日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。LM5114 可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應(yīng)用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器 LM5113，可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動(dòng)器解決方案。

　　LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨(dú)立源極與汲極輸出(sink and source output)驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應(yīng)用中所需的 7.6 A 高峰值關(guān)斷電流功能。此外，提高的下拉強(qiáng)度還有助于該器件驅(qū)動(dòng) GaN FET。獨(dú)立源極與汲極輸出可取消驅(qū)動(dòng)器路徑中的二極管，準(zhǔn)確控制升降時(shí)間。

　　LM5114 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的主要特性與優(yōu)勢(shì)：

　　·可優(yōu)化升降時(shí)間的獨(dú)立源極與汲極輸出支持更高的效率;

　　·+4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應(yīng)用;

　　·0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通;

　　·7.6 A/1.3 A 峰值汲極/源極驅(qū)動(dòng)器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響;

　　·匹配反相及非反相輸入之間的延遲時(shí)間，可降低停滯時(shí)間損耗;

　　·12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時(shí)，支持高開關(guān)頻率;

　　·高達(dá) 14 V 的邏輯輸入(不受 VCC 影響);

　　·-40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。

　　供貨情況與封裝

　　LM5114 現(xiàn)已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。該器件采用 6 引腳 SOT-23 封裝或裸焊盤 6 引腳 LLP 封裝。

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