英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計要求。
2019-01-29 09:58:32
30416 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:003615 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關(guān)性能，還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:343326 
可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設(shè)計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，
2024-09-19 11:55:061107 
33V，適合驅(qū)動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)數(shù)字控制器
2025-04-03 14:23:02
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時，還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用?！?b class="flag-6" style="color: red">柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
的電壓軌。特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅(qū)動器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
，降低了88%。還有重要的一點(diǎn)是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片
2021-01-22 06:45:02
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
(PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來運(yùn)行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南
2022-11-02 12:07:56
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
在開啟時提供此功能。實(shí)驗驗證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動器，用于故障信號通信。IX6611設(shè)計用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動 SiC
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識”
2022-10-25 17:20:12
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
，低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動機(jī)驅(qū)動設(shè)計中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個重要的柵極驅(qū)動器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。
2012-02-11 09:59:083265 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，此器件能夠高效地驅(qū)動MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
2016-07-22 15:38:23
0 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 基礎(chǔ)型隔離式柵極驅(qū)動器，可以驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) FET。此參考設(shè)計包含一個緊湊的內(nèi)置 1.5W 隔離式 Fly Buck 輔助電源，用于為柵極驅(qū)動器的輸入和輸出供電。方法是將隔離式柵極驅(qū)動器和隔離式柵極驅(qū)
2017-12-25 11:13:000 ADP3110A是一個單相12V MOSFET柵極驅(qū)動器，它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時驅(qū)動高_側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時間驅(qū)動3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:0078 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器，適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003983 
兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，設(shè)計用于最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。浮動通道可用于驅(qū)動高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓為10到600伏。
2020-04-28 08:00:0052 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005320 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動器。隔離式柵極驅(qū)動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
低側(cè)柵極驅(qū)動器的應(yīng)用回顧和比較評估
2022-11-14 21:08:330 和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對于器件源極/發(fā)射極的電壓。專用驅(qū)動器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。本文討論這些柵極驅(qū)動器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時序、驅(qū)動強(qiáng)度和隔離度。
2023-01-30 17:17:122922 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:021535 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:361813 
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 柵極驅(qū)動器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源、太陽能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:003609 的信號轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、逆變器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
2024-07-19 17:15:2724573 利用集成負(fù)偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動在設(shè)計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動器和泵等高功率應(yīng)用時，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 IGBT 相比，SiC 技術(shù)具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:50:111 應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?！陡邏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。
2024-11-11 17:21:201608 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于汽車IGBT柵極驅(qū)動器的多輸出初級側(cè)調(diào)節(jié)反激式參考設(shè)計.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-03 15:13:491 MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件，能夠有效地驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 開關(guān) 。提供FAE支持，歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器
2024-12-20 17:44:511386 
額定值。30V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23525 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于標(biāo)準(zhǔn)光耦合器的柵極驅(qū)動器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時在原理圖和布局設(shè)計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-15 16:43:47893 
UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628 
電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET?？梢?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅(qū)動器相比，F(xiàn)ET 帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設(shè)計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793 
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT電源開關(guān)，具有3A峰值拉電流和3A
2025-07-10 14:57:02613 
Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達(dá)2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護(hù)特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。
2025-08-27 15:17:201657 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于工作電壓高達(dá)2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá) ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅(qū)動器設(shè)有三個半橋柵極驅(qū)動器，電壓為100V，每個均可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23817 
Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1單通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器系列，可驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動器的典型峰值驅(qū)動
2025-09-18 10:48:38719 
Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動器的典型峰值驅(qū)動
2025-09-18 14:47:59757 
UCC27624V是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V具有 5A 的典型峰值驅(qū)動強(qiáng)度，可減少電源開關(guān)的上升和下降時間，降低
2025-09-26 15:27:34695 
該UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142362 
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動電壓。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454 
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45893 
DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓，而 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:23:03492 
DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:27:06449 
~增強(qiáng)的隔離額定值。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511-Q1 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于光耦合器的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器相比
2025-10-14 14:44:27493 
V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于光耦合器的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器相比，關(guān)鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設(shè)計中保持引腳到引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495 
- Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 IX4352NEAU汽車級低壓側(cè)柵極驅(qū)動器，旨在滿足電動汽車
2025-10-28 18:07:40859 
在電子設(shè)備的設(shè)計中，柵極驅(qū)動器起著至關(guān)重要的作用，它能夠有效地驅(qū)動功率MOSFET和IGBT，確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美（onsemi）推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器，它具備諸多出色的特性和功能，適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-04 09:58:48655 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658 先進(jìn)的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅(qū)動器，主要用于xEV牽引逆變器中的SiC和IGBT模塊驅(qū)動。它通過先進(jìn)的柵極驅(qū)動功能，在節(jié)省空
2025-12-24 14:25:02223 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動光耦合器 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其可靠驅(qū)動至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-30 15:40:03317
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