低溫直接鍵合增多，鍵合壓力增大至100 kN。 總之，晶圓鍵合設(shè)備在后摩爾時(shí)代表現(xiàn)出來高集成、高精度、大壓力高溫度均勻性、高動(dòng)態(tài)和智能化的特點(diǎn)，晶圓鍵合設(shè)備在3D集成技術(shù)應(yīng)用前景極具優(yōu)勢。 5?結(jié)束語

為提高我國在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的自主研發(fā)創(chuàng)新能力，建議針對(duì)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)高質(zhì)量、高可靠性先進(jìn)封裝鍵合的迫切需求，開展晶圓級(jí)同質(zhì)/異質(zhì)封裝鍵合基礎(chǔ)理論及關(guān)鍵技術(shù)研究，重點(diǎn)探索突破封裝鍵合的界面理論與工藝優(yōu)化方法、復(fù)雜精密晶圓級(jí)封裝系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理與關(guān)鍵技術(shù)、高動(dòng)態(tài)高精度晶圓封裝系統(tǒng)檢測控制理論與技術(shù)、集束型封裝復(fù)雜生產(chǎn)過程優(yōu)化控制理論與技術(shù)等發(fā)展瓶頸，構(gòu)建晶圓級(jí)先進(jìn)封裝同質(zhì)/異質(zhì)鍵合理論與技術(shù)體系。

王成君1,2，胡北辰2，楊曉東2，武春暉2

（1 東南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院??2 中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所）

編輯：黃飛

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